JPS6247290B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は電界又は磁界印加により、その光透過
率が変化する電気又は磁気光学素子を一眼レフカ
メラの絞りあるいはシヤツタ装置に用いた、いわ
ゆる物性絞りあるいは物性シヤツタに関するもの
で、特に該物性装置をカメラの各種警告装置と兼
用した装置を提供するものである。 従来カメラの絞り装置としては、主に機械的な
絞りが用いられてきたが、該機械的絞りは、それ
を作動させる為の機械的機構が必要であり、又交
換レンズを用いるカメラの場合はカメラ本体と交
換レンズの絞り機構を連結する複雑な連結機構が
必要となり、カメラのコストアツプ、大型化、設
計の自由度の制限等の原因となつていた。 この点に鑑み、電界又は磁界印加により、その
光透過率が変化する電気又は磁気光学素子をカメ
ラの絞りとして用いる、いわゆる物性絞りが種々
提案されている。上記電気又は磁気光学素子とし
ては、複屈折現象を利用したカーセル透明強誘電
体（PLZT）、液晶及びフアラデー素子等があ
り、偏光子及び検光子と組み合せて用いられる。
その他、エレクトロクロミー素子及び電気泳動現
象を利用した素子も知られている。 これらの物性絞りは、従来の機械的絞りにはな
い数々の特長を有する。まず、機械的な連結機構
が不要なので小型軽量である。よつてカメラ設計
上の自由度が大巾に増す。又、絞り動作時のシヨ
ツク及びそれに伴う音発生が全くないので、撮影
者に不快感を与えることがなく、又、絞り込み確
認動作がスイツチ一つで容易に行える。又物性絞
りは少くとも電気回路手段で動作するので、近年
のカメラの電子化傾向との適合性が良く、将来の
全電子化カメラ達成の為の一大ステツプになりう
る等、大きな利点を有するものである。また前記
物性素子を従来の機械的シヤツタに置換する物性
シヤツタ装置も絞りと同様の利点を有することは
言う迄もない。 本発明は上記物性絞りを種々警告用の表示素子
に兼用することを特徴とするもので、その構成と
して撮影レンズを介した光をフアインダー光学系
を介してフアインダー内に伝え被写体像をフアイ
ンダーにて視認し得る様にしたカメラにおいて、
電気又は磁気的制御により光透過率の変化する電
気又は磁気光学素子により絞り（実施例第３図の
４に相当する。）を構成すると共に、アンダーオ
ーバー露光やバツテリー低下等の警告を行なうた
めの警告回路（実施例第３図のＢ，Ａ，４６，４
７に相当する。）からの警告信号に応答して前記
電気又は磁気光学素子へその光透過率を低減させ
光遮断状態とするための信号を連続的又は断続的
に印加するための制御回路（実施例第３図の
PG₁，AN₁，AN₂に相当する。）を設け、警告時に
フアインダー全面を連続的又は断続的に暗状態と
なし警告動作を行なわせるものである。 従来、カメラの露出警告又はバツテリ異常警告
等の警告動作は、電流計の指針の振り切れ動作
や、発光ダイオード（LED）の点滅動作により
行なわれてきたが、該電流計の指針やLEDの表
示はフアインダーの隅や、フアインダー視野枠外
に配設されている為、撮影者が専ら被写体の構図
取りに専念していると、上記警告動作を見落しが
ちである。本発明によれば、フアインダ全面が連
続的又は断続的に暗状態になつて警告動作を行う
ので、撮影者が見落す心配はないと共に、絞り装
置が警告装置を兼用しているので、警告装置を別
設する必要がなく、コスト的にも大きな利点を有
するものである。 又、上記絞りあるいはシヤツタ兼警告装置を、
従来の機械的絞りあるいはシヤツタ装置により実
現する為には、該機械的絞りあるいはシヤツタ装
置を駆動する複雑な機構が必要になる上、断続的
に暗状態にすることは、ほぼ不可能に近い。本発
明では、物性絞り装置を警告装置と兼用している
ので、単なる電気信号の印加により簡単に、連続
的又は断続的にフアインダーを暗状態にすること
ができるものである。 以下、実施例に基づき、本発明の詳細な説明を
行う。 第１図に本発明に用いる物性絞り装置の構造を
示す。ここでは電気光学素子として液晶を用いた
場合を示す。同図１は面積制御式、同図２は光透
過率制御式の物性絞りを示す。面積制御式とは従
来の機械的絞りの如く、光透過する面積を制御し
て絞り値を変化させる方式であり、光透過率制御
式とは、印加電圧を変化させて電気光学素子の光
透過率を制御して、絞り値を変化させる方式であ
る。 同図１の図中、１及び２は透明なガラス基板、
３ａ〜３ｈ及び３a′〜３e′は、一方の透明基板１
上に蒸着法等により形成された円形又はドーナツ
型の分割透明電極、４は他方の透明基板２上に形
成された共通透明電極である。５は上記両透明基
板間に封入されたネマチツク液晶で、該ネマチツ
ク液晶はツイスト・モードに配向処理されてい
る。８及び９はセパレーターで、上記両透明基板
１及び２間のスペース間隔を保持すると共に、ネ
マチツク液晶物質の流出を防止している。６及び
７は、上記透明基板の外側に配置された偏光板
で、該偏光板６及び７の偏光方向は互いに90°の
角度をなすように設定されている。 ツイスト・モード配向処理されたネマチツク液
晶は、電圧非印加時に入射偏光の偏光方向を90゜
回転させる旋光作用がある為に、偏光板６を通過
してきた偏光は、ネマチツク液晶５を通過する間
にその偏光方向が90゜回転し、偏光板７を通過す
ることができる。よつて該物性絞りは、電圧非印
加時には、光透過状態にある。 次に、選択された分割透明電極と共通透明電極
間に交流電圧を印加すると、その間に存在するネ
マチツク液晶のツイスト・モードの配向状態が崩
れて、その旋光作用は消滅する。よつてネマチツ
ク液晶５への入射偏光は、偏光方向が回転せられ
ることなく、そのまま通過するので次段の偏光板
７により遮断される。よつて物性絞りは、電圧印
加時には、光遮断状態になる。 カメラ側の絞り値情報に応じて、上記分割透明
電極を適宜選択し、交流電圧を印加することによ
り、所定の絞り値が得られるものである。 同図２の光透過率制御方式では、一様な連続透
明電極３′と４′間に印加する交流電圧の実効値を
変化させると、印加実効電圧と液晶セルの光透過
率の特性曲線が上図の如くなつている為、印加電
圧の変化により光透過率が変化し、露光量を調整
するものである。 第２図に上記物性絞りを一眼レフカメラに組み
込んだ場合の構成を示す。 図中２０及び２１は撮影レンズ、１９はその主
点面に設置された前記物性絞り、２２はクイツク
リターン運動をする反射ミラー、２３は焦点板、
２４はペンタプリズム、２５はアイピースレン
ズ、２６はフオーカルプレンシヤツター、２７は
フイルム、２８は上記物性絞りの駆動回路であ
る。 本発明では、上記物性絞り１９は、シヤツタ動
作時又は絞り込み確認動作時に、所定値まで絞り
込むと共に、各種警告信号発生時には、連続的又
は断続的に、全面が光遮断状態となる。よつて撮
影者は、フアインダー内全面が暗状態になるのを
視認することになるものである。 撮影レンズが交換式のレンズで、駆動回路２８
がカメラ本体側に収納されている場合は、電気的
切片２８′及び２８″を各々交換レンズ側及びカメ
ラ本体側に設置して、交換レンズ装着時に、物性
絞り１９と駆動回路２８の電気的接続が行われる
ようにする必要がある。 次に本発明による物性絞りの駆動回路を第３図
に示す。 本回路の仕様は以下の通りである。 面積制御方式の物性絞りを用いる。 TTL測光のシヤツタ優先式の自動露出カメ
ラを想定する。 露出オーバー、アンダー及びバツテリー異常
時に、上記物性絞りは断続的に光遮断状態にな
つて警告動作を行う。 シヤツタ動作時は、上記物性絞りは、警告信
号がある時でも警告動作をせずに、絞り込み動
作を行う。 電気スイツチの閉成により絞り込み確認動作
が簡単に行える。 図中Ａは測光演算回路、Ｂはバツテリーチエツ
ク回路、Ｃはシヤツタ制御回路である。 測光演算回路Ａ中、３０は測光用の光起電力素
子（SPC）、３１はSPCヘツドアンプを構成する
演算増巾器（以下OPアンプと略称する。）で、そ
の両入力端子間には上記SPC３０が、又その負帰
還路には対数圧縮用のダイオード３２が各々接続
されている。３６は加算増巾器を構成するOPア
ンプで、その非反転入力端子は接地され、反転入
力端子は抵抗３３を介して上記OPアンプ３１の
出力に接続されると共に、プリセツトシヤツタ速
度情報及び使用フイルムのASA感度情報入力用
の可変抵抗３４を介して、マイナス電源端子に接
続している。３５は負帰還抵抗である。３７はア
ナログスイツチでその入力は前記OPアンプ３６
の出力が入力している。 ３８はその出力に接続されたＡ／Ｄ変換器で、
入力アナログ信号を３ビツトのバイナリーコード
に変換して出力する。３９はラツチ回路、６１は
シヤツタレリーズにより閉成するスイツチで、該
スイツチの閉成によりラツチ回路３９は、入力信
号をラツチして出力する。６２はデコーダーで入
力ラツチ信号をデシマルコードに変換出力する。 OR１〜OR７は２入力のORゲートで、その１
入力端子には、前記デコーダー６２の各出力を接
続すると共に、OR１〜OR６の他の入力端子には
各々OR２〜OR７の出力が接続されている。 EX１〜EX８は２入力のエクスクルーシブOR
ゲートで、EX１〜EX７の１入力端子は前記OR
ゲートOR１〜OR７の出力と接続している。EX
１〜EX８の他の入力端子には、パルス発生回路
PG２の出力が入力している。該パルス発生回路
の出力パルスの周波数は数十〜数百Hz位に設定し
ておく。 上記エクスクルーシブORゲートEX１〜EX８
の出力は、物性絞り装置の分割透明電極３ａ〜３
ｈと接続している。又共通透明電極４は、上記パ
ルス発生回路PG２の出力と接続している。 バツテリーチエツク回路Ｂ中、４１はツエナー
ダイオード、４０は該ツエナーダイオード４１の
電流制限用抵抗、４２及び４３は分圧用の抵抗、
４４はバツテリーチエツクボタン（不図示）と連
動する常開スイツチである。４５は比較回路を構
成するOPアンプで、その非反転入力は、抵抗４
０とツエナーダイオード４１の接続点と接続して
おり、反転入力は、分圧用抵抗４２と４３の接続
点と接続している。バツテリーチエツク時に、電
源電池の起電圧が所定値以下になると、OPアン
プ４５の出力からはＨレベルの信号が発生する。 ４６及び４７は、各々露出オーバー及び露出ア
ンダー検出用の比較回路を構成するOPアンプ
で、OPアンプ４６の非反転入力は、前記OPアン
プ３６の出力と接続しており、反転入力には、基
準電圧Ｖ₁が印加されている。OPアンプ４７の
反転入力は、前記OPアンプ３６の出力と接続し
ており、非反転入力には基準電圧Ｖ₂が印加さ
れている。上記基準電圧はＶ₁＞Ｖ₂にしてあ
る。OR８は３入力のORゲートで、前記OPアン
プ４５，４６及び４７の出力が入力している。
OR８の出力には微分回路６４が接続されてお
り、OR８の出力がＨレベルに反転すると、正の
微分パルスを発生する。６５は微分回路でORゲ
ートOR８の出力とバツフア回路６３を介して接
続しており、OR８の出力がＬレベルに反転する
と、負の微分パルスを発生する。６７はRSフリ
ツプフロツプ回路で、そのセツト入力及びリセツ
ト入力端子は各々前記微分回路６４及び６５の出
力と接続している。６６はスイツチングトランジ
スタで、そのエミツタはプラス電源とコレクタは
RSフリツプフロツプ回路６７のリセツト入力
と、ベースは抵抗を介して反転回路６８の出力と
接続している。 AN１は２入力のANDゲートでその１入力に
は、上記RSフリツプフロツプ回路６７のＱ出力
が入力している。AN２は２入力のANDゲートで
その１入力には上記ANDゲートAN１の出力が入
力すると共に、他の入力にはパルス発生回路PG
１の出力が入力している。 又、ANDゲートAN２の出力は、前記したOR
ゲートOR７及びエクスクルーシブORゲートEX
８の他方の入力及び反転回路６８に入力してい
る。シヤツタ制御回路Ｃ中、４８はシヤツタレリ
ーズボタン（不図示）の操作により閉成するスイ
ツチで前記ラツチ回路のスイツチ６２と連動す
る。４９は微分回路で、上記スイツチ４８の閉成
により、微分回路４９からは負の微分パルスが発
生する。５０はワンシヨツト・マルチバイブレー
ターで、上記負の微分パルスによりトリガーされ
て、１個のパルスを発生する。５１はその出力に
抵抗を介してベースが接続されたスイツチングト
ランジスタで、そのコレクタには、第１きん定解
除用の電磁マグネツト５２が接続されている。 ５３はシヤツタ後幕（フオーカルプレンシヤツ
タを想定している）走行完了時に閉成するスイツ
チ、５４は微分回路で、前記スイツチ５３の閉成
により負の微分パルスが発生する。５５はRSフ
リツプフロツプ回路で、そのセツト及びリセツト
入力は各々上記微分回路４９及び５４の出力と接
続している。又その出力は前記したANDゲー
トAN１の他の入力に入力すると共に、反転回路
６０及び遅延回路５６′に入力している。反転回
路６０の出力は前記アナログスイツチ３７のコン
トロール端子に入力している。 ５５′は時定開始用のnpn型スイツチングトラ
ンジスタで、そのベースは抵抗を介して上記遅延
回路５６′の出力と接続している。５６はプリセ
ツトシヤツタ速度情報に応じて変化する可変抵
抗、５７は時定用のコンデンサで、上記スイツチ
ングトランジスタ５５′に並列接続している。５
８は比較器を構成するOPアンプで、その非反転
入力端子は上記可変抵抗５６及びコンデンサ５７
の接続点に接続しており、反転入力端子には基準
電圧Ｖが印加されている。５９はOPアンプ５
８の出力に接続されたシヤツタ後幕制御用電磁マ
グネツトである。 以上の如く構成された本回路の動作を次に説明
する。まず、通常の絞り動作を説明する。 測光用のSPC３０へ、撮影レンズを通過した被
写体光が入射すると、SPCヘツドアンプ３１の出
力には、被写体輝度の対数及び撮影レンズの開放
Ｔナンバーに対応した電圧が発生する。該電圧は
次段の加算回路３６に於て、プリセツトシヤツタ
速度情報、フイルムのASA感度情報と加算演算
され、その出力には制御すべき絞り込み段数情報
（△AV）に対応した電圧が発生する。シヤツタ動
作中は後述の如くRSフリツプフロツプ回路５５
の出力はＬレベルだから、反転回路６０の出力
はＨレベルになり、よつてアナログスイツチ３７
はオンして、OPアンプ３６の出力電圧がアナロ
グスイツチ３７の出力に発生する。 該電圧は次段のＡ／Ｄ変換器３８により３ビツ
トのバイナリー・コードに変換され、シヤツタレ
リーズ動作に連動して、スイツチ６１が閉成し
て、該バイナリー・コードはラツチ回路３９によ
りラツチ出力され、更に次段のデコーダー６２に
よりデシマルコードに変換され、OPアンプ３６
のアナログ出力電圧値に応じて、デコーダー６２
の出力の１つが選択的にＨレベルになるものであ
る。 今デコーダ６２の出力中、出力１が選択されて
Ｈレベルになつている場合、他の出力はＬレベル
なので、ORゲートOR１の１入力のみＨレベル
で、OR２〜OR７のすべての入力はＬレベルにな
り、よつてOR１の出力のみＬレベルになり、OR
２〜OR７の出力はＬレベルである。 よつて、エクスクルーシブORゲートEX１から
は、パルス発生回路PG２からの出力パルスPL２
と逆位相のパルスが出力され、EX２〜EX８から
は、パルスPL２と同位相のパルスが出力され
る。この状態では、分割透明電極３ａと共通透明
電極４の間にのみ実効的な効流電圧が印加される
ので、その部分のみ光遮断状態となり、絞りは１
段絞られた状態となる。 次にデコーダ３９の出力中、出力４が選択され
てＨレベルになつた場合、ORゲートOR４の１入
力がＨレベルなので、その出力はＨレベルにな
る。よつてOR３の１入力レベルがＨレベルなの
でその出力はＨレベルになり、順次OR２，OR１
の出力も同様にしてＨレベルになる。つまりOR
ゲートOR１〜OR４の出力はＨレベルに、ORゲ
ートOR５〜OR７の出力はＬレベルになる。よつ
てエクスクルーシブORゲートEX１〜EX４から
の出力パルスの位相はパルスPL２と逆位相にな
り、EX５〜EX８からの出力パルスの位相はパル
スPL２と同位相になる。この状態では、分割透
明電極３ａ〜３ｄと共通透明電極４の間に実効的
な交流電圧が印加されるので、その部分が光遮断
状態になり絞りは４段絞られた状態となる。 以後の絞り込み動作は、シヤツタ動作中（又は
絞り込み動作時）のみ行われる。それ以外では前
記RSフリツプフロツプ回路５５の出力がＨレ
ベルになつており、反転回路６０の出力はＬレベ
ルになるので、アナログスイツチ３７はオフし
て、OPアンプ３６の出力は次段に伝達されずよ
つて絞り込み動作は行われない。 つぎにシヤツター制御回路Ｃの動作を説明す
る。シヤツタレリーズボタン（不図示）を押圧す
ると、次段の微分回路４９より負の微分パルスが
発生し、該負の微分パルスにより次段のワンシヨ
ツト・マルチバイブレーターが５０がトリガーさ
れ、その出力にはワンパルスが発生し、そのパル
ス巾の期間、次段のスイツチングトランジスタ５
１がオンし、コイル５２へ通電が行われ、シヤツ
タの第１きん定が解除され、クイツクリターンミ
ラーの上昇運動が開始し、その完了後にシヤツタ
先幕走行運動が開始しフイルムの露光が開始され
る。 又、微分回路４９からの負の微分パルスにより
RSフリツプフロツプ回路５５はセツトされ、そ
の出力はＬレベルに反転し、同時に反転回路６
０の出力はＨレベルに反転し、前記アナログスイ
ツチ３７がオンし、その出力には、△AV値情報
に対応した電圧が発生し、前述の如く絞り動作が
行われる。 又、RSフリツプフロツプ回路５５の出力が
Ｌレベルになると、それより若干遅れて遅延回路
５６′の出力はＬレベルになり、スイツチングト
ランジスタ５５′はオフして、時定用のコンデン
サ５７は、可変抵抗５６を介して充電されてい
き、該時定用コンデンサ５７の充電々圧が所定値
に達すると、比較回路５８の非反転入力レベルが
反転入力レベルＶより高くなり、その出力はＨ
レベルになり、シヤツタ後幕制御用の電磁マグネ
ツト５９のコイルへの通電が断たれシヤツタ後幕
が走行開始して、露出動作が終了する。シヤツタ
後幕の走行終了時に、前記スイツチ５３が閉成
し、微分回路５４の出力からは負の微分パルスが
発生し、該パルスによりRSフリツプフロツプ回
路はリセツトされ、初期の状態に復帰する。この
状態ではRSフリツプフロツプ回路５５の出力
はＨレベルになつているので、前記反転回路６０
の出力はＬレベルになり、アナログスイツチ３７
はオフして、絞り込み動作は解除される。 次に、露出オーバー時の警告動作を説明する。
この場合は、OPアンプ３６の出力電圧値が高く
なり、比較回路を形成するOPアンプ４６の非反
転入力レベルが反転入力レベルＶ₁より高くな
り、該OPアンプ４６の出力はＨレベルになり、
よつてORゲートOR８の出力もＨレベルになる。
このＨレベルへの反転動作により微分回路６４の
出力からは正の微分パルスが発生し、該パルスに
より次段のRSフリツプフロツプ回路６７はセツ
トされそのＱ出力はＨレベルに反転する。 まずシヤツタ不作動中の場合、前述した如く
RSフリツプフロツプ回路５５の出力はＨレベ
ルになるので、ANDゲートAN１の出力レベルも
Ｈレベルになる。パルス発生回路PG１からは繰
り返し周波数２Hz位のパルスが出力しているの
で、ANDゲートAN１の出力がＨレベルになると
ANDゲートAN２が開いて、該ANDゲートAN２
からは、パルス発生回路PG１からのパルス電圧
が出力される。該パルス波形のＨレベルの時は、
ORゲートOR７の１入力がＨレベルなので、その
出力はＨレベルになり、ORゲートOR６の１入力
もＨレベルになり、順次ORゲートOR６〜OR１
の出力はすべてＨレベルになる。よつてエクスク
ルーシブORゲートEX１〜EX８の各出力からの
出力パルス波形の位相は、パルス発生回路PG２
の出力パルスPL２と逆位相になり、前記物性絞
りの各分割透明電極３ａ〜３ｈと共通透明電極４
間には実効的な交流電圧が印加され、該物性絞り
は全面的に光遮断状態になる。 上記ANDゲートAN２の出力パルスのＬレベル
の期間は、アナログスイツチ３７はオフしている
ので、ORゲートOR１〜OR７の各出力はＬレベ
ルになり、エクスクルーシブORゲートEX１〜
EX８から出力されるパルス電圧の位相は、パル
ス電圧PL２と同位相になり、今度は、上記物性
絞りは全面的に光遮断状態になる。 ところで、前記した物性絞りが光遮断状態にな
ると、TTL測光のカメラであるので、受光素子
３０への入射光量が極端に減少し、その為、OP
アンプ３６の出力電圧が低下して、実際は露出オ
ーバーの状態であるにもかかわらず露出オーバー
警告信号が消滅して、ORゲートOR８の出力がＬ
レベルに反転し、その為微分回路６５からは負の
微分パルスが発生し、該パルスによりRSフリツ
プフロツプ６７はリセツトされ、そのＱ出力及び
ANDゲートAN１の出力はＬレベルになつて、物
性絞りの警告動作が行われなくなる心配がある。 本回路では、その点を考慮してスイツチングト
ランジスタ６６及び反転回路６８が設けられてい
る。つまり、ANDゲートAN２の出力レベルがＨ
レベルになつて、物性絞りが光遮断状態になつた
時、反転回路６８の出力はＬレベルになりスイツ
チングトランジスタ６６はオンする。よつて上記
RSフリツプフロツプ回路６７のリセツト端子
は常時Ｈレベルになり、微分回路６５から発生す
る負の微分パルスは該スイツチトランジスタ６６
により吸収されてしまい、RSフリツプフロツプ
回路６７はリセツトされない。 逆にANDゲートAN２の出力がＬレベルである
時は、反転回路６８の出力はＨレベルになり、ス
イツチングトランジスタ６６はオフしている。こ
の時に、被写体の輝度が低下して、適正露出レベ
ル範囲内になつた場合、ORゲートOR８の出力は
Ｌレベルに反転し、この時は微分回路６５からの
負の微分パルスによりRSフリツプフロツプ回路
６７はリセツトされ、そのＱ出力はＬレベルにな
り、ANDゲートAN１及びAN２の出力もＬレベ
ルに保持され、物性絞りの警告動作は終了する。
つまりスイツチングトランジスタ６６の働きによ
り、物性絞りが暗状態の時に、微分回路６５から
発生する負の微分パルスを無効として、物性絞り
の暗状態ではRSフリツプフロツプ回路６７はリ
セツトされない様にし、前述した誤動作の発生を
防止しているものである。 以上の如く、露出オーバー時は、比較回路を形
成するOPアンプ４６より露出オーバー警告信号
が発生し、ORゲートOR８の出力がＨレベルにな
つて、物性絞り装置は全面がパルス発生器PG１
の周期でオン・オフし、撮影者はフアインダー全
面が暗状態と暗状態を繰り返すのを視認し、露出
オーバーであることを察知できるものである。 逆に露出アンダー時は、OPアンプ３６の出力
レベルは低下しOPアンプ４７のマイナス入力レ
ベルはプラス入力レベルＶ₂より低くなるの
で、その出力はＨレベルに反転し、よつてORゲ
ートOR８の出力もＨレベルになる。以下、露出
オーバー時と同様にして、物性絞り装置は全面的
にオン・オフして、露出アンダー警告を行う。 次にバツテリー異常警告時の動作を説明する。
バツテリー警告ボタンを押して回路Ｂ中のスイツ
チ４４を閉成すると、電源電池の起電圧が消耗等
の為に低下していると、分圧用の抵抗４２と４３
の分圧点電位は、ツエナーダイオード４１での定
電圧レベルより低下し、よつてOPアンプ４５の
出力はＨレベルに反転し、ORゲートOR８の出力
もＨレベルに反転する。以下、同様にして物性絞
り装置は全面的にオン・オフして、バツテリー異
常警告を行う。 又、以上の何らかの警告信号が発生してORゲ
ートOR８の出力がＨレベルになつている時、シ
ヤツタレリーズ動作が行われると、シヤツタ動作
期間中はRSフリツプフロツプ回路５５の出力
がＬレベルになり、ANDゲートAN１の出力はＬ
レベルになり、ANDゲートAN２は開かず、警告
表示は行われず、この時は前述の如く、絞り込み
動作が行われる。 又、被写界深度確認等の為、絞り込み確認スイ
ツチ６９を閉成すると、RSフリツプフロツプ回
路５５の出力は強制的にＬレベルになるので、
ANDゲートAN１及びAN２の出力はＬレベルに
なり、何らかの警告信号がある時でも、物性絞り
の警告動作は行れない。又この時、反転回路６０
の出力はＨレベルになるので、アナログスイツチ
３７はオンし、その出力アナログ電圧値に応じ
て、デコーダー６２の出力が選択されて、物性絞
りの絞り込み動作が行われるものである。 本回路の実施例で、シヤツタ制御回路Ｃ中の遅
延回路５６′の遅延時間は、時定開始用のスイツ
チングトランジスタ５５′のオフ開始時期が、シ
ヤツタ先幕の走行開始時期と一致する如く調整し
ておく。 次に、本発明による物性絞りの駆動回路の第２
の実施例を第４図に示す。本回路の仕様は以下の
通りである。 光透過率制御式の物性絞りを用いる。 シヤツタ優先式のTTL測光自動露出カメラ
を想定する。 露出オーバー、アンダー及びバツテリー異常
時に、上記物性絞りは断続的に光遮断状態にな
り警告動作を行う。 シヤツタ動作時は、上記物性絞りは、警告信
号がある時でも警告動作せずに、絞り込み動作
を行う。 電気スイツチの閉成により絞り込み確認動作
が簡単に行えると共に、該絞り込み確認動作は
警告動作に優先する。 図中Ａは測光演算回路、Ｂはバツテリーチエツ
ク回路、Ｃはシヤツタ制御回路である。該回路は
第３図と同様なので説明は省略する。 ７８はOPアンプ３６の出力に発生する△AV情
報を記憶するためのコンデンサ、７９は切換スイ
ツチで、常時はａ側に接続しており、シヤツタレ
リーズ動作又は絞り込み確認動作と連動して、ｂ
側に切換わる。 ４６及び４７は、各々露出オーバー及び露出ア
ンダー検出用の比較回路を構成するOPアンプ
で、OPアンプ４６の非反転入力は、前記OPアン
プ３６の出力と接続しており、反転入力には、基
準電圧Ｖ₁が印加されている。OPアンプ４７の
反転入力は、前記OPアンプ３６の出力と接続し
ており、非反転入力には基準電圧Ｖ₂が印加さ
れている。ここでＶ₁＞Ｖ₂である。OP８は
３入力のORゲートで、前記OPアンプ４５，４６
及び４７の出力が入力している。その出力Ｗには
微分回路６４が接続されており、OR８の出力が
Ｈレベルに反転すると、正の微分パルスを発生す
る。６５はORゲートOR８の出力とバツフア回路
６３を介して接続しており、OR８の出力がＬレ
ベルに反転すると、負の微分パルスを発生する。
６７はRSフリツプフロツプ回路で、そのセツト
入力及びリセツト入力端子は各々前記微分回路６
４及び６５の出力と接続している。６６はスイツ
チングトランジスタで、そのエミツクはプラス電
源と、コレクタはRSフリツプフロツプ回路６７
のリセツト入力と、ベースは抵抗を介して後述す
るアナログスイツチ７６及び７７の出力B′と接続
している。 ７０は論理変換回路で、その入力Q₁，Q₂と出
力Ａ，Ｂ，Ｃ間の真理値表は第１表のようにな
る。

【表】 ７２は前記論理変換回路７０の出力Ｃに接続さ
れた反転回路、PG４は１〜２Hz位の繰り返し周
波数のパルス列を発生すパルス発生回路、７３は
その出力に接続された反転回路である。７４〜７
７はアナログスイツチで、アナログスイツチ７４
の入力は前記反転回路７３の出力と、コントロー
ル入力は前記反転回路７２の出力と接続してお
り、アナログスイツチ７５の入力は前記論理変換
回路７０の出力Ａと、そのコントロール入力は出
力Ｃと接続している。アナログスイツチ７６の入
力は、前記論理変換回路７０の出力Ｂと、そのコ
ントロール入力は、出力Ｃと接続しており、アナ
ログスイツチ７７の入力は、前記パルス発生回路
PG４の出力と接続しており、そのコントロール
入力は前記反転回路７２の出力と接続している。 ８０は前記反転回路７１の出力に接続された反
転回路、８１及び８２はアナログスイツチで、８
１の入力は前記切換スイツチ７９のｂ接点と接続
しており、そのコントロール入力は前記反転回路
８０の出力と接続している。アナログスイツチ８
２の入力にはプラス電源＋Ｖ_CCが印加されてお
り、そのコントロール入力は前記反転回路７１の
出力と接続している。PG３はその繰り返し周波
数が数十〜数百Hz位のパルス発生回路、８３はそ
の出力に接続された反転回路である。 ８４及び８５はアナログスイツチで、その入力
は両者とも前記アナログスイツチ８１及び８２の
出力AL１と接続しており、８４のコントロール
入力は前記反転回路８３の出力と接続しており、
８５のコントロール入力は前記パルス発生回路
PG３の出力と接続している。 ８６及び８７もアナログスイツチで、８６の入
力は前記アナログスイツチ８４の出力PL１と、
コントロール入力は、前記アナログスイツチ７６
及び７７の出力B′と接続している。アナログスイ
ツチ８７の入力は前記アナログスイツチ８５の出
力PL２と、コントロール入力は前記アナログス
イツチ７４及び７５の出力A′と接続している。 ６５は、第１図の２に示した光透過率制御式の
物性絞り、３′及び４′はその共通透明電極で、
３′は前記アナログスイツチ８４の出力PL１と、
４′は前記アナログスイツチ８６及び８７の出力
PL３と接続している。 シヤツタ制御回路Ｃ中の６９′はRSフリツプフ
ロツプ回路５５のＱ出力Q₁とプラス電源端子間
に接続された絞り込み確認用の常開スイツチであ
る。 以上の如く構成された本回路の動作を次に説明
する。 (1) 警告信号Ｗのない場合 (1‐1) シヤツタ動作中以外 この場合、ORゲートOR８の出力ＷはＬレベ
ルのままで、RSフリツプフロツプ回路６７は
セツトされないので、そのＱ出力Q₂はＬレベ
ルである。又、シヤツタ動作中以外は前述の如
くRSフリツプフロツプ回路５５のＱ出力Q₁は
Ｌレベルである。この状態では、第１表より出
力ＡはＬレベルに、出力ＢはＨレベルに、出力
ＣはＨレベルに、反転回路７２の出力はＬレベ
ルになつている。よつてアナログスイツチ７５
及び７６はオンし、アナログスイツチ７４及び
７７はオフする。よつて出力A′はＬレベル
に、出力B′はＨレベルになる。 又、Q₁はＬレベルだから反転回路７１の出
力はＨレベルに、反転回路８０の出力はＬレベ
ルになる。よつてアナログスイツチ８１はオフ
し、８２はオンして、その出力AL１はＨレベ
ルになる。アナログスイツチ８４及び８５のコ
ントロール入力にはそれぞれ逆位相のパルス電
圧が入力しているから、該アナログスイツチ８
４及び８５は交互にオン・オフして、その出力
PL１及びPL２には第４図２に示す、互に逆位
相のルス電圧が発生する。前述した如く、出力
A′はＬレベルでB′はＨレベルなので、アナロ
グスイツチ８６はオンし、８７はオフする。よ
つてその出力PL３には前記PL１と同位相、同
周期のパルスが発生し、物性絞り６５の両共通
透明電極３′と４′間に印加される実効電圧は零
になり、該物性絞り６５は絞り動作を行わな
い。 又、絞り込み確認動作が行われて、前記スイ
ツチ６９′が閉成した場合、Q₁はＨレベル、Q₂
はＬレベルのままなので、第１表より、出力Ａ
はＨレベル、出力ＢはＬレベルになり、出力Ｃ
はＨレベルを保持する。よつて確認動作以前と
同様にアナログスイツチ７５及び７６はオン
し、４７及び７７はオフするが、今度は出力
A′がＨレベルに、出力B′がＬレベルに反転す
る。又、絞り込み確認動作が行なわれ、前記ス
イツチ６９′が閉成するのに同期して、前記切
換スイツチ７９がｂ側に切換わる。Q₁はＨレ
ベルなので、反転回路７１の出力はＬレベル、
反転回路８０の出力はＨレベルになり、アナロ
グスイツチ８１はオンし、８２はオフする。よ
つて出力AL１には、前記記憶コンデンサ７８
の記憶電圧（△AV情報）が出力される。この
時、アナログスイツチ８４及び８５の出力PL
１及びPL２には第４図３に示す如き、波高値
が、前記△AV情報電圧に等しく、位相が互い
に逆のパルス電圧が発生する。 前述した如く出力A′がＨレベルで、出力
B′がＬレベルなので、アナログスイツチ８６は
オフし、アナログスイツチ８７はオンするの
で、その出力PL３には、PL２と同じパルスが
発生する。よつて物性絞りの共通透明電極３′
及び４′には互いに逆位相で波高値が△AV情報
に対応したパルス電圧が印加される。よつて物
性絞りは、その電圧に対応て光透過率が減少し
て、所定の絞り込みが行われる。 (1‐2) シヤツタ動作中 この場合は、前記絞り込み確認時と同じく
Q₁はＨレベル、Q₂はＬレベルなので、出力Ａ
はＨレベル、ＢはＬレベル、ＣはＨレベルにな
り、前述と同様にして物性絞りは所定の絞り込
みを行う。 (2) 警告信号Ｗのある時 (2‐1) シヤツタ動作中以外 最初に絞り込み確認動作が行われない場合に
ついて述べる。 今、露出オーバー警告が行われる場合を想定
すると、この場合は、第３図でも述べた如く、
OPアンプ４６の出力がＨレベルに反転し、OR
ゲートOR８の出力ＷはＨレベルに反転する。
この反転動作により微分回路６４から正の微分
パルスが発生し、該パルスによりRSフリツプ
フロツプ回路６７はセツトされ、そのＱ出力
Q₂はＨレベルに反転する。Q₁はＬレベルなの
で第１表より、出力ＡはＨレベル、出力ＢはＬ
レベル、ＣはＬレベルになる。反転回路７２の
出力はＨレベルになるから、アナログスイツチ
７４および７７はオンし、７５及び７６はオフ
する。アナログスイツチ７４及び７７の入力に
は互いに逆位相の低周期のパルス電圧が入力し
ているので、出力A′及びB′には第４図４に示
すパルス電圧が発生する。 シヤツタ動作中以外はQ₁出力はＬレベルな
ので、反転回路７１の出力はＨレベルに、反転
回路８０の出力はＬレベルになり、アナログス
イツチ８１はオンし、８２はオフする。よつて
その出力AL１はＨレベルになり、アナログス
イツチ８４及び８５の出力PL１，PL２には、
第４図２に示す互いに逆位相のパルス電圧が発
生する。アナログスイツチ８６及び８７のコン
トロール入力には、第４図４に示す比較的低周
波数（１〜２Hz）で互いに逆位相のパルス電圧
が入力しているので、該アナログスイツチ８６
及び８７は、該パルス電圧に同期して交互にオ
ン・オフする。よつてその出力PL３には、第
４図５に示す如く、出力A′，B′のパルスに同
期して位相が逆転するパルス電圧が発生する。
PL１及びPL３のパルス電圧が物性絞りの共通
透明電極３′及び４′に印加されるので、該物性
絞りはパルスA′，B′に同期して交互にオン・
オフし、該物性絞りは断続的に光遮断状態とな
り、警告動作を行うものである。又、この時
に、第３図の実施例と同様に、受光素子３０へ
の入射光量低下による、警告信号の消滅現象が
心配されるが、本実施例では、物性絞りが光遮
断状態となつた時に、出力B′がＬレベルである
ので、スイツチングトランジスタ６６がオンし
ており、よつてORゲートOR８の出力のＬレベ
ルへの反転により、微分回路６５から発生する
負の微分パルスを吸収して、RSフリツプフロ
ツプ回路６７がリセツトされるのを防止して、
警告動作の続行を実行している。 次に、絞り込み確認動作が行われた場合につ
いて述べる。この場合、スイツチ６９′が閉成
するので、Q₁出力はＨレベルになり反転回路
７１の出力はＬレベルになり、反転回路８０の
出力はＨレベルになる。よつてアナログスイツ
チ８１がオンし、８２はオフする。 この時はQ₁及びQ₂ともＨレベルなので、第
１表より、出力ＡはＨレベル、ＢはＬレベル、
ＣはＨレベルになり、よつて前述の如く、アナ
ログスイツチ７４〜７７の出力A′はＨレベ
ル、出力B′はＬレベルになる。よつてアナログ
スイツチ８６はオフ、８７はオンして所定の絞
り込み動作が行われる。 (2‐2) シヤツタ動作中 この場合もQ₁はＨレベルになり、前記絞り
込み確認動作の時と同様にして所定の絞り込み
動作を行う。 つまり、絞り込み動作は、警告動作に優先す
る。 以上の実施例では、円型の絞りのみ用いている
がこれに限定される必要はない。 次に、第５図に、星型絞りを用いた場合の、本
発明による具体的な絞り形状を示す。このような
星型絞りを用いると、小絞り時の解像力低下を防
止できる効果がある。 第６図に、第２図に示した分割透明電極３ａ〜
３ｈの具体的構成方法を示す。同図１中１は透明
ガラス基板、３ａ〜３ｈは丸型又はドーナツ型の
分割透明電極、３ａ―１〜３ｈ―１は、該各分割
透明電極からの引き出し電極で、該引き出し電極
を用いて駆動回路との接続を行うものである。こ
の引き出し電極の引き出し方法を同図２に示す。
この図は、１図のＡ―A′ラインに沿つた断面図
を示すもので、図中３ｈ―１が分割透明電極３ｈ
の引き出し電極で、該引き出し３ｈ―１は透明絶
縁層８０により、他の分割透明電極３ａ〜３ｇと
絶縁分離されている。他の引き出し電極も同様に
構成するものである。 以上の様に構成してあるので、引き出し電極に
より、分割透明電極の一部が欠落したり、引き出
し電極と他の分割透明電極が電気的に接触してし
まう恐れもなく、理想的な物性絞りの電極構成を
提供している。 第１図及び第６図では、透明基板の一方に配設
された透明電極のみ絞り口径値に応じて分割され
ていたが、つぎに両透明基板上の透明電極を分割
した本発明の実施例を第７図に示す。 図中１及び２は透明ガラス基板、３ａ〜３ｄは
透明ガラス基板１上に形成された分割透明電極、
４ａ〜４ｅは透明ガラス基板２上に形成された分
割透明電極、３ａ―１〜３ｄ―１及び４ａ―１〜
４ｅ―１は上記分割透明電極３ａ〜３ｄ、及び４
ａ〜４ｅの引き出し電極で、第５図と同様にして
構成する。６及び７は偏光板、８及び９はスペー
サーである。 絞りを一段絞る場合には、分割透明電極３ａと
４ａ間に逆位相のパルスを印加し、３ａと４ｂ間
及び他の上下分割透明電極間には同位相のパルス
を印加すればよい。又、絞りを２段絞る場合に
は、分割透明電極３ａと４ａ及び３ａと４ｂ間に
逆位相のパルスを印加し、３ｂと４ｂ間及び他の
上下分割透明電極間には同位相のパルスを印加す
ればよい。更に深く絞る場合も同様である。 以上のように、上下分割透明電極の互いに逆位
相のパルスが印加される部分が光遮断状態になる
ことを利用し、各分割透明電極に与えるパルス電
圧の位相を駆動回路により制御して、所定の絞り
口径を得ることができるものである。 以上の実施例では、電気光学素子として液晶を
用いた場合について記したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、いかなる電気又は磁気光
学素子を用いることも可能である。 又、物性絞りの絞り形も、円型及び星型に限定
されるものではなく、光学性能を考慮した上で、
いかなる形状のものでもよく、又、必ずしも絞り
開放側から絞つていく必要はなく、中心部から絞
つていくことも、又それに限定されず、任意の部
分を絞ることも可能であり、それは求められる光
学的性能から最も適切な方法を選択すればよい。 又実施例では、絞り込みは一段ずつ行われるよ
うになつているが、中間段を出す為に、1/2段、
又は1/3段ずつ絞り込むようにすることも容易で
ある。 以上、実施例に基づき詳述した如く、本発明
は、一眼レフカメラに於て、露出オーバー警告装
置を物性絞り装置と兼用することを特徴とするも
ので、フアインダ全面が連続的又は断続的に暗状
態となつて警告動作をするので、見落しのない効
果的な警告装置を提供すると共に、警告装置を別
設する必要がなく、コスト的にも大きな利点を有
するものであり、更には、電気又は磁気光学素子
が光遮断状態にある時は露出オーバー警告信号保
持手段のリセツトを禁止する禁止手段（実施例に
おけるトランジスタ６６）を設けたので、本発明
の様なTTL測光のカメラにおいて生じる問題、
即ち露出オーバー警告動作時に光遮断状態になる
ことによつて露出オーバー警告信号が消滅して露
出オーバー警告動作が行われなくなるという問題
も解決できるものである。 以上実施例図により述べた例は全て露出制御部
材としての物性絞り装置を警告表示に兼用する例
であるが、絞りに限らずシヤツタあるいは絞り兼
用シヤツタとして設置したものを警告表示に兼用
することも同様に可能であることは言う迄もな
い。但しシヤツタあるいは絞り兼用シヤツタとし
て構成する場合には、古くから知られている機械
的レンズシヤツタを組込んだ一眼レフカメラと同
様に、カメラのミラーボツクス部などに組込んだ
補助シヤツタと該レンズシヤツタの開閉動作が所
定の順序で逐次行われるよう逐次制御する必要が
あり、これは従来の機械的レンズシヤツタの駆動
制御を物性シヤツタへの印加電圧の制御に変える
ことにより容易に実現できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による物性絞り装置の一実施例
を示す構造図で、第１図１は面積制御式、第１図
２は光透過率制御式の物性絞りを示す。第２図は
第１図示の物性絞りを一眼レフレツクスカメラに
組み込んだ場合の構造を示す略線図、第３図は本
発明による物性絞りの駆動回路の一実施例を示す
回路接続図、第４図１は本発明の他の実施例によ
る物性絞りの駆動回路を示す回路接続図、第４図
２〜５は第４図１の回路の動作を説明するための
各部波形図、第５図は本発明による物性絞りの絞
り形状の一例を示す図、第６図は第１図１に示し
た物性絞り装置の構造を示す構造図、第７図は本
発明の他の実施例における物性絞り装置の構成を
示す構造図である。 １，２…透明ガラス基板、３ａ〜３ｈ，３a′〜
３e′…分割透明電極、４…共通透明電極、５…ネ
マチツク液晶、６，７…偏光板、８，９…セパレ
ーター。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 撮影レンズ並びに露出制御部材を介した光を
   測光手段により測光すると共に、該光をフアイン
   ダー光学系を介してフアインダー内に伝え被写体
   像をフアインダーにて視認し得る様にしたカメラ
   において、 電気又は磁気的制御により光透過率の変化する
   電気又は磁気光学素子により前記露出制御部材を
   構成すると共に、測光手段出力に応じて露出オー
   バー警告を行うための警告回路からの警告信号に
   応答して前記電気又は磁気光学素子へその光透過
   率を低減させ光遮断状態とするための信号を連続
   的又は断続的に印加するための制御回路を設け、
   かつ前記警告信号発生に応答して該警告信号を保
   持する手段と、前記警告信号発生に応答し、前記
   電気又は磁気光学素子が光遮断状態にある時は前
   記保持手段のリセツトを禁止する禁止手段とを備
   えたことを特徴とする物性絞りを有するカメラ。