JPS6248013A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6248013A JPS6248013A JP60190700A JP19070085A JPS6248013A JP S6248013 A JPS6248013 A JP S6248013A JP 60190700 A JP60190700 A JP 60190700A JP 19070085 A JP19070085 A JP 19070085A JP S6248013 A JPS6248013 A JP S6248013A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- region
- mask
- circumference
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
- H10W46/201—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification located on the periphery of wafers, e.g. orientation notches or lot numbers
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
基板（以下ウェーハと記す）毎の管理を容易にし。
生産数量、若しくは半導体装置の特性を容易にコントロ
ールすることができるウェーハを用いた半導体装置の製
造方法に関する。
ールすることができるウェーハを用いた半導体装置の製
造方法に関する。
従来の半導体装置の製造方法は、ウェーハメーカーよシ
購入したウェーハロットから拡散工程のロフトを形成す
るが、拡散工程履歴はロフト単位で管理され、ウェーハ
毎の履歴はわからない。又同一ロット内でもウェーハ間
に不純物濃度、酸化膜厚等にバラツキがあり、拡散が完
了した後特性が必ずしも均一でない。
購入したウェーハロットから拡散工程のロフトを形成す
るが、拡散工程履歴はロフト単位で管理され、ウェーハ
毎の履歴はわからない。又同一ロット内でもウェーハ間
に不純物濃度、酸化膜厚等にバラツキがあり、拡散が完
了した後特性が必ずしも均一でない。
又、ある製品グループで１つのホトリソグラフィ工程の
マスクを換える事で別機能の製品を生産する方法がある
が、その場合ウェーハは生産数が少量の場合は数枚です
む事もある。それでも拡散工程のロットは同グループの
他品種とは外観で区別できない為統合して製造する事は
できない６それを解決する為には、ウェーハ毎にナンバ
ーをつけ、管理する方法が考えられる。ナンバーはパタ
ーニングされている面にある墨が作業性上必要であシ、
それには第１リングラフイエ程でパターニングするか又
は、予め他方法で書込む方法がある。あるリングラフィ
工程で品種切換を行う場合拡散のある工程で統合・分割
を繰返すのでナンバーのパターニングが何度となく必要
である。
マスクを換える事で別機能の製品を生産する方法がある
が、その場合ウェーハは生産数が少量の場合は数枚です
む事もある。それでも拡散工程のロットは同グループの
他品種とは外観で区別できない為統合して製造する事は
できない６それを解決する為には、ウェーハ毎にナンバ
ーをつけ、管理する方法が考えられる。ナンバーはパタ
ーニングされている面にある墨が作業性上必要であシ、
それには第１リングラフイエ程でパターニングするか又
は、予め他方法で書込む方法がある。あるリングラフィ
工程で品種切換を行う場合拡散のある工程で統合・分割
を繰返すのでナンバーのパターニングが何度となく必要
である。
上述した従来のウェーハにナンバーをパターニングする
方法の１つのリングラフィによシバターニングする方法
は、通常のリングラフィ工程のマスクはガラス面に多数
の半導体装置がパターニングされたものを用いる為、ウ
ェーハ毎にマスクを切換えるのは実用的でない。
方法の１つのリングラフィによシバターニングする方法
は、通常のリングラフィ工程のマスクはガラス面に多数
の半導体装置がパターニングされたものを用いる為、ウ
ェーハ毎にマスクを切換えるのは実用的でない。
次に、ダイヤモンド等でナンバーを付ける方法も途中工
程でつけるのはウニへ−にゴミをつける様なもので実用
的でない。
程でつけるのはウニへ−にゴミをつける様なもので実用
的でない。
また、レーザーによシナンバーをつける方法は、例えば
、第２図（ａ） 、 （ｂ）に示すように、ウェーハ１
の一部にレーザ光によるパターン３の付与が考えられる
。しかしこの方法によるときはパターン周辺が周囲よシ
ｔｌだけ、実際には１０μ惰程盛上がるのでそのまま使
用するとマスクにキズをつけたシ、不整形なパターンを
つける事になるので実用的でない。
、第２図（ａ） 、 （ｂ）に示すように、ウェーハ１
の一部にレーザ光によるパターン３の付与が考えられる
。しかしこの方法によるときはパターン周辺が周囲よシ
ｔｌだけ、実際には１０μ惰程盛上がるのでそのまま使
用するとマスクにキズをつけたシ、不整形なパターンを
つける事になるので実用的でない。
本発明は、従来法の欠点を除去し、ウェーハへのマーキ
ングに際しゴミを発生したり、マーキングによる突起に
よるマスク面にキズをつけたシ、不整形パターンを形成
することがなく、正確な寸法で容易にマーキングが可能
な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
ングに際しゴミを発生したり、マーキングによる突起に
よるマスク面にキズをつけたシ、不整形パターンを形成
することがなく、正確な寸法で容易にマーキングが可能
な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明に使用するウェーハはナンバーをつける領域が他
の領域よシウェーハ厚が薄く、かつナンバーをつける領
域がウェーハ周辺に接している構造を有する。ウェーハ
の領域の差によるクエーハ厚の差は１０μｍ以上である
。その様なウェーハを用いてナンバーをレーサー光によ
シつけると、パターンの周囲は１０μ惰程盛上がるが素
子のパターニングされた他の領域の表面までは達せず、
マスクにはキズをつけない。
の領域よシウェーハ厚が薄く、かつナンバーをつける領
域がウェーハ周辺に接している構造を有する。ウェーハ
の領域の差によるクエーハ厚の差は１０μｍ以上である
。その様なウェーハを用いてナンバーをレーサー光によ
シつけると、パターンの周囲は１０μ惰程盛上がるが素
子のパターニングされた他の領域の表面までは達せず、
マスクにはキズをつけない。
又、薄い領域が厚い領域に囲まれるとマスクとコンタク
トした時マスクとウェーハが密着し離れなくなるので使
用できない。薄い領域をウェーハ周囲と接する事でマス
クとウェーハの分離が容易となる。
トした時マスクとウェーハが密着し離れなくなるので使
用できない。薄い領域をウェーハ周囲と接する事でマス
クとウェーハの分離が容易となる。
以上の構造のウェーハを用いる事によりレーザー光によ
シマーキングが容易となり、マーキング前後の余計な処
理は不要であシ、現状の生産ラインにそのまま導入でき
る。
シマーキングが容易となり、マーキング前後の余計な処
理は不要であシ、現状の生産ラインにそのまま導入でき
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａｌ 、 （ｂ）は本発明の一実施例を説明す
るためのウニ〜ハの斜視図および第１図（ａ）のＡ−Ａ
’線における断面図である。
るためのウニ〜ハの斜視図および第１図（ａ）のＡ−Ａ
’線における断面図である。
第１図（ａ） 、 （ｂｌにおいて、１はウェーハで、
２はナンバーを記入する領域で、３はレーサー光により
パターニングされたナンバーである。レーザー光によ
るパターンの周辺は ｔ］＜１０μ惰程盛上がるので、
ｈ＞１０μ飢とすると、ガラスマスクがウェーハに密着
した時、レーサー光によるパターンで、ガラスマスクは
キズっくことがない。
２はナンバーを記入する領域で、３はレーサー光により
パターニングされたナンバーである。レーザー光によ
るパターンの周辺は ｔ］＜１０μ惰程盛上がるので、
ｈ＞１０μ飢とすると、ガラスマスクがウェーハに密着
した時、レーサー光によるパターンで、ガラスマスクは
キズっくことがない。
またその位置は周辺に接しているのでウェーハとマスク
が離れにくいという問題も発生しない。
が離れにくいという問題も発生しない。
以上説明したように本発明はウェーハの一部領域を他の
領域より１０μ以上薄くする事でレーザー光による突起
も、パターニングする時ガラスマスクにキズを与えない
ので、ウェーハのナンバーのパターニングにレーサー光
を使う事ができ、何回でも容易にマーキング可能である
。各工程の拡散データをマークによシウェーハに与える
事により、次工程で前の情報を読み取る事で、より特性
のそろった半導体装置を得る事ができる。例えば、ウェ
ーハの不純物濃度ゲート酸化膜の情報により、スレッシ
ュホールド電圧コントロール用のイオン注入による不純
物濃度をコントロールしたジ、多結晶シリコン厚、又は
酸化膜厚をウェーハ毎に得ていればエツチングをコント
ロールし、よシ正確な寸法でパターニングが可能となる
。
領域より１０μ以上薄くする事でレーザー光による突起
も、パターニングする時ガラスマスクにキズを与えない
ので、ウェーハのナンバーのパターニングにレーサー光
を使う事ができ、何回でも容易にマーキング可能である
。各工程の拡散データをマークによシウェーハに与える
事により、次工程で前の情報を読み取る事で、より特性
のそろった半導体装置を得る事ができる。例えば、ウェ
ーハの不純物濃度ゲート酸化膜の情報により、スレッシ
ュホールド電圧コントロール用のイオン注入による不純
物濃度をコントロールしたジ、多結晶シリコン厚、又は
酸化膜厚をウェーハ毎に得ていればエツチングをコント
ロールし、よシ正確な寸法でパターニングが可能となる
。
第１図（ａｌ 、 （ｂｌは本発明の一実施例を説明す
るためのマーキングされたウェーハの斜視図および第１
図（ａＪのＡ−Ａ’線における断面図、第２図ｔａ＋
、 （ｂ）は従来の半導体装置の製造方法を説明するた
めのマーキングされたウェーハの斜視図および第２図（
ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。 １・・・・半導体基板、２・・・パターニング領域、３
・・・・・・レーザー元によるパターン、ｔｌ ・
・・ノくターンの盛上シ高さ、ｔ２ ・・マーキング
部と他の領域との差。 代理人 弁理士 内 原 晋− 第１図
るためのマーキングされたウェーハの斜視図および第１
図（ａＪのＡ−Ａ’線における断面図、第２図ｔａ＋
、 （ｂ）は従来の半導体装置の製造方法を説明するた
めのマーキングされたウェーハの斜視図および第２図（
ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。 １・・・・半導体基板、２・・・パターニング領域、３
・・・・・・レーザー元によるパターン、ｔｌ ・
・・ノくターンの盛上シ高さ、ｔ２ ・・マーキング
部と他の領域との差。 代理人 弁理士 内 原 晋− 第１図
Claims (1)
- 半導体基板の周辺に接し該基板の同一面の他の領域より
１０μｍ以上薄くした一部領域を形成し、該領域にマー
キングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60190700A JPS6248013A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60190700A JPS6248013A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6248013A true JPS6248013A (ja) | 1987-03-02 |
Family
ID=16262396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60190700A Pending JPS6248013A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6248013A (ja) |
-
1985
- 1985-08-28 JP JP60190700A patent/JPS6248013A/ja active Pending
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