JPS6240613A

JPS6240613A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPS6240613A
Application number: JP17995685A
Authority: JP
Inventors: Masatoshi Nakayama; 正俊中山; Kunihiro Ueda; 国博上田
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1985-08-15
Filing date: 1985-08-15
Publication date: 1987-02-21
Anticipated expiration: 2011-08-07
Also published as: JP2523272B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景技術分野本発＋１７１は、磁気記録媒体に関する。　さらに詳し
くは、耐久性、耐スクラッチ性等の改善のため、所定の
プラズマ重合膜を有する磁気記録媒体に関する。

先行技術とその問題点非磁性基板上に、γ−Ｆｅ２０３．Ｃｏ被着γ−Ｆｅ２
０３等の酸化物系磁性粉と結合剤とを主体とする磁性層
を形成した磁気記録媒体が出現してすでに久しい。

また、最近では、記録密度をさらに向上する目的で、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃ。

−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｂ、Ｍｎ−Ｂ１％Ｍｎ−Ａ１、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｖ等の強磁性粉と結合剤等からなる磁気記録媒体が実用
化されている。

さらには、より高密度記録が可能であり、磁性層が薄膜
化できるものとして、金属蒸着薄膜やスパッタ薄ＩＩ！
２等の気相メッキ薄１ＩＩ２、あるいは無電解メッキ薄
膜等の液相メッキ薄膜を磁性層とする磁気記録媒体が実
用化され、脚光をあびつつある。

これらの連続薄膜型の磁気記録媒体においては、特に磁
気テープおよび磁気ディスクの用途では、４擦係数が小
さく、円滑で安定な走行性を示すこと、耐摩耗性に優れ
、長時間にわたって安定走行を行ないうること、置かれ
た環境条件に対して安定でいつでも確実な再生ができる
こと、耐久性および耐スクラッチ性のあること等が強く
求められる。

従来より、耐久性および耐スクラッチ性を改善する目的
で基板に対し、種々の面処理が行なわれてきた。

前処理としては、薬液処理、コーティング処理、コロナ
放電処理等がある。

しかしながら、これらの中でコロナ処理では十分な効果
が上がらない。　また、薬液処理、コーティング処理で
は、処理工程が煩雑であり、しかも処理に要するコスト
が高いという問題がある。

このような実状から、本研究者らは、基板に対するプラ
ズマ処理を提案している（特願昭５９−１０７１７８号
等）。

プラズマ処理法は、一工程のみから成り、ドライプロセ
スであるので乾燥、廃液処理が必要でなく、バインダー
等の原材料を消費しないという利点がある。　さらに、
プラズマ処理法は、高速での連続生産か可能であるため
、磁気記録媒体製造工程に容易に組み込むことができ、
その生産性を阻害しない。

このようなプラズマ処理法は、一般に、空気、酸素、窒
素、水素、ヘリウム、アルゴン等を処理ガスとして用い
る。

そして、これらプラズマ処理によれば、基板と磁性層と
の接着力が向上し、耐久性が向上する。

しか１２ながら、磁気記録媒体の耐久性および耐スクラ
ッチ性に関する要求は厳しく、より一層の改善が要望さ
れている。

■　発明の目的本発明の目的は、耐久性および耐スクラッチ性が格段と
向上した連続薄膜型の磁気記録媒体を提供することにあ
る。

■　発明の開示このような目的は、下記の本発明によって達成さ柄ろ。

すなわち、第１の発明は、基板上に、ＣまたはＣとＨ，
ＮおよびＯの１種以上を含む膜厚５〜８０人のプラズマ
重合膜を有し、このプラズマ重合１１Ｑの上に、直接あ
るいは下地層を介して、強磁性金属薄膜層を有すること
を特徴とする磁気記録媒体である。

第２の発明は、プラズマ処理した基板上に、ＣまたはＣ
とＨ，Ｎおよび０の１種以上を含む膜厚５〜８０人のプ
ラズマ重合膜を有し、このプラズマ重合膜の上に、直接
あるいは下地層を介して、強磁性金属薄膜層を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体である。

■　発明の具体的構成以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。

本発明のプラズマ重合膜は、Ｃを含む薄膜であることが
好ましく、この場合、Ｃ単独で形成してもよいし、Ｃと
その他の元素を含有させて形成してもよい。

Ｃとその他の元素を含有させてプラズマ重合膜を形成す
る場合、その他の元素として、ＨｌＮ、０の１種以上を
含有させることが好ましい。

原料カスとしては、通常操作性の良いことから、常温で
気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、
エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジェン、アセチレ
ン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不飽和の炭
化水素の１種以上を用いるか、必要に応じて常温で液体
の炭化水素を原料としてもよい。

このような炭化水素の１種以上にＮ２．０２．０３、Ｎ
２０、Ｎ２　、Ｎｏ、Ｎ２０、Ｎ０７ｆｆＰどのＮＯｘ
　、ＮＨ３、Ｃｏ、ＣＯ２等の１種以上を加えたものを
原料ガスとして用いても好適である。

さらに必要に応じて、原料にＳｉ、Ｂ、Ｐ、Ｓ等のソー
スを微量成分として添加することもできる。

なお、プラズマ重合膜をＣ単独で形成する場合には、炭
化水素ガスに対して大量の水素を加えた混合ガスに対し
てプラズマ重合を行うことによって炭素膜が生成可能で
ある。　この炭素膜は混合ガス比、プラズマパワー、基
板温度等の条件により炭素の構造が変化する。

このような原料を用いて形成されるプラズマ重合膜の膜
厚は５〜８０人である。

この膜厚が８０人をこえると、成膜時の内部応力が膜中
に残留し、膜自体の強度が低下し、しかもプラズマ重合
膜自体が硬いためフレキシブルな媒体としての耐久性に
劣り、磁気記録媒体として実用に耐えない。

また、５人未満であると、本発明の実効がなくなる。

なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いればよ
い。

このようなｙ厚の制御は、プラズマ重合膜形成時の反応
時間、原料ガス流量等を制御すればよい。

プラズマ重合膜は、＠述の原料ガスの放電プラズマを基
板に接触させることにより重合膜を形成するものである
。

プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電界
加速を受け５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子温度）
を獲得する。

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など、通常の状態では不安定の化学種に解離させる。

解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。　そしてこれはプラズマガスと呼ばれ
ている。

気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。

このように、電子の運動エネルギー（電子温度）と、分
子の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマと
呼ばれ、ここでは化学種が比較的原型を保ったまま重合
等の加酸的化学反応を進めつる状況を創出しており、本
発明はこの状況を利用して基板上にプラズマ重合膜を形
成しようとするものである。　なお低温プラズマを利用
するため、基板への熱影習は全くない。

基板表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第１図に
示しである。　第１図は、周波数可変型の電源を用いた
プラズマ重合装置である。

第１図において、反応容器Ｒには、原料カス＠ｓｉｉま
たは５１２から原料ガスがそゎぞれマスフローコントロ
ーラ５２１および５２２を経て供給される。ガス源５１
１または５１２　Ｉ））ら別々のガスを供給する場合は
、混合器５３において混合して供給する。

原料ガスは、各々１〜２５０ｍｆｆ１／分の流量範囲を
とりつる。

反応容器Ｒ内には、基板支持装置か設置され、ここでは
磁気テープ用の基板の処理を目的としで　繰出しロール
５６１と巻取りロール５６２が示しである。

磁気記録媒体の形態に応じて様々の支持装置が使用でき
、例えば載置式の回転支持体装置も使用されうる。

基板を間に挟んで対向する電極５５１．５５２が設けら
れており、一方の電極５５１は例えば周波数可変型の電
源５４に接続され、他方の電極５５２は接地されている
。

さらに１反応容器Ｒ内には、容器内を排気するための真
空系統か配備され、そしてこれは液体窒素トラップ５７
．油回転ポンプ５８および真空コントローラ５９を含む
。　これら真空系統は反応容器内を０．０１〜１０　Ｔ
ｏｒｒのｂ％空度の範囲に維持する。

操作においては、反応容３Ｒ内がまず１Ｏ−３Ｔｏｒｒ
以下になるまで油回転ポンプにより容器内を排気し、そ
の後原料ガスか所定の流星において容器内に混・合状態
で供給される。

このとき、反応容器内の真空は０．０１〜１０Ｔｏｒｒ
の範囲に管理される。

基板の移行速度ならびに原料ガスの流量か安定すると、
電源がオンにされる。　こうして、移行中の基板にプラ
ズマ重合ＩＩＱが形成される。

なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２゜Ｈｅ、Ｎ２な
どを使用してもよい。

また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。

プラズマ発生源としては、高周波数放電の他に、マイク
ロ波放電、直流放電、交流放電等いずわでち利用できる
。

このように形成されるプラズマ重合膜は、１１１述した
ように、ＣまたはＣとＨ，Ｎ、０の１種以上を含有して
おり、Ｃの含イｆ量はプラズマ重合膜中に３０〜１００
ａｔ％、より好ましくは３０〜９０ａし％である。

Ｃの含４Ｔ量が３０ａｔ％未満であると、プラズマ重合
膜の膜強度が低下し、実用に耐えない。

また、Ｃに加えて１種以上含（［−されるＨ５Ｎ、０の
含有量は、水素と炭素の原子比（Ｈ／Ｃ比）が１以下、
特に１／６〜１、窒素と炭素の原子比（Ｎ／Ｃ比）が３
／１０以下、特に１／２０〜３／１０、酸素と炭素の原
子比（０／Ｃ比）が３／１０以下、特に１／２ｏ〜３／
１０の範囲が好適である。　このようにＣに加えてＨ，
Ｎ、０の１種以上を含有させることによって耐スクラッ
チ性が向上する。

なお、プラズマ重合膜中のＣ，Ｈ，Ｎ、０およびその他
の元素の含有）ｊｔの分析は、ＳＴＭＳ（２次イオン質
量分析）等に従えばよい９ＳＩＭＳを用いる場合、本発
明のプラズマ−ｍ金膜は５〜８０人であるので、プラズ
マ重合ｊ模人面にて、Ｃ，Ｈ，Ｎ、０およびその他の元
素をカウントして算出すればよい。

あるいは、Ａｒ等でイオンＬツチングをネ［いながら、
Ｃ，Ｈ，Ｎ、Ｏおよびその他の元素のプロファイルを測
定して算出してもよい。

ＳＩＭＳの測定については、表面科学填礎講座　第３谷
（１９８４）表ｍｉ分析の基礎と応用（Ｐ２Ｏ）　　“
ＳＩＭＳおよびＬＡＭＭＡ”の記載に従えばよい。

このようなブラズム市金膜は、基板ト、）、Ｙにプラズ
マ処理された基板−Ｌに形成されることが好ましい。

基板表面をプラズマ処理することによって、基板との接
り力が向トし、ひいてはこの基板とプラズマ重合Ｄｉと
の接着力か向上する。

基板表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成条件
等は重連したプラズマ重合法のそわと基本的には、はぼ
同一である。

たたし、プラズマ処理は原則として、無機ガスを処理ガ
スとして用い、他方、重連したプラズマ重合法によるプ
ラズマ重合膜の形成には原則として、有機ガス（場合に
よっては無機ガスを混入させてもよい）を原料ガスとし
て用いる。

本発明のプラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。

　すなわち、Ｋ２．Ａｒ、Ｈｅ、０２　、　Ｎ２　、空
気等いずれであってもよい。

この上うな中では、０．Ｎ、Ｈの１種以上を含む無機ガ
スを用いることが好ましい。

このよつな無機ガスとしては、Ｎ２．Ｋ２、ＮＨ３，０
２，０３，Ｋ２０．Ｎｏ、Ｎ２０、ＮＯ２などのＮＯＸ
等の中から適宜選□定し、これらの単独ないし混合した
ものか、これらとＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等とを混合したもの
が好適である。

さらに、プラズマ処理電源の周波数については、特に制
限はなく、直流、交流、マイクロ波等いずれであっても
よい。　これらの中では、１０　Ｖｌｌ？〜２００　Ｋ
１１ｚが特に好マシイ。

周波３１０　Ｋ１１ｚ　〜２００　Ｋ１１ｚでは、耐久
性と接着強度かきわめて高くなる。

このように、より好ましい態様としてプラズマ処理され
た基板上には、而述のプラズマ重合膜が形成され、さら
にこの重合股上には、直接あるいは下地層を介して、強
磁性金属薄膜層（以−ド、ｒＩｉに、磁性薄膜層という
）が形成される。

このような磁性薄膜層の組成としては、鉄、コバルト、
ニッケルその他の強電性金属、あるいはＦｅ−Ｃｏ、Ｆ
ｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−３ｉ、Ｆｅ−Ｒｈ、Ｃｏ
−Ｐ、Ｃｏ−Ｂ、Ｃｏ−５ｉ、Ｃｏ−Ｖ、Ｃｏ−Ｙ、Ｃ
ｏ　−Ｌａ、Ｃｏ−Ｃｅ、Ｃｏ−Ｐｒ、Ｃｏ−５ｍ。

Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｍｎ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎ
１−Ｐ、Ｃｏ−Ｎ１−Ｂ、Ｃｏ−Ｎ１−ＡＱ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｎａ、Ｃｏ−Ｎｉ　−Ｃｅ　、　Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
、　Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｎ　、Ｃｏ−Ｎ　　１−Ｃｕ、　　
Ｃｏ−Ｎ　　ｉ−Ｗ、Ｃｏ　　−Ｎｉ−Ｒｅ、Ｃｏ−３
ｍ−Ｃｕ等の強磁性金属がある。

さらに、これらの電性薄膜層の組成中には０が含イ１さ
れてもよい。

このような磁性薄膜層の厚さは、０．０５〜０．５μｍ
、好ましくは、０．０７〜０．３μｍとされる。

そして、このような磁性薄膜層は、気相もしくは液相の
メッキ法によって形成される。

本発明で用いるメッキ法は、被処理物の表面を上記の強
磁性金属の薄膜で密着被覆する乙のである。

そして、例えば気相メッキ法としては、蒸着法、スパッ
タ法５イオンブレーティング法、場合によっては、熱Ｃ
ＶＤ、プラズマＣＶＤ等がある。　また液相メッキ法と
しては、無電解メッキ、場合によっては、電解メッキ等
かある。

本発明においては、上記のいずれの方法を用いて磁性薄
膜層を形成してもよい。

重連した気相メッキ法Ｑ中で通常、磁性薄膜層形成によ
く使用される方法について以下に詳述する。

真空蒸着法は蒸発源をｌ　０−３Ｔｏｒｒ以下程度の高
真空中で、エレクトロンビーム法、抵抗加熱法等により
蒸発源を加熱して融解、蒸発させて、その上記を例えば
基板表面に薄膜として蒸ｎさせる方法である。　この蒸
発時に蒸発粒子が得る運動エネルギーは０．１ｅＶ〜１
ｅＶ程度である。

スパッタ法は作業を行う領域によって、さらにプラズマ
法とイオンビーム法の２つに大別することができる。

プラズマ法によるスパッタ法では、Ａｒ等の不活性ガス
雰囲気中で異常グロー放電を発生させ、Ａｒイオンによ
ってターゲット（蒸着物質）のスパッタを行い基板に蒸
着させる。

ターｔ、ｘットに数ＫＶの直流電圧を印加する直流スパ
ッタリンク、数百〜数ＫＶの高周波数電力を中入する高
周波スパッタリンクのいずれてあってもよい。

また、２棒から３極、４極スパツタ装置と多極化したほ
か、直行電磁界を加えてプラズマ中の電子にマグネトロ
ンと同様サイクロイド運動を（ｊえ、高密度プラズマを
作るとともに、印加電圧を低くし、スパッタを高能率化
したマグネトロン系スパッタリングを用いてもよい。

また、必要に応じ、Ａｒなと純粋な不活性ガスのみを用
いる代りに０２．Ｎ２等を用いた反応性ないし化学スパ
ッタリンクを用いても良い。

イオンビーム法ては、通λになイオン源を用いてＡｒな
どをイオン化し、引出し、電極に印加した負高電圧によ
って高真空側にイオンビームとして引き出し、ターゲッ
ト表面に照射してスパッタしたターゲット物質を基板に
蒸着させる。　動作圧はいずれの場合も１０−２〜１Ｏ
−３Ｔｏｒｒ程度とする。

また、スパッタ法における被着粒子の運動エネルギーは
約数ｅＶ〜１００ｅＶであり、例えば蒸着法のそれ（約
０．１ｅＶ〜１ｅＶ）と比へてきわめて大きい。

イオンブレーティング法は、被１ｉＱ形成の而および被
膜形成中、十分な運動エネルギーをもって基板表面に蒸
着物質を射突させる原子論的被膜形成法である。

その基本機能には、射突イオンによる基板のスパッタ、
加熱、イオン注入などの効果があり、これらが付着力、
蒸着膜の核形成、膜成長に、這晋を及ぼす。　このイオ
ンブレーティング法は、作業を行う領域から、さらにプ
ラズマ法とイオンビーム法の２つに大別される。

プラズマ法では、直流グロー放電によって基板（負電位
）をＡｒ＋の衝箪で清浄化した後、蒸発源を加熱し蒸着
物質を蒸気化させると、プラズマ中でイオン化　し、基
板を取り巻くグロー放電の陰極暗部の強い電解により加
速され、高いエネルギーをもって基板に射突し蒸着する
。　直流印加方式、高周波励起方式およびその併用形と
蒸発源の各種加熱方式との組み合せなど多くの形式はい
ずれも使用でき、中空陰Ｍ７”ラズマ電−子銃を用いる
プラズマ電子−ビーム法をｉｌｌいてもよい。

イオンビーム法では、スパッタ形、電子衝祭形あるいは
デュオプラズマトロンの改良形などの、イオン源で生成
した蒸着物質イオンを高真空領域に引き出し、加速電圧
を調節して基板表面の正常化と蒸着を引き続いて行う。

　クラスタイオンビーム技術（蒸着と結晶成長）では、
るつぼの噴射ノズルから高真空中に蒸着物質を噴出させ
、断熱膨張による過冷却現象を利用して１０２〜１０３
個の原子が互いに緩く結合した塊状原子集団（クラスタ
）を作り、イオン化して用いる。

また、イオンブレーティングにおけるイオンの運動エネ
ルギーは、約数十ｅＶ〜５にｅＶ稈度で他のトフィコー
ティング方法、例えば蒸着法（約０．１ｅＶ　〜１ｅＶ
）　、スパッタ法（約数Ｃ■〜１００　ｅＶ）などに比
べて非常に大きい。　そのため、この方法によって形成
された付着膜は、付着強度がきわめて高い。　また付着
速度もきわめて大きいため、短時間で膜形成ができる。

また、近年、新技術として開発された熱電子によってイ
オン化を行うアーク放電イオンブレーティングを用いて
もよい。　アーク放電イオンブレーティング法は、蒸発
源を加熱し蒸発してえられた蒸気流に対し、蒸発源近傍
の蒸気流の密度が比較的高いところで、熱電子放出源か
ら放出した熱電子を衝突させて蒸気流のイオン化を生じ
させこのイオン化された蒸気流を電波や磁場により被着
体に垂直方向に集束させて成膜するものである。

液相メッキ法としては、通常、無電解メッキを用いる。

用いる浴組成、メッキ条件等としては公知の種々のもの
が適用可能であり、たとえば、特公昭第４０−８００１
号、同第４９−２９５６１号、同第５５−１４８６５号
、同第５４−１７４３９号、同第５８−１７８２４号等
に記載のものは、いずれも使用可能である。

本発明において、磁性薄膜層の組成として、Ｃｏを必須
成分とし、Ｃｏ、Ｃｏ＋Ｎｉ、Ｃ。

十０．またはＣｏ＋Ｎ　ｉ　＋Ｏからなることが好まし
い。

すなわち、Ｃｏ単独からなってもよく、Ｃ。

とＮｉとからなってもよい。

Ｃｏ＋Ｎｉである場合、Ｃｏ　／　Ｎ　ｉの重量比は、
１．５以上であることが好ましい。

さらに、ＣＯまたはＣｏ＋Ｎｉに加え、０が含まれ１い
てもよい。　０が含まれたときには、電磁変換特性や走
行耐久性の点で、より好ましい結果をつる。

このような場合、Ｏ／Ｃｏ（Ｎｉが含まれない場合）あ
るいはＯ／（Ｃｏ＋Ｎｉ）の原子比は、０．５以下、特
に０．１５〜０．４５であることが好ましい。

一方、磁性薄膜層中には、　Ｃｏ、Ｃｏ＋Ｎｉ、Ｃｏ＋
ＯあるいはＣｏ＋Ｎｉ＋Ｏに加え、Ｃｒが含有されると
、より一層好ましい結果を得る。

これは、電磁変換特性が向上し、出力およびＳ／Ｎ比が
向上し、さらに膜強度が向上するからである。

このような場合、Ｃｒ　／　Ｃｏ　（Ｎ　ｉが含まれな
い場合）あるいはＣｒ／（Ｃｏ＋Ｎｉ）の重量比は、ｏ
、ｏｏｔ〜０．１であることが好ましい。

なお、このような磁性薄膜層中には、さらに他の微量成
分、特に遷移金属元素、例えば、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｚｒ
、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ。

Ｗ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等が含まれていてもよい。

このような磁性薄膜層は、通常、基体主面の法線に対し
て傾斜した柱状結晶構造の粒子の集合体であることが好
ましい。　これにより、電磁変換特性が向上する。

このような場合、柱状結晶構造の粒子は、基体の主面の
法線に対して、２０〜６０°の範囲で傾斜していること
が好ましい。

また、各柱状結晶粒子は、通常、磁性薄膜層の厚さ方向
全域に亘る長さをもち、その短径は一般に、５０〜５０
０人程度とされる。

そして、ＣＯと必要に応じ添加されるＮｉ。

Ｃｒ等は、この柱状結晶自体を構成するものであり、０
が添加されたとき、０は通常、各柱状結晶粒子の表面に
、主として酸化物の形で存在している。

このような磁性８膜層は、通常、０．０５〜０．５μｍ
の厚さに形成される。

また、磁性薄膜層は通常、単一の層として形成されるが
、場合によっては中間層を介して、複数の層を積層して
形成されていてもよい。

この１つな磁性薄膜層は、重連した練々の気相メッキ法
によって形成されつるが、通常、斜め蒸着法によって形
成されることが好ましい。

用いる斜め蒸着法としては、公知の斜め蒸着法を用いれ
ばよく、基体法線に対する入射角の最小値は、３０°以
上とすることが好ましい。

なお、蒸着条件および後処理法等は、公知の条件および
方法に従えばよい。　この場合、有効な後処理法として
は、磁性薄膜層中への０導入のための公知の各種処理等
がある。

なお　磁性薄膜層の表面に金属酸化物の被膜を形成する
ときには、各種酸化処理が可能である。

また、下地層を介して、上記のプラズマ重合股上に上述
したような磁性薄膜層を設層することもできるが、この
場合、用いる下地層としては、アルミニウム、銅、チタ
ン、クロム等の合金をイオンブレーティング等によって
形成したものであってもよい。

また、樹脂を塗布してもよい。　こ　の　場合、樹脂層
中に微粒子を含有させることｂできる。

なお、本発明の磁気記録媒体に用いられる基板の材質と
しては、非磁性プラスチックであわば特に制限はないか
、通常は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
２．６−ナフタレート等のポリニスデル、ポリアミド、
ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリサルフ
ォン、仝芳香族ポリエステル、ポリニーデルエーテルケ
トン、ポリエーテルサルレフオン、ポリエーテルイミド
等を用いる。　また、その形状、寸法、厚さには制限は
なく、用途に応じたものとすればよい。

さらに、本発明の磁気記録媒体は磁性薄膜層上に　／、
＼知の種々のトップコート層を有していてもよい。

なお、ＩＦ丁述したようなプラズマ市、’Ｆ　１１党も
トップコート層として用いられうるちのである。

また基板裏面（磁性薄膜層を設けていない而）に公知の
桂々のバラフコ−Ｉ・層を没Ｃづてもよい。

■　発明の長体的作用効果本発明によれば、より好ましい態様としてプラズマ処理
された基板上にＣあるいはＣとＮ、Ｈ，Ｏのうち少なく
とも１種以上の元素を含む膜Ｊ＋７５〜８０人のプラズ
マ重合膜を有し、このプラズマ重合膜の上に、直接ある
いは下地層を介して気相もしくは液相のメッキ法によっ
て強磁性金属薄膜層を形成して磁気記録媒体が構成され
る。

そのため耐久性および耐スクラッチ性が格段と向トする
。

なおこのような磁気記録媒体は、各種の情報記録媒体と
して多岐にわたって用いられるものである。

■　発明の具体的実施例以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１厚さ１２μｍのポリエチレンプレフタレート（ＰＥＴ）
製の基板を真空チャンバ中に入れ、連続搬送しながら、
一旦１０−３Ｔｏｒｒの真空に引いた後、処理ガスとし
て０２、キャリアカスとしてＡｒを用い、０２含イｆ州
：１０％、流計＝５０ｍｕ／分にてガス圧０．１Ｔｏｒ
ｒに保ちなか６１００　Ｋ１１ｚの高周波電圧をかりて
プラズマを発生させ、基板表面をプラズマ処理した。

その後、さらに下記の条件にてプラズマ重合膜を基板上
に形成した。

これらのプラズマ重合１漠の元素分析はＳＵＭＳで測定
し、また膜Ｊ７はエリプソメーターで測定した。

結果を表１に示す。

このように形成されたプラズマ重合膜トにｔ記に示され
る強磁性金属薄膜層を形成した。

（強磁性金属薄膜層の形成）畦上」１又眉」２プラズマ重合膜を設層した基板を円筒上冷却キャンの周
面に沿わせて移動させ、０２＋Ａｒ（容積比１：１）を
毎分８００ｃｃの速さで流し、真空度を１．　Ｏｘ　１
０−’Ｔｏｒｒとしたチャンバー内で、Ｃｏ８０、Ｎｉ
２Ｏよりなる合金を溶融し、入射角９０°〜３０°の部
分のみ斜め蒸着し、膜厚０．１５μｍのＣｏ−Ｎｉ−０
薄膜を形成した。

１１１股１スＣｏ−Ｃｒ（組成Ｃｏ　　８０ｗｔ、％−Ｃｒ２０ｗし
％）を原料としてプラズマ重合膜を形成した基板上に０
．２μｍの厚さにスパッタした。

唯１り薄側ξ酊り記のプラズマ重合膜を形成した基板北に以Ｆの方法に
て無電解メッキを行った。

（１）アクセレーター蒸留水　　　　　　　　　　　５５部濃塩酸　　　　　　　　　　　３０部ＰＮ−１”Ｓ（ワールドメタル社）　１５部４０℃、１
分間（２）アクセレーター蒸留水　　　　　　　　　　　８０部Ｚ８硫酸　　　　　　　　　　２０部室温、１分間（３）無電解メッキ浴硫酸コバルト　　　　　　　０　、　０６ｍｏ１７’１
硫酸ニッケル　　　　　　０　、０４　ｍｏｌ／４２次
亜リン酸ナトリウム　　０　、　２　ｍｏｌ／ｆｉロッ
セル塩　　　　　　　０．　５ｍｏｌ／１ホウ酸　　　
　　　　　　　０．　２ｍｏｌ／ｎ硫安　　　　　　　
　　　０．５ｍｏｌ／、ｅＮ　ａ　ＯＩＩ　　アルカリ
化　　　　ｐｌ＋９．５７０℃、２分間析出した薄＋ａの厚さを０．１５μｍとした。

なお、薄膜中のＣｏ　／　Ｎ　ｉ組成比は６／４であっ
た。

得られたテープを１／２インチ中に切断し、ビデオテー
プを得た。

これら各サンプルについて特性を測定した。

なお、特性の測定は以下のとおりである。

（１）出力低下２０℃相対湿度６０％にてビデオデツキを用いて２００
バス走行後の出力低下（ｄＢ）を測定した。

（２）ｆｉｆＪスクラッチ試験新東科学＠製の連続引っかき強度試験機（ＴＹＰＥ−＋
１ＥＩＤＯＮ−１８）により、引っかききすが入る垂直
荷重を測定した。

評価値としては、プラズマ重合膜を設けていない媒体サ
ンプルのひっかきｉ［直荷重Ｗｏに対するプラズマ重合
膜を設けた媒体サンプルのひっかき垂直荷重Ｗの比Ｗ／
ＷＯで表示した。

なお、値の評価は、同−ｍ性層で比較する。

これらの結果から、本発明の効果が明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は直流、交流および周波数可変型電源を使用した
プラズマ処理装置の概略図である。符号の説明５３・・・混合器５４・・・直流、交流および周波数可変型電源５７・・
・液体窒素トラップ５８−−・油回転ポンプ５１１．５１２・・・処理ガス源５２１．５２２・・・マスフローコントローラ５６１．
５６２−・・繰り出しおよび巻取りロール

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板上に、ＣまたはＣとＨ、ＮおよびＯの１種以
上を含む膜厚５〜８０Åのプラズマ重合膜を有し、この
プラズマ重合膜の上に、直接あるいは下地層を介して、
強磁性金属薄膜層を有することを特徴とする磁気記録媒
体。
（２）強磁性金属薄膜層が気相もしくは液相のメッキ法
によって形成されている特許請求の範囲第１項に記載の
磁気記録媒体。
（３）プラズマ重合膜のＣ含有量が３０〜１００ａｔ％である特許請求の範囲第１項または第２項
に記載の磁気記録媒体。
（４）プラズマ処理した基板上に、ＣまたはＣとＨ、Ｎ
およびＯの１種以上を含む膜厚５〜８０Åのプラズマ重
合膜を有し、このプラズマ重合膜の上に、直接あるいは
下地層を介して、強磁性金属薄膜層を有することを特徴
とする磁気記録媒体。