JPS6237968A - 絶縁ゲ−ト型薄膜トランジスタ及びその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業−にの不り１３５＞　’Ｒ 本発明は、絶縁ゲート型薄トランジスタの改良に関する
。

従」げｌ［術 絶縁ゲート型薄膜トランジスタとして、従来、第１１図
を伴なって次に述べる構成を右するものが提案されてい
る。

すなわち、シリコンのにうな半導体、絶縁層などでなる
基板１を右し、その基板１上に多結晶半導体薄膜２が、
局部的に、形成されている。

また、多結晶半導体薄膜２上に、幅方向の両端面間をチ
ャンネル領域７として、そのチャンネル領域７上に、ゲ
ート絶縁膜３を介して、ゲート電極４が形成されている
。

さらに、多結晶半導体薄膜２のチャンネル領域７を挟ん
だ両位置にそれぞれオーミックに連結しているソース電
極５及びドレイン電極６が、基板１上に延長して形成さ
れている。

以上が、従来提案されている絶縁ゲート望薄トランジス
タの構成である。

このような構成を有する絶縁ゲート型薄膜トランジスタ
にＪ：れば、ソース電極５及びドレイン電極６間に、負
荷（図示せず）を通じて所要の電源を接続した状態で、
ソース雷１ｔｉ　５及びゲート電極４間に制御電圧を印
加させることによって、多結晶半導体薄膜２のチャンネ
ル領域７を通る電流が制御され、よって、負荷に供給さ
れる電流が制御されるという１ヘランジスタとしての機
能が得られる。

また、第１１図で上述した従来の絶縁ゲート型薄膜トラ
ンジスタの製法として、従来、第１２図を伴なって次に
述べる方法が提案されている。

すなわち、第１図で上述したと同様の基板１上に、アモ
ルファス半導体薄膜または多結晶半導体薄膜でなる非単
結晶半導体薄膜１１を、真空蒸着法、気相成長法などに
よって形成する（第１２図Ａ）。

次に、非単結晶半導体薄膜１１に対する、し−１１光照
０＝Ｊ法、電子ビーム照射法、高周波加熱法、ランプ光
照０４法などによるアニール処理にｊ；つて、非１１′
ｉ結晶半導体簿膜１１から、第１１図でＪ＝述したと同
様の多結晶半導体薄膜２になる多結晶半導体薄膜１２を
形成する（第１２図Ｂ）。

次に、多結晶半導体薄膜１２に対するエツチング処理に
にって、多結晶半導体薄膜１２から、第１１図で上述し
たと同様の半導体薄膜を形成する（第１２図Ｃ）。

次に、多結晶半導体薄膜２上のその全外表面上に亘って
延長している、Ｓ：Ｏ、Δ１２０３．５１３Ｎ４などで
なる第１１図で−Ｌ）ホしｌこと同様のゲート絶縁膜３
になる絶縁層１４を局部的に形成する（第１２図Ｄ）。

次に、多結晶半導体薄膜２上に、絶縁層１４を介して、
第１１図で上述したと同様のゲート電極４になる導電性
層を形成し、次で、これに対するエツチング処理を行う
という工程を含／Ｖで、第１１図で上述したと同様のゲ
ート電極４を形成し、次で、絶縁層１４に対するエツチ
ング処理を行って第１１図で上述したと同様のゲート絶
縁膜３を形成する。

次に、基板１及び多結晶半導体薄膜２上に、第１１図で
上述したと同様のソース電極５及びドレイン電極６とな
る導電性層を形成し、次で、これに対するエツチング処
理を行うという工程を含んで、第１１図で上述したと同
様のソース電極５及びドレイン電極６を形成する（第１
２図Ｅ）。

以上が、第１図で上述した従来の絶縁ゲート型薄膜トラ
ンジスタを製造する、従来の絶縁ゲート型薄膜トランジ
スタの製法である。

このような従来の絶縁ゲート型薄トランジスタの製法に
よれば、第１図で上）ホした従来の絶縁ゲート型薄膜ト
ランジスタを容易に製造することができる。

発明が解決しようどする問題点 第１１図で上述した従来の絶縁ゲート型薄膜トランジス
タの場合、多結晶でなる半導体簿膜が、ヂャンネル形成
領域にお（）る多結晶の結晶粒径に依存した特性を呈し
、従って、特性にバラツキを有するという欠点を有して
いた。

また、第１２図で上述した従来の絶縁ゲート型望薄トラ
ンジスタの製法の場合、半導体薄膜を、比較的大なる結
晶粒径を各部一様に有する多結晶でなるものとして形成
することが困カ１［である。このため、ソース電極５及
びドレイン電極６間の領域において、キャリア移動度の
高い半導体薄膜　を形成することが困難であることから
、トランジスタとしての機能が高速で得られる絶縁ゲー
ト型薄膜トランジスタを製造するのに一定の限度を有し
ていた。

即題を解決するための手段 よって、本発明は、上述した従来の絶縁ゲート型薄膜ト
ランジスタの欠点のない新規な絶縁ゲート型薄膜トラン
ジスタを提案せんどするものである。　　、 作　　用 本願第１番目の発明にｊ；る絶縁ゲート型訪膜１−ラン
ジスタによれば、その半導体薄膜が第１図で上述した従
来の絶縁ゲート望薄膜トランジ・スタの半導体薄膜　に
対応し、また、ゲート絶縁膜が第１図で上述した従来の
絶縁ゲート型薄トランジスタのゲート絶縁膜　に対応し
、さらに、ゲート電極が第１図で上述した従来の絶縁ゲ
ート型薄膜トランジスタのゲート電極　に対応し、また
、ソース電極及びドレイン電極がそれぞれ第１図で上述
した従来の絶縁ゲート型薄膜１ヘランジスタのソース電
極　及びドレイン電極　に対応しているので、詳細説明
は省略するが、第１図で上述した従来の絶縁ゲート望薄
膜トランジスタと同様のトランジスタとしての機能が得
られる。

しかしながら、本願第１番目の発明による絶縁ゲート型
薄膜トランジスタの場合、半導体薄膜が絶縁層上にその
側面上を通って連続的に延長し、絶縁層の側面と対応す
る領域において段差を形成しているので、その段差を形
成している領域が他の領域に比し大なる結晶粒径を有す
る多結晶半導体でなるため、キャリアの移動度が他の領
域に比し大である。

発明の効果 本願第１番月の発明による絶縁ゲート型薄膜トランジス
タににれば、半導体薄膜の段差を形成している領域での
キャリア移動度が、他の領域に比し大であり、そして、
その領域を含／υで゛チャンネル形成領域が形成されて
いるので、第１図で土達した従来の絶縁ゲート型薄トラ
ンジスタの場合に比し、トランジスタとしての機能を高
速で得ることができる。

また、半導体薄膜の段差を形成している領域に結晶粒界
を有しないか、有しているとしてもその結晶粒界の数が
、他の領域に比し格段的に少ないので、その分、第１図
で上述した従来の絶縁ゲート型薄膜トランジスタに比し
、優れたトランジスタとしての特性を呈する。

まず、第１図を伴なって、本願第１番目の発明による絶
縁グーミル型薄膜トランジスタの第１の実施例を述べよ
う。

第１図において、第１１図との対応部分には同一符号を
付して詳細説明を省略する。

第１図に示す本願第１番目の発明にＪ：る絶縁ゲート型
薄膜トランジスタは、次の事項を除いて、第１１図で上
述した従来の絶縁ゲート型薄膜トランジスタと同様の構
成を有する。

すなわち、基板１上に、局部的に比較的厚い厚さを有す
る絶縁層３１が形成されている。

しかして、基板１上から、絶縁層３１上に、その側面３
２上を通って段差を形成するように連続的に延長し、そ
して、チャンネル領域７が、多結晶半導体薄膜２の段差
を形成している領域を含んで、結晶粒界を有していない
か有しているとしても他の領域に化し少ない数の結晶粒
界しか有していないものとして構成されている。

以上が、本願第１番目の発明による絶縁ゲート型薄トラ
ンジスタの第１の実施例の構成である。

このような構成を有する本願第１番目の発明による絶縁
ゲート型薄膜トランジスタによれば、それが上述した事
項を除いて、第１１図で上述した従来の絶縁ゲート型薄
膜トランジスタと同様の構成を有するので、詳細説明は
省略するが、第１図で上述した従来の絶縁ゲート型薄膜
トランジスタの場合と同様のトランジスタとしての機能
が１ｑられる。

しかしながら、第１図に示す本願第１番目の発明ににる
絶縁ゲート型薄膜トランジスタによれば、多結晶半導体
薄膜２が、基板１上から、絶縁層３１上に、その側面３
２上を通って段差を形成するように連続的に延長し、そ
して、チャンネル領域７が、多結晶半導体薄膜２の段差
を形成している領域を含んで、結晶粒界を有していない
か有しているとしても他の領域に比し格段的に少ない数
の結晶粒界しか右していないものとして構成されている
。このため、多結晶半導体薄膜２のチャンネル領域７で
のキレリア＝　　１２　− の移動度が、他の領域に比し格段的に犬であり、従って
、トランジスタどしての機能が、第１１図で上述した従
来の絶縁ゲート型薄膜１ヘランジスタの場合に比し格段
的に高速で得られる。

また、多結晶半導体薄膜２のチャンネル領域７が、結晶
粒界を有していないか有しているとしても他の領域に比
し格段的に少ない数の結晶粒界しか有していないので、
トランジスタとしての機能が、第１１図で上述した従来
の絶縁ゲート型薄膜トランジスタの場合に比し格段的に
結晶粒界の影響の少ないものとして得られる。

さらに、接述する本願第２番目の発明による本発明の製
法の実施例で明らかとなるが、多結晶半導体薄膜２を、
とくに、そのチャンネル領域７において、第１１図で上
述した従来の絶縁ゲート型薄膜トランジスタの場合に比
し格段的にバラツキの少ないものとして容易に形成する
こ とができるので、トランジスタとしての特性に、第１１
図で上述した従来の絶縁ゲート型薄トランジスタに比し
格段的に少ないバラツキしか有していない。

次に、第２図を伴なって、本願第１番目の発明ににる絶
縁ゲート型薄膜１ヘランジスタの第２の実施例を述べよ
う。

第２図において、第１図との対応部分には同一符号を付
し詳細説明を省略する。

第２図に示す本願第１番目の発明ににる絶縁ゲート型薄
トランジスタの第２の実施例は、次に述べる事項を除い
て、第１図で上述した本願第１番目の発明による絶縁ゲ
ート型薄膜トランジスタの第１の実施例と同様の構成を
右する。

すなわち、多結晶半導体薄膜２が、そのチャンネル領域
７を含／ｖで、幅狭にストライプ上に延長し、そして、
ゲート絶縁膜３が、多結晶半導体薄膜２の延長方向の中
央位置において、それを幅方向に横切って対の側面上ま
で延長し、これに応じて、ゲート電極４が、多結晶半導
体薄膜２の延長方向の中央位置において、それをゲート
絶縁膜３を介して横切って多結晶半導体薄膜２の対の側
面上を通って基板１」こまで延長している。

また、ソース電極５及びドレイン電極６が、多結晶半導
体薄膜２の延長方向のチャンネル領域７を挟んだ両位置
において、それらを幅方向に横切って多結晶半導体薄膜
２の対の側面上を通って基板１上まで延長している。

′以上が、本願第１番目の発明による絶縁ゲート型簿膜
トランジスタの第２の実施例の構成である。

このような構成を有する本願第１番目の発明による絶縁
ゲート型薄膜トランジスタににれば、それが上述した事
項を除いて、第１図で上述した本願第１番目の発明にに
る絶縁ゲート型薄トランジスタの第１の実施例と同様の
構成を有するので、詳細説明は省略するが、第１図で上
述した本願第１番目の発明による絶縁ゲート型トランジ
スタの第１の実施例の場合と同様の１〜ランジスタとし
ての機能が得られる。

また、多結晶半導体簿膜２のチャンネル領域７が、第１
図で上述した本願第１番目の発明による絶縁ゲート型薄
膜１ヘランジスタの第１の実施例の場合と同様に、結晶
粒界を有していないか有しているどしても他の領域に比
し格段的に少ない数の結晶粒界しか右していないので、
トランジスタどしての１穴能が、第１図で上述した本願
第１番目の発明にＪ：る絶縁ゲート型薄膜１ヘランジス
タの第１の実施例の場合と同様に高速で、しかも、結晶
粒界の影響を少ないものとして得られ、また、トランジ
スタどしての特性に少ないバラツキしか有していない。

次に、第３図Ａ及びＢを伴なって、本願第１番目の発明
ににる絶縁ゲート型簿膜トランジスタの第３の実施例を
述べよう。

第３図Ａ及びＢにおいて、第２図との対応部分には同一
符号を付して詳細説明を省略する。

第３図Ａ及びＢに示す本願第１番目の発明による絶縁ゲ
ート型薄膜トランジスタの第３の実施例は、次に述べる
事項を除いて、第２図で上述した本願第１番目の発明に
よる絶縁ゲート型薄膜トランジスタの第１の実施例と同
様の構成を有する。

すなわち、面状の１つの絶縁層３１が、互に平行に並置
延長している複数、例えば３本ストライプ上の絶縁層３
１Ａ、３１Ｂ及び３１Ｃに置換されている。また、これ
に応じて、多結晶半導体薄膜２が、基板１上に、それら
複数の絶縁層３１Ａ、３．１Ｂ及び３１Ｇを埋設するよ
うに形成されている。

さらに、ゲート絶縁膜３が、多結晶半導体簿膜２上に、
絶縁層３１Ａ、３１Ｂ及び３１Ｃの延長方向の両端部を
残した領域上に対向するように形成されている。

また、ソース電極５及びドレイン電極６が、多結晶半導
体薄膜２の絶縁層３１Ａ、３１Ｂ及び３１Ｃの延長方向
にみた両端部上に、絶縁層３１Ａ、３１Ｂ及び３１Ｃの
両端部にも僅かに延長し且つ基板１上に延長して形成さ
れている。

以上が、本願第１番目の発明による絶縁ゲート型辞膜ト
ランジスタの第３の実施例の構成である。

このような構成を右する本願第１番目の発明による絶縁
ゲート型薄膜トランジスタによれば、それが上述した事
項を除いて、第２図で上述した本願第１番目の発明によ
る絶縁ゲート型薄膜トランジスタめ第２の実施例と同様
の構成を有するので、詳ＩＩＩ説明は省略するが、第２
図で上述した本願第１番目の発明にＪ：る絶縁ゲート型
薄膜トランジスタの場合と同様の優れた特徴を以て、ト
ランジスタとしての機能が得られる外、６つのチャンネ
ル領域７Ａ、７Ａ’　、７Ｂ、７Ｂ’　、７Ｃ及び７Ｃ
’　が構成されているので、第２図で上述した本願第１
番目の発明による絶縁ゲート型薄膜トランジスタの第２
の実施例の場合に比し１．大なる電流を、負荷に供給す
ることができる。

次に、第４図を伴なって、本願第１番目の発明による絶
縁ゲート型薄膜トランジスタの第４の実施例を述べよう
。

第４図において、第３図どの対応部分には同一符号を付
し、詳細説明を省略する。

第４図に示す本願第１番目の発明による絶縁ゲート型訪
トランジスタの第４の実施例は、絶縁層３１Ａ、３１Ｂ
及び３１Ｃを埋設している面状の１つの多結晶半導体薄
膜２が、絶縁層３１Ａ、３１Ｂ及び３１Ｃをそれぞれ埋
設しているストライプ上の３つの多結晶半導体薄膜２Ａ
、２Ｂ及び２Ｃに置換され、これに応じて、ゲート絶縁
膜３が、多結晶半導体簿膜２Δ、２Ｂ及び２Ｃ上に形成
された３つの絶縁層３Δ、３Ｂ及び３Ｃに置換されてい
ることを除いて、第３図で上述した本願第１番目の発明
による絶縁ゲート型薄膜トランジスタの第３の実施例と
同様の構成を有する。

以上が、本願第１番目の発明による絶縁ゲート型薄膜ト
ランジスタの第４の実施例の構成である。

このような構成を有する本願第１番目の発明による絶縁
ゲート型薄膜トランジスタによれば、それが上述した事
項を除いて、第３図で−Ｌ述した本願第１番目の発明に
にる絶縁ゲート型薄膜トランジスタの第３の実施例と同
様の構成を有するので、詳細説明は省略するが、第３図
で上述した本願第１番目の発明による絶縁ゲート型薄膜
トランジスタの第３の実施例と同様の作用効果が得られ
る外、第３図の場合の多結晶半導体薄膜２の絶縁層３１
Ａ及び３１Ｂ間、３１Ｂ及び３１Ｃ間の部を一部有して
いないので、チャンネル領域７の結晶粒界を有しないか
有しているとしても他の領域に比し少ない数の結晶粒界
しか有していない領域が占める領域の割合が、第３図の
場合に大であることから、第３図の場合に比し、より優
れた１ヘランジスタとしての特性が１ｑられる。

次に、第５図を伴なって本願第１番目の発明による絶縁
ゲート型薄膜トランジスタの第５の実施例を述べＪ：う
。

第５図において、第３図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明は省略するが、多結晶半導体薄膜２が、絶
縁層３１Ａ、３１Ｂ及び３１Ｃ上において、間断されて
いることを除いて、第３図の場合と同様の構成を右づ−
る。

以上が、本願第１番目の発明による絶縁ゲート型薄膜ト
ランジスタの第５の実施例の構成である。

このＪ：うな構成を右する本願第１番目の発明による絶
縁ゲート型薄膜トランジスタによれば、それが、上述し
た事項を除いて、第３図の場合と同様の構成を右ηるの
で、詳細説明し、１旨＃略１するが、第３図の場合と同
様の作用効果が１！１られる外、多結晶半）９体薄膜２
が、絶縁層３１△、３１Ｂ及び３１Ｃ上において間断さ
れているので、その分、ヂＶンネル領域７の、結晶粒界
を右しないか有しているどしても他の領域に比し少ない
数の結晶′Ｊｉ’ｉ界しかイ１しない領域の占める割合
が、第３図の場合に比し人であるので、第３図の場合に
比し、より優れた１〜ランジスクどしての特性が得られ
る。

次に第６図を伴なって、本願第１番目の発明による絶縁
ゲート型薄膜Ｉ−ランジスタの第６の実施例を述べよう
。

第６図において、第５図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明は省略するが、多結晶半導体薄膜２が、第
５図の場合と同様に、絶縁層３１Ａ、３１Ｂ及び３１Ｃ
上において間断されていることを除いて、第５図の場合
と同様の構成を右する。

以上が、本願第１番目の発明による絶縁ゲート型薄膜ト
ランジスタの第６の実施例の構成である。

このＪ：うな構成を右する本願第１番目の発明による絶
縁グー１−型薄膜トランジスタによれば、それが上述し
た事項を除いて、第５図の場合ど同様の構成を有するの
で、詳細説明は省略するが、第４図及び第５図で上述し
たトランジスタとしての優れた特性を併Ｕ有する。

次に、第７図を伴なって第１図で」一連した本願第１番
目の発明による絶縁ゲート型″ＡＶトランジスタを製造
する、本願第２番目の発明による絶縁ゲート型薄膜トラ
ンジスタの製法の実施例を述べよう。

第７図において、第１図との対応部分には同一符号を伺
して示す。

第７図に示す本願第２番目の発明による絶縁ゲート型薄
トランジスタの製法の実施例は、次に述べる順次の工程
をとって、第１図で上述した本願第１番目の発明による
絶縁ゲート型薄膜ｉ〜ランジスタを製造する。

すなわち、第１図で上述したと同様の基板１上に、第１
図で上述したと同様の絶縁層３１を形成するく第７図Δ
）。

次に、基板１−トから、絶縁層３１上にその側面３２上
を通って段差を形成するＪ：うに連続的に延長している
非単結晶半導体芯膜／１１を形成する〉 次に、非単結晶半導体薄膜４１に対するアニール処理に
よって、非単結晶半導体薄膜４１から、絶縁層３１上に
、その側面３２上を通って段差を形成するｊ：うに延長
している第１図で」一連したと同様のチャンネル領域７
を構成している多結晶半導体Ｕ￥膜２を形成する。この
場合、非単結晶半導体薄膜／１１が、その段差を形成し
ている領域において、他の領域とは異なる内部応力を有
して形成されていることから、チャン−２／１．− ネル領域７が、犬１図で」二連したと同ね１に、結晶粒
界を有していないか有しているどじでも他の領域に比し
少ない数の結晶粒界しか右しないものとして形成される
。

次に、多結晶半導体薄膜２の全外表面上に絶縁層４２を
形成しく第７図Ｄ）、次（゛、絶縁層４２上に、第１図
で上述したと同様のゲート電極４を形成しく第７図「）
、次に、多結晶半導体薄膜２にオーミックに連結してい
る第１図で上述したと同様のソース電極５及びドレイン
電極６を形成する（第７図Ｆ）。

以上が、本願第２番目の発明ににる絶縁ゲート型薄膜ト
ランジスタの製法の実施例である。

このような本願第２番目の発明による絶縁グートハ１！
薄トランジスタの製法によれば、第１図で上述した優れ
た特性を有する絶縁ゲート望薄１１！！　ｌ〜ランジス
タを容易に製造することができる。

本願第３番目の発明による絶縁ゲート型薄聡１〜ランジ
スタの実施例１ 次に、第８図を伴４ｒって本願第３？１７目の発明によ
る絶縁ゲート型薄膜トランジスタの第１の実施例を述べ
よう。

第８図において、第１図との対応部分には同一符号を（
＝Ｊ　ｂて詳細説明を省略するが、多結晶半導体薄膜２
上のゲート電極４が、省略さね、しかしながら、絶縁層
３１が、ゲート電（咀４（Ｊ買換され、また、これに応
じ−Ｃ１ゲート電極４上にゲート絶縁膜３が形成されで
いることを除いて、第１図で上述した本願第１番目の発
明にＪ：る絶縁ゲート型薄膜１ヘランジスタと同様の構
成を有する。

以上が、本願第３番目の発明Ｊ：る絶縁ゲート型薄膜ト
ランジスタの第１の実施例の構成である。

このよう’ｔ’Ｋ　Ｉｒｅ成を右する本願第３番目の発
明による絶縁ゲート型薄膜Ｉ−ランジスクによれば、そ
れが上述した事項を除いて、第１図の場合と同様の構成
を有するので、詳細説明を省略するが、第１図の場合と
同様の優れた特徴を右する次、第９図を伴なって、本願
第３番目の発明による絶縁ゲート型薄膜トランジスタの
第２の実施例を述べよう。

第９図に示す本願第３番目の発明による絶縁ゲート型薄
膜１−ランジスタは、第９図で上述した構成において、
第２図で上述したのに準じた構成を有することを除いて
、第９図の場合と同様の構成を右する。

このような構成を有する本願第３番目の発明による絶縁
ゲート型薄膜トランジスタによれば、詳細説明は省略す
るが、第２図で上）ホしたと同様の優れた特徴を右する
。

次に、第１０図を伴なって、本願第３番目の発明による
絶縁ゲート型薄膜トランジスタの第一　　２７　− ３の実施例を述べるに、第９図で上述しｌζ（７４成に
おいて、第３図で上述したのに準じた構成を有すること
を除いて、第９図の場合と同様の構成を右する。

以上が、本願第３番目の発明による絶縁ゲート型薄膜ト
ランジスタの第３の実施例の構成である。

このような構成を有する本願第３番目の発明による絶縁
ゲート型茫膜トランジスタによれば、それが上述した事
項を除いて第９図の場合と同様の優れた構成を右するの
で、詳細説明は省略するが、第３図の場合と同様の優れ
た特徴を有する。

次に図示詳細説明は省略するが、上述した本願第３番目
の発明ににる絶縁ゲート型薄膜１−ランジスタを製造す
る木願第４番目の発明による絶縁ゲート型薄トランジス
タの製法の実施例を述べるに、基板上にゲート電極を形
成し、次＝　　２８　− に、そのゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、次に、
第７図の場合と同様の非単結晶半導体薄膜を形成し、次
に、非単結晶半導体薄膜に対するアニール処理によって
、第７図の場合と同様の多結晶半導体薄膜を形成する。

以上のようにして、本願第３番目の発明による絶縁ゲー
ト型簿膜トランジスタを製造する。

【図面の簡単な説明】

手続補正書（七人２ 昭和６０年１１月２８日 ２、発明の名称　　絶縁ゲート型薄膜トランジスタ及び
その製法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都千代田区内幸町１丁目１番６号名　称　
（４２２）日本電信電話株式会社代表者　真　　藤　　
　恒 ４、代理人 住　所　〒１０２東京都千代田区麹町５丁目７番地　秀
和紀尾井町ＴＢＲ８２０号 ５、補正命令の日付 昭和６０年１０月２９日（発送日） 筑７Ｍは、木願餡２蕃日のをｏｎによる絶縁７、補正の
内容 （１）図面の全文を別紙のとおり訂正する。 ただし、浄書内容に変更なし。 （２）明細書中、図面の簡単な説明を下記のとおり訂正
する。 ［第１図は、本願第１番目の発明による絶縁ゲート型薄
膜トランジスタ及びその製法の第１の実施例を示す路線
的断面図である。 第２図Ａ及びＢは、本願第１番目の発明による絶縁ゲー
ト型薄膜トランジスタ及びその製法の第２の実施例を示
す路線的平面図及びその断面図である。 第３図Ａ及びＢは、本願第１番目の発明による絶縁ゲー
ト型薄膜トランジスタ及びその製法の第３の実施例を示
す路線的平面図及びその断面図である。 第４図、第５図及び第６図は、本願第１番目の発明によ
る絶縁ゲート型薄膜トランジスタ及びその製法の第４、
第５及び第６の実施例を示す路線的断面図である。 施例を示す順次の工程における路線的断面図である。 第８図、第９図及び第１０図は、本願第３番目の発明に
よる絶縁ゲート型薄膜トランジスタ及びその製法の第１
、第２及び第３の実施例を示す路線的断面図である。 第１１図Ａ及びＢは、従来の絶縁ゲート型薄膜トランジ
スタ及びその製法を示ず路線的平面図及びその断面図で
ある。 第１２図は、従来の絶縁ゲート型薄膜トランジスタ及び
その製法を示す順次の工程にお番」る路線的断面図であ
る。」 以　　」二 第２図Ａ 補正図 第９図Ａ 第９図Ｂ ル１０図Ａ 第１０図Ｂ 第１１図Ａ 第１１図Ｂ 第１２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に局部的に形成された絶縁層と、上記基板上
   から、上記絶縁層上にその側面 上を通つて段差を形成するように連続的に延長し、上記
   段差を形成している領域を含んで、結晶粒界を有してい
   ないか有しているとしても他の領域に比し少ない数の結
   晶粒界しか有していないチャンネル領域を構成している
   多結晶半導体薄膜と、 上記多結晶半導体薄膜のチャンネル領域上 にゲート絶縁層を介して配されているゲート電極と、上
   記半導体薄膜の上記チャンネル 領域を挟んだ両位置にそれぞれオーミックに連結してい
   るソース電極及びドレイン電極とを有することを特徴と
   する絶縁ゲート型薄膜トランジスタ。 ２、基板上に局部的に絶縁層を形成する工程と、上記基
   板上から、上記絶縁層上にその側面 上を通って段差を形成するように連続的に延長している
   非単結晶半導体薄膜を形成する工程と、 上記非単結晶半導体薄膜に対するアニール 処理によつて、上記非単結晶半導体薄膜から、上記絶縁
   層上に、その側面上を通つて段差を形成するように延長
   し、上記段差を形成している領域を含んで、結晶粒界を
   有していないか有しているとしても他の領域に比し少な
   い数の結晶粒界しか有しないチャンネル領域を構成して
   いる多結晶半導体薄膜を形成する工程と、 上記多結晶半導体薄膜の上記チャンネル領 域上に延長している絶縁層を形成する工程と、上記多結
   晶半導体薄膜上のチャンネル領域 上に、上記絶縁層をゲート絶縁膜として介して配されて
   いるゲート電極を形成する工程と、上記多結晶半導体薄
   膜の上記チャンネル領 域を挟んだ両位置にそれぞれオーミックに連結している
   ソース電極及びドレイン電極を形成する工程とを有する
   ことを特徴とする絶縁ゲート型薄トランジスタの製法。 ３、基板上に局部的に形成されたゲート電極と、上記基
   板上から、上記ゲート電極上に、ゲ ート絶縁層を介して上記ゲート電極の側面上を通って段
   差を形成するように連続的に延長し、上記段差を形成し
   ている領域を含んで、結晶粒界を有していないか有して
   いるとしても他の領域に比し少ない数の結晶粒界しか有
   していないチャンネル領域を構成している多結晶半導体
   薄膜と、 上記多結晶半導体薄膜の上記チャンネル領 域を挟んだ両位置にそれぞれオーミックに連結している
   ソース電極及びドレイン電極とを有することを特徴とす
   る絶縁ゲート型薄膜トランジスタ。 ４、基板上に局部的にゲート電極を形成する工程と、 上記ゲート電極上から、その側面上に段差 を形成するように連続的に延長しているゲート絶縁層を
   形成する工程と、 上記基板上から、上記ゲート電極上に、上 記絶縁層を介して上記ゲート電極の側面上を通ってて段
   差を形成するように連続的に延長している非単結晶半導
   体薄膜を形成する工程と、上記非単結晶半導体薄膜に対
   するアニール 処理によって、上記非単結晶半導体薄膜から、上記絶縁
   層上にその側面を通って段差を形成するように延長し、
   上記段差を形成している領域を含んで、結晶粒界を有し
   ていないか有しているとしても他の領域に比し少ない数
   の結晶粒界しか有しないチャンネル領域を構成している
   多結晶半導体薄膜を形成する工程と、上記多結晶半導体
   薄膜の上記チャンネル領 域を挟んだ両位置にそれぞれオーミックに連結している
   ソース電極及びドレイン電極を形成する工程とを有する
   ことを特徴とする絶縁ゲート型薄膜トランジスタの製法
   。