JPS6234438Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6234438Y2 JPS6234438Y2 JP1980132482U JP13248280U JPS6234438Y2 JP S6234438 Y2 JPS6234438 Y2 JP S6234438Y2 JP 1980132482 U JP1980132482 U JP 1980132482U JP 13248280 U JP13248280 U JP 13248280U JP S6234438 Y2 JPS6234438 Y2 JP S6234438Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- multilayer ceramic
- capacitors
- capacitor
- ceramic capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
本考案は積層セラミツクコンデンサーに関する
ものである。 積層セラミツクコンデンサーは、電子機器およ
び回路の高速化、小型化を高信頼度で促進する上
で、不可欠な部品として近年ますますその需要は
高まつている。この理由としては、 １ 大容量値を有する高周波用積層セラミツクコ
ンデンサーが、従来のタンタルコンデンサー、
アルミニウム電解コンデンサー、フイルムコン
デンサー等の他のコンデンサーよりも小型に形
成できる。 ２ 電極面の構成上、内部インダクタンスが他の
コンデンサーより小さい。このため他のコンデ
ンサーよりも高い直列共振周波数（コンデンサ
ーの等価回路は第１図に示すように、容量分Ｃ
と抵抗分Ｒとインダクタンス分Ｌの直列結合で
表わされ、直列共振周波数は
ものである。 積層セラミツクコンデンサーは、電子機器およ
び回路の高速化、小型化を高信頼度で促進する上
で、不可欠な部品として近年ますますその需要は
高まつている。この理由としては、 １ 大容量値を有する高周波用積層セラミツクコ
ンデンサーが、従来のタンタルコンデンサー、
アルミニウム電解コンデンサー、フイルムコン
デンサー等の他のコンデンサーよりも小型に形
成できる。 ２ 電極面の構成上、内部インダクタンスが他の
コンデンサーより小さい。このため他のコンデ
ンサーよりも高い直列共振周波数（コンデンサ
ーの等価回路は第１図に示すように、容量分Ｃ
と抵抗分Ｒとインダクタンス分Ｌの直列結合で
表わされ、直列共振周波数は
【式】
の値で与えられる。）をもつことになり、高周波
領域での使用に適する。 ３ 積層セラミツクコンデンサーが有する高周波
での等価直列抵抗は、他のコンデンサーが有す
る等価直列抵抗よりも小さい。このため、他の
コンデンサーを使用した場合よりも電圧降下が
少なく、発熱量も小さい。従つて積層セラミツ
クコンデンサーを電子機器および回路に組み入
れることは、電力的効率がよくなるばかりでな
く発熱にもとづく問題点が少ないためコンパク
トに実装したとしても高い信頼性が得られる。 等々の利点が挙げられる。 しかしその反面、積層セラミツクコンデンサー
の等価直列抵抗値が小さすぎる場合もあり、この
ときはそれが欠点として作用することにもなる。
例えば、積層セラミツクコンデンサーと抵抗素子
とを直列に接続する等の方法で積層セラミツクコ
ンデンサーのみでは不足する等価直列抵抗値を補
い、他のコンデンサーが有する等価直列抵抗値と
同程度の大きさにしなければ使用できない場合が
あるわけである。 以下等価直列抵抗値が小さすぎるために不満足
な結果を招いている場合について説明し、その解
決手段を考えることにする。 近年の電子回路には帰還の技術は不可欠であ
り、いかなる電子回路にも帰還の考え方が生かさ
れ回路の安定化が行なわれていると云つても過言
ではない。帰還回路は通常第２図に示すように構
成される。すなわち、入力信号V1を利得μ
（ｆ）を持つた増幅器でできるだけひずみを生じ
ないように増幅しようとするときに、その出力
V2の信号の１部をβ回路（通常は減衰器）を介
して前記増幅器への入力に戻すように回路構成す
るのである。このβ回路を通常フイードバツク回
路と呼んでいる。回路は利得μβの位相角arg
（μβ）が｜arg（μβ）｜≧180゜でかつ｜μβ
｜≧１という２条件が同時に成立するときに不安
定になる。従つて、回路設計した結果が第３図の
破線ａで示すように｜μβ｜＝１（すなわち
OdB）となる周波数１で位相が−180゜をこえ
ている場合は、｜μβ｜＝１となる周波数で｜
arg（μβ）｜＜180゜になるように振幅特性ある
いは位相特性を補償することが必要になる。この
補償のためによく用いられる方法の１つは、例え
ば第４図に示すように、位相遅延回路を不安定な
特性をもつμ回路あるいはβ回路に縦続に入れる
方法である。 第４図の位相遅延回路の電圧比は となり、振帳特性は となる。
領域での使用に適する。 ３ 積層セラミツクコンデンサーが有する高周波
での等価直列抵抗は、他のコンデンサーが有す
る等価直列抵抗よりも小さい。このため、他の
コンデンサーを使用した場合よりも電圧降下が
少なく、発熱量も小さい。従つて積層セラミツ
クコンデンサーを電子機器および回路に組み入
れることは、電力的効率がよくなるばかりでな
く発熱にもとづく問題点が少ないためコンパク
トに実装したとしても高い信頼性が得られる。 等々の利点が挙げられる。 しかしその反面、積層セラミツクコンデンサー
の等価直列抵抗値が小さすぎる場合もあり、この
ときはそれが欠点として作用することにもなる。
例えば、積層セラミツクコンデンサーと抵抗素子
とを直列に接続する等の方法で積層セラミツクコ
ンデンサーのみでは不足する等価直列抵抗値を補
い、他のコンデンサーが有する等価直列抵抗値と
同程度の大きさにしなければ使用できない場合が
あるわけである。 以下等価直列抵抗値が小さすぎるために不満足
な結果を招いている場合について説明し、その解
決手段を考えることにする。 近年の電子回路には帰還の技術は不可欠であ
り、いかなる電子回路にも帰還の考え方が生かさ
れ回路の安定化が行なわれていると云つても過言
ではない。帰還回路は通常第２図に示すように構
成される。すなわち、入力信号V1を利得μ
（ｆ）を持つた増幅器でできるだけひずみを生じ
ないように増幅しようとするときに、その出力
V2の信号の１部をβ回路（通常は減衰器）を介
して前記増幅器への入力に戻すように回路構成す
るのである。このβ回路を通常フイードバツク回
路と呼んでいる。回路は利得μβの位相角arg
（μβ）が｜arg（μβ）｜≧180゜でかつ｜μβ
｜≧１という２条件が同時に成立するときに不安
定になる。従つて、回路設計した結果が第３図の
破線ａで示すように｜μβ｜＝１（すなわち
OdB）となる周波数１で位相が−180゜をこえ
ている場合は、｜μβ｜＝１となる周波数で｜
arg（μβ）｜＜180゜になるように振幅特性ある
いは位相特性を補償することが必要になる。この
補償のためによく用いられる方法の１つは、例え
ば第４図に示すように、位相遅延回路を不安定な
特性をもつμ回路あるいはβ回路に縦続に入れる
方法である。 第４図の位相遅延回路の電圧比は となり、振帳特性は となる。
【式】であり、かつω≪１／Ｃ（Ｒ１＋Ｒ２）のと
きは｜Ｖｐｕｔ／Ｖｉｏ｜≒１となる。
また
【式】であり、かつ１／Ｃ（Ｒ１＋Ｒ２）≪
ω≪１／ＣＲ２のときは｜Ｖｐｕｔ／Ｖｉｏ｜≒１／ω
ｃ（Ｒ１＋Ｒ２）となり、 これは−6dB／オクターブの傾斜となる。 また
ｃ（Ｒ１＋Ｒ２）となり、 これは−6dB／オクターブの傾斜となる。 また
【式】のとき、およびω≫１／ＣＲ２のと
きは｜Ｖｐｕｔ／Ｖｉｏ｜≒Ｒ２／Ｒ１＋Ｒ２となり周
波数に無関係に一 定となる。 以上を総合すると位相遅延回路の振幅特性と位
相特性は第５図に示したようになる。 従つて位相遅延回路を、第３図ａに示したよう
な不安定な特性をもつμ回路あるいはβ回路に縦
続に入れることにより、第３図の実線ｂに示すよ
うに｜μβ｜＝１となる周波数１で位相回転は
180゜未満となる安定な回路に変換することがで
きる。この場合、位相遅延回路のR1，R2，Ｃの
定数は従来技術の教えるところに従い適当に選定
することができる。 この方法は高周波数域における利得を多少犠牲
にして補償を行なう方法であるため、帯域幅が補
償前に比較して狭くなる欠点はあるが、設計が容
易で安定に動作するためよく用いられる。 以上帰還回路を安定化する上において第４図の
位相遅延回路が有効な回路であることを説明し
た。 以上の説明からも判るように、位相遅延回路を
併用した帰還技術を用いて電子回路を安定化する
ためには、電子回路の周波数が高くなるほど、位
相遅延回路を構成するコンデンサーの容量値Ｃと
抵抗値R2との積がより小さくなるように容量と
抵抗を選定する必要がある。また電子回路の周波
数領域によつてはコンデンサーの有する等価直列
抵抗をR2として利用することによつて、R2なる
抵抗素子を別個に用意しなくても位相遅延回路を
形成することが可能なことも判る。R2なる抵抗
素子を別個に用意しなくても所望の位相遅延回路
がコンデンサーの等価直列抵抗で代替して形成で
きることは、昨今急速に要求されている電子回路
の高密度実装化及び低価格化を促進する上できわ
めて大きなメリツトとなる。すなわち、抵抗素子
R2の実装用スペースが不用になるばかりか実装
に要する工数も省けるわけである。しかし前述し
たように積層セラミツクコンデンサーの等価直列
抵抗値は従来の他のコンデンサーの等価直列抵抗
値の数分の１程度と小さいため、他のコンデンサ
ーを用いて形成された位相遅延回路のコンデンサ
ー部を積層セラミツクコンデンサーで代替するに
は、前述した容量値Ｃと抵抗値R2との積を等価
にするために容量値Ｃを一定のままとするときは
積層セラミツクコンデンサーと抵抗素子とを直列
にする方法で不足の等価直列抵抗値を補うかある
いは別個のコンデンサー等を用いて等価な回路構
成を行なわねばならない。しかしこれでは、積層
セラミツクコンデンサーであれば他のコンデンサ
ーによるよりも小型にできるという利点を殺して
しまうことになるので好ましくない。また例え補
正用抵抗あるいはコンデンサー等を付加すること
がスペース的には殆んど問題にならないとして
も、それを実施するに要する工数が増加するとい
う点で望ましいことではない。以上のような事情
を総合的に勘案すると、等価直列抵抗値が大きい
積層セラミツクコンデンサーの開発が是非とも必
要になつてくるわけである。 本考案は、積層セラミツクコンデンサーのリー
ド線の一部もしくは全部を、内部電極および外部
電極を構成する金属に比べて高い電気抵抗を有す
る金属で構成し、外部電極のいずれか一方または
両方に取りつけ一体化した特徴を有し、その概形
寸法は従来の積層セラミツクコンデンサー並で他
の型式のコンデンサーよりも小さくしかも所要の
等価直列抵抗値を有するコンデンサーを提供する
ものである。 以下実施の一例を用いて本考案を詳細に説明す
る。 第６図は本考案の一実施例を説明するための模
式図で１は14mm×12mm×５mmの直方体状に構成し
た積層セラミツクコンデンサーの本体である。内
部電極はこの中に埋め込まれており図には現われ
ていない。ここに図示したものは、等価直列抵抗
が1.1mΩで容量値が200μＦであつた。２は外部
電極、３はハンダ等の導電性接着剤である。４は
リード線の一部を構成する0.8mm〓×12mmの形状
を有するカルマ線〔76％Ni−20％Cr−残部（Fe
＋Al）〕で、本考案によつて初めて導入されたも
のである。５は従来からのリード線部分を構成す
る銅線で、カルコ線４と６で溶接され、20mm×20
mm×10mmの概形を有するモールド部７からリード
線として取り出されている。本実施例の積層セラ
ミツクコンデンサーは200KHz帯の電源の位相遅
れ回路部に使用するコンデンサーとして開発した
もので、等価直列抵抗値が12mΩ容量値が200μ
Ｆの電気的特性を有するほか、形状も従来使用さ
れていたアルミニウム電解コンデンサーの約1/8
と小型である。 以上の実施例からも明らかなように、本考案の
積層セラミツクコンデンサーはリード線の電気抵
抗率と形状を適当に選定することによつて基本的
には従来形状を保つたまま所要の等価直列抵抗値
に調整した優れたコンデンサーが得られる。
波数に無関係に一 定となる。 以上を総合すると位相遅延回路の振幅特性と位
相特性は第５図に示したようになる。 従つて位相遅延回路を、第３図ａに示したよう
な不安定な特性をもつμ回路あるいはβ回路に縦
続に入れることにより、第３図の実線ｂに示すよ
うに｜μβ｜＝１となる周波数１で位相回転は
180゜未満となる安定な回路に変換することがで
きる。この場合、位相遅延回路のR1，R2，Ｃの
定数は従来技術の教えるところに従い適当に選定
することができる。 この方法は高周波数域における利得を多少犠牲
にして補償を行なう方法であるため、帯域幅が補
償前に比較して狭くなる欠点はあるが、設計が容
易で安定に動作するためよく用いられる。 以上帰還回路を安定化する上において第４図の
位相遅延回路が有効な回路であることを説明し
た。 以上の説明からも判るように、位相遅延回路を
併用した帰還技術を用いて電子回路を安定化する
ためには、電子回路の周波数が高くなるほど、位
相遅延回路を構成するコンデンサーの容量値Ｃと
抵抗値R2との積がより小さくなるように容量と
抵抗を選定する必要がある。また電子回路の周波
数領域によつてはコンデンサーの有する等価直列
抵抗をR2として利用することによつて、R2なる
抵抗素子を別個に用意しなくても位相遅延回路を
形成することが可能なことも判る。R2なる抵抗
素子を別個に用意しなくても所望の位相遅延回路
がコンデンサーの等価直列抵抗で代替して形成で
きることは、昨今急速に要求されている電子回路
の高密度実装化及び低価格化を促進する上できわ
めて大きなメリツトとなる。すなわち、抵抗素子
R2の実装用スペースが不用になるばかりか実装
に要する工数も省けるわけである。しかし前述し
たように積層セラミツクコンデンサーの等価直列
抵抗値は従来の他のコンデンサーの等価直列抵抗
値の数分の１程度と小さいため、他のコンデンサ
ーを用いて形成された位相遅延回路のコンデンサ
ー部を積層セラミツクコンデンサーで代替するに
は、前述した容量値Ｃと抵抗値R2との積を等価
にするために容量値Ｃを一定のままとするときは
積層セラミツクコンデンサーと抵抗素子とを直列
にする方法で不足の等価直列抵抗値を補うかある
いは別個のコンデンサー等を用いて等価な回路構
成を行なわねばならない。しかしこれでは、積層
セラミツクコンデンサーであれば他のコンデンサ
ーによるよりも小型にできるという利点を殺して
しまうことになるので好ましくない。また例え補
正用抵抗あるいはコンデンサー等を付加すること
がスペース的には殆んど問題にならないとして
も、それを実施するに要する工数が増加するとい
う点で望ましいことではない。以上のような事情
を総合的に勘案すると、等価直列抵抗値が大きい
積層セラミツクコンデンサーの開発が是非とも必
要になつてくるわけである。 本考案は、積層セラミツクコンデンサーのリー
ド線の一部もしくは全部を、内部電極および外部
電極を構成する金属に比べて高い電気抵抗を有す
る金属で構成し、外部電極のいずれか一方または
両方に取りつけ一体化した特徴を有し、その概形
寸法は従来の積層セラミツクコンデンサー並で他
の型式のコンデンサーよりも小さくしかも所要の
等価直列抵抗値を有するコンデンサーを提供する
ものである。 以下実施の一例を用いて本考案を詳細に説明す
る。 第６図は本考案の一実施例を説明するための模
式図で１は14mm×12mm×５mmの直方体状に構成し
た積層セラミツクコンデンサーの本体である。内
部電極はこの中に埋め込まれており図には現われ
ていない。ここに図示したものは、等価直列抵抗
が1.1mΩで容量値が200μＦであつた。２は外部
電極、３はハンダ等の導電性接着剤である。４は
リード線の一部を構成する0.8mm〓×12mmの形状
を有するカルマ線〔76％Ni−20％Cr−残部（Fe
＋Al）〕で、本考案によつて初めて導入されたも
のである。５は従来からのリード線部分を構成す
る銅線で、カルコ線４と６で溶接され、20mm×20
mm×10mmの概形を有するモールド部７からリード
線として取り出されている。本実施例の積層セラ
ミツクコンデンサーは200KHz帯の電源の位相遅
れ回路部に使用するコンデンサーとして開発した
もので、等価直列抵抗値が12mΩ容量値が200μ
Ｆの電気的特性を有するほか、形状も従来使用さ
れていたアルミニウム電解コンデンサーの約1/8
と小型である。 以上の実施例からも明らかなように、本考案の
積層セラミツクコンデンサーはリード線の電気抵
抗率と形状を適当に選定することによつて基本的
には従来形状を保つたまま所要の等価直列抵抗値
に調整した優れたコンデンサーが得られる。
第１図はコンデンサーの等価回路、第２図は帰
還回路のブロツクダイヤグラム、第３図は帰還回
路の利得と位相の説明図、第４図は位相遅延回路
の基本構成図、第５図は位相遅延回路の利得と位
相を示した図、第６図は本考案の一実施例の概略
構成を説明するための模式図である。第６図にお
いて、１は積層セラミツクコンデンサー本体、２
は外部電極、３はハンダ等の導電性接着剤、４は
本考案で導入した適当な抵抗を有するリード線の
部分、５はリード線の本体を構成する銅線、６は
溶接部、７はモールド部、をそれぞ示している。
還回路のブロツクダイヤグラム、第３図は帰還回
路の利得と位相の説明図、第４図は位相遅延回路
の基本構成図、第５図は位相遅延回路の利得と位
相を示した図、第６図は本考案の一実施例の概略
構成を説明するための模式図である。第６図にお
いて、１は積層セラミツクコンデンサー本体、２
は外部電極、３はハンダ等の導電性接着剤、４は
本考案で導入した適当な抵抗を有するリード線の
部分、５はリード線の本体を構成する銅線、６は
溶接部、７はモールド部、をそれぞ示している。
Claims (1)
- 積層セラミツクコンデンサーを構成する内部電
極および外部電極の金属に比べて高い電気抵抗を
有する金属をリード線部として、外部電極の一方
あるいは両方に取りつけて一体化したことを特徴
とする積層セラミツクコンデンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980132482U JPS6234438Y2 (ja) | 1980-09-17 | 1980-09-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980132482U JPS6234438Y2 (ja) | 1980-09-17 | 1980-09-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5755936U JPS5755936U (ja) | 1982-04-01 |
| JPS6234438Y2 true JPS6234438Y2 (ja) | 1987-09-02 |
Family
ID=29492714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980132482U Expired JPS6234438Y2 (ja) | 1980-09-17 | 1980-09-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6234438Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5914919U (ja) * | 1982-07-22 | 1984-01-30 | 富士重工業株式会社 | 点火コイル回路ユニツトの冷却装置 |
| JPS63151929U (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 |
-
1980
- 1980-09-17 JP JP1980132482U patent/JPS6234438Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5755936U (ja) | 1982-04-01 |
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