JPS6236665A - アツシング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 レジストのアッシング方法の改良であって、レジストを
加熱した状態で二酸化窒素（ＮＯ！　）ガスを流すこと
により、基板にダメージを与えることなくアッシングす
ることを可能とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、基板にダメージを与えることなくレジストの
アッシングをする方法に係シ、特に、簡易な装置でアッ
シングを可能とする方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、基板上に残存する使用済レジストの除去を行う為
の、ドライプロセスとしては、プラズマ・アッシング方
法が知られている。

第３図にプラズマ・アッシングを行うための装置の一例
を模式的に示している。図において、反応管３１内にレ
ジスト層を有する基板諺を配置し、反応管の一端（より
反応ガス、例えば酸素０２を導入し、他端腕よシ排気す
る。そして、反応管３１の周囲に配した高周波コイルあ
に高周波電源あを接続してＩＩｌ！累ガスプラズマを発
生し、レジストのアッシングを行う。

このプラズマ・アッシング方法では、活性なラジカルや
イオンにより反応が促進され、高速な処理が可能になる
が、他方において、イオンが基板に衝撃を与え、半導体
等の基板がダメージを受ける欠点がある。

これに対して、従来からオゾンガスを用い友アツシング
方法が知られている。第２図にそのための装置の概要を
示してあり、反応槽２１内にレジスト層を有する基板２
２を配置し、導入管２３から前段のオゾナイザ（図示せ
ず）で゛発生したオゾンガスを導入し、排気管２４よシ
排気する。葛はヒータである。

オゾンガスによるアッシング方法では基板にダメージを
与えることはないが、反応速度が遅く、処理に要する時
間が長い為、実際の半導体装置の製造プロセス等には適
用できがい。

例えば、標準的ネガレジストのＯＭＲ（東京応化製、商
品名）を１μｍ塗布した基板を２５０℃に加熱し、圧力
１気圧で流量４ＳＬＭのオゾンガス（９５％０、　＋ｓ
％　Ｏｓ　）を流してアッシングする時１５分も必要と
する。また、オゾンガスは不安定な化合物であるから、
前段に電気回路装置（オゾナイザ）′ｔ−設けてオゾン
ガスを発生後直ちにアッシング装置に供給しなければな
らない。

〔発明が解決しようとする問題点３ 以上のように、従来のプラズマ・アッシング方法ではダ
メージを基板に与える欠点があり、一方ダメージを与え
ることがないオゾンガスによるアッシング方法では処理
に要する時間が長く、実際のプロセスに適用するのに難
があシ実用性がない。

更に、従来のオゾンガスを用いたアッシング方法ではオ
ゾンガスの発生のために、前段にオゾナイザ等の電気回
路装置が必要であって、それだけコスト高になりトラブ
ルの発生率が大きくなるといった欠点があった。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明においては、レジスト層全有する基板を反応槽内
で加熱すると共に、該反応槽に二酸化窒素（Ｎｏりガス
を流し、基板上のレジストヲ分解除去することを特徴と
するアッシング方法を提供するものである。

〔作用〕

不発明者は、多くの実験、研究の結果、二酸化１１　素
（Ｎｏｔ　）ガスがレジストのアッシングを可能とする
ことを見出した。

本発明によれば、純化学反応でアッシングが行われるの
で、基板にダメージを与えることなくレジストをアッシ
ングできる。

そして、本発明によれば、二酸化窒素（Ｎｏｔ）ガスは
安定なガスであるから、ボンベから流量コントロールし
て直接反応槽に供給することができるという大きな特長
がある。

〔実施例〕

第１図に本発明の実施例のアッシングに用いる装置の構
成図を示す。第１図において、１は反応槽であり、その
内にレジストを塗布した基板が配設してあシ、二酸化窒
素（Ｎｏｎ）ガスを、図示しないボンベから流量コント
ローラを経て導入管３でを直接吹きつけている。４は反
応槽の排気口でちる。５はヒータで基板２を加熱できる
ようになっている。

このような装置で、以下の条件でレジストのアッシング
を行った。

塗布レジスト：標準的ネガレジストのＯＭＲ（商品名　
東京応化製） 塗布膜厚　１μｍ 基板温度：２５０℃ ＮＯ！　　流　量：　２　ＳＬＭ　（標準状態で２１！
／分）反応槽内圧：　５００　Ｔ□ｒｒ 以上において、レジストは４分間でアッシング剥離でき
た。また、その際、−切ダメージが生じないことが確認
された。

以上、本発明について実施例を用いて説明したが、本発
明は前記ネガレジス）　（ＯＭＲ）に限らず、ネガレジ
スト及びポジレジスト一般に適用できる。

また、Ｎ０ｗガスは第１図のように、必ずしも、基板に
吹きつけなくてもよく、反応槽に導入するだけでもよい
。また、不発明は反応槽の内圧は、減圧、常圧のいずれ
においても実施可能である。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明によれば、安定に存在できる二酸
化窒素（Ｎｏｗ）ガスを反応ガスに用いるため、オゾン
ガスのように前段にプラズマを起こす電気回路装置（オ
ゾナイザ−）ｔ−設ける必要がなく　、Ｎｏ！　全ボン
ベから供給することができ、安価でアリ、トラブルも少
ない利点がある。

更に、本発明のアッシング反応は、従来のプラズマ“ア
ッシングのように基板にダメージを与えることが無い点
で優れている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の構成図、 第２図は従来例１の構成図、 第３図は従来例の２の構成図である。 １・・・反応槽 ２・・・基板 ３・・・二酸化窒素（ＮＯｘ）ガスの導入管４・・・排
気口 ５・・・ヒータ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. レジスト層を有する基板を反応槽内で加熱すると共に、
   該反応槽に二酸化窒素ガスを流入せしめ、該基板上のレ
   ジストを分解除去することを特徴とするアッシング方法
   。