JPS6244437U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6244437U JPS6244437U JP13578785U JP13578785U JPS6244437U JP S6244437 U JPS6244437 U JP S6244437U JP 13578785 U JP13578785 U JP 13578785U JP 13578785 U JP13578785 U JP 13578785U JP S6244437 U JPS6244437 U JP S6244437U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- storing
- crystal growth
- liquid phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 6
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
第１図はこの考案の液相エピタキシヤル結晶成
長装置の一実施例の構成を示す平面図、第２図は
第１図の―線での断面図、第３図は従来の液
相エピタキシヤル結晶成長装置の平面図、第４図
は第３図の―線での断面図、第５図は従来の
基板ホルダの平面図である。 図において、１はボート本体、２は上段の室、
３は中段の室、４は下段の室、６は飽和融液収納
容器、７は第１スライダ、８は第２スライダ、９
は飽和Ｇａ融液、１０は基板、１１，１２は開孔
、１３はＬ字形板、１４は仕切板、１６は基板ホ
ルダ、１７はＶ字形状の溝である。なお、各図中
の同一符号は同一または相当部分を示す。
長装置の一実施例の構成を示す平面図、第２図は
第１図の―線での断面図、第３図は従来の液
相エピタキシヤル結晶成長装置の平面図、第４図
は第３図の―線での断面図、第５図は従来の
基板ホルダの平面図である。 図において、１はボート本体、２は上段の室、
３は中段の室、４は下段の室、６は飽和融液収納
容器、７は第１スライダ、８は第２スライダ、９
は飽和Ｇａ融液、１０は基板、１１，１２は開孔
、１３はＬ字形板、１４は仕切板、１６は基板ホ
ルダ、１７はＶ字形状の溝である。なお、各図中
の同一符号は同一または相当部分を示す。
補正 昭６１．６．１７
実用新案登録請求の範囲を次のように補正する
。
。
【実用新案登録請求の範囲】
結晶成長に用いる物質の飽和融液を貯溜する室
、表面に前記飽和融液を用いて結晶をエピタキシ
ヤル成長させるべき基板を収容する室、前記基板
にエピタキシヤル成長完了後の飽和融液を収容す
る室の３つの室を有するボート本体、前記各室を
仕切る２つのスライダ、前記基板を収容する室に
前記基板を支持するための基板ホルダを備えた液
相エピタキシヤル結晶成長装置において、前記基
板ホルダに前記基板を支持するための複数のＶ字
形状の溝をそれぞれ対向して形成したことを特徴
とする液相エピタキシヤル結晶成長装置。
、表面に前記飽和融液を用いて結晶をエピタキシ
ヤル成長させるべき基板を収容する室、前記基板
にエピタキシヤル成長完了後の飽和融液を収容す
る室の３つの室を有するボート本体、前記各室を
仕切る２つのスライダ、前記基板を収容する室に
前記基板を支持するための基板ホルダを備えた液
相エピタキシヤル結晶成長装置において、前記基
板ホルダに前記基板を支持するための複数のＶ字
形状の溝をそれぞれ対向して形成したことを特徴
とする液相エピタキシヤル結晶成長装置。
Claims (1)
- 結晶成長に用いる物質の飽和融液を貯留する室
、表面に前記飽和融液を用いて結晶をエピタキシ
ヤル成長させるべき基板を収容する室、前記基板
にエピタキシヤル成長完了後の飽和融液を収容す
る室の３つの室を有するボート本体、前記各室を
仕切る２つのスライダ、前記基板を収容する室に
前記基板を支持するための基板ホルダを備えた液
相エピタキシヤル結晶成長装置において、前記基
板ホルダに前記基板を支持するための複数のＶ字
形状の溝をそれぞれ対向して形成したことを特徴
とする液相エピタキシヤル結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13578785U JPS6244437U (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13578785U JPS6244437U (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6244437U true JPS6244437U (ja) | 1987-03-17 |
Family
ID=31038304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13578785U Pending JPS6244437U (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6244437U (ja) |
-
1985
- 1985-09-03 JP JP13578785U patent/JPS6244437U/ja active Pending
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