JPS6075836A - フォトマスクのパタ−ン修正方法 - Google Patents
フォトマスクのパタ−ン修正方法Info
- Publication number
- JPS6075836A JPS6075836A JP58179764A JP17976483A JPS6075836A JP S6075836 A JPS6075836 A JP S6075836A JP 58179764 A JP58179764 A JP 58179764A JP 17976483 A JP17976483 A JP 17976483A JP S6075836 A JPS6075836 A JP S6075836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- thin film
- resist
- metal thin
- film pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 50
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMHXPZLIADYCSB-ZCFIWIBFSA-N (2R)-2-amino-2-formyl-4-methylsulfanylbutanoic acid Chemical compound CSCC[C@@](N)(C=O)C(O)=O AMHXPZLIADYCSB-ZCFIWIBFSA-N 0.000 description 1
- 101100128227 Caenorhabditis elegans lid-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000406668 Loxodonta cyclotis Species 0.000 description 1
- 208000003028 Stuttering Diseases 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- -1 hexafluoride Chemical compound 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集偵回’ＩＩＩ Ｑ’ｊの製）古工桿
において使用されるフォトマスクのパターン修正方法、
特にパターンの白欠陥部分の條正ＩＪ法に関りる一ｂの
である。
において使用されるフォトマスクのパターン修正方法、
特にパターンの白欠陥部分の條正ＩＪ法に関りる一ｂの
である。
この白欠陥部分とは、金属薄膜パターンが形成されるべ
き領域にＪ３いてその金属ｌ１ｖＩＦＪが欠けている箇
所のことであり、例えば′第１図に示Ｊように、カラス
基板１上に１＝字状の金属パターン２が形成さ壜１てい
る場合に、その金属パターンの存イ「ずべき領域内にＪ
ｊいて白欠陥部分３が存在しでいる。
き領域にＪ３いてその金属ｌ１ｖＩＦＪが欠けている箇
所のことであり、例えば′第１図に示Ｊように、カラス
基板１上に１＝字状の金属パターン２が形成さ壜１てい
る場合に、その金属パターンの存イ「ずべき領域内にＪ
ｊいて白欠陥部分３が存在しでいる。
このにうな白欠陥部分３を右りるフッ１１−マスクは、
これを半導ＩＡ集積回路の製造ｒ稈に使用した場合、集
積回路パターンに断線等を引き起こり原因になるため、
その白欠陥部分３を修正しな（Ｊればならない。
これを半導ＩＡ集積回路の製造ｒ稈に使用した場合、集
積回路パターンに断線等を引き起こり原因になるため、
その白欠陥部分３を修正しな（Ｊればならない。
このような白欠陥部分を右りる）Ａｌ−ｖスフのパター
ン修正方法としＣは、第２図に承りような工程が提案さ
れている。１なわち、第２図（ａ ）にａ３いて、金属
薄膜パターン２側のガラス基板１の主面上と白欠陥部分
３を含む金属薄１１Ａパターン２上とにポジ型レジスト
４を被覆し、同図（ｂ）において、ポジ型しジス］−４
側から露光機（図示せず）のスアージをセラ１〜し、露
光マスク５のスリットサイスを白欠陥部分３の＼］法よ
り大きく、かつ金属薄膜パターン２の幅用法以下に聞い
て、例えば高圧水銀月光で白欠陥部分３周辺のレジスト
部分を前）ホしたスリンｌ−を通して露光部分Ｅ３を形
成する。次に、同図（Ｃ）において、現像液により現像
して、前）ホした露光部分８を除去しＣ１白欠陥部分３
とレジスト除去部分９を形成し、同図（ｄ ）にＪｊい
−Ｃ、レジスト４側、ＩＪＪに白欠陥部分３とレジスト
除去部分９Ｆに♀Ｉｉ ／１．：な金属薄膜１０を形成
し、そして同図（ｅ）において、レジスト剥ｌ１ｌｌｌ
液によりレジスト４をイリ離することにより、レジスト
４上の金属：１ｉ膜１０ｂ同１１．冒こコリ離されて、
前述した白欠陥部分３とその周辺のレジスト除去部分９
ニソして１％ 金属ｉｔ！＞ ＩＩｓ！ １５１ｉ
分１１ ト１２ カ（’ｉ ’ｔ’ｆｆ Ｌ／たまま残
る。
ン修正方法としＣは、第２図に承りような工程が提案さ
れている。１なわち、第２図（ａ ）にａ３いて、金属
薄膜パターン２側のガラス基板１の主面上と白欠陥部分
３を含む金属薄１１Ａパターン２上とにポジ型レジスト
４を被覆し、同図（ｂ）において、ポジ型しジス］−４
側から露光機（図示せず）のスアージをセラ１〜し、露
光マスク５のスリットサイスを白欠陥部分３の＼］法よ
り大きく、かつ金属薄膜パターン２の幅用法以下に聞い
て、例えば高圧水銀月光で白欠陥部分３周辺のレジスト
部分を前）ホしたスリンｌ−を通して露光部分Ｅ３を形
成する。次に、同図（Ｃ）において、現像液により現像
して、前）ホした露光部分８を除去しＣ１白欠陥部分３
とレジスト除去部分９を形成し、同図（ｄ ）にＪｊい
−Ｃ、レジスト４側、ＩＪＪに白欠陥部分３とレジスト
除去部分９Ｆに♀Ｉｉ ／１．：な金属薄膜１０を形成
し、そして同図（ｅ）において、レジスト剥ｌ１ｌｌｌ
液によりレジスト４をイリ離することにより、レジスト
４上の金属：１ｉ膜１０ｂ同１１．冒こコリ離されて、
前述した白欠陥部分３とその周辺のレジスト除去部分９
ニソして１％ 金属ｉｔ！＞ ＩＩｓ！ １５１ｉ
分１１ ト１２ カ（’ｉ ’ｔ’ｆｆ Ｌ／たまま残
る。
ここで、金属薄膜部／Ｉ）１１（，１４白欠陥部分３５
を修正したものであるが、金属薄１模部分＋ ２ ｉＪ
、白欠陥部分３周）Ｕの未欠陥部分である金属、１９膜
パターン２上に形成されたものであることから、第２図
（ｅ）に示？Ｉｉ、うに断面的に見て突出形状に４「つ
ている。
を修正したものであるが、金属薄１模部分＋ ２ ｉＪ
、白欠陥部分３周）Ｕの未欠陥部分である金属、１９膜
パターン２上に形成されたものであることから、第２図
（ｅ）に示？Ｉｉ、うに断面的に見て突出形状に４「つ
ている。
このような突出形状の金属薄膜部分１２は金属薄１１つ
）部分１１どノシに欠【ノやりいｌこめ、Ｍび白欠陥を
起こＪおてれがあり、欠（Ｊた金属薄膜部分 ＋ｉ、ｉ
２はどもりれば）Ｊラス基板上に乗り、黒欠陥部分く金
属＋ｔｖＩＩ！、！パターンが形成されるべき領域以外
の領域に存在Ｊる金属、１９膜部分をいう。）をづで生
ｌノがち【あった。一方、この金属薄膜部分１２を小さ
くするには、前述した露光マスク５のスリツｌ−リイス
゛を限り４「り白欠陥部分３の＼」法に近つ（）ること
が占えられるが、ぞのよう４ｒスリツＩ〜リーｒスのｉ
１１！］整は煩雑である（、１かり（なく、歩留り低下
を１７３５やりい。
）部分１１どノシに欠【ノやりいｌこめ、Ｍび白欠陥を
起こＪおてれがあり、欠（Ｊた金属薄膜部分 ＋ｉ、ｉ
２はどもりれば）Ｊラス基板上に乗り、黒欠陥部分く金
属＋ｔｖＩＩ！、！パターンが形成されるべき領域以外
の領域に存在Ｊる金属、１９膜部分をいう。）をづで生
ｌノがち【あった。一方、この金属薄膜部分１２を小さ
くするには、前述した露光マスク５のスリツｌ−リイス
゛を限り４「り白欠陥部分３の＼」法に近つ（）ること
が占えられるが、ぞのよう４ｒスリツＩ〜リーｒスのｉ
１１！］整は煩雑である（、１かり（なく、歩留り低下
を１７３５やりい。
水弁Ｉｌｌは上記したｊ；うな欠」気を除ムリ−るため
になされたものであり、イの目的は、修正のための金属
薄膜を形成済の金属薄膜パターン上に平坦状に形成覆る
と共に、白欠陥部分に埋設形成、し、かつ容易に行うこ
とのできる〕Ｊ ＋−マスクのパターン修正方法を提供
りることである。
になされたものであり、イの目的は、修正のための金属
薄膜を形成済の金属薄膜パターン上に平坦状に形成覆る
と共に、白欠陥部分に埋設形成、し、かつ容易に行うこ
とのできる〕Ｊ ＋−マスクのパターン修正方法を提供
りることである。
このような目的を達成させるため、本発明によるフッ１
１〜マスクのパターン修ｉ１力法は、白欠陥を有する金
属薄膜パターン側のガラス基板の一方の主面上に、後記
りる露光・現象」−程においＣ前記白欠陥に対しＣ実′
？１的に未露光になる解１象瓜を有するネガ型しジメ１
〜をＩＩる工程と、前記カラス基板の他方の主面側から
前記金属薄膜パターンを通して前記ネ刀望フＡトレジス
トを露光ＪるＥ（１程と、前記ネガ型）Ａトレジストを
川内しＣ前記金属薄膜パターンＬと前記自欠陥部分十に
３・］す゛る未露光部分を除去りる工程と、前記ネガ型
レジストの露光部分か被覆されＣいる面上と前記除去に
よる前記金属薄膜パターン上とに新たな遮光性の金属薄
膜を形成づる［（’ｄと、前記露光部分のネガ型〕Ａト
レジストを剥１１１＋１りる１程を必須構成としている
。
１〜マスクのパターン修ｉ１力法は、白欠陥を有する金
属薄膜パターン側のガラス基板の一方の主面上に、後記
りる露光・現象」−程においＣ前記白欠陥に対しＣ実′
？１的に未露光になる解１象瓜を有するネガ型しジメ１
〜をＩＩる工程と、前記カラス基板の他方の主面側から
前記金属薄膜パターンを通して前記ネ刀望フＡトレジス
トを露光ＪるＥ（１程と、前記ネガ型）Ａトレジストを
川内しＣ前記金属薄膜パターンＬと前記自欠陥部分十に
３・］す゛る未露光部分を除去りる工程と、前記ネガ型
レジストの露光部分か被覆されＣいる面上と前記除去に
よる前記金属薄膜パターン上とに新たな遮光性の金属薄
膜を形成づる［（’ｄと、前記露光部分のネガ型〕Ａト
レジストを剥１１１＋１りる１程を必須構成としている
。
以下、実施例図面を参照しＣ本発明をみＴ細にぴ１明す
る。
る。
第３図４Ｊ、透光性のアルミノ小【」シリク−Ｉ−力ラ
ス（（株）保谷硝子製：ｌＬ’３＋１）等から製作され
たカラス基板１の主面上に、遮光性金属薄！ｌシ）とし
てクロム（Ｏｒ）等の金属薄１１ｊ、ｊパターン２（膜
厚：約７００人）を真空前ｔ３ ′４ｉ−にｊ、すｌｌ
ｌ１定形状に形成した場合、（の金１ｉ１ 博１１！ａ
パターン２に白欠陥部分３（刈払：３μｍ ）をイｊり
るＪｉ例を示し、同図（ａ）において、ネガ型−ノＡト
レジメ］へ４（１９すえば、東京応化工業（株）５・！
Ｉ ： ＯＭ Ｒ−１１３，１１ｊ厚、約７０００人）
を、金属薄膜パターン２の形成され“Ｃいる以外の領域
にＪｊ ｉＪる前記ノコラス阜板の一方の主面上（白欠
陥部ブ）３を有づるカラス塁板表面部分を含む。）と金
属薄１つ）パターン２−ｌ＝とに被覆づる。このレジス
ト４の解像磨が、白欠陥部分３の勺ｖ１を解像しない程
度であれは、後の露光・現像工程においで白欠陥部分３
かあたかも存在していない、換こりれば未露光と同Ｌｌ
’ｉに作用づる。
ス（（株）保谷硝子製：ｌＬ’３＋１）等から製作され
たカラス基板１の主面上に、遮光性金属薄！ｌシ）とし
てクロム（Ｏｒ）等の金属薄１１ｊ、ｊパターン２（膜
厚：約７００人）を真空前ｔ３ ′４ｉ−にｊ、すｌｌ
ｌ１定形状に形成した場合、（の金１ｉ１ 博１１！ａ
パターン２に白欠陥部分３（刈払：３μｍ ）をイｊり
るＪｉ例を示し、同図（ａ）において、ネガ型−ノＡト
レジメ］へ４（１９すえば、東京応化工業（株）５・！
Ｉ ： ＯＭ Ｒ−１１３，１１ｊ厚、約７０００人）
を、金属薄膜パターン２の形成され“Ｃいる以外の領域
にＪｊ ｉＪる前記ノコラス阜板の一方の主面上（白欠
陥部ブ）３を有づるカラス塁板表面部分を含む。）と金
属薄１つ）パターン２−ｌ＝とに被覆づる。このレジス
ト４の解像磨が、白欠陥部分３の勺ｖ１を解像しない程
度であれは、後の露光・現像工程においで白欠陥部分３
かあたかも存在していない、換こりれば未露光と同Ｌｌ
’ｉに作用づる。
一般に、ネガ３３１ルジメ１〜の解像度は、そのレジタ
１〜について所定の露光・現像条件においてめられた最
高値であることから、本例の白欠陥部分３の寸法値（３
μｍ ）以上に選定した場合、その白欠陥部分３に対し
て未露光部分として取り扱われる。なお、露光・現像の
各条１′１を変えた場合には、レジストの解像度−し増
大Ｊることがあることから、必ずしも個々のレジタ１〜
材料に挙げｌうれた解像度に限定されり゛、本発明にＪ
３ｆノるネ刀型しジメ１〜の解１ｇ１度は、後の露光・
現１象工程にｄ３いも白欠陥部分に対して実質的に未露
光部分どしく１′１−川りる程度であればよい。
１〜について所定の露光・現像条件においてめられた最
高値であることから、本例の白欠陥部分３の寸法値（３
μｍ ）以上に選定した場合、その白欠陥部分３に対し
て未露光部分として取り扱われる。なお、露光・現像の
各条１′１を変えた場合には、レジストの解像度−し増
大Ｊることがあることから、必ずしも個々のレジタ１〜
材料に挙げｌうれた解像度に限定されり゛、本発明にＪ
３ｆノるネ刀型しジメ１〜の解１ｇ１度は、後の露光・
現１象工程にｄ３いも白欠陥部分に対して実質的に未露
光部分どしく１′１−川りる程度であればよい。
次に、同図（１）〉にＪｊいて、刀ラス基板１の他方の
主面側から、紫外光１６（光Ｆｆ５． ： ５０ｍ ｊ
／ｃｍ２ ）を照則し、金属ｆｆ９膜パターン２を通
しく外ｉ光りる。
主面側から、紫外光１６（光Ｆｆ５． ： ５０ｍ ｊ
／ｃｍ２ ）を照則し、金属ｆｆ９膜パターン２を通
しく外ｉ光りる。
この露光により、金属薄膜パターン２が占めている領域
以外のレジスト部５） ４Ｊ、露光部分１４を形成し、
金属ａ膜パターン２上のレジタ１一部分【よりとＪ、す
、白欠陥部分Ｊ−ｌのレジタ１一部分は未露光部分１５
を形成する。
以外のレジスト部５） ４Ｊ、露光部分１４を形成し、
金属ａ膜パターン２上のレジタ１一部分【よりとＪ、す
、白欠陥部分Ｊ−ｌのレジタ１一部分は未露光部分１５
を形成する。
次に、同図（（〉）にＪｊい【、ネガ型しジスト１３に
二ｌ＋５、じた専用現１ρ！ｉ！ｊ、により現像処１１
ｊされ、未露光部分１５は除去され、露光部分１４は【
。Ｌ（、Ｌ′１′−分の厚さの残存レジスト部分１７を
形成Ｊる。その結果、金属薄１１％）バクーン２ど白欠
陥部分３は’＋’＋７ｊ ｉｌりる。
二ｌ＋５、じた専用現１ρ！ｉ！ｊ、により現像処１１
ｊされ、未露光部分１５は除去され、露光部分１４は【
。Ｌ（、Ｌ′１′−分の厚さの残存レジスト部分１７を
形成Ｊる。その結果、金属薄１１％）バクーン２ど白欠
陥部分３は’＋’＋７ｊ ｉｌりる。
次に、同図（Ｌｌ ’）において、ネＪｉ ７．：なり
１１ム等の遮光１！ｌ−金属薄膜１８（膜）Ｉ７：約７
００人）を残仔しジス［・部分１８ど金属薄膜パターン
２（白欠陥部分３を含む。）−１−に真空蒸着等にＪ、
り形成づる。
１１ム等の遮光１！ｌ−金属薄膜１８（膜）Ｉ７：約７
００人）を残仔しジス［・部分１８ど金属薄膜パターン
２（白欠陥部分３を含む。）−１−に真空蒸着等にＪ、
り形成づる。
そして、同図（Ｃ）にＪｊいて、使用したネガ型しジメ
１〜に応じたレジタｌ−剥離、１ｋ（木Ｉシｌｌ ：過
酸化水素水と熱淵１売酸のｉ昆合波）により残ｒ、ルン
ス１へ部分１７を剥１’ｌｌｌ ｂ、ての残存レジタ１
〜部分１７−Ｌの金属薄膜１８をも同時に剥離して、新
たな金属簿膜１つを金１ｉｊｉ ｒ：Ｉ−膜パターン２
上に形成Ｊるど共に、白欠陥部分３に埋設形成づる。
１〜に応じたレジタｌ−剥離、１ｋ（木Ｉシｌｌ ：過
酸化水素水と熱淵１売酸のｉ昆合波）により残ｒ、ルン
ス１へ部分１７を剥１’ｌｌｌ ｂ、ての残存レジタ１
〜部分１７−Ｌの金属薄膜１８をも同時に剥離して、新
たな金属簿膜１つを金１ｉｊｉ ｒ：Ｉ−膜パターン２
上に形成Ｊるど共に、白欠陥部分３に埋設形成づる。
以−ＬのどＪｊす、水ブＬ明にＪ、れば、１１」欠陥の
発生原因となる金属薄膜パターン上の突出部分を除去し
、ｊ）止りへさ金属ｉ’［’／ ｌＩＤ１を金属薄１１
シ）バクーンと白欠陥部分に（よぼ平坦状に形成し、か
つ露光工程において露光径の調整を小用にして、修正方
法を容易にすることができる。
発生原因となる金属薄膜パターン上の突出部分を除去し
、ｊ）止りへさ金属ｉ’［’／ ｌＩＤ１を金属薄１１
シ）バクーンと白欠陥部分に（よぼ平坦状に形成し、か
つ露光工程において露光径の調整を小用にして、修正方
法を容易にすることができる。
なお、本発明にＪｊ＋）る拐貿は前述した実施例に限定
されず、例えばカラス基板についてソーダライムガラス
、合成石英等、金１ｉｊＳ薄膜について酸化クロム、七
すフ゛デン、タングステン、１タン等の薄膜、及び成膜
法としてスパッタリング、イＡンプレーティング等を使
用してもよい。
されず、例えばカラス基板についてソーダライムガラス
、合成石英等、金１ｉｊＳ薄膜について酸化クロム、七
すフ゛デン、タングステン、１タン等の薄膜、及び成膜
法としてスパッタリング、イＡンプレーティング等を使
用してもよい。
第１図は白欠陥部分を右りる金属薄Ｉｔｓ！パターンを
形成したフＡ１−マスクを示し、同図（ａ）は正面図及
び同図（１））はｈ面図１ ’（−Ｊうる。第２図は従
来の白欠陥部分の修正に係る）ＡＩ−マスクの製造工程
を示′ＴＪ’ Ｉｌｉ面図である。第３図は本光明にょ
る一実施例であるフＡ１−マスクのパターン直正方法を
示′ＴＪ断面図である。 １・・・刀ラス基（反、２・・・金属薄１１Ｓ！パター
ン、３・・・白欠陥部分、１３・・・ネガ型）Ａトレジ
スト．１４・・・レジタ１への露光部分、１ｊ）・・・
レジタ１への未露光部分、１Ｇ・・・紫外光、１７・・
・残存レジスト部分、１８・・・新たな金属薄膜、１つ
・・・剥削後の新たな金属’；＋、Ｉｔ Ｉｔ！＋！ｍ
１ｉｔｔ〜１６
形成したフＡ１−マスクを示し、同図（ａ）は正面図及
び同図（１））はｈ面図１ ’（−Ｊうる。第２図は従
来の白欠陥部分の修正に係る）ＡＩ−マスクの製造工程
を示′ＴＪ’ Ｉｌｉ面図である。第３図は本光明にょ
る一実施例であるフＡ１−マスクのパターン直正方法を
示′ＴＪ断面図である。 １・・・刀ラス基（反、２・・・金属薄１１Ｓ！パター
ン、３・・・白欠陥部分、１３・・・ネガ型）Ａトレジ
スト．１４・・・レジタ１への露光部分、１ｊ）・・・
レジタ１への未露光部分、１Ｇ・・・紫外光、１７・・
・残存レジスト部分、１８・・・新たな金属薄膜、１つ
・・・剥削後の新たな金属’；＋、Ｉｔ Ｉｔ！＋！ｍ
１ｉｔｔ〜１６
Claims (1)
- （１） 透光性のガラス基板の一方の主面上に形成され
た遮光性の金属薄膜パターンに白欠陥部分を有するフォ
トマスクのパターン修正方法において、前記金属薄膜パ
ターンの形成されている以外の領域にお（）る前記ガラ
ス基板の一方の主面上と前記金属Ｍ膜パターン上とに、
後記する露光・現像工程にｄ３いて前記白欠陥部分に対
しＣ大賀的に未露光になる解像曵を右りるネガ型フＡ１
−レジストを被覆す゛る工程と、前記ガラス基板の他方
の主面側から前記金属薄膜パターンを通して前記ネガ型
フォトレジストを露光りる工程と、前記ネガ型フォトレ
ジストを現ｆｉｔ Ｌ ”ｃ前記金属薄膜パターン上と
前記白欠陥部分−りに対りる未露光部分を除去する工程
と、前記ネガ型レジストの露光部分が被覆されている面
上と前記除去による前記金属薄膜パターン上とに新たな
遮光性の金属薄膜を形成する］二押と、前記露光部分の
ネガをフ７Ｉｔ−レジス］−を剥離する工程とを含むこ
とを特徴とするフォトマスクのパターン修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58179764A JPS6075836A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | フォトマスクのパタ−ン修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58179764A JPS6075836A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | フォトマスクのパタ−ン修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6075836A true JPS6075836A (ja) | 1985-04-30 |
| JPS6235666B2 JPS6235666B2 (ja) | 1987-08-03 |
Family
ID=16071474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58179764A Granted JPS6075836A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | フォトマスクのパタ−ン修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6075836A (ja) |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58179764A patent/JPS6075836A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6235666B2 (ja) | 1987-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1115127A (ja) | ハーフトーン位相シフトマスクおよびそのマスクブランクスならびにハーフトーン位相シフトマスクの製造方法および欠陥修正方法 | |
| JP2003121989A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法 | |
| US7771900B2 (en) | Manufacturing method for photo mask | |
| JPS62201444A (ja) | フオトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH10274839A (ja) | 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法 | |
| JPS5911628A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPH07295204A (ja) | 位相シフトマスクの修正方法 | |
| JPS6041340B2 (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JP2500526B2 (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク | |
| JPS6235667B2 (ja) | ||
| JP3484557B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| KR101179262B1 (ko) | 트리톤 위상반전마스크 제조방법 | |
| JPH03263048A (ja) | フォトマスク用レジストの剥離方法 | |
| JPH04324445A (ja) | 露光用マスクおよびその製造方法 | |
| JPS5919322A (ja) | クロムマスクの修正方法 | |
| JPH10104813A (ja) | 位相シフトマスク | |
| JP2003262946A (ja) | 位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクと、位相シフトマスク、及びパターン転写方法 | |
| JPS63218959A (ja) | ホトマスクパタ−ンの修正方法 | |
| JPH0551893B2 (ja) | ||
| JPS6235666B2 (ja) | ||
| KR100370165B1 (ko) | 하프톤 위상 반전 마스크의 제조방법 | |
| JPH05275302A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR0170336B1 (ko) | 플라즈마 샤우어링을 이용한 마스크 제작방법 | |
| JPH09319066A (ja) | ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 | |
| TW594868B (en) | Method of removing wafer edge photo resist |