JPS6238773A - ガスシ−ルドア−ク溶接用ト−チ - Google Patents
ガスシ−ルドア−ク溶接用ト−チInfo
- Publication number
- JPS6238773A JPS6238773A JP60176880A JP17688085A JPS6238773A JP S6238773 A JPS6238773 A JP S6238773A JP 60176880 A JP60176880 A JP 60176880A JP 17688085 A JP17688085 A JP 17688085A JP S6238773 A JPS6238773 A JP S6238773A
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- Japan
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- Ceramic Products (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、CO2等のガスによりシールドするアーク溶
接用トーチに関し、特に改善されたコン 1タ
クトチツプとノズルを有するガスシールドアー
(渉溶接用トーチに関するものである。
接用トーチに関し、特に改善されたコン 1タ
クトチツプとノズルを有するガスシールドアー
(渉溶接用トーチに関するものである。
従来の技術
第6図に示すように、ガスシールドアーク溶接用トーチ
はコンタクトチップ1と円筒状のノズル み2と
を有する。コンタクトチップ1は円筒状のガ □
スディフユーザ3に螺合されており、ガスディフユーザ
3は支持部材4の内面に螺合されている。
はコンタクトチップ1と円筒状のノズル み2と
を有する。コンタクトチップ1は円筒状のガ □
スディフユーザ3に螺合されており、ガスディフユーザ
3は支持部材4の内面に螺合されている。
一方、ノズル2は支持部材4の外側に螺合されており、
コンタクトデツプ1との間に間隙5を形成覆る。コンタ
クトチップ1の中心部には軸方向の穴6が貫通しており
、溶接用ワイヤ7はガスディフューザ3の中空部および
コンタクトチップ1の穴6を貫通して1〜−ヂの先端か
ら突出する。また、ガスディフューザ3には複数の小孔
3aが形成されており、ガス供給装置(図示せず)から
供給されたCO2等のガスは、ガスディフューザ3の中
空部、小孔3a、間隙5を通過してトーチの先端から矢
印Aの方向に噴出する。コンタクトチップ1にはガスデ
ィフューザ3を介して200〜300△の電流が供給さ
れ、溶接用ワイヤ7に通電されている。そして、溶接用
ワイヤ7の先端7aは被溶接部材8に近接しているので
アークが発生し溶接が行われる。
コンタクトデツプ1との間に間隙5を形成覆る。コンタ
クトチップ1の中心部には軸方向の穴6が貫通しており
、溶接用ワイヤ7はガスディフューザ3の中空部および
コンタクトチップ1の穴6を貫通して1〜−ヂの先端か
ら突出する。また、ガスディフューザ3には複数の小孔
3aが形成されており、ガス供給装置(図示せず)から
供給されたCO2等のガスは、ガスディフューザ3の中
空部、小孔3a、間隙5を通過してトーチの先端から矢
印Aの方向に噴出する。コンタクトチップ1にはガスデ
ィフューザ3を介して200〜300△の電流が供給さ
れ、溶接用ワイヤ7に通電されている。そして、溶接用
ワイヤ7の先端7aは被溶接部材8に近接しているので
アークが発生し溶接が行われる。
溶接用ワイヤ7はコンタクトデツプ1の大面との接触に
より給電されるので、コンタクトチップ1としては、電
気抵抗を小さくすると共に大面における溶接用ワイヤ7
との接触に対する耐摩耗性をもたせる為にCrを含有し
たCLI系合金の材質としている。また、コンタクトチ
ップ1の穴径としては電気振触抵抗を橿力小さくすると
ともに接触摩擦抵抗が大きくなって溶接ワイヤの供給不
足にならないような間隙になるよう設計されている。
より給電されるので、コンタクトチップ1としては、電
気抵抗を小さくすると共に大面における溶接用ワイヤ7
との接触に対する耐摩耗性をもたせる為にCrを含有し
たCLI系合金の材質としている。また、コンタクトチ
ップ1の穴径としては電気振触抵抗を橿力小さくすると
ともに接触摩擦抵抗が大きくなって溶接ワイヤの供給不
足にならないような間隙になるよう設計されている。
発明が解決しようとする問題点
上述のような使用状況において、コンタクトチップ1の
大面6は溶接用ワイV7と連続的に摩擦接触するので次
第に摩耗していく。特に、溶接用ワイヤ7はコンタクト
チップ1を貫通する前にカールしている。そのため、カ
ールの内側と摩擦接触しているコンタクトチップ1の穴
の先端部分6bでは、その摩擦接触している部分だけが
(受光的に偏摩耗する。このように、コンタクトチップ
1の先端部の穴6bが偏摩耗すると、溶接用ワイヤ7は
所望の溶接部にあてることができなくなり、溶接位置の
ずれが発生する。このずれは、特に自動溶接の場合には
修正ができないので、溶接位置が不正確なまま作業が行
われるという問題を生ずる。
大面6は溶接用ワイV7と連続的に摩擦接触するので次
第に摩耗していく。特に、溶接用ワイヤ7はコンタクト
チップ1を貫通する前にカールしている。そのため、カ
ールの内側と摩擦接触しているコンタクトチップ1の穴
の先端部分6bでは、その摩擦接触している部分だけが
(受光的に偏摩耗する。このように、コンタクトチップ
1の先端部の穴6bが偏摩耗すると、溶接用ワイヤ7は
所望の溶接部にあてることができなくなり、溶接位置の
ずれが発生する。このずれは、特に自動溶接の場合には
修正ができないので、溶接位置が不正確なまま作業が行
われるという問題を生ずる。
また、溶接作業中は、ノズル2と被溶接部材8が近接し
ているためスパッタと称する小さな溶融金属粒の飛沫が
ノズル先端部2aやコンタクトチップ先端部6Cに付着
する。そして、次第に堆積するとコンタクトチップ1と
ノズル2の間隙5の断面積が小さくなり、CO2ガスの
流れを阻害する。その結果、シール効果が不十分となり
、溶着金属の中に空気が入り、ブローホール等の溶接欠
陥につながる。また、絶縁されているべきコンタクトチ
ップ1とノズル2がスパッタ付着によって短絡し、溶接
作業ができなくなることもある。
ているためスパッタと称する小さな溶融金属粒の飛沫が
ノズル先端部2aやコンタクトチップ先端部6Cに付着
する。そして、次第に堆積するとコンタクトチップ1と
ノズル2の間隙5の断面積が小さくなり、CO2ガスの
流れを阻害する。その結果、シール効果が不十分となり
、溶着金属の中に空気が入り、ブローホール等の溶接欠
陥につながる。また、絶縁されているべきコンタクトチ
ップ1とノズル2がスパッタ付着によって短絡し、溶接
作業ができなくなることもある。
これらの現象は、ある使用時間の経過の後に発生するも
のであるが、トラブル発生の前に比較的短時間内で溶接
作業を中断し、スパッタ除去作業もしくはコンタクトチ
ップやノズルの取替作業を余儀なくされているのが現状
である。このような問題は、完全自動化によって稼働率
を上げようとする生産ラインにおいては障害となってお
り、解決すべき大きな問題である。
のであるが、トラブル発生の前に比較的短時間内で溶接
作業を中断し、スパッタ除去作業もしくはコンタクトチ
ップやノズルの取替作業を余儀なくされているのが現状
である。このような問題は、完全自動化によって稼働率
を上げようとする生産ラインにおいては障害となってお
り、解決すべき大きな問題である。
問題点を解決するための手段
上記問題点に鑑み、鋭意研究の結果、本発明者は常温お
よび高温を通じて耐摩耗性並びに耐スパツタ付着性(ス
パッタの剥離性)に優れたセラミック体をコンタクトチ
ップ1とノズル2のそれぞれの先端部に種々の方法によ
って装着することにより、コンタクトチップ穴面の先端
部の偏摩耗とノズルやコンタクトチップへのスパッタの
付着堆積を抑制することができることを発見し、本発明
を完成した。
よび高温を通じて耐摩耗性並びに耐スパツタ付着性(ス
パッタの剥離性)に優れたセラミック体をコンタクトチ
ップ1とノズル2のそれぞれの先端部に種々の方法によ
って装着することにより、コンタクトチップ穴面の先端
部の偏摩耗とノズルやコンタクトチップへのスパッタの
付着堆積を抑制することができることを発見し、本発明
を完成した。
セラミック体としては種々の組成のものを用いることが
できるが、ざらに、次の点を考慮すると窒化硅素系の材
質が望ましい。すなわちコンタクトチップ1の先端部お
よびノズル2の内面には溶接飛沫(スパッタ)が付着堆
積しやずい状況にある。また、溶接作業に異常が生じる
と、過大電流が流れて溶接用ワイヤ7のコンタクトチッ
プ先端から突出した部分全体が溶け、溶接用ワイヤ7の
先端がコンタクトチップ先端部に溶着し、溶接用ワイヤ
7が送給されなくなって作業停止に至る場合がある。こ
れらの現象を抑制するためには、溶融した溶接ワイヤ材
に対する濡れ性が劣る上記窒化硅素系のセラミック材質
が望ましい。
できるが、ざらに、次の点を考慮すると窒化硅素系の材
質が望ましい。すなわちコンタクトチップ1の先端部お
よびノズル2の内面には溶接飛沫(スパッタ)が付着堆
積しやずい状況にある。また、溶接作業に異常が生じる
と、過大電流が流れて溶接用ワイヤ7のコンタクトチッ
プ先端から突出した部分全体が溶け、溶接用ワイヤ7の
先端がコンタクトチップ先端部に溶着し、溶接用ワイヤ
7が送給されなくなって作業停止に至る場合がある。こ
れらの現象を抑制するためには、溶融した溶接ワイヤ材
に対する濡れ性が劣る上記窒化硅素系のセラミック材質
が望ましい。
実施例
以下、図面に従って、本発明の実施例を述べるが、本発
明の要旨を越えない範囲内においてはこれに限定されな
い。なお、実施例において、第6図のものと対応する各
部には第6図と同一の番号を付しである。
明の要旨を越えない範囲内においてはこれに限定されな
い。なお、実施例において、第6図のものと対応する各
部には第6図と同一の番号を付しである。
第1図は、コンタク1〜チツプ1の先端10にセラミッ
ク体11を接合し、ノズル2の先端部分にセラミック体
16を装着した例を示す。コンタクトチップとノズル以
外の部分は基本的に第6図に示す溶接用トーチの構造と
同一である。セラミック体11は円筒状であり、中央に
コンタクトチップ1の穴6とほぼ同径の穴12を有する
。穴12とコンタクトチップ1の穴6とはワイヤ7が穴
の入口6aから穴の出口12に向けて直進できるように
正確に整合している。また、セラミック体16の装着は
、セラミック体16とノズル2の両方に円筒状のはめあ
い部17を設けて行う。
ク体11を接合し、ノズル2の先端部分にセラミック体
16を装着した例を示す。コンタクトチップとノズル以
外の部分は基本的に第6図に示す溶接用トーチの構造と
同一である。セラミック体11は円筒状であり、中央に
コンタクトチップ1の穴6とほぼ同径の穴12を有する
。穴12とコンタクトチップ1の穴6とはワイヤ7が穴
の入口6aから穴の出口12に向けて直進できるように
正確に整合している。また、セラミック体16の装着は
、セラミック体16とノズル2の両方に円筒状のはめあ
い部17を設けて行う。
セラミック体11とコンタクトチップ1との接合は、接
着剤や拡散接合により行うことができるが、経済性を考
慮すると耐熱温度の高い高温用の接着剤による接合が好
ましい。また、セラミック体16とノズル2との接合も
高温用接着剤を用いるのが好ましいが、はめあい部17
を外周から中心に向かう止めねじにより締結してもよい
。また、使用中の温度上昇によるはめあい部17の緩み
を考慮した締め代を設定し、焼ばめもしくは常温での圧
入等の手段によって装着してもよい。
着剤や拡散接合により行うことができるが、経済性を考
慮すると耐熱温度の高い高温用の接着剤による接合が好
ましい。また、セラミック体16とノズル2との接合も
高温用接着剤を用いるのが好ましいが、はめあい部17
を外周から中心に向かう止めねじにより締結してもよい
。また、使用中の温度上昇によるはめあい部17の緩み
を考慮した締め代を設定し、焼ばめもしくは常温での圧
入等の手段によって装着してもよい。
セラミック体11およびセラミック体16には前述の耐
摩耗性と耐スパツタ付着性の理由により窒化硅素系のセ
ラミックを用いる。すなわち、α相を65重量%以上含
むSt 3 Na 70重量%以上と、周期律表[[
a族元素の酸化物のなかの1種以上20重1%以下と、
Al2O320重最%以下と、AiN固溶体(AiN−
8t 3N4 ・AfL203系)もしくはAlN
15重量%以下とからなる混合物を焼結して得られるセ
ラミックを用いる。なお、AfNは固溶体として添加す
るほかに、AfLN単体として添加してもほぼ同等の作
用効果が得られる。この組成において、5L3N4は主
組成であるが、α相を65重量%以上含んでいないと焼
結性が悪(なって結果的にこのセラミックが必要とする
諸特性(強度等)が得られなくなる。好ましいα相の量
としては80重量%以上である。そして、St a N
4は少なくとも70重量%以上含まないと、常温及び高
温を通じての耐摩耗性と強度並びに耐熱性に優れている
このセラミックの特徴が得られなくなる。好ましいSt
3 Naの組成比は他の組成の量とも関連するが80
〜95重但%である。fla族元素の酸化物は、セラミ
ックの焼結性を向上させるために添加するが、20重量
%を超えると耐熱性が低下する。その好ましい組成比は
、例えばY2O3を用いた場合は2〜10重量%である
。A12o3はこのセラミックを構成する他の組成であ
ると共に焼結性を向上させる助剤として作用するもので
ある。しかし、20重量%を超えると強度が低下する。
摩耗性と耐スパツタ付着性の理由により窒化硅素系のセ
ラミックを用いる。すなわち、α相を65重量%以上含
むSt 3 Na 70重量%以上と、周期律表[[
a族元素の酸化物のなかの1種以上20重1%以下と、
Al2O320重最%以下と、AiN固溶体(AiN−
8t 3N4 ・AfL203系)もしくはAlN
15重量%以下とからなる混合物を焼結して得られるセ
ラミックを用いる。なお、AfNは固溶体として添加す
るほかに、AfLN単体として添加してもほぼ同等の作
用効果が得られる。この組成において、5L3N4は主
組成であるが、α相を65重量%以上含んでいないと焼
結性が悪(なって結果的にこのセラミックが必要とする
諸特性(強度等)が得られなくなる。好ましいα相の量
としては80重量%以上である。そして、St a N
4は少なくとも70重量%以上含まないと、常温及び高
温を通じての耐摩耗性と強度並びに耐熱性に優れている
このセラミックの特徴が得られなくなる。好ましいSt
3 Naの組成比は他の組成の量とも関連するが80
〜95重但%である。fla族元素の酸化物は、セラミ
ックの焼結性を向上させるために添加するが、20重量
%を超えると耐熱性が低下する。その好ましい組成比は
、例えばY2O3を用いた場合は2〜10重量%である
。A12o3はこのセラミックを構成する他の組成であ
ると共に焼結性を向上させる助剤として作用するもので
ある。しかし、20重量%を超えると強度が低下する。
その好ましい組成比は、2〜10重量%である。
AlNはさらに強度を向、卜させるために最高15
′重量%までを添加するが、好ましい組成比は〜
14重量%である。
′重量%までを添加するが、好ましい組成比は〜
14重量%である。
また、セラミック体11及びセラミック体16
′としては別の窒化硅素系のセラミックを用いること
もできる。すなわち、α相を65重量%以上を
:含むSi 3N470重量%以上と、周期律表
I; 11a族元素の酸化物のなかの1種以上20重量%
5以下と、Al2O320重量%以下とからなる
′混合物を焼結して得られるセラミックを用
いる。
′としては別の窒化硅素系のセラミックを用いること
もできる。すなわち、α相を65重量%以上を
:含むSi 3N470重量%以上と、周期律表
I; 11a族元素の酸化物のなかの1種以上20重量%
5以下と、Al2O320重量%以下とからなる
′混合物を焼結して得られるセラミックを用
いる。
、:、)ゎ5.ッ、。よよ3(i f) ’tz 7
E、ツウ、い工□ iNが添加されていないのでや
や強度が劣るが、こ :のセラミックも本用途
に対しては十分耐用できる 1M’あ。。
i:さらに、ノズルのセ
ラミック体16は、スバッ [りの剥離を良く
するため、少くともその内面およ 1′び先端
面の表面粗さをRIIlaX6.3S以下に研摩
トする。
i第2図は、本発明の溶接トーチに使用するコ
ン ′−タクトチップの他の実施例を示す。こ
の実施例においては、コンタク1〜チツプ先端に設けた
凹部13に上述の接着剤もしくは圧入や焼ばめ等により
セラミック体11が装着されている。
E、ツウ、い工□ iNが添加されていないのでや
や強度が劣るが、こ :のセラミックも本用途
に対しては十分耐用できる 1M’あ。。
i:さらに、ノズルのセ
ラミック体16は、スバッ [りの剥離を良く
するため、少くともその内面およ 1′び先端
面の表面粗さをRIIlaX6.3S以下に研摩
トする。
i第2図は、本発明の溶接トーチに使用するコ
ン ′−タクトチップの他の実施例を示す。こ
の実施例においては、コンタク1〜チツプ先端に設けた
凹部13に上述の接着剤もしくは圧入や焼ばめ等により
セラミック体11が装着されている。
第3図はコンタク1〜チツプのさらに他の実施例を示す
。この実施例は第2図の構造と同様にコンタクトチップ
1の先端に凹部13を設けると共にコンタクトチップ1
の端面をすべてセラミック体11にすることを特徴とす
る。R着方法は、凹部13への圧入または焼ばめとコン
タクトチップ1との接触面における前記高温接着剤によ
り行う。
。この実施例は第2図の構造と同様にコンタクトチップ
1の先端に凹部13を設けると共にコンタクトチップ1
の端面をすべてセラミック体11にすることを特徴とす
る。R着方法は、凹部13への圧入または焼ばめとコン
タクトチップ1との接触面における前記高温接着剤によ
り行う。
第4図は、ざらに他の実施例として、セラミック体11
の外部からの衝撃力による損傷を防止するめ、金属カバ
ー14によりセラミック体11が覆われている例を示づ
。コンタクトチップ1の接触面10は高温用接着剤で結
合されている。金属カバー14とコンタクトデツプ1と
のはめあい部15は接着剤、ろう付、溶接、焼ばめ、圧
入、ビスによる固定等によって接合されている。また、
はめあい部15自体をねじとして螺着したりすることも
できる。
の外部からの衝撃力による損傷を防止するめ、金属カバ
ー14によりセラミック体11が覆われている例を示づ
。コンタクトチップ1の接触面10は高温用接着剤で結
合されている。金属カバー14とコンタクトデツプ1と
のはめあい部15は接着剤、ろう付、溶接、焼ばめ、圧
入、ビスによる固定等によって接合されている。また、
はめあい部15自体をねじとして螺着したりすることも
できる。
第5図は、本発明の溶接用トーチに使用するノズルの他
の実施例を示す。この実施例においては、はめあい部1
7をテーパー状にして装着しである。
の実施例を示す。この実施例においては、はめあい部1
7をテーパー状にして装着しである。
なお、第2図〜第5図の実施例のセラミック体において
も第1図の実施例で述べたものと同じセラミック体を用
い、第5図の実施例のセラミック体の内面および先端面
は第1図の実施例と同様に研摩されている。
も第1図の実施例で述べたものと同じセラミック体を用
い、第5図の実施例のセラミック体の内面および先端面
は第1図の実施例と同様に研摩されている。
発明の効果
以上に述べた通り、本発明のガスシールドアーク溶接用
トーチは先端にセラミック体を装着したコンタク1−チ
ップ並びにノズルを有するので、コンタクトチップの穴
の摩耗を著しく軽減すると共にノズルの先端部内面への
スパッタの付着堆積を抑制することができる。そして、
溶接作業に供した結果は耐摩耗性寿命が従来品(第6図
)の5倍以上であった。また、スパッタ付着や過電流が
流れて溶接ワイヤがコンタクトチップへ溶着する等の不
都合の防止にも効果がある。このようにして、溶接作業
が自動化された生産ラインの稼働率の向上が達成できる
。
トーチは先端にセラミック体を装着したコンタク1−チ
ップ並びにノズルを有するので、コンタクトチップの穴
の摩耗を著しく軽減すると共にノズルの先端部内面への
スパッタの付着堆積を抑制することができる。そして、
溶接作業に供した結果は耐摩耗性寿命が従来品(第6図
)の5倍以上であった。また、スパッタ付着や過電流が
流れて溶接ワイヤがコンタクトチップへ溶着する等の不
都合の防止にも効果がある。このようにして、溶接作業
が自動化された生産ラインの稼働率の向上が達成できる
。
第1図は、本発明のセラミック体をコンタクトチップと
ノズルの先端部にそれぞれ装着したガスシールドアーク
溶接用トーチの断面図、第2図。 第3図および第4図は、本発明の他の実施例のコンタク
トチップの断面図、第5図は、本発明の他の実施例のノ
ズルの断面図、第6図は、従来のガスシールドアーク溶
接用トーチの断面図である。 1・・・コンタクトチップ、2・・・ノズル、3・・・
ガスディフューザ、7・・・溶接用ワイヤ、8・・・被
溶接部月、11.16・・・セラミック体、14・・・
金属カバー 〇 特許出願人 日立金属 株式会社 第4図 第5図
ノズルの先端部にそれぞれ装着したガスシールドアーク
溶接用トーチの断面図、第2図。 第3図および第4図は、本発明の他の実施例のコンタク
トチップの断面図、第5図は、本発明の他の実施例のノ
ズルの断面図、第6図は、従来のガスシールドアーク溶
接用トーチの断面図である。 1・・・コンタクトチップ、2・・・ノズル、3・・・
ガスディフューザ、7・・・溶接用ワイヤ、8・・・被
溶接部月、11.16・・・セラミック体、14・・・
金属カバー 〇 特許出願人 日立金属 株式会社 第4図 第5図
Claims (4)
- (1)ガスシールドアーク溶接用トーチのコンタクトチ
ップとノズルのそれぞれの先端部分にセラミック体を装
着したことを特徴とするガスシールドアーク溶接用トー
チ。 - (2)前記セラミック体はα相を65重量%以上含むS
i_3N_4 70重量%以上と、周期律表IIIa族元
素の酸化物のなかの1種以上20重量%以下と、Al_
2O_3 20重量%以下と、AlN固溶体(AlN−
Si_3N_4・Al_2O_3系)もしくはAlN
15重量%以下とからなる混合物を焼結したものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のガスシー
ルドアーク溶接用トーチ。 - (3)前記セラミック休はα相を65重量%以上含むS
i_3N_4 70重量%以上と、周期律表IIIa族元
素の酸化物のなかの1種以上20重量%以下と、Al_
2O_3 20重量%以下とからなる混合物を焼結した
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のガスシールドアーク溶接用トーチ。 - (4)前記ノズルのセラミック体は少くともその内面お
よび先端面の表面粗さがRmax6.3S以下に研摩さ
れてなる特許請求の範囲第1項〜第3項記載のガスシー
ルドアーク溶接用トーチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60176880A JPS6238773A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | ガスシ−ルドア−ク溶接用ト−チ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60176880A JPS6238773A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | ガスシ−ルドア−ク溶接用ト−チ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6238773A true JPS6238773A (ja) | 1987-02-19 |
Family
ID=16021383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60176880A Pending JPS6238773A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | ガスシ−ルドア−ク溶接用ト−チ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6238773A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63163283U (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-25 | ||
| JPH0747475A (ja) * | 1992-05-22 | 1995-02-21 | Nagamine Seisakusho:Kk | 自動溶接機のコンタクトチップ |
| JP3039058U (ja) * | 1996-12-26 | 1997-06-30 | 音戸工業株式会社 | ミグ溶接トーチにおける先端部のガスノズル構造 |
| EP2487003A1 (de) * | 2011-02-09 | 2012-08-15 | Dinse G.m.b.H. | Schweißpistole eines Lichtbogenschweißgerätes |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5761671A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-14 | Tokyo Shibaura Electric Co | Manufacture of high heat resistance and corrosion resistance material |
| JPS6061180A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Toshiba Corp | 溶接用チップカバ− |
| JPS6092086A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-23 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | ガスシ−ルドア−ク溶接用ノズル |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP60176880A patent/JPS6238773A/ja active Pending
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