JPS6240722A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6240722A JPS6240722A JP18011285A JP18011285A JPS6240722A JP S6240722 A JPS6240722 A JP S6240722A JP 18011285 A JP18011285 A JP 18011285A JP 18011285 A JP18011285 A JP 18011285A JP S6240722 A JPS6240722 A JP S6240722A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置のＰＮ接合及び電極の形成方法に関
する。
する。
−中
泌一絃にキＰ−逼１
（従来の技術）
シリコン集積回路においてその微細化にともなって、Ｐ
Ｎ接合及び電極の形成における微細加工技術が必要且つ
重要となってきた。従来、ＰＮ接合及び電極の形成は以
下のような方法によって行われている。まず、シリコン
基板上にシリコン酸化膜を形成し、接合を形成したい部
分のシリコン酸化膜を７オトレジストエ程によって除去
し、露出したシリコン表面に適当な不純物をイオン注入
によってドープした後、９００℃程度の高温アニールを
３０分程度行ってＰＮ接合を形成した後、電極となる金
属を前記シリコン基板上に堆積し、位置合わせを必要と
するフォトレジスト工程によって前記ＰＮ接合上に金属
を残すことによって電極を形成する。
Ｎ接合及び電極の形成における微細加工技術が必要且つ
重要となってきた。従来、ＰＮ接合及び電極の形成は以
下のような方法によって行われている。まず、シリコン
基板上にシリコン酸化膜を形成し、接合を形成したい部
分のシリコン酸化膜を７オトレジストエ程によって除去
し、露出したシリコン表面に適当な不純物をイオン注入
によってドープした後、９００℃程度の高温アニールを
３０分程度行ってＰＮ接合を形成した後、電極となる金
属を前記シリコン基板上に堆積し、位置合わせを必要と
するフォトレジスト工程によって前記ＰＮ接合上に金属
を残すことによって電極を形成する。
（発明が解決しようとする問題点）
前記従来法では工程が複雑で、しかも素子の微細化に十
分対応できないという問題点がある。
分対応できないという問題点がある。
これらの問題点を解決する方法として、Ｓ ’Ｉ’ Ｔ
厚木適所によってレーザー照射によりＰＮ接合を形成す
る方法が提案されている（日刊工業新聞、昭和６０年５
月２４日）。この方法ではＰ型シリコン基板の一部にレ
ーザー照射した後、６５０°Ｃ以下のアニールを行うこ
とによって前記Ｐ型シリコン基板表面のレーザー照射さ
れた部分にＰＮ接合を形成する。
厚木適所によってレーザー照射によりＰＮ接合を形成す
る方法が提案されている（日刊工業新聞、昭和６０年５
月２４日）。この方法ではＰ型シリコン基板の一部にレ
ーザー照射した後、６５０°Ｃ以下のアニールを行うこ
とによって前記Ｐ型シリコン基板表面のレーザー照射さ
れた部分にＰＮ接合を形成する。
しかし、この方法では収束性の不十分なレーザーを用い
ているため、不十分な微細化しか達成されていない。さ
らに電極を形成するためには位置合わせを必要とするフ
ォトレジスト工程が必要なため、工程が十分に簡素化さ
れていない。
ているため、不十分な微細化しか達成されていない。さ
らに電極を形成するためには位置合わせを必要とするフ
ォトレジスト工程が必要なため、工程が十分に簡素化さ
れていない。
本発明の目的は従来法の問題点を解決し、十分な微細化
が可能で且つ工程が簡単なＰＮ接合及び電極の形成方法
を提供することにある。
が可能で且つ工程が簡単なＰＮ接合及び電極の形成方法
を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、表面上に金属を堆積したＰ型シリコン
基板表面の一部を電子線照射によってアニールした後、
４００°Ｃ以上のアニールを追加することによって電子
線照射した部分にＰＮ接合及び電極を形成することを特
徴とした半導体装置の製造方法が得られる。
基板表面の一部を電子線照射によってアニールした後、
４００°Ｃ以上のアニールを追加することによって電子
線照射した部分にＰＮ接合及び電極を形成することを特
徴とした半導体装置の製造方法が得られる。
（作用）
Ｐ型シリコン基板上に電子線を照射によってアニールす
ると前記Ｐ型シリコン基板に存在する酸素等の不純物を
起因とする欠陥が前記Ｐ型シリコン基板に生じる。欠陥
の生じる部分の大きさの精度は基本的には電子線の収束
性に依存するが、電子線の収束性は十分に良いので極め
て精度良く欠陥を必要な大きさに形成できる。また、欠
陥の生じる深さは表面に金属を堆積して、その金属の厚
さと電子線の加速電圧によって制御することができる。
ると前記Ｐ型シリコン基板に存在する酸素等の不純物を
起因とする欠陥が前記Ｐ型シリコン基板に生じる。欠陥
の生じる部分の大きさの精度は基本的には電子線の収束
性に依存するが、電子線の収束性は十分に良いので極め
て精度良く欠陥を必要な大きさに形成できる。また、欠
陥の生じる深さは表面に金属を堆積して、その金属の厚
さと電子線の加速電圧によって制御することができる。
さらに、表面に堆積する金属に、例えばタングステンの
ような高融点金属を選べば、電子線を照射によってアニ
ールすることによって、欠陥を生じさせると同時に、欠
陥を生じた部分の上部に高融点金属シリサイドを形成す
ることもできる。シリサイド化していない金属を選択的
にエツチングすることで高融点金属シリサイドの電泳カ
ニＮ型層になるべき欠陥を生じた部分上に自己整合的に
形成されたことになる。その後、４００″Ｃ以上のアニ
ールを行うことにより前記Ｐ型シリコン基板上の欠陥の
生じた部分はＮ型に反転する。以上のようにして、極め
て制御性良（ＰＮ接合及び電極を簡素な工程によって形
成することができるのである。
ような高融点金属を選べば、電子線を照射によってアニ
ールすることによって、欠陥を生じさせると同時に、欠
陥を生じた部分の上部に高融点金属シリサイドを形成す
ることもできる。シリサイド化していない金属を選択的
にエツチングすることで高融点金属シリサイドの電泳カ
ニＮ型層になるべき欠陥を生じた部分上に自己整合的に
形成されたことになる。その後、４００″Ｃ以上のアニ
ールを行うことにより前記Ｐ型シリコン基板上の欠陥の
生じた部分はＮ型に反転する。以上のようにして、極め
て制御性良（ＰＮ接合及び電極を簡素な工程によって形
成することができるのである。
（実施例）
第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）はＰ型シリコン基板１上
にＮ型層５を形成することによりＰＮ接合を形成すると
同時にタングステンシリサイド４の電極を形成する工程
を説明するための断面図である。
にＮ型層５を形成することによりＰＮ接合を形成すると
同時にタングステンシリサイド４の電極を形成する工程
を説明するための断面図である。
通常の酸洗浄を行った後、希釈弗酸処理によシ清浄表面
としたＰ型巣結晶シリコン基板１の表面に第１図（ａ）
に示すようにスパッタによりタングステン２を４００Ｘ
、堆積した。次いで電子線アニール装置によシ、真空中
で加速電圧１０ＫＶ、電流電流６４０μＡ、スリットと
電子レンズによって一辺５μｍの正方形に絞った電子線
を５Ｘ１０−ｓｅｃ照射することにより第１図（ｂ）の
ように電子線照射領域のＰ型シリコン基板に深さ約０．
５ 、ａｍの欠陥のはいった層３及びその上部に約１０
００にのタングステンシリサイド４を形成した。次いで
シリサイド化しなかったタングステン２をエツチングし
た後、電気炉により窒素雰囲気中、６００’０．２０分
のアニールを行うことによって＠１図（ｃ）のように深
さ約０．５μｍ、５ｘ５μｍ角のＮ型層５及びタングス
テンシリサイドの電極を形成することができた。
としたＰ型巣結晶シリコン基板１の表面に第１図（ａ）
に示すようにスパッタによりタングステン２を４００Ｘ
、堆積した。次いで電子線アニール装置によシ、真空中
で加速電圧１０ＫＶ、電流電流６４０μＡ、スリットと
電子レンズによって一辺５μｍの正方形に絞った電子線
を５Ｘ１０−ｓｅｃ照射することにより第１図（ｂ）の
ように電子線照射領域のＰ型シリコン基板に深さ約０．
５ 、ａｍの欠陥のはいった層３及びその上部に約１０
００にのタングステンシリサイド４を形成した。次いで
シリサイド化しなかったタングステン２をエツチングし
た後、電気炉により窒素雰囲気中、６００’０．２０分
のアニールを行うことによって＠１図（ｃ）のように深
さ約０．５μｍ、５ｘ５μｍ角のＮ型層５及びタングス
テンシリサイドの電極を形成することができた。
（発明の効果）
以上の説明の通り本発明によれば、簡素な工程で甑めて
制御性良くＰＮ接合及び電極を形成することができる。
制御性良くＰＮ接合及び電極を形成することができる。
第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は本発明の方法によって
ＰＮ接合及び電極を形成する過程を示すＰ型シリコン基
板の断面模式図である。
ＰＮ接合及び電極を形成する過程を示すＰ型シリコン基
板の断面模式図である。
Claims (1)
- 表面上に金属を堆積したＰ型シリコン基板表面の少なく
とも一部を電子線照射によってアニールした後、４００
℃以上のアニールを行うことによって電子線照射した部
分のシリコン表面をＮ型に反転させ、下地のＰ型シリコ
ン基板とでＰＮ接合を形成し、かつ前記金属とシリコン
を反応させてシリサイド電極を形成することを特徴とし
た半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18011285A JPS6240722A (ja) | 1985-08-15 | 1985-08-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18011285A JPS6240722A (ja) | 1985-08-15 | 1985-08-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240722A true JPS6240722A (ja) | 1987-02-21 |
Family
ID=16077628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18011285A Pending JPS6240722A (ja) | 1985-08-15 | 1985-08-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6240722A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6551926B1 (en) * | 1999-06-09 | 2003-04-22 | Electron Vision Corporation | Electron beam annealing of metals, alloys, nitrides and silicides |
-
1985
- 1985-08-15 JP JP18011285A patent/JPS6240722A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6551926B1 (en) * | 1999-06-09 | 2003-04-22 | Electron Vision Corporation | Electron beam annealing of metals, alloys, nitrides and silicides |
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