JPS6242571A - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6242571A JPS6242571A JP60182046A JP18204685A JPS6242571A JP S6242571 A JPS6242571 A JP S6242571A JP 60182046 A JP60182046 A JP 60182046A JP 18204685 A JP18204685 A JP 18204685A JP S6242571 A JPS6242571 A JP S6242571A
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- JP
- Japan
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- compound semiconductor
- gate metal
- heat
- gate
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は化合物半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
る。
従来の技術
近年、化合物半導体装置は化合物半導体の特長である高
速動作と低消費電力を生かした集積回路を実現できるこ
とから注目されている。化合物半導体基板上に形成した
耐熱ゲート金属をマスクとして選択イオン注入を行ない
、高温で熱処理することによって注入イオンの活性化を
行ない、電界効果トランジスタを形成する所謂セルファ
ラインプロセスが化合物半導体装置の性能をさらに向上
させる技術として関心を集めている。しかしながら、化
合物半導体と耐熱ゲート金属は熱膨張係数が異なるため
に、耐熱ゲート金属を形成した化合物半導体基板に選択
イオン注入を行ない、高温で熱処理すると両者の間に熱
膨張係数の差に起因する応力が発生し、その応力が耐熱
ゲート金属のはく離を誘発して化合物半導体装置の性能
を著しく低下させる原因となっていた。
速動作と低消費電力を生かした集積回路を実現できるこ
とから注目されている。化合物半導体基板上に形成した
耐熱ゲート金属をマスクとして選択イオン注入を行ない
、高温で熱処理することによって注入イオンの活性化を
行ない、電界効果トランジスタを形成する所謂セルファ
ラインプロセスが化合物半導体装置の性能をさらに向上
させる技術として関心を集めている。しかしながら、化
合物半導体と耐熱ゲート金属は熱膨張係数が異なるため
に、耐熱ゲート金属を形成した化合物半導体基板に選択
イオン注入を行ない、高温で熱処理すると両者の間に熱
膨張係数の差に起因する応力が発生し、その応力が耐熱
ゲート金属のはく離を誘発して化合物半導体装置の性能
を著しく低下させる原因となっていた。
以下、図面を参照しながら上述したような従来の化合物
半導体装置の製造方法について説明する。
半導体装置の製造方法について説明する。
第２図は従来の化合物半導体装置の耐熱ゲート金属形成
工程の概念図を示したものである。第２図において、１
は高周波スパッタ装置のペルジャーで容器内部を密閉状
態に保つ働きをする。２はターゲット金属３を保護する
だめのターゲットカバーである。３は砒化ガリウム基板
５上にメンタルタングステンシリサイドゲート金属４を
形成するだめのタンタルタングステンシリサイドターゲ
ットである。４は砒化ガリウム基板６上に被着された砒
化ガリウム基板５との間にンヨットキー接合を形成する
タンタルタングステンシリサイド耐熱ゲート金属である
。６は砒化ガリウム基板５を載せるだめの基板支持皿で
ある。７は基板支持皿６を固定するだめの支持台である
。９は砒化ガリウム基板５を室温に保つだめの基板冷却
用水導管である。
工程の概念図を示したものである。第２図において、１
は高周波スパッタ装置のペルジャーで容器内部を密閉状
態に保つ働きをする。２はターゲット金属３を保護する
だめのターゲットカバーである。３は砒化ガリウム基板
５上にメンタルタングステンシリサイドゲート金属４を
形成するだめのタンタルタングステンシリサイドターゲ
ットである。４は砒化ガリウム基板６上に被着された砒
化ガリウム基板５との間にンヨットキー接合を形成する
タンタルタングステンシリサイド耐熱ゲート金属である
。６は砒化ガリウム基板５を載せるだめの基板支持皿で
ある。７は基板支持皿６を固定するだめの支持台である
。９は砒化ガリウム基板５を室温に保つだめの基板冷却
用水導管である。
以上のように構成された化合物半導体装置の耐熱ゲート
金属形成工程について説明する。
金属形成工程について説明する。
まず、砒化ガリウム基板５を基板支持皿６の上に置く。
基板支持皿ｅを支持台７の上に置き、ターゲット３が砒
化ガリウム基板５の真上に来るように支持皿６を設定す
る。次に、ペルジャー１の内部を高真空にしたのち、基
板冷却用水導管９に水を流して砒化ガリウム基板５を室
温に保つ。最後に、ペルジャー１内にアルゴンガスを導
入して、アルゴンイオンによるプラズマ放電を誘起し、
このプラズマ放電によってターゲット３をスパッタして
、砒化ガリウム基板５上にメンタルタングステンシリサ
イド耐熱ゲート金属４を形成する。
化ガリウム基板５の真上に来るように支持皿６を設定す
る。次に、ペルジャー１の内部を高真空にしたのち、基
板冷却用水導管９に水を流して砒化ガリウム基板５を室
温に保つ。最後に、ペルジャー１内にアルゴンガスを導
入して、アルゴンイオンによるプラズマ放電を誘起し、
このプラズマ放電によってターゲット３をスパッタして
、砒化ガリウム基板５上にメンタルタングステンシリサ
イド耐熱ゲート金属４を形成する。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような構成では形成したタンタル
タングステンシリサイド耐熱ゲート金属４と砒化ガリウ
ム基板５との間に選択イオン注入後の高温熱処理工程に
おいて、熱膨張係数の差による応力が発生するためにタ
ンタルタングステンシリサイド耐熱ゲート金属４のはく
離を生じ、化合物半導体装置の性能を著しく低下させて
しまうという欠点を有していた。
タングステンシリサイド耐熱ゲート金属４と砒化ガリウ
ム基板５との間に選択イオン注入後の高温熱処理工程に
おいて、熱膨張係数の差による応力が発生するためにタ
ンタルタングステンシリサイド耐熱ゲート金属４のはく
離を生じ、化合物半導体装置の性能を著しく低下させて
しまうという欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、メンタルタングステンシリサ
イド耐熱ゲート金属を形成した砒化ガリウム基板を高温
で熱処理してもはく離が生じず、しかも化合物半導体装
置の性能を低下させることがない化合物半導体装置の製
造方法を提供するものである。
イド耐熱ゲート金属を形成した砒化ガリウム基板を高温
で熱処理してもはく離が生じず、しかも化合物半導体装
置の性能を低下させることがない化合物半導体装置の製
造方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の化合物半導体装
置の製造方法は、化合物半導体基板を加熱する工程と加
熱した化合物半導体基板上に耐熱ゲート金属を形成する
工程とから構成されている。
置の製造方法は、化合物半導体基板を加熱する工程と加
熱した化合物半導体基板上に耐熱ゲート金属を形成する
工程とから構成されている。
作用
この構成によって、これまで化合物半導体基板と耐熱ゲ
ート金属との間に生じていた両者の熱膨張係数の差によ
る応力を低減することができ、また耐熱ゲート金属の結
晶性も向上することから化合物半導体基板との密着性が
良くなり、選択イオン注入後の高温熱処理工程において
耐熱ゲート金属のはく離を防止することができ、しかも
化合物半導体装置の性能も向上させることができる。
ート金属との間に生じていた両者の熱膨張係数の差によ
る応力を低減することができ、また耐熱ゲート金属の結
晶性も向上することから化合物半導体基板との密着性が
良くなり、選択イオン注入後の高温熱処理工程において
耐熱ゲート金属のはく離を防止することができ、しかも
化合物半導体装置の性能も向上させることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例における化合物半導体装置の
耐熱ゲート金属形成工程の概念図を示したものである。
耐熱ゲート金属形成工程の概念図を示したものである。
第１図において、１は高周波スパッタ装置のペルジャー
で容器内部を密閉状態に保つ働きをする。２はターゲッ
ト３を保護するだめのターゲットカバーである。３は砒
化ガリウム基板ε上にタンタルタングステンシリサイド
耐熱ゲート金属４を形成するだめのタンタルタングステ
ンシリサイドターゲットである。４は砒化ガリウム基板
６との間にショットキー接合を形成するだめのタンタル
タングステンシリサイドゲート金属である。６は砒化ガ
リウム基板６を載せる基板支持皿である。７は基板支持
皿６を固定するための支持台である。８は砒化ガリウム
基板６を加熱するだめの基板加熱用ヒータである。
で容器内部を密閉状態に保つ働きをする。２はターゲッ
ト３を保護するだめのターゲットカバーである。３は砒
化ガリウム基板ε上にタンタルタングステンシリサイド
耐熱ゲート金属４を形成するだめのタンタルタングステ
ンシリサイドターゲットである。４は砒化ガリウム基板
６との間にショットキー接合を形成するだめのタンタル
タングステンシリサイドゲート金属である。６は砒化ガ
リウム基板６を載せる基板支持皿である。７は基板支持
皿６を固定するための支持台である。８は砒化ガリウム
基板６を加熱するだめの基板加熱用ヒータである。
以上のように構成された化合物半導体装置の耐熱ゲート
金属形成工程について以下その動作を説明する。
金属形成工程について以下その動作を説明する。
まず、砒化ガリウム基板６を基板支持皿６の上に置く。
基板支持皿６を支持台子の上に置き、ターゲット３が砒
化ガリウム基板６の真上に来るように支持皿６を設定す
る。次に、ペルジャー１の内部を高真空にしたのち、基
板加熱用ヒータ８を使って砒化ガリウム基板５を１２０
’Ｃに加熱する。
化ガリウム基板６の真上に来るように支持皿６を設定す
る。次に、ペルジャー１の内部を高真空にしたのち、基
板加熱用ヒータ８を使って砒化ガリウム基板５を１２０
’Ｃに加熱する。
最後に、ペルジャー１内にアルゴンガスを導入してアル
ゴンイオンによってプラズマを誘起し、このプラズマ放
電によってターゲット３をスパッタして砒化ガリウム基
板５上にタンタルタングステンシリサイド耐熱ゲート金
属４を形成する。
ゴンイオンによってプラズマを誘起し、このプラズマ放
電によってターゲット３をスパッタして砒化ガリウム基
板５上にタンタルタングステンシリサイド耐熱ゲート金
属４を形成する。
以上のように本実施例によれば、砒化ガリウム基板６を
１２０°Ｃに加熱することによって、タンタルタングス
テンシリサイド耐熱ゲート金属４と砒化ガリウム基板６
との密着性の向上を図ることができた。その結果として
、これまで選択イオン注入後の高温熱処理工程において
両者の熱膨張係数の違いによって生じていた耐熱ゲート
金属４のはく離を防止することができ、また化合物半導
体装置の性能を向上させることができた。
１２０°Ｃに加熱することによって、タンタルタングス
テンシリサイド耐熱ゲート金属４と砒化ガリウム基板６
との密着性の向上を図ることができた。その結果として
、これまで選択イオン注入後の高温熱処理工程において
両者の熱膨張係数の違いによって生じていた耐熱ゲート
金属４のはく離を防止することができ、また化合物半導
体装置の性能を向上させることができた。
なお、実施例では基板加熱温度を１２０′Ｃとしたが、
基板加熱温度は１２０’Ｃに限定されるものではなく室
温以上であれば何度でもよい。例えば、２００°Ｃに設
定することができる。また、耐熱ゲ有するものであれば
何でもよい。例えば、タングステンシリサイドを用いる
ことができる。
基板加熱温度は１２０’Ｃに限定されるものではなく室
温以上であれば何度でもよい。例えば、２００°Ｃに設
定することができる。また、耐熱ゲ有するものであれば
何でもよい。例えば、タングステンシリサイドを用いる
ことができる。
発明の効果
以上のように本発明は、耐熱ゲート金属形成時において
化合物半導体基板の基板加熱を実施することによって、
化合物半導体基板と耐熱ゲート金属との密着性を良くし
、選択イオン注入後の高温熱処理工程において、両者の
熱膨張係数の差によって生じていた耐熱ゲート金属のは
く離を無くし、化合物半導体装置の性能を向上させるこ
とができることから、その実用的効果は犬なるものがあ
る。
化合物半導体基板の基板加熱を実施することによって、
化合物半導体基板と耐熱ゲート金属との密着性を良くし
、選択イオン注入後の高温熱処理工程において、両者の
熱膨張係数の差によって生じていた耐熱ゲート金属のは
く離を無くし、化合物半導体装置の性能を向上させるこ
とができることから、その実用的効果は犬なるものがあ
る。
第１図は本発明の一実施例における化合物半導体装置の
耐熱ゲート金属形成工程の概念図、第２図は従来の化合
物半導体装置の耐熱ゲート金属形成工程の概念図である
。 １・・・・・・スパッタ装置のペルジャー、２・・・・
・・ターゲットカバー、３・・・・・・タンタルタング
ステンシリサイドターゲット、４・・・・・・タンタル
タングステンシリサイドゲート金属、６・・・・・砒化
ガリウム基板、６・・・・・・基板支持皿、７・・・・
・・支持台、８・・・・・・基板加熱用ヒータ、９・・
・・・・基板冷却用水導管。
耐熱ゲート金属形成工程の概念図、第２図は従来の化合
物半導体装置の耐熱ゲート金属形成工程の概念図である
。 １・・・・・・スパッタ装置のペルジャー、２・・・・
・・ターゲットカバー、３・・・・・・タンタルタング
ステンシリサイドターゲット、４・・・・・・タンタル
タングステンシリサイドゲート金属、６・・・・・砒化
ガリウム基板、６・・・・・・基板支持皿、７・・・・
・・支持台、８・・・・・・基板加熱用ヒータ、９・・
・・・・基板冷却用水導管。
Claims (2)
- （１）化合物半導体基板を加熱する工程と加熱した前記
化合物半導体基板上に耐熱ゲート金属を被着する工程と
を有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法
。 - （２）化合物半導体基板が砒化ガリウム基板であり、耐
熱ゲート金属が金属硅化物であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の化合物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182046A JPS6242571A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182046A JPS6242571A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242571A true JPS6242571A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16111395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182046A Pending JPS6242571A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242571A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0390765U (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-17 | ||
| JPH0576280A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-30 | Oyama Nyugyo Nogyo Kyodo Kumiai | 牛乳豆腐の製造法 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182046A patent/JPS6242571A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0390765U (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-17 | ||
| JPH0576280A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-30 | Oyama Nyugyo Nogyo Kyodo Kumiai | 牛乳豆腐の製造法 |
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