JPS6236619B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6236619B2 JPS6236619B2 JP56074406A JP7440681A JPS6236619B2 JP S6236619 B2 JPS6236619 B2 JP S6236619B2 JP 56074406 A JP56074406 A JP 56074406A JP 7440681 A JP7440681 A JP 7440681A JP S6236619 B2 JPS6236619 B2 JP S6236619B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resistor
- multilayer film
- depositing
- resistance value
- Prior art date
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は抵抗器の製造方法に関し、とくに金属
酸化物抵抗器の製造方法に関するものである。
酸化物抵抗器の製造方法に関するものである。
従来金属酸化物抵抗器は抵抗体を無機絶縁基板
上にスクリーン印刷、転写印刷などの公知方法に
より所定形状に形成したのち無機絶縁基板と共に
焼成して製造されている。
上にスクリーン印刷、転写印刷などの公知方法に
より所定形状に形成したのち無機絶縁基板と共に
焼成して製造されている。
しかし前述の従来製造方法では通常抵抗値の偏
差が±15％位あるため、抵抗体をレーザトリミン
グ、再焼成等の方法を用いて抵抗値を増または増
減して抵抗値の偏差が所定の値になるように加工
修正している。
差が±15％位あるため、抵抗体をレーザトリミン
グ、再焼成等の方法を用いて抵抗値を増または増
減して抵抗値の偏差が所定の値になるように加工
修正している。
この加工修正が施された抵抗器は製造コストが
高いだけでなく、加工により長期の信頼性も悪く
なる。
高いだけでなく、加工により長期の信頼性も悪く
なる。
従来のスクリーン印刷、転写印刷などの方法で
抵抗値偏差が大きくなる原因は、抵抗体膜厚の偏
差が大きい、パターンのダレがあるなどの欠点を
前記方法が持つているためである。
抵抗値偏差が大きくなる原因は、抵抗体膜厚の偏
差が大きい、パターンのダレがあるなどの欠点を
前記方法が持つているためである。
本発明の目的はかかる従来欠点を解決し抵抗値
修正工程をなくした抵抗器の製造方法を提供する
ことにある。
修正工程をなくした抵抗器の製造方法を提供する
ことにある。
本発明によれば有機フイルム上に無機絶縁性物
質を膜状に被着形成する工程と前記膜上に導電性
物質と絶縁性物質からなる金属酸化物の混合体を
膜状に被着形成して多層膜を形成する工程と、前
記多層膜から有機フイルムを剥離する工程と、こ
の多層膜を所望の外枠形状に打抜いたのち、多層
膜表面に導電性物質を被着形成する工程と、この
多層膜を個片に切断したのち焼成する工程とから
なることを特徴とする抵抗器の製造方法を得られ
る。
質を膜状に被着形成する工程と前記膜上に導電性
物質と絶縁性物質からなる金属酸化物の混合体を
膜状に被着形成して多層膜を形成する工程と、前
記多層膜から有機フイルムを剥離する工程と、こ
の多層膜を所望の外枠形状に打抜いたのち、多層
膜表面に導電性物質を被着形成する工程と、この
多層膜を個片に切断したのち焼成する工程とから
なることを特徴とする抵抗器の製造方法を得られ
る。
以下本発明を第１図〜第３図を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明抵抗器の製造方法の一実施例工
程図を示す。
程図を示す。
先ず未焼成絶縁膜の製造工程について述べる。
酸化鉛（PbO）、酸化硼素（B2O3）、酸化珪素
（SiO2）、酸化アルミニウム（Al2O3）からなるガ
ラス形成物をそれぞれ重量比60％、30％、４％、
６％の割合で秤量し、白金ルツボに入れ、加熱炉
を用いて空気雰囲気中で10時間加熱溶融したの
ち、水中へ滴下して冷却し、平均粒度10μｍ以下
の微小粒子を得る。次にアルミナボールを用いた
ボールミルによつてさらに微粉末形状に微細化し
てガラス粉末を得る。このガラス粉末とアルミナ
粉末を重量比45％：55％で秤量し、エタノールを
用いたアルミナボールミルによつて３時間湿式混
合を行う。この粉末を一度過・乾燥したのち、
エチルセロソルブ、ブチルカービトールブチルフ
タリルグリコール酸ブチル、ポリビニールブチラ
ールを重量比でそれぞれ50％、10％、３％、12％
添加し、ひきつづき撹拌機で１時間混合して泥漿
化した。この泥漿をドクターブレードを用いたス
リツプキヤステイング法によつて第１図ａに示す
ようにポリエステル膜１上に成膜し、つづいて温
度115℃で10分間乾燥し、未焼成絶縁膜２を形成
した。
酸化鉛（PbO）、酸化硼素（B2O3）、酸化珪素
（SiO2）、酸化アルミニウム（Al2O3）からなるガ
ラス形成物をそれぞれ重量比60％、30％、４％、
６％の割合で秤量し、白金ルツボに入れ、加熱炉
を用いて空気雰囲気中で10時間加熱溶融したの
ち、水中へ滴下して冷却し、平均粒度10μｍ以下
の微小粒子を得る。次にアルミナボールを用いた
ボールミルによつてさらに微粉末形状に微細化し
てガラス粉末を得る。このガラス粉末とアルミナ
粉末を重量比45％：55％で秤量し、エタノールを
用いたアルミナボールミルによつて３時間湿式混
合を行う。この粉末を一度過・乾燥したのち、
エチルセロソルブ、ブチルカービトールブチルフ
タリルグリコール酸ブチル、ポリビニールブチラ
ールを重量比でそれぞれ50％、10％、３％、12％
添加し、ひきつづき撹拌機で１時間混合して泥漿
化した。この泥漿をドクターブレードを用いたス
リツプキヤステイング法によつて第１図ａに示す
ようにポリエステル膜１上に成膜し、つづいて温
度115℃で10分間乾燥し、未焼成絶縁膜２を形成
した。
次に抵抗体未焼成膜の製造工程について述べ
る。前述の末焼成絶縁膜用に製作したガラスフリ
ツトと二酸化ルテニウム粉末をそれぞれ重量比
80：20の割合で秤量し乳鉢混合を30分間行う。こ
の混合物にエチルセロソルブ、ブチルカービトー
ル、ブチルフタリルグリコール酸ブチル、ポリビ
ニールブチラールを重量比でそれぞれ50％、10
％、３％、12％添加し、ひきつづき撹拌機で１時
間混合して泥漿化した。この泥漿を第１図ａのよ
うに、先に成膜した未焼成絶縁膜２上にドクター
ブレードを用いたスリツプキヤステイング法によ
つて成膜し、つづいて温度115℃で10分間乾燥
し、抵抗体未焼成膜３を形成した。
る。前述の末焼成絶縁膜用に製作したガラスフリ
ツトと二酸化ルテニウム粉末をそれぞれ重量比
80：20の割合で秤量し乳鉢混合を30分間行う。こ
の混合物にエチルセロソルブ、ブチルカービトー
ル、ブチルフタリルグリコール酸ブチル、ポリビ
ニールブチラールを重量比でそれぞれ50％、10
％、３％、12％添加し、ひきつづき撹拌機で１時
間混合して泥漿化した。この泥漿を第１図ａのよ
うに、先に成膜した未焼成絶縁膜２上にドクター
ブレードを用いたスリツプキヤステイング法によ
つて成膜し、つづいて温度115℃で10分間乾燥
し、抵抗体未焼成膜３を形成した。
次に第１図ｂに示すようにポリエステルフイル
ム１上に成膜された未焼成絶縁膜２と抵抗体未焼
成膜３からなる多層膜４をポリエステルフイルム
１より剥離する。
ム１上に成膜された未焼成絶縁膜２と抵抗体未焼
成膜３からなる多層膜４をポリエステルフイルム
１より剥離する。
次に第１図ｃに示すように、この剥離した多層
膜４を金型５を用いたパンケングなどの公知の方
法により打抜いて外枠寸法が60×40mmである打抜
き膜４ａに成形する。
膜４を金型５を用いたパンケングなどの公知の方
法により打抜いて外枠寸法が60×40mmである打抜
き膜４ａに成形する。
しかる後第１図ｄに示すように銀−パラジウム
電極ペーストを打抜き膜４ａの抵抗体未焼成膜３
側にスクリーン印刷などの公知の方法により被着
形成したのち温度150℃１時間10分間乾燥炉で乾
燥し電極を形成する。
電極ペーストを打抜き膜４ａの抵抗体未焼成膜３
側にスクリーン印刷などの公知の方法により被着
形成したのち温度150℃１時間10分間乾燥炉で乾
燥し電極を形成する。
次に切断線Ａ−Ａ，Ｂ−Ｂに沿つてナイフなど
により、打抜き膜４ａを切断し、第１図ｅに示す
ような個片７に成形する。次いでこの個片７を第
２図に示す温度曲線を有する焼成炉（図示省略）
中で焼成した。
により、打抜き膜４ａを切断し、第１図ｅに示す
ような個片７に成形する。次いでこの個片７を第
２図に示す温度曲線を有する焼成炉（図示省略）
中で焼成した。
切断時の寸法精度は±１％以下であつた。第３
図ａおよびｂは従来例のスクリーン印刷方法によ
つて製造した抵抗器と本実施例で製造した抵抗器
の抵抗値偏差を示す分布図であり、抵抗値はとも
に100KΩを目標に製造したものである。
図ａおよびｂは従来例のスクリーン印刷方法によ
つて製造した抵抗器と本実施例で製造した抵抗器
の抵抗値偏差を示す分布図であり、抵抗値はとも
に100KΩを目標に製造したものである。
以上第３図ａ，ｂを比較して明らかなように抵
抗値の百分率変動係数は従来のスクリーン印刷方
法では±28.2％であつたものが、本発明の方法に
よれば±5.2％ときわめて小さくなる。この±5.2
％の百分率変動係数は固定抵抗器の抵抗値偏差規
格のＪ規格（±５％）を満足する良い結果であ
る。従つてＪ規格の抵抗器の製造方法に本発明の
方法を採用すればトリミングを廃止できる効果が
ある。
抗値の百分率変動係数は従来のスクリーン印刷方
法では±28.2％であつたものが、本発明の方法に
よれば±5.2％ときわめて小さくなる。この±5.2
％の百分率変動係数は固定抵抗器の抵抗値偏差規
格のＪ規格（±５％）を満足する良い結果であ
る。従つてＪ規格の抵抗器の製造方法に本発明の
方法を採用すればトリミングを廃止できる効果が
ある。
第１図ａはポリエステルフイルタ上に本発明の
一実施例で製作した未焼成絶縁膜と抵抗体未焼成
膜とを被着形成した状態を示す斜視図。第１図ｂ
は第１図ａの膜をポリエステルフイルタより剥離
する状態を示す斜視図。第１図ｃは第１図ｂで剥
離した膜を所望形状に打抜く状態を示す斜視図。
第１図ｄは打抜き膜に電柱を形成した状態を示す
斜視図。第１図ｅは切断された個片の斜視図。第
２図は本発明で使用した焼成炉の温度曲線図。第
３図ａ，ｂは従来例、本発明例で製造した抵抗器
の抵抗値偏差分布図。 １……ポリエステルフイルム、２……未焼成絶
縁膜、３……抵抗体未焼成膜、４……（２符号と
３の膜からなる）多層膜、４ａ……（多層膜の）
打抜き膜、５……金型、６……電極、７……個
片。
一実施例で製作した未焼成絶縁膜と抵抗体未焼成
膜とを被着形成した状態を示す斜視図。第１図ｂ
は第１図ａの膜をポリエステルフイルタより剥離
する状態を示す斜視図。第１図ｃは第１図ｂで剥
離した膜を所望形状に打抜く状態を示す斜視図。
第１図ｄは打抜き膜に電柱を形成した状態を示す
斜視図。第１図ｅは切断された個片の斜視図。第
２図は本発明で使用した焼成炉の温度曲線図。第
３図ａ，ｂは従来例、本発明例で製造した抵抗器
の抵抗値偏差分布図。 １……ポリエステルフイルム、２……未焼成絶
縁膜、３……抵抗体未焼成膜、４……（２符号と
３の膜からなる）多層膜、４ａ……（多層膜の）
打抜き膜、５……金型、６……電極、７……個
片。
Claims (1)
- １ 有機フイルム上に無機絶縁性物質を膜状に被
着形成する工程と、前記膜上に導電性物質と絶縁
性物質からなる金属酸化物の混合体を膜状に被着
形成して多層膜を形成する工程と、前記多層膜か
ら有機フイルムを剥離する工程と、前記多層膜を
所望の外枠形状に打抜いたのち、多層膜上に導電
性物質を被着形成する工程と、前記多層膜を個片
に切断したのち焼成する工程とからなることを特
徴とする抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56074406A JPS57188808A (en) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | Method of producing resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56074406A JPS57188808A (en) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | Method of producing resistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57188808A JPS57188808A (en) | 1982-11-19 |
| JPS6236619B2 true JPS6236619B2 (ja) | 1987-08-07 |
Family
ID=13546269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56074406A Granted JPS57188808A (en) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | Method of producing resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57188808A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0673324B2 (ja) * | 1987-03-13 | 1994-09-14 | 松下電器産業株式会社 | チツプ抵抗器の製造方法 |
-
1981
- 1981-05-18 JP JP56074406A patent/JPS57188808A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57188808A (en) | 1982-11-19 |
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