JPS6234714B2 - - Google Patents
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- JPS6234714B2 JPS6234714B2 JP16888083A JP16888083A JPS6234714B2 JP S6234714 B2 JPS6234714 B2 JP S6234714B2 JP 16888083 A JP16888083 A JP 16888083A JP 16888083 A JP16888083 A JP 16888083A JP S6234714 B2 JPS6234714 B2 JP S6234714B2
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- plating
- palladium
- tin
- electroless plating
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0562—Details of resist
- H05K2203/0565—Resist used only for applying catalyst, not for plating itself
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミツクの部分メツキ法に関す。
セラミツクの部分メツキ法として従来から行な
われている方法は次の様なものである。即ちセラ
ミツク素材上に所望するパターンをアルカリ可溶
性レジストインクを用いてマスキングを行ない乾
燥、脱脂、エツチング処理を経て塩化第一スズを
主成分としたスズ溶液を用いてスズイオンを付着
させ、次いで塩化パラジウムを主成分としたパラ
ジウム溶液でスズイオンの上にパラジウムイオン
を反応させることにより、金属パラジウム触媒を
付着せしめ無電解メツキを行う。そして水洗後レ
ジストインク部を剥離して部分メツキを行うもの
である。しかし乍らこの方法に依ればスズイオン
並びにパラジウムイオンはセラミツク部分だけで
なくレジストインク部分にも付着し触媒となるた
めにセラミツク部分ばかりでなくレジストインク
部分にもメツキが折出する。このためにメツキ後
レジストインク部だけを別途に剥離する必要があ
る。またこの従来法に於いてスズイオン濃度やパ
ラジウムイオン濃度を種々変化させてレジストイ
ンク部分えの上記イオンの付着を選択的に防止す
る試みもなされているが、セラミツク部分のみに
選択的に上記イオンを付着させることは出来な
い。 本発明者は従来法の上記難点を解消するために
研究を続けて来た結果、無電解メツキ工程前にレ
ジストインクを剥離して部分メツキが行なえない
であろうかとの全く新しい着想に至り、更に研究
を続けた結果、逆に本発明を完成するに至つた。
即ち本発明はセラミツク表面にアルカリ可溶性レ
ジストインクを用いて所望の箇所にマスキングを
行い、乾燥後、パラジウムとスズのコロイド触媒
を付着させ、アルカリ溶液と接触せしめて触媒の
活性化と共にレジストインクを溶解除去し、次い
で無電解メツキを行うことを特徴とするセラミツ
クの部分メツキ法に係る。 本発明法に於いては、先ずセラミツク素材上に
所望のパターンでレジストインクを用いてマスキ
ングを行う。次いで乾燥、脱脂、水洗、エツチン
グの通常の工程を経て、スズとパラジウムのコロ
イド液を用いてセラミツク表面及びレジストイン
ク表面両面にスズ及びパラジウムの混合コロイド
を付着させる。このコロイドはそのままでは活性
力に乏しくアルカリ溶液で活性化する。この際活
性化と同時にスズとパラジウムの付着したレジス
トインクを溶解除去しメツキすべき箇所だけにス
ズとパラジウム触媒（活性化された）を残存せし
める。次いで水洗後無電解することにより所望の
パターンにメツキが折出する。 本発明に於いて使用するセラミツク素材として
は各種のセラミツク素材が広い範囲で使用出来、
たとえば純アルミナ系、チタン酸バリウム系、フ
エライト系、ジルコン系の各セラミツクを例示出
来る。セラミツク素材の形状も特に制限は無く、
各種の形状のものが使用可能である。レジストイ
ンクとしてはアルカリ溶液で可溶性のものが使用
され、たとえば樹脂分としてマロン酸系樹脂、溶
剤としてエチルセロソルブ等のセロソルブ系溶
剤、及び無機顔料を含有するアルカリ可溶型レジ
ストインク等が好ましく使用される。該インクを
用いてマスキングする際のインクの厚みも特に限
定されず従来通りで良く、たとえば10〜50ミクロ
ン程度である。スズとパラジウムのコロイド液と
しては、通常これ等金属コロイドが水に分散した
液が使用される。これ等金属コロイドを活性化す
るアルカリ溶液としても通常のものが使用出来、
たとえば苛性ソーダや苛性カリの水溶液を代表例
として例示出来る。無電解メツキ自体も従来法に
従つてそのまま行えば良い。 本発明の特徴とする所をより明瞭にするために
図面を用いて本発明法と従来法の差異を下記に示
す。 第１〜３図はいずれも従来法に依る方法を模擬
的に図示したものであり、第１図はSn、Pdイオ
ンを付着させた後の状態、第２図は無電解メツキ
を行つた後の状態、第３図はレジストインク剥離
後の状態を示す。これ等図中１はセラミツク素
材、２は無電解メツキ膜、３はレジストインク被
膜、４はSn、５はPdを示す。第１図にも示す通
り従来法ではレジストインク被膜３にもSn及び
Pdイオンが付着し、この上に無電解メツキを施
こすと第２図に示す通りレジストインク被膜３上
にメツキ膜が形成される。次いでレジストインク
を除去すると、第３図に示す様な状態でメツキ膜
が残存しマスキング部分にもメツキ被膜が形成さ
れる。従つて従来法に依れば余分なメツキ被膜６
を別途に除去することが必要となる。この除去は
通常の機械的手段に従い行なわれるため完全に除
去し難く、加えてセラミツク素材に好ましくない
影響をあたえ、著しいときにはヒビやクラツクを
生ぜしめる。 一方第４〜６図は本発明法の模擬的な説明図で
あり、図面中の番号は第１〜３図と同じことを示
す。第４図はSn、Pdコロイド付着後の状態を、
第５図はレジストインク剥離及び活性化後の状態
を、また第６図は無電解メツキ後の状態を示す。
第４図に示す通りSn、Pdコロイドはセラミツク
素材及びレジストインク被膜上に付着するが、ア
ルカリ溶液で処理することにより、スズが溶解す
ると共にパラジウムコロイドが活性化されて残存
し、且つレジストインクが除去されて第５図に示
す様な状態となる。次いで無電解メツキを施こす
と第６図の様な状態となつて所望パターンでメツ
キが折出することとなる。 実施例 第７図に示す様に市松模様を、セラミツク素材
（96％アルミナ板）にレジストインク（マロン酸
樹脂系インク）を用いて印刷した。これを60℃で
乾燥後酸性キレート系物質で脱脂し、水洗後弗酸
によりエツチングした。次いでエツチングした板
をSn3％及びPd0.02％を含有するコロイド溶液に
５〜７分間浸漬し、NaOH水溶液に３〜５分間浸
漬し、水洗乾燥した。次いで無電解ニツケルメツ
キ浴または無電解銅メツキ浴を用いて30℃、30分
間の条件で無電解メツキを行い、水洗・乾燥し
た。これを10回繰返しレジストインクへの折出割
合を調査した。この結果を第１表に示す。 比較例 上記実施例に於いてエツチングを終つた材料に
塩化第一スズ３％を含む水溶液２分間浸漬し、次
いで塩化パラジウム0.02％水溶液に２分間浸漬
後、水洗乾燥し実施例１と同じ条件で無電解メツ
キを行なつた。この結果を第１表に併記する。 【表】
われている方法は次の様なものである。即ちセラ
ミツク素材上に所望するパターンをアルカリ可溶
性レジストインクを用いてマスキングを行ない乾
燥、脱脂、エツチング処理を経て塩化第一スズを
主成分としたスズ溶液を用いてスズイオンを付着
させ、次いで塩化パラジウムを主成分としたパラ
ジウム溶液でスズイオンの上にパラジウムイオン
を反応させることにより、金属パラジウム触媒を
付着せしめ無電解メツキを行う。そして水洗後レ
ジストインク部を剥離して部分メツキを行うもの
である。しかし乍らこの方法に依ればスズイオン
並びにパラジウムイオンはセラミツク部分だけで
なくレジストインク部分にも付着し触媒となるた
めにセラミツク部分ばかりでなくレジストインク
部分にもメツキが折出する。このためにメツキ後
レジストインク部だけを別途に剥離する必要があ
る。またこの従来法に於いてスズイオン濃度やパ
ラジウムイオン濃度を種々変化させてレジストイ
ンク部分えの上記イオンの付着を選択的に防止す
る試みもなされているが、セラミツク部分のみに
選択的に上記イオンを付着させることは出来な
い。 本発明者は従来法の上記難点を解消するために
研究を続けて来た結果、無電解メツキ工程前にレ
ジストインクを剥離して部分メツキが行なえない
であろうかとの全く新しい着想に至り、更に研究
を続けた結果、逆に本発明を完成するに至つた。
即ち本発明はセラミツク表面にアルカリ可溶性レ
ジストインクを用いて所望の箇所にマスキングを
行い、乾燥後、パラジウムとスズのコロイド触媒
を付着させ、アルカリ溶液と接触せしめて触媒の
活性化と共にレジストインクを溶解除去し、次い
で無電解メツキを行うことを特徴とするセラミツ
クの部分メツキ法に係る。 本発明法に於いては、先ずセラミツク素材上に
所望のパターンでレジストインクを用いてマスキ
ングを行う。次いで乾燥、脱脂、水洗、エツチン
グの通常の工程を経て、スズとパラジウムのコロ
イド液を用いてセラミツク表面及びレジストイン
ク表面両面にスズ及びパラジウムの混合コロイド
を付着させる。このコロイドはそのままでは活性
力に乏しくアルカリ溶液で活性化する。この際活
性化と同時にスズとパラジウムの付着したレジス
トインクを溶解除去しメツキすべき箇所だけにス
ズとパラジウム触媒（活性化された）を残存せし
める。次いで水洗後無電解することにより所望の
パターンにメツキが折出する。 本発明に於いて使用するセラミツク素材として
は各種のセラミツク素材が広い範囲で使用出来、
たとえば純アルミナ系、チタン酸バリウム系、フ
エライト系、ジルコン系の各セラミツクを例示出
来る。セラミツク素材の形状も特に制限は無く、
各種の形状のものが使用可能である。レジストイ
ンクとしてはアルカリ溶液で可溶性のものが使用
され、たとえば樹脂分としてマロン酸系樹脂、溶
剤としてエチルセロソルブ等のセロソルブ系溶
剤、及び無機顔料を含有するアルカリ可溶型レジ
ストインク等が好ましく使用される。該インクを
用いてマスキングする際のインクの厚みも特に限
定されず従来通りで良く、たとえば10〜50ミクロ
ン程度である。スズとパラジウムのコロイド液と
しては、通常これ等金属コロイドが水に分散した
液が使用される。これ等金属コロイドを活性化す
るアルカリ溶液としても通常のものが使用出来、
たとえば苛性ソーダや苛性カリの水溶液を代表例
として例示出来る。無電解メツキ自体も従来法に
従つてそのまま行えば良い。 本発明の特徴とする所をより明瞭にするために
図面を用いて本発明法と従来法の差異を下記に示
す。 第１〜３図はいずれも従来法に依る方法を模擬
的に図示したものであり、第１図はSn、Pdイオ
ンを付着させた後の状態、第２図は無電解メツキ
を行つた後の状態、第３図はレジストインク剥離
後の状態を示す。これ等図中１はセラミツク素
材、２は無電解メツキ膜、３はレジストインク被
膜、４はSn、５はPdを示す。第１図にも示す通
り従来法ではレジストインク被膜３にもSn及び
Pdイオンが付着し、この上に無電解メツキを施
こすと第２図に示す通りレジストインク被膜３上
にメツキ膜が形成される。次いでレジストインク
を除去すると、第３図に示す様な状態でメツキ膜
が残存しマスキング部分にもメツキ被膜が形成さ
れる。従つて従来法に依れば余分なメツキ被膜６
を別途に除去することが必要となる。この除去は
通常の機械的手段に従い行なわれるため完全に除
去し難く、加えてセラミツク素材に好ましくない
影響をあたえ、著しいときにはヒビやクラツクを
生ぜしめる。 一方第４〜６図は本発明法の模擬的な説明図で
あり、図面中の番号は第１〜３図と同じことを示
す。第４図はSn、Pdコロイド付着後の状態を、
第５図はレジストインク剥離及び活性化後の状態
を、また第６図は無電解メツキ後の状態を示す。
第４図に示す通りSn、Pdコロイドはセラミツク
素材及びレジストインク被膜上に付着するが、ア
ルカリ溶液で処理することにより、スズが溶解す
ると共にパラジウムコロイドが活性化されて残存
し、且つレジストインクが除去されて第５図に示
す様な状態となる。次いで無電解メツキを施こす
と第６図の様な状態となつて所望パターンでメツ
キが折出することとなる。 実施例 第７図に示す様に市松模様を、セラミツク素材
（96％アルミナ板）にレジストインク（マロン酸
樹脂系インク）を用いて印刷した。これを60℃で
乾燥後酸性キレート系物質で脱脂し、水洗後弗酸
によりエツチングした。次いでエツチングした板
をSn3％及びPd0.02％を含有するコロイド溶液に
５〜７分間浸漬し、NaOH水溶液に３〜５分間浸
漬し、水洗乾燥した。次いで無電解ニツケルメツ
キ浴または無電解銅メツキ浴を用いて30℃、30分
間の条件で無電解メツキを行い、水洗・乾燥し
た。これを10回繰返しレジストインクへの折出割
合を調査した。この結果を第１表に示す。 比較例 上記実施例に於いてエツチングを終つた材料に
塩化第一スズ３％を含む水溶液２分間浸漬し、次
いで塩化パラジウム0.02％水溶液に２分間浸漬
後、水洗乾燥し実施例１と同じ条件で無電解メツ
キを行なつた。この結果を第１表に併記する。 【表】
第１〜７図はいずれもメツキ法の各工程での状
態を模擬的に示した図である。図中１はセラミツ
ク素材、２はメツキ膜、３はレジストインク膜、
４はSn、５はPdを示す。
態を模擬的に示した図である。図中１はセラミツ
ク素材、２はメツキ膜、３はレジストインク膜、
４はSn、５はPdを示す。
Claims (1)
- １ セラミツク表面にアルカリ可溶性レジストイ
ンクを用いて所望の箇所にマスキングを行い、乾
燥後、パラジウムとスズのコロイド触媒を付着さ
せ、アルカリ溶液と接触せしめて触媒の活性化と
共にレジストインクを溶解除去し、次いで無電解
メツキを行うことを特徴とするセラミツクの部分
メツキ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16888083A JPS6060994A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | セラミツクの部分メツキ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16888083A JPS6060994A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | セラミツクの部分メツキ法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6060994A JPS6060994A (ja) | 1985-04-08 |
| JPS6234714B2 true JPS6234714B2 (ja) | 1987-07-28 |
Family
ID=15876269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16888083A Granted JPS6060994A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | セラミツクの部分メツキ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6060994A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04102507U (ja) * | 1991-02-05 | 1992-09-03 | 株式会社大林組 | 電線管 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235473A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-15 | Nippon Mining Co Ltd | 無電解めつき用アルカリ型触媒液 |
| US6524645B1 (en) * | 1994-10-18 | 2003-02-25 | Agere Systems Inc. | Process for the electroless deposition of metal on a substrate |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP16888083A patent/JPS6060994A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04102507U (ja) * | 1991-02-05 | 1992-09-03 | 株式会社大林組 | 電線管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6060994A (ja) | 1985-04-08 |
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