JPS6243133A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6243133A JPS6243133A JP18443085A JP18443085A JPS6243133A JP S6243133 A JPS6243133 A JP S6243133A JP 18443085 A JP18443085 A JP 18443085A JP 18443085 A JP18443085 A JP 18443085A JP S6243133 A JPS6243133 A JP S6243133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- insulating film
- contact hole
- tapered
- anisotropic etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18443085A JPS6243133A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18443085A JPS6243133A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6243133A true JPS6243133A (ja) | 1987-02-25 |
| JPH051977B2 JPH051977B2 (de) | 1993-01-11 |
Family
ID=16153012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18443085A Granted JPS6243133A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6243133A (de) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01194327A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02213129A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH0383064A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-04-09 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 集積回路半導体デバイスのエッチング法 |
| US5567270A (en) * | 1995-10-16 | 1996-10-22 | Winbond Electronics Corp. | Process of forming contacts and vias having tapered sidewall |
| JP2013122487A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-20 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 金属格子の製造方法、金属格子およびx線撮像装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5021679A (de) * | 1973-06-25 | 1975-03-07 | ||
| JPS5687666A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-16 | Toshiba Corp | Plasma etching method |
| JPS56157025A (en) * | 1980-05-07 | 1981-12-04 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP18443085A patent/JPS6243133A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5021679A (de) * | 1973-06-25 | 1975-03-07 | ||
| JPS5687666A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-16 | Toshiba Corp | Plasma etching method |
| JPS56157025A (en) * | 1980-05-07 | 1981-12-04 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01194327A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02213129A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH0383064A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-04-09 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 集積回路半導体デバイスのエッチング法 |
| US5567270A (en) * | 1995-10-16 | 1996-10-22 | Winbond Electronics Corp. | Process of forming contacts and vias having tapered sidewall |
| JP2013122487A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-20 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 金属格子の製造方法、金属格子およびx線撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051977B2 (de) | 1993-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6243133A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6181649A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS54105476A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP2675525B2 (ja) | 半導体装置の微細パターン形成方法 | |
| JP2629721B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS60124941A (ja) | 集積回路の製造法 | |
| JPS6254427A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6289324A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0284723A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH06224161A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6191929A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPS63213930A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0334319A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61208833A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5898932A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH027521A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61272981A (ja) | ジヨセフソン装置の製造方法 | |
| JPH023926A (ja) | 配線の形成方法 | |
| JPH02253615A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63119533A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5928344A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS597222B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63181355A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62247530A (ja) | マスクパタ−ンの形成方法 | |
| JPS61107747A (ja) | 半導体装置の製造方法 |