JPS6242155B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、機関の点火位置で与えられる制御信
号により動作する１次電流制御用スイツチにより
点火コイルの１次電流を制御して点火動作を行な
わせる内燃機関用無接点点火装置に関するもので
ある。

一般に内燃機関においては、低速領域で点火位
置を一定とし、中高速領域で点火位置を進ませる
ことが必要とされるが、機関によつては所期の特
性を得るために高速領域の設定回転数以上で点火
位置を遅らせることが要求されることがあり、機
関の過回転を防止するために高速領域において点
火位置を遅らせることがある。そして従来の点火
装置では点火位置を定める信号を与える信号発電
機の出力が機関の回転数の上昇に伴つて増大して
１次電流制御用スイツチのトリガレベルに達する
位相が進むことを利用して進角特性を得、機関の
高速領域の設定回転数以上で信号の一部を１次電
流制御用スイツチから側路することにより点火位
置を遅らせていた。ところがこのように信号発電
機の出力特性を利用して進角特性を得る場合に
は、低速時においても点火位置がかなり進むため
低速時における点火位置の変動幅が大きくなつて
機関の始動性が悪くなる欠点があつた。また中高
速領域において点火位置が進み過ぎると機関の動
作が不安定になるため最大進角位置は機関の特性
に合せて最適の位置に設定する必要があるが、従
来の装置で発電機の出力特性により進角特性が定
まるため、機関に応じて進角特性を自由に設定す
ることは困難であつた。更に、機関の出力を増大
させるためには、最大進角位置まで進角した後遅
角を開始させる設定回転数までその点火位置を略
一定に保つことが望ましいが、発電機の出力特性
を利用して進角させるようにした従来の装置で
は、機関の回転数が或程度以上になると設定回転
数以下でも点火位置が遅れる傾向になり、機関か
ら最大の出力を引出すことができなくなることが
あつた。

本発明の目的は、進角特性の調整を容易に行な
うことができる上に低速時の点火位置の変動を少
なくでき、また高速領域で最大進角位置まで進角
した後遅角が開始される設定回転数までの間点火
位置を最大進角位置に固定することができるよう
にした内燃機関用無接点点火装置を提供すること
にある。

以下図示の実施例により本発明を詳細に説明す
る。

第１図は、本発明の一実施例を示したもので、
同図において１は一端が接地された１次コイル１
ａ及び２次コイル１ｂを有する点火コイル、２は
１次コイル１ａに対して直列に接続されたコンデ
ンサ、３はコンデンサ２と１次コイル１ａの直列
回路に対して並列に接続された１次電流制御用ス
イツチとしてのサイリスタ、４はサイリスタ３の
ゲートカソード間に接続された抵抗、Ｐは２次コ
イル１ｂに負荷された点火プラグであり、これら
によりコンデンサ放電式の点火回路５が構成され
ている。この点火回路に点火エネルギを与えるた
め機関により駆動される磁石発電機内にエキサイ
タコイル６が配置され、このエキサイタコイル６
の一端はコンデンサ５とサイリスタ３のアノード
との接続点にカソードを接続したダイオード７の
アノードに接続され、エキサイタコイル６の他端
はアノードを接地したダイオード８のカソードに
接続されている。エキサイタコイル６及びダイオ
ード８の直列回路の両端にはアノードを接地した
ダイオード９が並列に接続され、ダイオード８の
両端にはカソードを接地したサイリスタ１０が並
列に接続されている。サイリスタ１０のアノード
ゲート間にはツエナーダイオード１１がそのアノ
ードをサイリスタのゲート側にして並列接続さ
れ、ゲートカソード間には抵抗１２が並列接続さ
れている。またサイリスタ１０のアノードにダイ
オード１３のアノードが接続され、ダイオード１
３のカソードと接地間に十分大きな容量を有する
電源用コンデンサ１４が接続されている。エキサ
イタコイル６、ダイオード８、サイリスタ１０、
ツエナーダイオード１１、抵抗１２、ダイオード
１３及びコンデンサ１４により電源回路１５が構
成されている。

上記電源回路のエキサイタコイル６が図示の実
線矢印方向の出力を発生すると、ダイオード７を
通してコンデンサ２が図示の極性に充電される。
次いでサイリスタ３のゲートに制御信号が与えら
れるとこのサイリスタ３が導通し、コンデンサ２
の電荷がサイリスタ３及び１次コイル１ａを通し
て放電する。この放電は極めて短時間に行なわれ
るため点火コイル１の１次コイルに急激に電流が
流れ込んで点火コイルの鉄心中に大きな磁束変化
が生じ、これにより２次コイル１ｂに高電圧が誘
起して点火プラグＰに火花が生じる。したがつて
上記点火回路５においてはサイリスタ３に制御信
号を与える位置を制御することにより点火位置を
制御することができる。尚本発明で用いる点火回
路５は１次電流制御用スイツチの動作により点火
コイル１の１次電流を急変させて点火動作を行な
わせるものであればよく、電流遮断形の点火回路
等他の形式の点火回路を用いてもよい。

上記電源回路１５においてエキサイタコイル６
に図示の破線矢印方向の電圧が誘起する半サイク
ルにおいては、ダイオード１３を通して電源用コ
ンデンサ１４が図示の極性に充電される。エキサ
イタコイル６の破線矢印方向の出力が或一定値に
達するとツエナーダイオード１１が導通してサイ
リスタ１０が導通し、エキサイタコイル６の出力
をコンデンサ１４から側路する。したがつてコン
デンサ１４は常に一定の電圧まで充電され、この
コンデンサが後記する制御回路の電源として用い
られる。

点火位置を機関の回転数（rpm）に応じて制御
するため、点火位置制御回路２０が設けられてい
る。この制御回路は機関と同期回転する信号発電
機内に設けられた信号コイル２３を備え、この信
号コイル２３は機関が１回転する間に１サイクル
の信号ｅ_s（第２図Ｃ参照）を出力する。本実施
例では信号コイル２３が先ず図示の破線矢印方向
（以下この半サイクルを負の半サイクルとする。）
の信号ｅ_s1を発生し、次いで図示の実線矢印方向
（以下この半サイクルを正の半サイクルとする。）
の信号ｅ_s2を発生する。この信号コイルの一端は
接地され、他端はダイオード２４を通して前記サ
イリスタ３のゲートに接続されている。ここでダ
イオード２４はそのカソードがサイリスタ３のカ
ソード側に位置する向きに設けられ、信号コイル
２３の後から発生する正の半サイクルの信号ｅ_s2
がダイオード２４を通してサイリスタ３のゲート
に制御信号として与えられるようになつている。

一方前記電源用コンデンサ１４の非接地側の端
子に抵抗２５の一端が接続され、抵抗２５の他端
２５ａがダイオード２４と同方向のダイオード２
６を通してサイリスタ３のゲートに接続されてい
る。抵抗２５及びダイオード２６は信号コイル２
３とは別個にサイリスタ３に制御信号を与える信
号供給回路を構成するもので、所定の条件が満さ
れたときに電源回路１５側から抵抗２５及びダイ
オード２６を通してサイリスタ３に制御信号が与
えられるようになつている。

上記抵抗２５の他端２５ａにはエミツタを接地
した信号供給制御用半導体スイツチとしてのトラ
ンジスタ２７のコレクタが接続され、トランジス
タ２７のベースは抵抗２８を通して電源用コンデ
ンサ１４の非接地側端子に接続されている。トラ
ンジスタ２７のベースはアノードを接地したダイ
オード２９のカソードに接続されるとともにダイ
オード３０のアノードに接続され、ダイオード３
０のカソードは信号コイル２３の非接地側端子に
接続されている。トランジスタ２７は信号コイル
２３に負の半サイクルの信号が発生している期間
以外の期間抵抗２８を通して電源回路１５から与
えられるベース電流により導通し、抵抗２５を通
して電源回路１５から与えられる制御信号を接地
側に流してサイリスタ３から側路する。信号コイ
ル２３が負の半サイクルの信号を出力する期間は
トランジスタ２７のベースエミツタ間が逆バイア
スされるためこのトランジスタ２７が遮断状態に
なり、抵抗２５を通して供給される制御信号がサ
イリスタ３に与えられるのを許容する。

上記のようにトランジスタ２７が遮断状態にな
る期間（信号コイル２３が負の半サイクルの信号
を発生する期間）は抵抗２５及びダイオード２６
を通してサイリスタ３に制御信号を与え得る状態
になるが、この制御信号の供給に更に条件を与え
て進角特性及び遅角特性をもたせるため、第１の
コンデンサ３１及び第２のコンデンサ３２の充放
電を利用して制御信号の供給位置を制御する回路
が設けられる。即ち、第１のコンデンサ３１の一
端は接地され、第１のコンデンサ３１の他端はダ
イオード３３のカソードに接続されている。ダイ
オード３３のアノードは抵抗３４を通して電界効
果トランジスタ（以下FETという。）３５のソー
スに接続され、FET３５のドレインは電源用コ
ンデンサ１４の非接地側端子に接続されている。
FET３５のゲートはダイオード３３のアノード
に接続され、FET３５及び抵抗３４により定電
流回路が構成されている。ダイオード３３のカソ
ードにはまたFET３６のドレインが接続され、
FET３６のソースは抵抗３７を通してトランジ
スタ３８のコレクタに接続されている。FET３
６のゲートは抵抗３７とトランジスタ３８のコレ
クタとの接続点に接続され、これらFET３６及
び抵抗３７によつても定電流回路が構成されてい
る。トランジスタ３８のコレクタはまたダイオー
ド３３のアノードに接続され、エミツタは接地さ
れている。前記トランジスタ２７のコレクタエミ
ツタ間に抵抗３９及び４０の直列回路が並列接続
され、抵抗３９及び４０の接続点にトランジスタ
３８のベースが接続されている。トランジスタ３
８はトランジスタ２７が遮断状態になつたときに
抵抗２５及び３９を通してベース電流が与えられ
て導通状態になり、トランジスタ２７が導通した
ときに遮断状態になる。第１のコンデンサ３１は
電源回路１５によりFET３５、抵抗３４及びダ
イオード３３を通して図示の極性に定電流充電さ
れる。またトランジスタ２７が遮断してトランジ
スタ３８が導通すると第１のコンデンサ３１が
FET３６、抵抗３７及びトランジスタ３８を通
して定電流で放電する。この放電の際に電源回路
１５からFET３５及び抵抗３４を通して供給さ
れる電流はトランジスタ３８を通して第１のコン
デンサ３１から側路されるため、第１のコンデン
サ３１の放電には影響を与えない。FET３６、
抵抗３７及びトランジスタ３８により第１のコン
デンサ３１の放電回路が構成されている。

また電源用コンデンサ１４の両端に抵抗４１を
介してツエナーダイオード４２が並列接続され、
ツエナーダイオード４２の両端に第１の基準電圧
Ｖ_r1が得られるようになつている。この第１の基
準電圧は第１のコンデンサ３１の端子電圧Ｖ_c1と
ともに第１の比較回路４３に入力されて両電圧が
比較され、第１の比較回路４３の出力端子４３ａ
は、第１のコンデンサ３１の端子電圧Ｖ_c1が第１
の基準電圧Ｖ_r1より大きいときに接地電位にな
り、第１のコンデンサ３１の端子電圧Ｖ_c1が第１
の基準電圧Ｖ_r1以下になつたとき高電位になる。
この第１の比較回路４３の出力端子４３ａはダイ
オード２６のアノードに接続されていて、この比
較回路の出力端子４３ａが接地電位にあるときに
サイリスタ３への制御信号の供給が阻止され、出
力端子４３ａが高電位になつたときにサイリスタ
３への制御信号の供給が許容されるようになつて
いる。

また第２のコンデンサ３２もFET４４及び抵
抗４５からなる定電流回路とダイオード４６とを
通して電源用コンデンサ１４の非接地側端子に接
続され、電源回路１５の出力により定電流充電さ
れるようになつている。電源用コンデンサ１４の
両端に抵抗４７を介してツエナーダイオード４８
が並列接続され、ツエナーダイオード４８の両端
に得られる第２の基準電圧Ｖ_r2が第２のコンデン
サ３２の端子電圧Ｖ_c2とともに第２の比較回路４
９に入力されている。第２の比較回路４９の出力
端子４９ａは第２のコンデンサ３２の端子電圧Ｖ
_c2が第２の基準電圧Ｖ_r2より小さいときに接地電
位になり、第２のコンデンサの端子電圧Ｖ_c2が第
２の基準電圧Ｖ_r2以上になつたときに高電位にな
る。この比較回路４９の出力端子４９ａはダイオ
ード２６のアノードに接続され、出力端子４９ａ
が高電位になつたときにサイリスタ３への制御信
号の供給が許容されるようになつている。

上記実施例においてサイリスタ３に制御信号が
与えられるのは次のいずれかの場合である。

(イ) 信号コイル２３に正の半サイクルの信号が誘
起したとき。

(ロ) トランジスタ２７が遮断状態にあり、しかも
第１の比較回路４３の出力端子４３ａ及び第２
の比較回路４９の出力端子４９ａが高電位にあ
るとき。

第１及び第２のコンデンサ３１及び３２の電荷
を瞬時に放電させて両コンデンサをリセツトする
ため、エミツタを接地したトランジスタ５０が設
けられ、このトランジスタ５０のコレクタはダイ
オード５１及び５２を通して第１及び第２のコン
デンサ３１及び３２の非接地側端子に接続されて
いる。またトランジスタ５０のベースに信号コイ
ル２３の両端に並列接続された抵抗５３，５４か
らなる分圧回路の分圧点に接続され、トランジス
タ５０、ダイオード５１，５２及び抵抗５３，５
４によりリセツト回路が構成されている。

次に第２図Ａ乃至Ｈの信号波形図によつて第１
図の実施例の動作を説明する。今エキサイタコイ
ル６が配置されている磁石発電機が４極に構成さ
れていて機関の出力軸に直結されているとする
と、エキサイタコイル６には第２図Ａに示すよう
に１回転当り２サイクルの交流電圧Ｖ_eが誘起す
る。この電圧の負の半サイクルは、本来は図に破
線で示した波形であるが、上記実施例では負の半
サイクルの電圧がツエナーダイオード１１を導通
させるレベルに達したときにサイリスタ１０が導
通して該電圧を短絡するので、図に実線で示した
ように或一定の電圧に制限された波形になる。機
関の上死点TDCよりも角度θ_０だけ前の位置で
エキサイタコイル６の正の半サイクルの電圧が立
上るとダイオード７を通してコンデンサ２が図示
の極性に充電され、その端子電圧Ｖ_cは第２図Ｂ
に示すように変化する。信号コイル２３は、エキ
サイタコイル６の２回目の正方向出力の立下り付
近に設定された上死点前角度θ_１での位置で負方
向信号ｅ_s1を発生し、次いで上死点前角度θ_２の
位置で正方向信号ｅ_s2を発生する。機関の回転数
Ｎ（rpm）がアイドリング回転数N₁から設定値
N₂（＞N₁）までの間にある低速領域では、信号コ
イル２３から出力される負方向信号ｅ_s1がトラン
ジスタ２７を遮断できるレベルに達しないため、
トランジスタ２７は導通状態にある。したがつて
機関の低速領域では、電源回路１５側から抵抗２
５及びダイオード２６を通してサイリスタ３に制
御信号が与えられることはなく、電源回路から抵
抗２５を通して与えられる電流はすべてトランジ
スタ２７を通してサイリスタ３から側路される。
次に角度θ_２で発生する信号コイル２３の正方向
信号ｅ_s2が上死点前角度θ_３の位置でピークに達
し、このピーク値がサイリスタ３のゲートトリガ
レベルに達していると、サイリスタ３が導通す
る。このときコンデンサ２の電荷がサイリスタ３
及び１次コイル１ａを通して放電し、点火動作が
行なわれる。信号コイル２３の正方向信号ｅ_s2は
機関の回転数がN₁からN₂へと上昇していくに従
つて増大していくため、正方向信号ｅ_s2がサイリ
スタ３のトリガレベルに達する位相は第３図に示
すように回転数の上昇に伴つて僅かずつ進んでい
く。信号コイル２３の正方向信号ｅ_s2の信号幅を
狭くしておけば、この低速領域における点火位置
の変動幅は僅かである。

機関の回転数Ｎが設定値N₂に達すると、信号
コイル２３の負方向信号ｅ_s1がトランジスタ２７
を遮断するレベルに達するためトランジスタ２７
が遮断する。このときトランジスタ２７のコレク
タエミツタ間電圧は第２図Ｄのように変化する。

一方第１及び第２のコンデンサ３１及び３２
は、電源回路１５によりFET３５及び４４を通
して定電流で充電され、正方向信号ｅ_s2の立上り
でトランジスタ５０の導通により瞬時に略零まで
放電する動作を繰り返している。上記のように回
転数が設定値N₂に達してトランジスタ２７が遮
断すると、トランジスタ３８が導通するため、第
１のコンデンサ３１がFET３６を通して定電流
で放電する。したがつて回転数N₂以上の領域で
の第１のコンデンサ３１の端子電圧Ｖ_c1の波形は
第２図Ｅに示すように、角度θ_２の位置から一定
の傾斜で上昇した後角度θ_１からθ_２までの間一
定の傾斜で下降し、充電開始位置θ_２から丁度
360゜回転した位置に相当する次の角度θ_２で零
に戻る波形の繰り返しになる。一方第２のコンデ
ンサ３２はトランジスタ５０によりリセツトされ
るだけであるので、このコンデンサ３２の端子電
圧Ｖ_c2の波形は第２図Ｇに示すように、角度θ_２
から一定の傾斜で上昇して360゜回転した位置で
零に戻る波形となる。機関の回転数Ｎが設定値
N₂を超えると、第１のコンデンサ３１の端子電
圧Ｖ_c1が角度θ_２よりも位相が進んだ位置θ_yで
第１の基準電圧Ｖ_r1以下になるようになり、第２
図Ｆに示すようにこのθ_yの位置で第１の比較回
路４３の出力端子４３ａが高電位になる。このθ
_yの位置は機関の回転数の上昇に伴つて進んでい
く。本実施例においては、回転数Ｎが設定値N₃
（＞N₂）に達したときに、このθ_yの位置が角度θ
_１の位置に一致するように設定されている。

一方第２のコンデンサ３２の端子電圧Ｖ_c2は、
上死点前角度θ_xの位置で第２の基準電圧Ｖ_r2以
上になり、第２図Ｈに示すようにこのθ_xの位置
で第２の比較回路４９の出力端子４９ａが高電位
になる。このθ_xの位置は機関の回転数の上昇に
伴つて上死点TDC側へと遅れていく。本実施例
では、回転数Ｎが設定値N₄（＞N₃）に達したとき
にθ_xの位置が角度θ_１の位置に一致し、回転数
Ｎが設定値N₅（＞N₄）に達したときにθ_xの位置
が角度θ_２の位置に一致するようになつている。

上記のように設定されているため、機関の回転
数ＮがN₂≦Ｎ≦N₃の範囲にある中高速領域で
は、角度θ_yの位置で電源回路１５側から抵抗２
５及びダイオード２６を通してサイリスタ３に制
御信号が与えられる条件が成立し、この角度θ_y
の位置で点火動作が行なわれる。このθ_yの位置
は回転数の上昇に伴つて進んでいき、設定回転数
N₃に達すると上死点前角度θ_１の位置に達す
る。回転数が更に上昇するとθ_yの位置は更に進
んでいくが、角度θ_１の位置よりも進んだ位置で
はトランジスタ２７が導通しているため、サイリ
スタ３には制御信号が与えられない。したがつて
点火位置は角度θ_１の位置までしか進まず、設定
回転数N₃からN₄までの間はこの角度θ_１の位置
で点火が行なわれる。機関の回転数が設定値N₄
に達すると、第２の比較回路４９の出力端子４９
ａが高電位に立上る位置θ_xがθ_１に一致し、更
に回転数が上昇するとθ_xの位置が上死点側へと
更に遅れていくため、電源回路１５側からサイリ
スタ３に制御信号が与えられる条件が成立する位
置はこのθ_xの位置となり、この位置で点火動作
が行なわれるようになる。したがつて設定回転数
N₄からN₅までの領域では点火位置が回転数の上
昇に伴つて遅れていく。回転数が設定回転数N₅
以上になつてθ_xの位置が上死点前角度θ_２の位
置より更に上死点側に寄つた位置になると、θ_x
の位置で電源回路１５側から制御信号が与えられ
るよりも前に角度θ_２の位置で信号コイル２３の
正方向信号ｅ_s2によりサイリスタ３に制御信号が
与えられるようになる。したがつて設定回転数
N₅以上の領域での点火位置はθ_２の位置に固定
される。以上の動作により、第３図に示すような
進角・遅角特性が得られる。

上記の実施例において、最大進角位置θ_１は信
号コイル２３の負方向信号ｅ_s1の立上り位置で定
まるため、信号発電機の磁極構造及びその取付位
置を適宜に設定することにより、最大進角位置θ
_１を容易に所望の位置に設定することができる。
そして信号発電機の構造さえ一定にしておけば、
この最大進角位置θ_１は不変であり、従来のよう
に発電機の特性によつて最大進角位置がばらつく
といつた不都合が生じることがない。しかも機関
の高速領域においては点火位置を遅らせることな
く最大進角位置に保持することができる。更に、
遅角が終了した時点での点火位置（最大遅角位
置）θ_１も、信号コイルの正方向信号の立上り位
置で定まるため、最大遅角位置も一定に保つこと
ができ、点火位置が遅れ過ぎるのを防ぐことがで
きる。また低速領域での点火位置の変動幅も小さ
く抑えることができるので機関の始動性を良好に
することができる。更に第１及び第２のコンデン
サの充電時定数及び第１及び第２の基準電圧のレ
ベルを適宜に設定することにより各設定回転数を
容易に調整することができる。

上記実施例においては、サイリスタ（１次電流
制御用スイツチ）に制御信号を与える電源及び第
１及び第２のコンデンサを充電する電源としてエ
キサイタコイルの負方向出力を利用した電源回路
１５を用いたが、これらの電源としてバツテリを
用いることもできる。

上記実施例では、第２の基準電圧を第１の基準
電圧より低く設定しているが、第１のコンデンサ
の端子電圧よりも第２のコンデンサの端子電圧を
高く設定した場合には、第２の基準電圧を第１の
基準電圧に等しくするかまたは第１の基準電圧よ
り高くすることができる。

以上のように、本発明によれば、進角遅角特性
の調整を容易に行なうことができる上に、低速時
の点火位置の変動を少なくして機関の始動性を良
好にすることができる。また高速領域における所
定の領域で点火位置を最大進角位置に固定できる
ので機関を安定に動作させてその性能を最大に発
揮させることができる。更に遅角領域における最
大遅角量を一定に保つことができるので、点火位
置が遅れ過ぎて機関の動作が不安定になるのを防
ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す接続図、第２図
Ａ乃至Ｈは第１図の各部の信号波形図、第３図は
第１図の実施例により得られる進角遅角特性の一
例を示す線図である。 １……点火コイル、３……サイリスタ、５……
点火回路、６……エキサイタコイル、１５……電
源回路、２３……信号コイル、２７……トランジ
スタ、３１……第１のコンデンサ、３２……第２
のコンデンサ、３５，３６，４４……FET、３
８……トランジスタ、４２，４８……ツエナーダ
イオード、４３……第１の比較回路、４９……第
２の比較回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 機関の点火位置で与えられる制御信号により
   動作する１次電流制御用スイツチにより点火コイ
   ルの１次電流を制御して点火動作を行なわせる内
   燃機関用無接点点火装置において、前記内燃機関
   の１回転当り１サイクルの信号を発生し後から発
   生する半サイクルの信号を前記１次電流制御用ス
   イツチに前記制御信号として与えるように設けら
   れた信号コイルと、前記信号コイルにより与えら
   れる制御信号とは別個に前記１次電流制御用スイ
   ツチに制御信号を与える信号供給回路と、導通し
   た際に前記信号供給回路から与えられる前記制御
   信号を前記１次電流制御用スイツチから側路する
   ように設けられ前記信号コイルの先に発生する半
   サイクルの信号により遮断状態に保持されるよう
   に該信号コイルに結合された信号供給制御用半導
   体スイツチと、一定の時定数で定電流充電される
   第１及び第２のコンデンサと、前記信号コイルの
   出力の先の半サイクルの期間前記第１のコンデン
   サを一定の時定数で放電させる放電回路と、前記
   信号コイルの後から発生する半サイクルの信号の
   立上りで前記第１及び第２のコンデンサを放電さ
   せるリセツト回路と、前記第１のコンデンサの端
   子電圧を第１の基準電圧と比較して該第１のコン
   デンサの端子電圧が該第１の基準電圧より高いと
   きに前記信号供給回路から前記制御信号が与えら
   れるのを阻止し該第１のコンデンサの端子電圧が
   該第１の基準電圧以下になつたときに前記信号供
   給回路から前記制御信号が与えられるのを許容す
   る第１の比較回路と、前記第２のコンデンサの端
   子電圧を第２の基準電圧と比較して該第２のコン
   デンサの端子電圧が該第２の基準電圧より低いと
   きに前記信号供給回路から前記制御信号が与えら
   れるのを阻止し該第２のコンデンサの端子電圧が
   該第２の基準電圧以上になつたときに前記信号供
   給回路から前記制御信号が与えられるのを許容す
   る第２の比較回路とを具備したことを特徴とする
   内燃機関用無接点点火装置。