JPS6236666A - アツシング方法 - Google Patents
アツシング方法Info
- Publication number
- JPS6236666A JPS6236666A JP17616685A JP17616685A JPS6236666A JP S6236666 A JPS6236666 A JP S6236666A JP 17616685 A JP17616685 A JP 17616685A JP 17616685 A JP17616685 A JP 17616685A JP S6236666 A JPS6236666 A JP S6236666A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist
- ashing
- gas
- reaction vessel
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
レジストのアッシング方法であつ”Ｃルジスト層を有す
る基板を反応槽内に配置し、該基板に二酸化窒素（Ｎｏ
ｗ）ガスを吹きつけ、かつ、紫外線を照射し、レジスト
の分解除去を行うことにより、高いアッシングレートを
得る。
る基板を反応槽内に配置し、該基板に二酸化窒素（Ｎｏ
ｗ）ガスを吹きつけ、かつ、紫外線を照射し、レジスト
の分解除去を行うことにより、高いアッシングレートを
得る。
［産業上の利用分野］
本発明は、基板にダメージを与えることなくレジストの
アッシングをする方法に係９、特に、簡易な装置で高速
なアッシングを可能とする方法に関する。
アッシングをする方法に係９、特に、簡易な装置で高速
なアッシングを可能とする方法に関する。
従来、基板上に残存する使用済レジストの除去を行う為
の、ドライプロセスとし゛〔は、プラズマ・アッシング
方法が知られ°Ｃいる。
の、ドライプロセスとし゛〔は、プラズマ・アッシング
方法が知られ°Ｃいる。
第３図にプラズマ・アッシングを行うための装置の一例
を模式的に示し°〔いる。図におい°〔、反応管３１内
にレジスト層を有する基板３２を配置し、反応管の一端
６５より反応ガス、例えば酸素０！を導入し、他端３４
より排気する。そし°Ｃ１反応管３１の周囲に配した高
周波コイル５５に高周波電源３６を接続して酸素ガスプ
ラズマを発生し、レジストのアッシングを行う。
を模式的に示し°〔いる。図におい°〔、反応管３１内
にレジスト層を有する基板３２を配置し、反応管の一端
６５より反応ガス、例えば酸素０！を導入し、他端３４
より排気する。そし°Ｃ１反応管３１の周囲に配した高
周波コイル５５に高周波電源３６を接続して酸素ガスプ
ラズマを発生し、レジストのアッシングを行う。
このプラズマ・アッシング方法では、活性なラジカルや
イオンにより反応が促進さｎ１高速な処理が可能になる
が、他方におい°Ｃ１イオンが基板に衝撃を与え、半導
体等の基板がダメージを受ける欠点がある。
イオンにより反応が促進さｎ１高速な処理が可能になる
が、他方におい°Ｃ１イオンが基板に衝撃を与え、半導
体等の基板がダメージを受ける欠点がある。
これに対し°Ｃ１従来からオゾンガスを用いたアッシン
グ方法が知られ′Ｃいる。第２図にそのための装置の概
要を示し°ＣあＱ１反応槽２１内にレジスト層を有する
基板２２を配置し、導入管２６より前段のオゾナイザ（
図示せず）で発生したオゾンガスを導入し、排気管２４
よＱ排気する。２５はヒータである。
グ方法が知られ′Ｃいる。第２図にそのための装置の概
要を示し°ＣあＱ１反応槽２１内にレジスト層を有する
基板２２を配置し、導入管２６より前段のオゾナイザ（
図示せず）で発生したオゾンガスを導入し、排気管２４
よＱ排気する。２５はヒータである。
このオゾンガスによるアッシング方法では、アッシング
は純化学的反応で行われ、レジストはＣＯｌ Ｉ Ｈ霊
０とし°〔除去されるものと考えられる。
は純化学的反応で行われ、レジストはＣＯｌ Ｉ Ｈ霊
０とし°〔除去されるものと考えられる。
オゾンガスによるアッシング方法では基板にダメージを
与えることはないが、反応速度が遅く、処理に要する時
間が長い為、実際の半導体装置の製造プロセス等には適
用できない。
与えることはないが、反応速度が遅く、処理に要する時
間が長い為、実際の半導体装置の製造プロセス等には適
用できない。
例えば、標準的ネガレジストのＯＭＲ（東京応化製、商
品名）を１μｍ塗布した基板を２５０℃に加熱し、圧力
１気圧で流量４ＳＬＭのオゾンガス（９５ｔｓＯ鵞＋５
％Ｏｊ）を流し°Ｃアッシングする時１５分も必要とす
る。また、オゾンガスは不安定な化合物であるから、前
段に電気回路装置（オゾナイザ）を設け°〔オゾンガス
を発生後直ちにアッシング装置に供給しなければならな
い。
品名）を１μｍ塗布した基板を２５０℃に加熱し、圧力
１気圧で流量４ＳＬＭのオゾンガス（９５ｔｓＯ鵞＋５
％Ｏｊ）を流し°Ｃアッシングする時１５分も必要とす
る。また、オゾンガスは不安定な化合物であるから、前
段に電気回路装置（オゾナイザ）を設け°〔オゾンガス
を発生後直ちにアッシング装置に供給しなければならな
い。
〔発明が解決しようとする問題点３
以上のように、従来のプラズマ・アッシング方法ではダ
メージを基板に与える欠点があＱ、一方ダメージを与え
ることがないオゾンガスによるアッシング方法では処理
に要する時間が長く、実際のプロセスに適用するのに難
がある。更に、従来のオゾンガスな用いたアッシング方
法ではオゾンガスの発生のために、前段にオゾナイザ等
の電気回路装置が必要であつ°Ｃ１そ几だけコスト高に
なりトラブルの発生率が大きくなるといった欠点があっ
た。
メージを基板に与える欠点があＱ、一方ダメージを与え
ることがないオゾンガスによるアッシング方法では処理
に要する時間が長く、実際のプロセスに適用するのに難
がある。更に、従来のオゾンガスな用いたアッシング方
法ではオゾンガスの発生のために、前段にオゾナイザ等
の電気回路装置が必要であつ°Ｃ１そ几だけコスト高に
なりトラブルの発生率が大きくなるといった欠点があっ
た。
本発明においＣは、レジスト層を有する基板を反応槽内
に配置し、該基板に二酸化窒素（Ｎ（ｈ）ガスを吹きつ
け、かつ、紫外線を照射し、レジストの分解除去を行う
ものである。
に配置し、該基板に二酸化窒素（Ｎ（ｈ）ガスを吹きつ
け、かつ、紫外線を照射し、レジストの分解除去を行う
ものである。
本発明構成におい”Ｃ１紫外線照射の効果により、反応
ガスの二酸化窒素（Ｎｏｗ）ガスの以下の分解が促進さ
れる。
ガスの二酸化窒素（Ｎｏｗ）ガスの以下の分解が促進さ
れる。
ＮＯ！→Ｎｏ←０
Ｎｏｔの分解で発生したＯはレジストのアッシングに寄
与する。
与する。
一方、本発明におい°〔は、Ｎ０２ガスは基板上のレジ
ストに勢い良く吹きつけられる。それにより、加熱によ
り流動状態にあるレジストは、Ｎｏｔあるいは分解生成
物の０と攪拌さｎる結果、アッシング反応のレートが向
上する。
ストに勢い良く吹きつけられる。それにより、加熱によ
り流動状態にあるレジストは、Ｎｏｔあるいは分解生成
物の０と攪拌さｎる結果、アッシング反応のレートが向
上する。
第１図に本発明の実施例の構成図を示し°〔ある。
１は反応槽で、内部にレジスト３を塗布した基板２が装
填しＣある。該反応槽１には導入管４で図示しないボン
ベから流量コントローラを経°〔所定の流量のＮｏｔガ
スが導入される。そし゛〔、導入管の先端口は基板２に
近接しＣあり、直接勢い良くＮＯ！ガスをレジスト５に
吹きつけるようにし°〔いる。・−例とし°Ｃ１先端口
の内径４顛、基板との距離４鵡とした。５は排気口であ
る。６は低圧水銀灯であＱ１紫外線を窓材（合成石英）
７を介し°Ｃ基板に照射する。また、８はヒータであり
、基板を所定の温度（レジストの軟化温度以上）に加熱
する。
填しＣある。該反応槽１には導入管４で図示しないボン
ベから流量コントローラを経°〔所定の流量のＮｏｔガ
スが導入される。そし゛〔、導入管の先端口は基板２に
近接しＣあり、直接勢い良くＮＯ！ガスをレジスト５に
吹きつけるようにし°〔いる。・−例とし°Ｃ１先端口
の内径４顛、基板との距離４鵡とした。５は排気口であ
る。６は低圧水銀灯であＱ１紫外線を窓材（合成石英）
７を介し°Ｃ基板に照射する。また、８はヒータであり
、基板を所定の温度（レジストの軟化温度以上）に加熱
する。
以上の装置を用い、次の条件でアッシングを行なった。
塗布レジスト二標準的ネガレジストのＯＭＲ（東京応化
製、商品名）、膜厚１μｍ 基板温度＝２５０℃ ＮＯ！流量：３ＳＬＭ（標準状態で５１７分）反応槽内
圧： ３ Ｔｏｒｒ 低圧水銀打入カニ ２５０ Ｗ （照射強度２００ ｍ
Ｗ／ ｃｔＡ ）以上の条件でアッシングした結果、ア
ッシングレートは３５００λ／分であった。
製、商品名）、膜厚１μｍ 基板温度＝２５０℃ ＮＯ！流量：３ＳＬＭ（標準状態で５１７分）反応槽内
圧： ３ Ｔｏｒｒ 低圧水銀打入カニ ２５０ Ｗ （照射強度２００ ｍ
Ｗ／ ｃｔＡ ）以上の条件でアッシングした結果、ア
ッシングレートは３５００λ／分であった。
これに対し゛〔、参照実験とし°〔行った、他の条件は
本実施例と同じにし°〔低圧水銀灯を点灯しない場合は
アッシングレートは２５０ＬＩ Ａ ７分であった。ま
た他の参照実験として、真空下で、低圧水銀灯の紫外線
を加熱したレジストに照射した例では２５０℃で膜減り
は５０Ａ／分に過ぎなかった。
本実施例と同じにし°〔低圧水銀灯を点灯しない場合は
アッシングレートは２５０ＬＩ Ａ ７分であった。ま
た他の参照実験として、真空下で、低圧水銀灯の紫外線
を加熱したレジストに照射した例では２５０℃で膜減り
は５０Ａ／分に過ぎなかった。
以上のように、本発明に於い゛〔は紫外線照射とＮＯ鵞
ガスの吹きつけの相乗効果がアッシングに寄与し°Ｃい
る。
ガスの吹きつけの相乗効果がアッシングに寄与し°Ｃい
る。
本実施例では、ＯＭＲの露光の除用いる光よＱエネルギ
的に高い低圧水銀灯の紫外線（波長２５３．７ｎｍと１
８４．９ ｎｍ ）を照射し°〔おり、その光を吸収し
’ＣＮＯｘが分解し゛〔０が発生し、これがレジストの
アッシングに寄与する。慎だ、同時に、Ｎ０ｗガスの吹
きつけによる攪拌作用が生じ゛Ｃルジストと０との反応
を促進し°Ｃいる。
的に高い低圧水銀灯の紫外線（波長２５３．７ｎｍと１
８４．９ ｎｍ ）を照射し°〔おり、その光を吸収し
’ＣＮＯｘが分解し゛〔０が発生し、これがレジストの
アッシングに寄与する。慎だ、同時に、Ｎ０ｗガスの吹
きつけによる攪拌作用が生じ゛Ｃルジストと０との反応
を促進し°Ｃいる。
以上のように本発明によｎば、紫外線照射によるＮＯｘ
の分解による０の発生と、Ｎｏ、ガスの吹きつけによる
攪拌作用とにより、レジストのアッシングを促進するこ
とができ、レジストを用いるプロセスのスループットの
向上が期待される。
の分解による０の発生と、Ｎｏ、ガスの吹きつけによる
攪拌作用とにより、レジストのアッシングを促進するこ
とができ、レジストを用いるプロセスのスループットの
向上が期待される。
また、これらの反応は基板にダメージを与えることがな
〈従来のプラズマ・アッシングに対し°Ｃ優れ°Ｃいる
。更に、ＮＯ，ガスは安定に存在するガスであり、オゾ
ンガスのように前段にプラズマを起こす電気回路装置（
オゾナイザ−）を設ける必要がなく、ボンベから流量コ
ントローラヲ介Ｌ ’ｃ簡単に供給できる利点がある。
〈従来のプラズマ・アッシングに対し°Ｃ優れ°Ｃいる
。更に、ＮＯ，ガスは安定に存在するガスであり、オゾ
ンガスのように前段にプラズマを起こす電気回路装置（
オゾナイザ−）を設ける必要がなく、ボンベから流量コ
ントローラヲ介Ｌ ’ｃ簡単に供給できる利点がある。
第１図は本発明の実施例の構成図、
第２図は従来例１の構成図、
第３図は従来例２の構成図である。
１・・・反応槽
２・・・基板
６・・・レジスト
４・・・導入管
５・・・排気口
６・・・低圧水銀灯
７・・・窓材
８・・・ヒータ
Claims (1)
- レジスト層を有する基板を反応槽内に配置し、該基板に
二酸化窒素（ＮＯ＿２）ガスを吹きつけるとともに、紫
外線を照射し、レジストの分解除去を行うことを特徴と
するアッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17616685A JPS6236666A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | アツシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17616685A JPS6236666A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | アツシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236666A true JPS6236666A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=16008816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17616685A Pending JPS6236666A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | アツシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236666A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262553U (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-10 |
-
1985
- 1985-08-10 JP JP17616685A patent/JPS6236666A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262553U (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-10 |
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