JPH0793254B2 - レジスト膜形成用基板の処理方法 - Google Patents
レジスト膜形成用基板の処理方法Info
- Publication number
- JPH0793254B2 JPH0793254B2 JP62182582A JP18258287A JPH0793254B2 JP H0793254 B2 JPH0793254 B2 JP H0793254B2 JP 62182582 A JP62182582 A JP 62182582A JP 18258287 A JP18258287 A JP 18258287A JP H0793254 B2 JPH0793254 B2 JP H0793254B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist film
- adhesion
- film
- adhesion enhancer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体集積回路の製造工程で用いる、シリコ
ン基板、表面が処理されたシリコン基板（酸化膜，ポリ
シリコン膜、窒化膜等）または、フォトマスクの製造工
程で用いる、ガラス基板（石英等にクロム，酸化クロム
等の表面処理がしてある基板）などにレジスト膜を塗布
する際に用いる、付着強化剤の処理方法に関するもので
ある。
ン基板、表面が処理されたシリコン基板（酸化膜，ポリ
シリコン膜、窒化膜等）または、フォトマスクの製造工
程で用いる、ガラス基板（石英等にクロム，酸化クロム
等の表面処理がしてある基板）などにレジスト膜を塗布
する際に用いる、付着強化剤の処理方法に関するもので
ある。
従来の技術 フォトエッチング工程では、基板にレジストを塗布して
薄い膜を作り、この膜にアライナーにより紫外線を当
て、回路素子パターンを形成する。次に、この形成パタ
ーンを用いて、基板を選択エッチングする。このエッチ
ングは、通常、薬品を用いたウェットエッチングあるい
は気相化学反応を用いたドライエッチングで行なわれ
る。
薄い膜を作り、この膜にアライナーにより紫外線を当
て、回路素子パターンを形成する。次に、この形成パタ
ーンを用いて、基板を選択エッチングする。このエッチ
ングは、通常、薬品を用いたウェットエッチングあるい
は気相化学反応を用いたドライエッチングで行なわれ
る。
基板へのレジスト膜の付着が弱いと、レジストパターン
形成の時や、エッチングの時に、基板からレジスト膜が
剥がれてしまい、不良が発生する。このパターン不良は
製品の微細化が進むと、より顕著に発生する。
形成の時や、エッチングの時に、基板からレジスト膜が
剥がれてしまい、不良が発生する。このパターン不良は
製品の微細化が進むと、より顕著に発生する。
基板とレジスト膜との付着を強化するためには、ヘキサ
メチルジシラザン等の付着強化剤により基板表面のOH基
と反応させ、同OH基を除去する方法がある。
メチルジシラザン等の付着強化剤により基板表面のOH基
と反応させ、同OH基を除去する方法がある。
付着強化剤の塗布方法は、普通、第２図に示すように、
スピンナーを用いて、基板表面に薄く塗布をする方法が
用いられている。この方法は、第２図ａで示すように、
ノズル１の先端から付着強化剤２をシリコン基板３の表
面に滴下して、第２図ｂに示すように、スピンナー４で
回転し、シリコン基板３の表面に薄く塗布する方法であ
る。
スピンナーを用いて、基板表面に薄く塗布をする方法が
用いられている。この方法は、第２図ａで示すように、
ノズル１の先端から付着強化剤２をシリコン基板３の表
面に滴下して、第２図ｂに示すように、スピンナー４で
回転し、シリコン基板３の表面に薄く塗布する方法であ
る。
発明が解決しようとする問題点 スピンナーで塗布する場合、多量の付着強化剤が必要で
あること、また、塗布した付着強化剤が厚いために残
り、付着強化が十分でなかった。
あること、また、塗布した付着強化剤が厚いために残
り、付着強化が十分でなかった。
問題点を解決するための手段 本発明は、処理用ボックス内の上方に基板を配置し、か
つ下方に液体状の付着強化剤を配置した処理装置を用い
て行うレジスト膜形成用基板の処理方法であって、付着
強化剤の液面の上方から不活性ガスを吹き付けることに
より付着強化剤を気化させ、その気化させた蒸気を基板
に付着させることを特徴としたレジスト膜形成用基板の
処理方法である。
つ下方に液体状の付着強化剤を配置した処理装置を用い
て行うレジスト膜形成用基板の処理方法であって、付着
強化剤の液面の上方から不活性ガスを吹き付けることに
より付着強化剤を気化させ、その気化させた蒸気を基板
に付着させることを特徴としたレジスト膜形成用基板の
処理方法である。
作用 本発明によると、レジスト膜形成用基板を付着強化剤の
気化蒸気に曝らす処理によって、同基板表面のOH基と反
応させて、これを除去するので、同基板面へのレジスト
膜の付着強度が増大する。
気化蒸気に曝らす処理によって、同基板表面のOH基と反
応させて、これを除去するので、同基板面へのレジスト
膜の付着強度が増大する。
実施例１ 第１図は、本発明の実施例で用いた処理装置の概要図で
あり、処理用ボックス11内に、被処理シリコン基板12を
カセットに入れて並べ、その下部に、下方にガスを吹き
出すための孔を設けたパイプ13を通じて、不活性ガスを
流量計14で計量しながら供給する。付着強化剤15は、皿
状の容器16内に配置されている。この処理装置により、
不活性ガスを付着強化剤に当て、気化させて、その蒸気
をシリコン基板に当て、基板表面のOH基と反応させ、付
着強化処理を行うものである。
あり、処理用ボックス11内に、被処理シリコン基板12を
カセットに入れて並べ、その下部に、下方にガスを吹き
出すための孔を設けたパイプ13を通じて、不活性ガスを
流量計14で計量しながら供給する。付着強化剤15は、皿
状の容器16内に配置されている。この処理装置により、
不活性ガスを付着強化剤に当て、気化させて、その蒸気
をシリコン基板に当て、基板表面のOH基と反応させ、付
着強化処理を行うものである。
半導体製造工程において、シリコン表面に熱酸化膜6000
Åを形成した基板を用いて実験した。この基板を第１図
示の装置を用いて、処理した後に、ポジ形フォトレジス
トを塗布した。処理条件としては、付着強化剤にヘキサ
メチルジシラザンを用い不活性ガスはN2＝2l/minを用い
て、10〜20分処理した。
Åを形成した基板を用いて実験した。この基板を第１図
示の装置を用いて、処理した後に、ポジ形フォトレジス
トを塗布した。処理条件としては、付着強化剤にヘキサ
メチルジシラザンを用い不活性ガスはN2＝2l/minを用い
て、10〜20分処理した。
次にアライナーを用いて、半導体回路パターンを焼き付
け、現像及びポストベークを実施した。エッチングはフ
ッ酸（HF）を用いて熱硬化膜をエッチした。その結果、
従来のスピンナー処理したパターンでは、エッチング時
に発生する開口パターン直下の滲みが観察されたが、本
実施例処理を行ったものについては、開口パターン直下
での滲みは発生せず、その効果が顕著にあった。
け、現像及びポストベークを実施した。エッチングはフ
ッ酸（HF）を用いて熱硬化膜をエッチした。その結果、
従来のスピンナー処理したパターンでは、エッチング時
に発生する開口パターン直下の滲みが観察されたが、本
実施例処理を行ったものについては、開口パターン直下
での滲みは発生せず、その効果が顕著にあった。
実施例２ 実施例１と同じ方法で、シリコン基板に、シリコン窒化
膜，ポリシリコン膜，アルミ膜等を付着処理したもので
も、実験した。その結果、いずれの方法でも、エッチン
グにおける滲みは発生せず、その効果が、顕著であっ
た。
膜，ポリシリコン膜，アルミ膜等を付着処理したもので
も、実験した。その結果、いずれの方法でも、エッチン
グにおける滲みは発生せず、その効果が、顕著であっ
た。
発明の効果 本発明によれば、レジスト膜形成用基板を付着強化剤の
気化蒸気に曝らす処理によって、同基板へのレジスト膜
の付着強度が顕著に増大し、同レジスト膜をエッチング
マスクとした基板のエッチング処理で、パターンの精度
向上が図られる。
気化蒸気に曝らす処理によって、同基板へのレジスト膜
の付着強度が顕著に増大し、同レジスト膜をエッチング
マスクとした基板のエッチング処理で、パターンの精度
向上が図られる。
また、第１図にも示しているように、本発明によれば不
活性ガスを付着強化剤の液面の上方から吹き付けること
によって、付着強化剤を気化させているので、常に安定
に蒸気を発生させることができ、レジスト膜の膜厚がよ
り均一になる。
活性ガスを付着強化剤の液面の上方から吹き付けること
によって、付着強化剤を気化させているので、常に安定
に蒸気を発生させることができ、レジスト膜の膜厚がよ
り均一になる。
第１図は本発明の実施例で用いた処理装置の概要図、第
２図は従来例装置の概要説明図である。 11……処理用ボックス、12……被処理シリコン基板、13
……パイプ、14……流量計、15……付着強化剤、16……
皿状の容器。
２図は従来例装置の概要説明図である。 11……処理用ボックス、12……被処理シリコン基板、13
……パイプ、14……流量計、15……付着強化剤、16……
皿状の容器。
Claims (1)
- 【請求項１】処理用ボックス内の上方に基板を配置し、
かつ前記処理用ボックス内の下方に液体状の付着強化剤
を配置した処理装置を用いて行うレジスト膜形成用基板
の処理方法であって、前記付着強化剤の液面の上方から
不活性ガスを吹き付けることにより前記付着強化剤を気
化させ、その気化させた蒸気を基板に付着させる工程を
そなえたレジスト膜形成用基板の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62182582A JPH0793254B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | レジスト膜形成用基板の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62182582A JPH0793254B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | レジスト膜形成用基板の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6425535A JPS6425535A (en) | 1989-01-27 |
| JPH0793254B2 true JPH0793254B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=16120804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62182582A Expired - Lifetime JPH0793254B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | レジスト膜形成用基板の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793254B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304398A (en) * | 1993-06-03 | 1994-04-19 | Watkins Johnson Company | Chemical vapor deposition of silicon dioxide using hexamethyldisilazane |
| KR101520591B1 (ko) * | 2003-06-13 | 2015-05-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52144972A (en) * | 1976-05-28 | 1977-12-02 | Hitachi Ltd | Formation method of photo resist film |
| JPS5685825A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-13 | Nec Corp | Thin film coating device of semiconductor wafer |
| JPS575333A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-12 | Nec Kyushu Ltd | Organic treating apparatus for semiconductor substrate |
| JPS5731151A (en) * | 1980-08-04 | 1982-02-19 | Toshiba Corp | Automatic continuous treating device for semiconductor substrate |
| JPS5753933A (en) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor element |
| JPS5885337U (ja) * | 1981-12-03 | 1983-06-09 | 九州日本電気株式会社 | 半導体基板の有機処理装置 |
| JPS58172669A (ja) * | 1982-04-01 | 1983-10-11 | Kinoshita Kenkyusho:Kk | 粉体像の溶剤定着器 |
| JPS58190027A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板有機処理装置 |
-
1987
- 1987-07-22 JP JP62182582A patent/JPH0793254B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6425535A (en) | 1989-01-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |