JPS6324149B2

JPS6324149B2 -

Info

Publication number: JPS6324149B2
Application number: JP57048263A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Yamada; Tatsuo Kobayashi
Original assignee: Kokusan Denki Co Ltd
Current assignee: Mahle Electric Drive Systems Co Ltd
Priority date: 1982-03-26
Filing date: 1982-03-26
Publication date: 1988-05-19
Also published as: JPS58165571A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、機関の点火位置で与えられる制御信
号により動作する１次電流制御用スイツチにより
点火コイルの１次電流を制御して点火動作を行な
わせる内燃機関用無接点点火装置に関するもので
ある。

一般に内燃機関においては、低速領域で点火位
置を一定とし、中高速領域で点火位置を進ませる
ことが必要とされるが、機関によつては所期の特
性を得るために高速領域の設定回転数（rpm）以
上で点火位置を遅らせることが要求されることが
あり、機関の過回転を防止するために高速領域に
おいて点火位置を遅らせることがある。本発明者
は先に、内燃機関の回転に同期して１回転当り少
なくとも１サイクルの信号を発生する信号コイル
を設けて、この信号コイルの後から発生する半サ
イクルの信号で低速時における点火位置と高速領
域での最終遅角位置とを定め、先に発生する半サ
イクルの信号の立上りで最大進角位置を定めるよ
うにした電子制御式の内燃機関無接点点火装置を
提案した。この点火装置では、上記信号コイルと
は別個に点火位置を定めるための制御信号を供給
する信号供給回路と、上記信号コイルの先に発生
する半サイクルの区間しや断状態を保持して上記
信号供給回路から制御信号が供給されるのを許容
しこれ以外の区間は導通状態を保持して上記信号
供給回路からの制御信号の供給を阻止する信号供
給制御用トランジスタスイツチと、信号供給回路
から制御信号が供給される位置（点火位置）を機
関の回転数に応じて変化させるべく該制御信号の
供給に更に条件を与える制御回路とを備えてお
り、機関の中高速領域で点火位置をトランジスタ
スイツチがしや断している区間（信号コイルの先
に発生する半サイクルの区間）の終点から始点ま
で進角させ、設定回転数以上の高速領域で点火位
置を該トランジスタスイツチのしや断区間の始点
から終点まで遅角させるようになつている。そし
てこの点火装置では信号供給制御用トランジスタ
をしや断させるためにそのベースエミツタ間に並
列にダイオードを接続し、信号コイルの先に発生
する半サイクルの信号をこのダイオードで短絡す
ることにより該ダイオードに順方向電圧降下を生
じさせて、この電圧降下によりトランジスタのベ
ースエミツタ間を逆バイアスする構成をとつてい
る。ところが、このような構成では信号コイルの
先に発生する半サイクルで該信号コイルを通して
大きな短絡電流が流れるため信号発電機で大きな
電機子反作用が生じ、信号コイルの後から発生す
る半サイクル信号の立上りが遅れるのを避けられ
ない。そのため、上記点火装置では機関の高速領
域において点火位置が遅れ過ぎる傾向があり、こ
れが機関の高速時の動作を不安定にすることがあ
つた。

本発明の目的は、高速領域において点火位置が
遅れ過ぎるのを防止した電子制御式の内燃機関無
接点点火装置を提供することにある。

第１図は、本発明の一実施例を示したもので、
同図において１は一端が接地された１次コイル１
ａ及び２次コイル１ｂを有する点火コイル、２は
１次コイル１ａに対して直列に接続されたコンデ
ンサ、３はコンデンサ２と１次コイル１ａの直列
回路に対して並列に接続された１次電流制御用ス
イツチとしてのサイリスタ、４はサイリスタ３の
ゲートカソード間に接続された抵抗、Ｐは２次コ
イル１ｂに負荷された点火プラグであり、これら
によりコンデンサ放電式の点火回路５が構成され
ている。この点火回路に点火エネルギを与えるた
め機関により駆動される磁石発電機内にエキサイ
タコイル６が配置され、このエキサイタコイル６
の一端はコンデンサ２とサイリスタ３のアノード
との接続点にカソードを接続したダイオード７の
アノードに接続され、エキサイタコイル６の他端
はアノードを接地したダイオード８のカソードに
接続されている。エキサイタコイル６及びダイオ
ード８の直列回路の両端にはアノードを接地した
ダイオード９が並列に接続され、ダイオード８の
両端にはカソードを接地したサイリスタ１０が並
列に接続されている。サイリスタ１０のアノード
ゲート間にはツエナーダイオード１１がそのアノ
ードをサイリスタのゲート側にして並列接続さ
れ、ゲートカソード間には抵抗１２が並列接続さ
れている。またサイリスタ１０のアノードにダイ
オード１３のアノードが接続され、ダイオード１
３のカソードと接地間に十分大きな容量を有する
電源用コンデンサ１４が接続されている。エキサ
イタコイル６、ダイオード８及び９、サイリスタ
１０、ツエナーダイオード１１、抵抗１２、ダイ
オード１３及びコンデンサ１４により電源回路１
５が構成されている。

上記電源回路のエキサイタコイル６が図示の実
線矢印方向の出力を発生すると、ダイオード７を
通してコンデンサ２が図示の極性に充電される。
次いでサイリスタ３のゲートに制御信号が与えら
れるとこのサイリスタ３が導通し、コンデンサ２
の電荷がサイリスタ３及び１次コイル１ａを通し
て放電する。この放電は極めて短時間に行われる
ため点火コイル１の１次コイルに急激に電流が流
れ込んで点火コイルの鉄心中に大きな磁束変化が
生じ、これにより２次コイル１ｂに高電圧が誘起
して点火プラグＰに火花が生じる。したがつて上
記点火回路５においてはサイリスタ３に制御信号
を与える位置を制御することにより点火位置を制
御することができる。尚本発明で用いる点火回路
５は１次電流制御用スイツチの動作により点火コ
イル１の１次電流を急変させて点火動作を行なわ
せるものであればよく、電流遮断形の点火回路等
他の形式の点火回路を用いてもよい。

上記電源回路１５においてエキサイタコイル６
に図示の破線矢印方向の電圧が誘起する半サイク
ルにおいては、ダイオード１３を通して電源用コ
ンデンサ１４が図示の極性に充電される。エキサ
イタコイル６の破線矢印方向の出力が或一定値に
達するとツエナーダイオード１１が導通してサイ
リスタ１０が導通し、エキサイタコイル６の出力
をコンデンサ１４から側路する。したがつてコン
デンサ１４は常に一定の電圧まで充電され、この
コンデンサが後記する制御回路の電源として用い
られる。

点火位置を機関の回転数（rpm）に応じて制御
するため、点火位置制御回路２０が設けられてい
る。この制御回路は機関と同期回転する信号発電
機内に設けられた信号コイル２３を備え、この信
号コイル２３は機関の１点火サイクル当り１次サ
イクルの信号e_S（第２図Ｃ参照）を出力する。本
実施例では機関が１回転する間に信号コイル２３
が先ず上死点TDCより角度θ₁だけ前の位置で図
示の破線矢印方向（以下この半サイクルを負の半
サイクルとする。）の信号e_S1を発生し、次いで上
死点前角度θ₂の位置で図示の実線矢印方向（以下
この半サイクルを正の半サイクルとする。）の信
号e_S2を発生する。この信号コイルの一端はアノ
ードが接地されたダイオード２４のカソードに接
続され、他端はダイオード２５を通して前記サイ
リスタ３のゲートに接続されている。ここでダイ
オード２５はそのカソードがサイリスタ３のカソ
ード側に位置する向きに設けられ、信号コイル２
３の後から発生する正の半サイクルの信号e_S2が
ダイオード２５を通してサイリスタ３のゲートに
制御信号として与えられるようになつている。

一方前記電源用コンデンサ１４の非接地側の端
子に抵抗２６の一端が接続され、抵抗２６の他端
２６ａがダイオード２５と該ダイオードと同方向
のダイオード２７とを通してサイリスタ３のゲー
トに接続されている。抵抗２６及びダイオード２
７は信号コイル２３とは別個にサイリスタ３に制
御信号を与える信号供給回路を構成するもので、
後記する所定の条件が満たされたときに電源回路
１５側から抵抗２６及びダイオード２５，２７を
通してサイリスタ３に制御信号が与えられるよう
になつている。

上記抵抗２６の他端２６ａにはエミツタを接地
した信号供給制御用トランジスタスイツチとして
のトランジスタ２８のコレクタが接続され、トラ
ンジスタ２８のベースは抵抗２９を通して電源用
コンデンサ１４の非接地側端子に接続されるとと
もに、コレクタを接地したベース電流側路用半導
体スイツチとしてのトランジスタ３０のエミツタ
に接続されている。前記信号コイル２３のダイオ
ード２５側の端子と接地間にはアノードを接地側
にしてダイオード３１が並列接続され、信号コイ
ル２３とダイオード２４との接続点がダイオード
３２を介して信号電圧比較回路３３のマイナス側
端子に接続されている。信号電圧比較回路３３の
マイナス端子はまた抵抗３４を通して接地され、
この比較回路のプラス側端子はアノードを接地し
たツエナーダイオード３５のカソードに接続され
て、ツエナーダイオード３５のカソードは抵抗３
６を介して電源用コンデンサ１４の非接地側端子
に接続されている。比較回路３３の電源端子には
コンデンサ１４の両端の電圧が印加され、この比
較回路３３の出力端子３３ａがトランジスタ３０
のベースに接続されている。比較回路３３は、信
号コイル２３の先に発生する図示の破線矢印方向
の信号電圧e_S1をツエナーダイオード３５の両端
に得られる基準信号電圧V_r0と比較し、この比較
回路の出力端子３３ａの電位は、信号電圧e_S1が
基準信号電圧V_r0以上になつているθ₁′〜θ₂′の区間
第２図Ｄに示すように低レベルに（接地電位）な
り、これ以外の区間は高レベルになる。比較回路
３３の出力端子３３ａが接地電位にあるθ₁′〜
θ₂′の区間はトランジスタ３０にベース電流が流
れるためこのトランジスタ３０が導通してトラン
ジスタ２８のベース電流を側路し、このトランジ
スタ２８を遮断させる。したがつて信号供給制御
用のトランジスタ２８のコレクタの電位は第２図
Ｅに示すようにθ₁′〜θ₂′の区間高レベルになる。
ツエナーダイオード３５の両端に得られる基準信
号電圧（ツエナーレベル）V_r0を十分低くし信号
電圧e_S1の立上りを早くしておけば、このθ₁′〜
θ₂′の区間は、信号コイル２３の先に発生する半
サイクルの区間θ₁〜θ₂に略等しくなる。信号供給
制御用トランジスタ２８が遮断している区間
θ₁′〜θ₂′においては、信号供給回路を構成する抵
抗２６を通して電源回路１５側から与えられる制
御信号のサイリスタ３への供給が許容される。こ
れ以外の区間はトランジスタ２８が導通している
ため、電源回路１５側から抵抗２６を通して与え
られる制御信号はすべてこのトランジスタ２８に
よりサイリスタ３から側路される。

上記のようにトランジスタ２８が遮断状態にな
る期間（信号コイル２３が負の半サイクルの信号
を発生する期間に略等しい。）は抵抗２６及びダ
イオード２７，２５を通してサイリスタ３に制御
信号を与え得る状態になるが、この制御信号の供
給に更に条件を与えて進角特性及び遅角特性をも
たせるため、第１のコンデンサ（進角制御用コン
デンサ）４１及び第２のコンデンサ（遅角制御用
コンデンサ）４２の充放電を利用して制御信号の
供給位置を制御する回路が設けられる。即ち、第
１のコンデンサ４１の一端は接地され、第１のコ
ンデンサ４１の他端はダイオード４３のカソード
に接続されている。ダイオード４３のアノードは
抵抗器４４を通して電界効果トランジスタ（以下
FETという。）４５のソースに接続され、FET４
５のドレインは電源用コンデンサ１４の非接地側
端子に接続されている。FET４５のゲートはダ
イオード４３のアノードに接続され、FET４５
及び抵抗器４４により定電流回路２０Ａが構成さ
れている。ダイオード４３のカソードにはまた
FET４６のドレインが接続され、FET４６のソ
ースは抵抗器４７を通してトランジスタ４８のコ
レクタに接続されている。FET４６のゲートは
抵抗器４７とトランジスタ４８のコレクタとの接
続点に接続され、これらFET４６及び抵抗器４
７により定電流回路２０Ｂが構成されている。ト
ランジスタ４８のコレクタはまたダイオード４３
のアノードに接続され、エミツタは接地されてい
る。前記トランンジスタ２８のコレクタエミツタ
間に抵抗４９及び５０の直列回路が並列接続さ
れ、抵抗４９及び５０の接続点にトランジスタ４
８のベースが接続されている。トランジスタ４８
はトランジスタ２８が遮断状態になつたときに抵
抗２６及び４９を通してベース電流が与えられて
導通状態になり、トランジスタ２８が導通したと
きに遮断状態になる。第１のコンデンサ４１は電
源回路１５によりFET４５、抵抗器４４及びダ
イオード４３を通して図示の極性に定電流充電さ
れる。またトランジスタ２８が遮断してトランジ
スタ４８が導通すると第１のコンデンサ４１が
FET４６、抵抗器４７及びトランジスタ４８を
通して定電流で放電する。この放電の際に電源回
路１５からFET４５及び抵抗器４４を通して供
給される電流はトランジスタ４８を通して第１の
コンデンサ４１から側路されるため、第１のコン
デンサ４１の放電には影響を与えない。FET４
６、抵抗器４７及びトランジスタ４８により第１
のコンデンサ４１の放電回路が構成されている。

また電源用コンデンサ１４の両端に抵抗５１と
ツエナーダイオード５２との直列回路からなる基
準電圧発生回路２０Ｅが並列接続され、ツエナー
ダイオード５２の両端に基準電圧V_r1が得られる
ようになつている。この基準電圧は第１のコンデ
ンサ４１の端子電圧V_c1とともに第１の比較回路
５３に入力されて両電圧が比較され、第１の比較
回路５３の出力端子５３ａは、第１のコンデンサ
４１の端子電圧V_c1が基準電圧V_r1より大きいと
きに接地電圧になり、第１のコンデンサ４１の端
子電圧V_c1が基準電圧V_r1以下になつたとき高電
位になる。この第１の比較回路５３の出力端子５
３ａはダイオード２７のアノードに接続されてい
て、この比較回路の出力端子５３ａが接地電位に
あるときにサイリスタ３への制御信号の供給が阻
止され、出力端子５３ａが高電位になつたときに
サイリスタ３への制御信号の供給が許容されるよ
うになつてる。

また第２のコンデンサ４２もFET５４及び抵
抗器５５からなる定電流回路２０Ｃとダイオード
５６とを通して電源用コンデンサ１４の非接地側
端子に接続され、電源回路１５の出力により定電
流充電されるようになつている。ツエナーダイオ
ード５２の両端に得られる基準電圧V_r1が第２の
コンデンサ４２の端子電圧V_c2とともに第２の比
較回路５９に入力されている。第２の比較回路５
９の出力端子５９ａは第２のコンデンサ４２の端
子電圧V_c2が基準電圧V_r1より小さいときに接地
電位になり、第２のコンデンサの端子電圧V_c2が
基準電圧V_r1以上になつたときに高電位になる。
この比較回路５９の出力端子５９ａもダイオード
２７のアノードに接続され、出力端子５９ａが高
電位になつたときにサイリスタ３への制御信号の
供給が許容されるようになつている。

上記実施例において１次電流制御用スイツチと
してのサイリスタ３に制御信号が与えられるのは
次のいずれかの場合である。

(イ) 信号コイル２３に正の半サイクルの信号が誘
起したとき。

(ロ) トランジスタ２８が遮断状態にあり、しかも
第１の比較回路５３の出力端子５３ａ及び第２
の比較回路５９の出力端子５９ａが高電位にあ
るとき。

第１及び第２のコンデンサ４１及び４２の電荷
を瞬時に放電させて両コンデンサをリセツトする
ため、カソードを接地したサイリスタ６０が設け
られ、このサイリスタ６０のアノードはダイオー
ド６１及び６２を通して第１及び第２のコンデン
サ４１及び４２の非接地側端子に接続されてい
る。またサイリスタ６０のゲートは信号コイル２
３の両端に並列接続された抵抗６３，６４からな
る分圧回路の分圧点に接続され、サイリスタ６
０、ダイオード６１，６２及び抵抗６３，６４に
よりリセツト回路２０Ｄが構成されている。尚サ
イリスタ６０に代えてトランジスタをスイツチン
グ素子として用いることもできる。

次に第２図Ａ乃至Ｉの信号波形図によつて第１
図の実施例の動作を説明する。今エキサイタコイ
ル６が配置されている磁石発電機が４極に構成さ
れていて機関の出力軸に直結されているとする
と、エキサイタコイル６には第２図Ａに示すよう
に１回転当り２サイクルの交流電圧V_eが誘起す
る。この電圧の負の半サイクルは、本来は図に破
線で示した波形であるが、上記実施例では負の半
サイクルの電圧がツエナーダイオード１１を導通
させるレベルに達したときにサイリスタ１０が導
通して該電圧を短絡するので、図に実線で示した
ように或一定の電圧に制限された波形になる。機
関の上死点TDCよりも角度θ₀だけ前の位置でエ
キサイタコイル６の正の半サイクルの電圧が立上
るとダイオード７を通してコンデンサ２が図示の
極性に充電され、その端子電圧V_cは第２図Ｂに
示すように変化する。信号コイル２３は、エキサ
イタコイル６の２回目の正方向出力の立下り付近
に設定された上死点前角度θ₁の位置で負方向信号
e_S1を発生し、次いで上死点前角度θ₂の位置で正
方向信号e_S2を発生する。機関の回転数Ｎ（rpm）
がアイドリング回転数N₁から設定値N₂（＞N₁）
までの間にある低速領域では、信号コイル２３か
ら出力される負方向信号e_S1が基準信号電圧V_r0に
しないため、トランジスタ３０が遮断状態にあ
り、トランジスタ２８は導通状態にある。したが
つて機関の低速領域では、電源回路１５側から抵
抗２６及びダイオード２７，２５を通してサイリ
スタ３に制御信号が与えられることはなく、電源
回路から抵抗２６を通して与えられる電流はすべ
てトランジスタ２８を通してサイリスタ３から側
路される。次に角度θ₂で発生する信号コイル２３
の正方向信号e_S2が上死点前角度θ₃の位置でピー
クに達し、このピーク値がサイリスタ３のゲート
トリガレベルに達していると、サイリスタ３が導
通する。このときコンデンサ２の電荷がサイリス
タ３及び１次コイル１ａを通して放電し、点火動
作が行なわれる。信号コイル２３の正方向信号
e_S2は機関の回転数がN₁からN₂へと上昇していく
に従つて増大していくため、正方向信号e_S2がサ
イリスタ３のトリガレベルに達する位相は第３図
に示すように回転数の上昇に伴つて僅かずつ進ん
でいく。信号コイル２３の正方向信号e_S2の信号
幅を狭くしておけば、この低速領域における点火
位置の変動幅は僅かである。

機関の回転数Ｎが設定値N₂に達すると、信号
コイル２３の負方向信号e_S1が基準信号電圧V_rpに
達するため信号電圧比較回路３３の出力端子３３
ａが接地電位になつてトランジスタ３０が導通
し、トランジスタ２８が遮断する。このときトラ
ンジスタ２８のコレクタエミツタ間電圧は第２図
Ｅのように変化する。

一方第１のコンデンサ４１は、電源回路１５に
よりFET４５を通して定電流で充電され、正方
向信号e_S2の立上りでサイリスタ６０の導通によ
り瞬時に略零まで放電する動作を繰り返してい
る。上記のように回転数が設定値N₂に達してト
ランジスタ２８が遮断すると、トランジスタ４８
が導通するため、第１のコンデンサ４１がFET
４６を通して定電流で放電する。したがつて回転
数N₂以上の領域での第１のコンデンサ４１の端
子電圧V_c1の波形は第２図Ｆに示すように、角度
θ₂′の位置から一定の傾斜で上昇した後θ₁′から
θ₂′までの間一定の傾斜で下降し、充電開始位置
θ₂′から丁度360゜回転した位置に相当する次の角度
θ₂′で零に戻る波形の繰り返しになる。一方第２
のコンデンサ４２は電源回路１５からFET５４、
抵抗器５５及びダイオード５６を通して供給され
る定電流で充電され、角度θ₂′でサイリスタ６０
が導通すると瞬時に放電する。したがつて第２の
コンデンサ４２の端子電圧は、第２図Ｈに示すよ
うに、角度θ₂′の位置から一定の勾配で上昇して
次の角度θ₂′で零に戻る波形になる。

機関の回転数Ｎが設定値N₂を超えると、第１
のコンデンサ４１の端子電圧V_c1が角度θ₂′よりも
位相が進んだ位置θ_yで基準電圧V_r1以下になるよ
うになり、第２図Ｇに示すようにこのθ_yの位置で
第１の比較回路５３の出力端子５３ａが高電位に
なる。このθ_yの位置は機関の回転数の上昇に伴つ
て進んでいく。本実施例においては、回転数Ｎが
設定値N₃（＞N₂）に達したときに、このθ_yの位置
が角度θ₁′の位置に一致するように設定されてい
る。

一方第２のコンデンサ３２の端子電圧V_c2は、
上死点前角度θ_xの位置で基準電圧V_r1以上になり、
第２図Ｉに示すようにこのθ_xの位置で第２の比較
回路５９の出力端子５９ａが高電位になる。機関
の回転数の上昇に伴つて１回転に要する時間が短
くなり、コンデンサ５２の充電電圧が低下してい
くため、このθ_xの位置は機関の回転数の上昇に伴
つて上死点TDC側へと遅れていく。本実施例で
は、回転数Ｎが設定値N₄（＞N₃）に達したとき
にθ_xの位置が角度θ₁′の位置に一致し、回転数Ｎ
が設定値N₂（＞N₄）達したときにθ_xの位置が角度
θ₂′の位置に一致するようになつている。

上記のように設定されているため、機関の回転
数ＮがN₂≦Ｎ≦N₃の範囲にある中高速領域で
は、角度θ_yの位置で電源回路１５側から抵抗２６
及びダイオード２７，２５を通してサイリスタ３
に制御信号が与えられる条件が成立し、この角度
θ_yの位置で点火動作が行なわれる。このθ_yの位置
は回転数の上昇に伴つて進んでいき、設定回転数
N₃に達すると上死点前角度θ₁′の位置に達する。
回転数が更に上昇するとθyの位置は更に進んで
いくが、角度θ₁′の位置よりも進んだ位置ではト
ランジスタ２８が導通しているため、サイリスタ
３に信号供給回路側から制御信号が与えられるこ
とはない。したがつて点火位置は角度θ₁′の位置
までしか進まず、設定回転数N₃からN₄までの間
はこの角度θ₁′の位置で点火が行なわれる。機関
の回転数が設定値Ｎ４に達すると、第２の比較回
路５９の出力端子５９ａが高電位に立上る位置θ_x
がθ₁′に一致し、更に回転数が上昇するとθ_x′の位
置が上死点側へと更に遅れていくため、電源回路
１５側からサイリスタ３に制御信号が与えられる
条件が成立する位置はこのθ_xの位置となり、この
位置で点火動作が行なわれるようになる。したが
つて設定回路N₄からN₅までの領域では点火位置
が回転数の上昇に伴つて遅れていく。回転数が設
定回転数N₅以上になつてθ_xの位置が上死点前角
度θ₂′の位置より更に上死点側に寄つた位置にな
ると、θ_xの位置で電源回路１５側から制御信号が
与えられるよりも前に角度θ₂′の位置で信号コイ
ル２３の正方向信号e_S2によりサイリスタ３に制
御信御が与えられるようになる。したがつて設定
回転数N₅以上の領域での点火位置はθ₂′の位置に
固定される。以上の動作により、第３図に示すよ
うな進角・遅角特性が得られる。

上記の実施例において、最大進角位置θ₁′は、
信号コイル２３の負方向信号e_S1の立上り位置で
定まるため、信号発電機の磁極構造及びその取付
位置を適宜に設定することにより、最大進角位置
θ₁を容易に所望の位置に設定することができる。
そして信号発電機の構造さえ一定しておけば、こ
の最大進角位置θ₁′は不変であり、従来のように
発電機の特性によつて最大進角位置がばらつくと
いつた不都合を生じることがない。しかも機関の
高速領域においては点火位置を遅らせることなく
最大進角位置に保持することができる。更に、遅
角が終了した時点での点火位置（最大遅角位置）
θ₂′は、信号コイルの正方向信号e_S2の立上り位置
で定まるが、本発明においては、信号コイル２３
が負方向出力e_S1を発生している区間を検出する
信号電圧比較回路３３を設けての信号電圧比較回
路により信号供給制御用トランジスタ２８をしや
断させるようにしたので、信号コイルの負の半サ
イクルにおいて信号コイルに殆んど電流を流さな
いようにすることができ、したがつて信号発電機
に大きな電機子反作用が生じるのを防いで、信号
コイルの正方向信号e_S2の立上り位置を一定にす
ることができる。信号発電機に大きな電機子反作
用が生じた場合、正方向信号e_S2の立上り位置が
遅れるため、第４図に示すように最大遅角位置が
θ₂′よりも更に遅れた位置に移動する傾向になる
が、本発明によればこのようなことはなく、第３
図に示すように最大遅角位置を一定の位置θ₁′に
固定することができる。

上記実施例において、各設定回転数は、第１及
び第２のコンデンサの充電時定数及び基準電圧
V_r1のレベルを適宜に設定することにより容易に
調整することができる。

上記の実施例では、信号コイル２３の先に発生
する半サイクルの信号e_S1を電圧比較器３３で基
準電圧比と比較して、信号e_S1が所定レベル以上
になつている期間ベース電流側路用半導体スイツ
チとしてのトランジスタ３０を導通させてこのト
ランジスタによりトランジスタ２８のベース電流
を側路するようにしたが、第５図に示すように、
電圧比較器３３の出力端子３３ａを直接トランジ
スタ２８のベースに接続して、電圧比較回路３３
内の終段に設けられている半導体スイツチ（例え
ばトランジスタ）３３ｂをベース電流側路用スイ
ツチとして用いても上記実施例と全く同様の動作
を行なわせることができる。また、電圧比較器３
３を用いることなく、第６図に示すように、トラ
ンジスタ２８のベースエミツタ間にコレクタエミ
ツタ間回路を並列接続したトランジスタ（ベース
電流側路用半導体スイツチ）３０のベースに抵抗
６５を通して信号コイル２３からベース電流を供
給するようにしてもよい。この場合も信号コイル
２３の先に発生する半サイクルの信号e_S1が所定
レベルに達したときにトランジスタ３０ぎ導通し
て、トランジスタ２８のベース電流を該トランジ
スタ２８から側路し、トランジスタ２８をしや断
させる。信号コイル２３からトランジスタ３０に
供給されるベース電流は十分小さいので、信号発
電機の電機子反作用を小さくすることができ、信
号コイル２３の後から発生する半サイクルの信号
e_S2の立上りが遅れるのを防止できる。要するに
本発明おいては、信号コイル２３の負の半サイク
ルの信号で直接信号供給制御用トランジスタスイ
ツチをしや断させるのではなく、ベース電流側路
用半導体スイツチを特に設けてこのスイツチによ
り信号供給制御用トランジスタスイツチをしや断
状態にする。一般に半導体スイツチをトリガする
ために必要な信号電流は僅かであるので、このよ
うに構成すれば、信号コイルの先に発生する半サ
イクルおいて信号コイルが短絡状態になることは
なく、したがつて信号発電機の電機子反作用を低
く抑えることができる。

上記実施例では、第１及び第２の電圧比較回路
５３及び５９における基準電圧を等しくしている
が、両比較回路の基準電圧を異ならせることもで
きる。

上記の実施例では進角特性と遅角特性との双方
を得るようにしているが、本発明は遅角特性を
種々調整し得るようにすることを主な目的とする
ものであるので、進角特性を得る回路を設けない
場合も本発明の範囲に包含される。

上記の各実施例はあくまでも本発明の各部の一
構成例を示したもので、定電流回路、コンデンサ
充電調整回路、リセツト回路等の各部は同等の機
能を有する他の回路構成のもので置き換えること
ができる。また信号コイルに１回転当り複数サイ
クルの信号を誘起させて多気筒用点火装置を構成
することもできる。

上記の実施例においては、サイリスタ（１次電
流御用スイツチ）に制御信号を与える電源と第１
及び第２のンデンサを充電する電源としてエキサ
イタコイルの負方向出力を利用した電源回路１５
を用いたが、これらの電源としてバツテリを用い
ることもできる。

以上のように、本発明によれば、信号コイルに
大きな短絡電流を流すことなしに信号供給制御用
トランジスタスイツチをしや断状態に保つように
して、最大遅角位置を定める信号の立上り位置の
変動を防止したので、最大遅角量を一定に保つこ
とができ、点火位置が遅れ過ぎて機関の動作が不
安定になるのを防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す接続図、第２図
Ａ乃至Ｉは第１図の各部の信号波形図、第３図は
第１図の実施例により得られる進角遅角特性の一
例を示す線図、第４図は従来の装置により得られ
る進角特性を示す線図、第５図及び第６図はそれ
ぞれ本発明の要部の変形例を示す接続図である。１……点火コイル、３……サイリスタ（１次電
流制御用スイツチ）、５……点火回路、６……エ
キサイタコイル、１５……電源回路、２３……信
号コイル、２８……信号供給制御用トランジス
タ、３０……トランジスタ（ベース電流側路用半
導体スイツチ）、３３……信号電圧比較回路、３
５……ツエナーダイオード、４１……第１のコン
デンサ、４２……第２のコンデンサ、４５，４
６，５４……FET、４８……トランジスタ、５
２……ツエナーダイオード、５３……第１の電圧
比較回路、５９……第２の電圧比較回路。

Claims

【特許請求の範囲】

１機関の点火位置で与えられる制御信号により
動作する１次電流制御用スイツチにより点火コイ
ルの１次電流を制御して点火動作を行なわせる内
燃機関用無接点点火装置において、前記内燃機関
の１点火サイクル当り１サイクルの信号を発生し
後から発生する半サイクルの信号を前記１次電流
制御用スイツチに前記制御信号として与えるよう
に設けられた信号コイルと、前記信号コイルによ
り与えられる制御信号とは別個に前記１次電流制
御用スイツチに制御信号を与える信号供給回路
と、導通した際に前記信号供給回路から与えられ
る前記制御信号を前記１次電流制御用スイツチか
ら側路するように設けられた信号供給制御用トラ
ンジスタスイツチと、前記信号コイルの先に発生
する半サイクルの信号電圧により導通して前記信
号供給制御用トランジスタスイツチのベース電流
を該トランジスタスイツチから側路するベース電
流側路用半導体スイツチと、定電流回路を通して
一方の極性に充電される遅角制御用コンデンサ
と、前記信号コイルの後から発生する半サイクル
の信号の立上りで前記コンデンサを放電させるリ
セツト回路と、前記コンデンサの端子電圧を基準
電圧と比較して該コンデンサの端子電圧が該基準
電圧より低いときに前記信号供給回路から前記制
御信号が与えられるのを阻止し該コンデンサの端
子電圧が該基準電圧以上になつたときに前記信号
供給回路から前記制御信号が与えられるのを許容
する遅角制御用電圧比較回路とを具備したことを
特徴とする内燃機関用無接点点火装置。