JPS6237382B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6237382B2 JPS6237382B2 JP1290483A JP1290483A JPS6237382B2 JP S6237382 B2 JPS6237382 B2 JP S6237382B2 JP 1290483 A JP1290483 A JP 1290483A JP 1290483 A JP1290483 A JP 1290483A JP S6237382 B2 JPS6237382 B2 JP S6237382B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- photomask blank
- germanium
- shielding metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 13
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- XMFOQHDPRMAJNU-UHFFFAOYSA-N lead(ii,iv) oxide Chemical compound O1[Pb]O[Pb]11O[Pb]O1 XMFOQHDPRMAJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- -1 Cl 2 Chemical compound 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/46—Antireflective coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフオトマスクブランクに関し、より詳
しくはプラズマエツチング用のフオトマスクブラ
ンクに関する。
しくはプラズマエツチング用のフオトマスクブラ
ンクに関する。
従来、この種のフオトマスクブランクとして
は、ガラス基板上にタンタル薄膜（膜厚：約1000
Å）を形成し、そのタンタル薄膜上にフオトレジ
スト（膜厚；約5000Å）を塗布したものが知られ
ている。このブランクは、露光、現像及びエツチ
ングを行い、タンタル薄膜上に所定のレジストパ
ターンを形成した後、平行平板型又は円筒型のプ
ラズマエツチング装置の槽内に挿入し、チヤンバ
ー内を一度真空にして、CF4ガスを導入する。そ
して、ラジオ波（通常13.56MHz）をかけること
により、プラズマを発生させて、露出された部分
のタンタル薄膜がエツチングされて、レジストパ
ターン部分のタンタル薄膜を残し、所定の遮光性
パターンを形成したフオトマスクを得ていた。
は、ガラス基板上にタンタル薄膜（膜厚：約1000
Å）を形成し、そのタンタル薄膜上にフオトレジ
スト（膜厚；約5000Å）を塗布したものが知られ
ている。このブランクは、露光、現像及びエツチ
ングを行い、タンタル薄膜上に所定のレジストパ
ターンを形成した後、平行平板型又は円筒型のプ
ラズマエツチング装置の槽内に挿入し、チヤンバ
ー内を一度真空にして、CF4ガスを導入する。そ
して、ラジオ波（通常13.56MHz）をかけること
により、プラズマを発生させて、露出された部分
のタンタル薄膜がエツチングされて、レジストパ
ターン部分のタンタル薄膜を残し、所定の遮光性
パターンを形成したフオトマスクを得ていた。
しかしながら、このフオトマスクは、微細パタ
ーンの静電破壊を起こしたり、あるいは被転写物
との間で多重反射を起こして、パターン精度を低
下させる欠点があつた。それがため、微細加工性
及び制御性等に優れたプラズマエツチングが紹介
されていながら、プラズマエツチング用のフオト
マスクブランクが未開発であつた。
ーンの静電破壊を起こしたり、あるいは被転写物
との間で多重反射を起こして、パターン精度を低
下させる欠点があつた。それがため、微細加工性
及び制御性等に優れたプラズマエツチングが紹介
されていながら、プラズマエツチング用のフオト
マスクブランクが未開発であつた。
本発明の目的は、上記した欠点を除去し、微細
パターンの静電破壊を防止し、被転写物との間で
の多重反射を防止した、塩素系ガスを用いた反応
性イオンエツチング等のプラズマエツチング用フ
オトマスクブランクを提供することである。
パターンの静電破壊を防止し、被転写物との間で
の多重反射を防止した、塩素系ガスを用いた反応
性イオンエツチング等のプラズマエツチング用フ
オトマスクブランクを提供することである。
このような目的を達成させるため、本発明は、
塩素系ガスのプラズマ種に対して耐性のある透明
導電膜と、同プラズマ種に対してエツチングされ
やすい遮光性金属膜及び反射防止膜を見い出し、
これらの膜をガラス基板上に成膜することにより
構成されている。
塩素系ガスのプラズマ種に対して耐性のある透明
導電膜と、同プラズマ種に対してエツチングされ
やすい遮光性金属膜及び反射防止膜を見い出し、
これらの膜をガラス基板上に成膜することにより
構成されている。
以下、本発明を実施例図面を参照して説明す
る。
る。
第１図に示すように、透明なアルミノボロシリ
ケートガラス基板（(株)保谷硝子製：LE−30）等
から製作されたガラス基板１上に、インジウム金
属をターゲツトとして反応性スパツタリング法に
より酸化インジウム（In2O3）の透明導電膜（膜
厚：約300Å）２を成膜し、その上にゲルマニウ
ムをターゲツトとしてスパツタリング法によりゲ
ルマニウム（Ge）の遮光性金属膜（膜厚：約
1300Å）３を成膜し、更にその上に石英をターゲ
ツトとして反応性スパツタリング法により二酸化
シリコン（SiO2）の反射防止膜（膜厚：約700
Å）４を成膜してフオトマスクブランクを製作し
た。
ケートガラス基板（(株)保谷硝子製：LE−30）等
から製作されたガラス基板１上に、インジウム金
属をターゲツトとして反応性スパツタリング法に
より酸化インジウム（In2O3）の透明導電膜（膜
厚：約300Å）２を成膜し、その上にゲルマニウ
ムをターゲツトとしてスパツタリング法によりゲ
ルマニウム（Ge）の遮光性金属膜（膜厚：約
1300Å）３を成膜し、更にその上に石英をターゲ
ツトとして反応性スパツタリング法により二酸化
シリコン（SiO2）の反射防止膜（膜厚：約700
Å）４を成膜してフオトマスクブランクを製作し
た。
このフオトマスクブランクの分光反射率は、波
長430nｍの光に対して15％であつた。
長430nｍの光に対して15％であつた。
このフオトマスクブランクは、第２図に示すよ
うに、先ずフオトレジスト（膜厚：約5000Å）５
を塗布し（同図ａ）、露光、現像を行つて、１μ
ｍ程度のレジストパターン５１を作成し（同図
ｂ）、これをCCl4ガスを用いて反応性イオンエツ
チングを行うことにより、レジストパターン５１
のない部分の露出された二酸化シリコン膜４とゲ
ルマニウム膜３をエツチングして反射防止パター
ン４１と遮光性パターン３１を形成した（同図
ｃ）。ここで、酸化インジウム膜２の存在を確認
するために、O2プラズマ中で、レジストパター
ン５１を灰化し、再びCCl4ガスを用いて反応性
イオンエツチングを行うことにより、反射防止パ
ターン４１と遮光性パターン３１を全てエツチン
グした（同図ｄ）。このときの酸化インジウム膜
２のシート抵抗を測定した結果、1.5KΩ／□程
度の導電性を確保していることが判明した。
うに、先ずフオトレジスト（膜厚：約5000Å）５
を塗布し（同図ａ）、露光、現像を行つて、１μ
ｍ程度のレジストパターン５１を作成し（同図
ｂ）、これをCCl4ガスを用いて反応性イオンエツ
チングを行うことにより、レジストパターン５１
のない部分の露出された二酸化シリコン膜４とゲ
ルマニウム膜３をエツチングして反射防止パター
ン４１と遮光性パターン３１を形成した（同図
ｃ）。ここで、酸化インジウム膜２の存在を確認
するために、O2プラズマ中で、レジストパター
ン５１を灰化し、再びCCl4ガスを用いて反応性
イオンエツチングを行うことにより、反射防止パ
ターン４１と遮光性パターン３１を全てエツチン
グした（同図ｄ）。このときの酸化インジウム膜
２のシート抵抗を測定した結果、1.5KΩ／□程
度の導電性を確保していることが判明した。
以上のように、本発明によれば、塩素系ガスの
プラズマ種に対してエツチングされやすい遮光性
金属及び反射防止膜用酸化物をマスク材として、
エツチングされにくい酸化物を透明導電膜として
それぞれ使用することにより、塩素系ガスによる
プラズマエツチングによつて製作されるフオトマ
スクについて帯電防止効果及び反射防止効果を得
ることができる。
プラズマ種に対してエツチングされやすい遮光性
金属及び反射防止膜用酸化物をマスク材として、
エツチングされにくい酸化物を透明導電膜として
それぞれ使用することにより、塩素系ガスによる
プラズマエツチングによつて製作されるフオトマ
スクについて帯電防止効果及び反射防止効果を得
ることができる。
上記実施例では、透明導電膜と遮光性金属膜と
反射防止膜の３層膜を形成したが、そのうち透明
導電膜と遮光性金属膜から成る２層のものは静電
破壊防止のフオトマスクブランクとして使用する
ことができ、また、遮光性金属膜と反射防止膜か
ら成る２層のものは反射防止のフオトマスクブラ
ンクとして使用することができる。
反射防止膜の３層膜を形成したが、そのうち透明
導電膜と遮光性金属膜から成る２層のものは静電
破壊防止のフオトマスクブランクとして使用する
ことができ、また、遮光性金属膜と反射防止膜か
ら成る２層のものは反射防止のフオトマスクブラ
ンクとして使用することができる。
また、他の実施例としては、本発明に係る透明
導電膜として酸化インジウムの他に酸化鉄
（Fe3O4）、酸化レニウム（Re2O7）、酸化鉛
（Pb3O4）、酸化亜鉛（Pb3O4）、酸化ニツケル
（NiO）及び酸化コバルト（CoO）等を使用する
ことができ、遮光性金属膜としてゲルマニウムの
他にシリコン（Si）、アンチモン（Sb）及び金
（Au）を使用することができ、反射防止膜として
二酸化シリコンの他に酸化ゲルマニウム
（GeO2）及び酸化アンチモン（Sb2O3）等を使用す
ることができ、塩素系ガスとしてCCl4の他に
Cl2、BCl3、CH3CCl3等及びそれらの混合ガス又
は前記塩素系ガスに酸素ガスを混合したものを使
用することができる。更に、以上の透明導電膜と
反射防止膜は、所定の膜厚をもつて１層で形成さ
れるが、列挙した各酸化物を多層形成してもよ
い。
導電膜として酸化インジウムの他に酸化鉄
（Fe3O4）、酸化レニウム（Re2O7）、酸化鉛
（Pb3O4）、酸化亜鉛（Pb3O4）、酸化ニツケル
（NiO）及び酸化コバルト（CoO）等を使用する
ことができ、遮光性金属膜としてゲルマニウムの
他にシリコン（Si）、アンチモン（Sb）及び金
（Au）を使用することができ、反射防止膜として
二酸化シリコンの他に酸化ゲルマニウム
（GeO2）及び酸化アンチモン（Sb2O3）等を使用す
ることができ、塩素系ガスとしてCCl4の他に
Cl2、BCl3、CH3CCl3等及びそれらの混合ガス又
は前記塩素系ガスに酸素ガスを混合したものを使
用することができる。更に、以上の透明導電膜と
反射防止膜は、所定の膜厚をもつて１層で形成さ
れるが、列挙した各酸化物を多層形成してもよ
い。
以上の通り、本発明によれば、塩素系ガスによ
るプラズマエツチング用のフオトマスクブランク
を実現したことにより、その実用的な価値は多大
である。
るプラズマエツチング用のフオトマスクブランク
を実現したことにより、その実用的な価値は多大
である。
第１図は本発明による実施例を示すフオトマス
クブランクの概略断面図、第２図は前実施例のフ
オトマスクブランクを使用した塩素系ガスによる
プラズマエツチングによつて製作したフオトマス
クの概略断面図である。 １……ガラス基板、２……酸化インジウムの透
明導電膜、３……ゲルマニウムの遮光性金属膜、
４……二酸化シリコンの反射防止膜。
クブランクの概略断面図、第２図は前実施例のフ
オトマスクブランクを使用した塩素系ガスによる
プラズマエツチングによつて製作したフオトマス
クの概略断面図である。 １……ガラス基板、２……酸化インジウムの透
明導電膜、３……ゲルマニウムの遮光性金属膜、
４……二酸化シリコンの反射防止膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 塩素系ガスを用いたプラズマエツチング用の
フオトマスクブランクにおいて、ガラス基板上に
シリコン、ゲルマニウム、アンチモン及び金のう
ち何れか１つを遮光性金属膜として成膜し、かつ
前記遮光性金属膜上にシリコン、ゲルマニウム及
びアンチモンの各酸化物のうち少くとも１層を反
射防止膜として成膜したことを特徴とするフオト
マスクブランク。 ２ 塩素系ガスを用いたプラズマエツチング用の
フオトマスクブランクにおいて、ガラス基板上に
鉄、インジウム、レニウム、鉛、亜鉛、ニツケル
及びコバルトの各酸化物のうち少くとも１層を透
明導電膜として成膜し、かつ前記透明導電膜上に
シリコン、ゲルマニウム、アンチモン及び金のう
ち何れか１つを遮光性金属膜として成膜したこと
を特徴とするフオトマスクブランク。 ３ 塩素系ガスを用いたプラズマエツチング用の
フオトマスクブランクにおいて、ガラス基板上に
鉄、インジウム、レニウム、鉛、亜鉛、ニツケル
及びコバルトの各酸化物のうち少くとも１層を透
明導電膜として成膜し、かつ前記透明導電膜上に
シリコン、ゲルマニウム、アンチモン及び金のう
ち何れか１つを遮光性金属膜として成膜し、かつ
前記遮光性金属膜上にシリコン、ゲルマニウム及
びアンチモンの各酸化物のうち少くとも１層を反
射防止膜として成膜したことを特徴とするフオト
マスクブランク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58012904A JPS59139033A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | フオトマスクブランク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58012904A JPS59139033A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | フオトマスクブランク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59139033A JPS59139033A (ja) | 1984-08-09 |
| JPS6237382B2 true JPS6237382B2 (ja) | 1987-08-12 |
Family
ID=11818349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58012904A Granted JPS59139033A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | フオトマスクブランク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59139033A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60132323A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JP2006078825A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
| JP2016009744A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクおよび反射型マスクブランク |
| US10678125B2 (en) | 2016-03-02 | 2020-06-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and method for preparing photomask |
| JP6743679B2 (ja) | 2016-03-02 | 2020-08-19 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP58012904A patent/JPS59139033A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59139033A (ja) | 1984-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8409772B2 (en) | Mask blank and method of manufacturing a transfer mask | |
| US4440841A (en) | Photomask and photomask blank | |
| US4873163A (en) | Photomask material | |
| US4178403A (en) | Mask blank and mask | |
| TWI420236B (zh) | 空白罩幕、空白罩幕的製造方法及利用其所製造的光罩 | |
| TWI778231B (zh) | 遮罩基底、相位轉移遮罩以及半導體元件之製造方法 | |
| JP6626813B2 (ja) | 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク | |
| JPS61173251A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| KR101287708B1 (ko) | 다계조 포토마스크, 포토마스크 블랭크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 및 패턴 전사 방법 | |
| TW202129705A (zh) | 反射遮罩及其製造方法 | |
| JPH0435743B2 (ja) | ||
| JPH0634401B2 (ja) | 遮光性薄膜のエッチング方法 | |
| JPS59139033A (ja) | フオトマスクブランク | |
| US20240337918A1 (en) | Euv photo masks and manufacturing method thereof | |
| JPS6025024B2 (ja) | フオトマスク用原板 | |
| KR102685030B1 (ko) | 포토마스크의 제조 방법 | |
| JP2788649B2 (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスク | |
| JPS6237383B2 (ja) | ||
| JPH0644146B2 (ja) | フオトマスク | |
| JPS649617B2 (ja) | ||
| KR20110052516A (ko) | 다계조 포토마스크의 제조 방법, 및 다계조 포토마스크 | |
| JPS623257A (ja) | マスクパタ−ンの形成方法およびこれに使用するマスク基板 | |
| JPH0463349A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク | |
| JPS6280655A (ja) | フオトマスクブランクおよびフオトマスク | |
| JPH0475059A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスクおよびフォトマスクの製造方法 |