JPS6231156A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPS6231156A JPS6231156A JP60170709A JP17070985A JPS6231156A JP S6231156 A JPS6231156 A JP S6231156A JP 60170709 A JP60170709 A JP 60170709A JP 17070985 A JP17070985 A JP 17070985A JP S6231156 A JPS6231156 A JP S6231156A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、特に半導
体装置の最終製造工程での内部回路の変更を可能とする
プログラマブルフユーズを有スる半導体装置及びその製
造方法に関する。
体装置の最終製造工程での内部回路の変更を可能とする
プログラマブルフユーズを有スる半導体装置及びその製
造方法に関する。
（従来の技術）
従来、半導体装置のプログラマブルフェーズとしては、
多結晶シリコンが多く使われておシ、例えばレーザー照
射によシ焼ききるか、あるいは多結晶シリコンに大量の
電流を流し発生する熱忙より多結晶シリコンを切る方法
が検討又は使用されてきた。
多結晶シリコンが多く使われておシ、例えばレーザー照
射によシ焼ききるか、あるいは多結晶シリコンに大量の
電流を流し発生する熱忙より多結晶シリコンを切る方法
が検討又は使用されてきた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし上述した従来のプログラマブルフユーズにおいて
は熱によシ多結晶シリコンを溶断するためにガス成分が
蒸発する際建、多結晶シリコンをおおっている層間絶縁
膜またはパシベーシ目ン膜を破壊してしまい、製品の信
頼性をいちじるしく低下させる危険があった。
は熱によシ多結晶シリコンを溶断するためにガス成分が
蒸発する際建、多結晶シリコンをおおっている層間絶縁
膜またはパシベーシ目ン膜を破壊してしまい、製品の信
頼性をいちじるしく低下させる危険があった。
本発明は上記従来の欠点を除去し、パッシベーシッン膜
成長後パッシベーション膜を破壊することなしにヒユー
ズを構成することが出来る半導体装置及びその製造方法
を提供することを目的とする０ （問題点を解決するための手段） 本発明の第１の発明の半導体装置は、半導体基板内に形
成された一導電型半導体基体と、該半導体基体内に形成
された他導電型の半導体領域と、該半導体領域上に形成
された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に開口されたコンタ
クト孔と、該コンタクト孔を覆って形成された薄い高融
点金属膜と、該高融点金属膜を覆って形成されたアルミ
ニウム配線と、該アルミニウム配線を覆い表面に形成さ
れたバッジベージ冑ン用の絶縁膜とを有し、前記アルミ
ニウム配線のアルミニウムが少なくとも一部のコンタク
ト部において前記高融点金属と前記他導電型半導体領域
をつきぬけて前記一導電型半導体基体と電気的に接続さ
れている構造を有して構成される。
成長後パッシベーション膜を破壊することなしにヒユー
ズを構成することが出来る半導体装置及びその製造方法
を提供することを目的とする０ （問題点を解決するための手段） 本発明の第１の発明の半導体装置は、半導体基板内に形
成された一導電型半導体基体と、該半導体基体内に形成
された他導電型の半導体領域と、該半導体領域上に形成
された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に開口されたコンタ
クト孔と、該コンタクト孔を覆って形成された薄い高融
点金属膜と、該高融点金属膜を覆って形成されたアルミ
ニウム配線と、該アルミニウム配線を覆い表面に形成さ
れたバッジベージ冑ン用の絶縁膜とを有し、前記アルミ
ニウム配線のアルミニウムが少なくとも一部のコンタク
ト部において前記高融点金属と前記他導電型半導体領域
をつきぬけて前記一導電型半導体基体と電気的に接続さ
れている構造を有して構成される。
なお、高融点金属膜としては、タングステン又はＴｉＷ
又はＴｉＮを用いることがよく、またアルミニウム配線
としてはシリコンを含まないアルミニウム又はシリコン
をＯ０１〜０．５ｗｔ％含むアルミニウムを用いること
によシ目的を達成することができる。
又はＴｉＮを用いることがよく、またアルミニウム配線
としてはシリコンを含まないアルミニウム又はシリコン
をＯ０１〜０．５ｗｔ％含むアルミニウムを用いること
によシ目的を達成することができる。
また、本発明の第２の発明の半導体装置の製造方法は、
半導体基板内に一導電型半導体基体を形成する工程と、
該半導体基体内に他導電型の半導体領域を形成する工程
と、該半導体領域上に層間絶縁膜を形成する工程と、該
層間絶縁膜に他導電型の半導体領域に達する開口部を設
ける工程と、該開口部を覆う薄い高融点金属膜を形成す
る工程と、該高融点金属膜を覆うアルミニウム配線を形
成する工程と、該アルミニウム配線を覆い表面にバッジ
ページ目ン用の絶縁膜を形成する工程と、レーザ光によ
りコンタクト形成部分のコンタクト孔部分のみを加熱し
前記アルミニウム配線のアルミニウムを前記薄い高融点
金属膜および前記他導電型半導体領域をつきぬけさせ前
記一導電型半導体基体と電気的に接続せしめる工程とを
含んで構成される。
半導体基板内に一導電型半導体基体を形成する工程と、
該半導体基体内に他導電型の半導体領域を形成する工程
と、該半導体領域上に層間絶縁膜を形成する工程と、該
層間絶縁膜に他導電型の半導体領域に達する開口部を設
ける工程と、該開口部を覆う薄い高融点金属膜を形成す
る工程と、該高融点金属膜を覆うアルミニウム配線を形
成する工程と、該アルミニウム配線を覆い表面にバッジ
ページ目ン用の絶縁膜を形成する工程と、レーザ光によ
りコンタクト形成部分のコンタクト孔部分のみを加熱し
前記アルミニウム配線のアルミニウムを前記薄い高融点
金属膜および前記他導電型半導体領域をつきぬけさせ前
記一導電型半導体基体と電気的に接続せしめる工程とを
含んで構成される。
（実施例）
を説明するために工程順に示した縦断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すようにＰ型半導体シリコン基
板ｌにＮ 拡散層領域２をフィールド層間絶縁膜３をマ
スクとして形成する。次いで層間酸化膜４を形成した後
、さきに形成したＮ 拡散層領域２の領域内にＮ 拡散
層領域に達する開口部を層間酸化膜４に形成する。次に
開口部を覆う薄い高融点金属であるタングステン膜５を
形成する。
板ｌにＮ 拡散層領域２をフィールド層間絶縁膜３をマ
スクとして形成する。次いで層間酸化膜４を形成した後
、さきに形成したＮ 拡散層領域２の領域内にＮ 拡散
層領域に達する開口部を層間酸化膜４に形成する。次に
開口部を覆う薄い高融点金属であるタングステン膜５を
形成する。
次いで厚いアルミニウムを形成パターン化した後、表面
にパッジベージ目ン用の酸化膜７を形成する。
にパッジベージ目ン用の酸化膜７を形成する。
次に第１図（ｂｌに示すようにアルミニウム配線とＰ型
シリコン基板１との電気的接続を形成する場所のさきに
形成したコンタクト孔部分のみにレーザ光１９を照射し
加熱する。しかるときはその熱によシ局所的にダンゲス
テンのバリア膜が破壊され熱によりアルミニウムがシリ
コン基板にアロイスパイク８を生じＮ 拡散層領域２を
破壊し、ＰＮ接合をも破壊することによシアルミニウム
配線がＰ型シリコン基板１と短絡する。電気的接続を行
なわないコンタクト形成部分は第１図（ａ）のまま残さ
れ、バソア層並びにＮ＋拡散層領域２によりアルミニウ
ム配線６とＰ型シリコン基板は絶縁が保たれる。
シリコン基板１との電気的接続を形成する場所のさきに
形成したコンタクト孔部分のみにレーザ光１９を照射し
加熱する。しかるときはその熱によシ局所的にダンゲス
テンのバリア膜が破壊され熱によりアルミニウムがシリ
コン基板にアロイスパイク８を生じＮ 拡散層領域２を
破壊し、ＰＮ接合をも破壊することによシアルミニウム
配線がＰ型シリコン基板１と短絡する。電気的接続を行
なわないコンタクト形成部分は第１図（ａ）のまま残さ
れ、バソア層並びにＮ＋拡散層領域２によりアルミニウ
ム配線６とＰ型シリコン基板は絶縁が保たれる。
以上の製造方法により、半導体基板内に形成された−４
を型（Ｐ型）半導体基体１と半導体基体ｌ内に形成され
た他導電型（Ｎ 型）半導体領域２と、半導体領域２上
に形成された層間絶縁＠４と、層間絶縁膜４に開口され
たコンタクト孔と、そのコンタクト孔を覆って形成され
た薄い高融点金属膜としてのタングステン膜５と、その
高融点金属膜であるタンク・ステン膜５を覆って形成さ
れたアルミニウム配線６と、そのアルミニウム配線６を
覆って表面に形成されたパシベーション用の絶縁膜であ
る酸化膜７とを有し、アルミニウム配線６のアルミニウ
ムが少なくとも一部のコンタクト部において高融点金属
５と他導電型（Ｎ＋型）半導体領域２をつきぬけて一導
電型半導体基体１と電気的に接続されて形成されている
半導体装置が得られる。
を型（Ｐ型）半導体基体１と半導体基体ｌ内に形成され
た他導電型（Ｎ 型）半導体領域２と、半導体領域２上
に形成された層間絶縁＠４と、層間絶縁膜４に開口され
たコンタクト孔と、そのコンタクト孔を覆って形成され
た薄い高融点金属膜としてのタングステン膜５と、その
高融点金属膜であるタンク・ステン膜５を覆って形成さ
れたアルミニウム配線６と、そのアルミニウム配線６を
覆って表面に形成されたパシベーション用の絶縁膜であ
る酸化膜７とを有し、アルミニウム配線６のアルミニウ
ムが少なくとも一部のコンタクト部において高融点金属
５と他導電型（Ｎ＋型）半導体領域２をつきぬけて一導
電型半導体基体１と電気的に接続されて形成されている
半導体装置が得られる。
なお、第１の実施例においては、タングステンバリア膜
を用いたが、他にＴｉＷ、ＴｉＮ等一般にバリアメタル
とよばれる種類の金属を用いてもよいＯ また、アルミニウム配線としては純粋なアルミニウムの
例を示したが、シリコンを添加したアルミニウムでも同
様の構造を構成することができる。
を用いたが、他にＴｉＷ、ＴｉＮ等一般にバリアメタル
とよばれる種類の金属を用いてもよいＯ また、アルミニウム配線としては純粋なアルミニウムの
例を示したが、シリコンを添加したアルミニウムでも同
様の構造を構成することができる。
また、パッシベーション膜として酸化膜を用いたが、こ
れに限ることなく、レーザ光を透過できる膜であればよ
く、窒化膜の多層膜が適用可能である。
れに限ることなく、レーザ光を透過できる膜であればよ
く、窒化膜の多層膜が適用可能である。
（発明の効果）
以上説明したように本発明はバリアメタル構造のコンタ
クト部分をパシベーション膜を通してレーザ光により加
熱することによシ、所望のコンタクト部分のみアルミニ
ウム配線が基板にアロイスパイクしている構造を提供す
ることによりパシベーション膜成長後、パシベーション
膜を破壊することなしにヒユーズを構成することができ
る。
クト部分をパシベーション膜を通してレーザ光により加
熱することによシ、所望のコンタクト部分のみアルミニ
ウム配線が基板にアロイスパイクしている構造を提供す
ることによりパシベーション膜成長後、パシベーション
膜を破壊することなしにヒユーズを構成することができ
る。
第１図（ａ） 、 （ｂｌは本発明の一実施例及びその
製造方法を説明するために工程順に示した縦断面図で第
１図（ｂ）はレーザ光によジオン状態とした後の縦断面
図、第１図（ａ）はオン状態以前又はオン状態にしない
部分の縦断面図である。 ｌ・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・・・・Ｎ
拡散層領域、３・・・・・・フィールドの層間絶縁膜、
４・・・・・・層間酸化膜、５・・・・・・高融点金属
膜としてのタングステン膜、６・・・・・・アルミニウ
ム配Ｌ ７・・、・・・・バッシヘーション用酸化膜
、８・・・・・・アルミニウムのアロイスパイク、９・
・・・・・レーザー光。 第１ 図
製造方法を説明するために工程順に示した縦断面図で第
１図（ｂ）はレーザ光によジオン状態とした後の縦断面
図、第１図（ａ）はオン状態以前又はオン状態にしない
部分の縦断面図である。 ｌ・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・・・・Ｎ
拡散層領域、３・・・・・・フィールドの層間絶縁膜、
４・・・・・・層間酸化膜、５・・・・・・高融点金属
膜としてのタングステン膜、６・・・・・・アルミニウ
ム配Ｌ ７・・、・・・・バッシヘーション用酸化膜
、８・・・・・・アルミニウムのアロイスパイク、９・
・・・・・レーザー光。 第１ 図
Claims (4)
- （１）半導体基板内に形成された一導電型半導体基体と
、該半導体基体内に形成された他導電型の半導体領域と
、該半導体領域上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶
縁膜に開口されたコンタクト孔と、該コンタクト孔を覆
って形成された薄い高融点金属膜と、該高融点金属膜を
覆って形成されたアルミニウム配線と、該アルミニウム
配線を覆い表面に形成されたパッシベーション用の絶縁
膜とを有し、前記アルミニウム配線のアルミニウムが少
なくとも一部のコンタクト部において前記高融点金属と
前記他導電型半導体領域をつきぬけて前記一導電型半導
体基体と電気的に接続されていることを特徴とする半導
体装置。 - （２）高融点金属膜としてタングステン又はＴｉＷ又は
ＴｉＮを用いる特許請求の範囲第（１）項記載の半導体
装置。 - （３）アルミニウム配線としてシリコンを含まないアル
ミニウム又はシリコンを０．１〜０．５ｗｔ％含んだア
ルミニウムの何れかを用いる特許請求の範囲第（１）項
記載の半導体装置。 - （４）半導体基板内に一導電型半導体基体を形成する工
程と、該半導体基体内に他導電型の半導体領域を形成す
る工程と、該半導体領域上に層間絶縁膜を形成する工程
と、該層間絶縁膜に他導電型の半導体領域に達する開口
部を設ける工程と、該開口部を覆う薄い高融点金属膜を
形成する工程と、該高融点金属膜を覆うアルミニウム配
線を形成する工程と、該アルミニウム配線を覆い表面に
パッシベーション用の絶縁膜を形成する工程と、レーザ
光によりコンタクト形成部分のコンタクト孔部分のみを
加熱し前記アルミニウム配線のアルミニウムを前記薄い
高融点金属膜および前記他導電型半導体領域をつきぬけ
させ前記一導電型半導体基体と電気的に接続せしめる工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60170709A JPS6231156A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60170709A JPS6231156A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231156A true JPS6231156A (ja) | 1987-02-10 |
Family
ID=15909944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60170709A Pending JPS6231156A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6231156A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01285580A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-16 | Hitachi Elevator Eng & Service Co Ltd | エレベータの制御装置 |
| EP1154438A3 (en) * | 2000-05-01 | 2003-10-29 | Xerox Corporation | Programmable circuit with preview function |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5167081A (ja) * | 1974-12-07 | 1976-06-10 | Fujitsu Ltd | |
| JPS5892252A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59124767A (ja) * | 1983-01-04 | 1984-07-18 | Nec Corp | 半導体・集積回路装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP60170709A patent/JPS6231156A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5167081A (ja) * | 1974-12-07 | 1976-06-10 | Fujitsu Ltd | |
| JPS5892252A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59124767A (ja) * | 1983-01-04 | 1984-07-18 | Nec Corp | 半導体・集積回路装置の製造方法 |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPH01285580A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-16 | Hitachi Elevator Eng & Service Co Ltd | エレベータの制御装置 |
| EP1154438A3 (en) * | 2000-05-01 | 2003-10-29 | Xerox Corporation | Programmable circuit with preview function |
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