JPS6254458A - 入力保護回路 - Google Patents
入力保護回路Info
- Publication number
- JPS6254458A JPS6254458A JP60194101A JP19410185A JPS6254458A JP S6254458 A JPS6254458 A JP S6254458A JP 60194101 A JP60194101 A JP 60194101A JP 19410185 A JP19410185 A JP 19410185A JP S6254458 A JPS6254458 A JP S6254458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- resistor
- resistance
- input protection
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
- H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
- H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
- H10D89/911—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using passive elements as protective elements
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は入力保護回路に関するもので、特にＭＯ８集積
回路の入力保ｔ！に使用されるものである。
回路の入力保ｔ！に使用されるものである。
この種の従来の入力保護回路を第２図に示す。
図中Ｔｒ１はアルミニウムのフィールドトランジスタ、
Ｄ、は保護ダイオード素子、Ｒは保護抵抗である。この
ものは、入力に正のサージ電圧を印加した場合は、トラ
ンジスタＴｒ、を通してディスチャージされる。また入
力に負のサージ電圧を印加した場合は、ダイオード素子
Ｄｌを通してディスチャージされる。
Ｄ、は保護ダイオード素子、Ｒは保護抵抗である。この
ものは、入力に正のサージ電圧を印加した場合は、トラ
ンジスタＴｒ、を通してディスチャージされる。また入
力に負のサージ電圧を印加した場合は、ダイオード素子
Ｄｌを通してディスチャージされる。
第３図に上記保護抵抗Ｒのノ母ターン平面図を示す。図
中１はメンダイングワイヤが接続されるアルミニウムパ
ッド、２はアルミニウムのカバー、３はトランジスタＴ
ｒ、やダイオード素子り菫に接続されるアルミニウム配
線、４，５は配線コンタクト孔である。保護抵抗Ｒはポ
リシリコン、拡散層等よりなり、小面積で長さをかせぐ
ために蛇行させである。第４図は第３図のＢ−Ｂ線に沿
う断面図で、図中６は半導体基板、７はＳｌＯ□膜であ
る。このものにあっては、サージのディスチャージ中に
抵抗部Ｒで発生した熱はアルミニウム２を伝わり、パッ
ド１、デンディングワイヤを通して外へ逃けてゆくこと
により、抵抗Ｒの溶断を防ぐものである。
中１はメンダイングワイヤが接続されるアルミニウムパ
ッド、２はアルミニウムのカバー、３はトランジスタＴ
ｒ、やダイオード素子り菫に接続されるアルミニウム配
線、４，５は配線コンタクト孔である。保護抵抗Ｒはポ
リシリコン、拡散層等よりなり、小面積で長さをかせぐ
ために蛇行させである。第４図は第３図のＢ−Ｂ線に沿
う断面図で、図中６は半導体基板、７はＳｌＯ□膜であ
る。このものにあっては、サージのディスチャージ中に
抵抗部Ｒで発生した熱はアルミニウム２を伝わり、パッ
ド１、デンディングワイヤを通して外へ逃けてゆくこと
により、抵抗Ｒの溶断を防ぐものである。
いろいろな変形はあるものの、従来技術による入力保護
回路の本質は第２図ないし第４図に１とめられる。耐圧
の大きい保護回路をつくるためには、保護抵抗Ｒの値を
高くすればよいが、集積回路の高速化には妨げとなるた
め、上記抵抗値はぎりぎシまで下げることが望ましい。
回路の本質は第２図ないし第４図に１とめられる。耐圧
の大きい保護回路をつくるためには、保護抵抗Ｒの値を
高くすればよいが、集積回路の高速化には妨げとなるた
め、上記抵抗値はぎりぎシまで下げることが望ましい。
抵抗部を下けると抵抗部で発生する熱シは増加し、溶断
をひきおこす。即ち回路の高速化と高耐圧の保護回路と
は相反する要語である。またパターン的には第３図、第
４図のＡの部分が特に溶断しやすい。この部分は保護抵
抗Ｒの終端部付近で、アルミニウムのカバー２が終ると
ころであり、抵抗Ｒで発生したジュール熱を、アルミニ
ウムが効率よく吸収することがむずかしいためである。
をひきおこす。即ち回路の高速化と高耐圧の保護回路と
は相反する要語である。またパターン的には第３図、第
４図のＡの部分が特に溶断しやすい。この部分は保護抵
抗Ｒの終端部付近で、アルミニウムのカバー２が終ると
ころであり、抵抗Ｒで発生したジュール熱を、アルミニ
ウムが効率よく吸収することがむずかしいためである。
〔発明の目的〕
本発明は入力作物回路において、保護抵抗を高くするこ
となしに高耐圧化をはかり、高速化と高耐圧化を同時に
満たすことを目的とする。
となしに高耐圧化をはかり、高速化と高耐圧化を同時に
満たすことを目的とする。
本発明は、入力保護抵抗の終端部付近を他の部分よシ充
分に抵抗値を下げる（−例として太くする）ことにより
、この部分の発熱量を低減し、溶断を防ぐ。他の部分は
アルミニウムで大きくおおわれているため、溶断に必要
な発熱量は上記終端部付近よシ大きく、従って抵抗値を
下げる（太くする）必要はない。
分に抵抗値を下げる（−例として太くする）ことにより
、この部分の発熱量を低減し、溶断を防ぐ。他の部分は
アルミニウムで大きくおおわれているため、溶断に必要
な発熱量は上記終端部付近よシ大きく、従って抵抗値を
下げる（太くする）必要はない。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第１
図は同実施例の・リーン平面図であるが、これは前記従
来例のものと対応させた場合の例であるから、対応個所
には同一符号を付して説明を省略し、特徴とする点の説
明を行なう。本発明の特徴は、入力保護回路の入力側か
ら見た入力保護抵抗Ｒの終端部付通人の抵抗値を、入力
保護抵抗Ｒの他の部分にくらべて下げることである。こ
こでは、入力保護抵抗Ｒの終端部付通人の幅を、他の部
分より太くすることによって抵抗値を下げている。即ち
太くしたいのは、アルミニウムのカバー（放熱効果をよ
くするためのカバー）２の縁の部分、及び保護抵抗のう
ちアルミニウムにおおわれていない部分である。
図は同実施例の・リーン平面図であるが、これは前記従
来例のものと対応させた場合の例であるから、対応個所
には同一符号を付して説明を省略し、特徴とする点の説
明を行なう。本発明の特徴は、入力保護回路の入力側か
ら見た入力保護抵抗Ｒの終端部付通人の抵抗値を、入力
保護抵抗Ｒの他の部分にくらべて下げることである。こ
こでは、入力保護抵抗Ｒの終端部付通人の幅を、他の部
分より太くすることによって抵抗値を下げている。即ち
太くしたいのは、アルミニウムのカバー（放熱効果をよ
くするためのカバー）２の縁の部分、及び保護抵抗のう
ちアルミニウムにおおわれていない部分である。
しかして従来技術の入力保護抵抗（第３図）では、抵抗
値を低くすると（高速化のためには低抵抗であればある
ほど望ましい）人の部分での溶断が発生し、耐圧を下げ
ていた。Ａの部分が溶断しやすいのは、アルミニウム層
２が全面をおおっていないためである。するとＡの部分
の直上のアルミニウム層２は熱が一方にしか逃げてゆか
ず、放熱効率がおちる。またコンタクト孔５でアルミニ
ウム配線３とのコンタクトをとるため、どうしてもアル
ミニウム層２で＆われていない抵抗部分ができてしまう
。この部分の太さを例えば２倍にすると、発熱量は（単
位長さ当！＋ ） １／２となり、単位面積轟りでは１
／４に、まで減少する。従って第１図のように人の部分
を充分太くとって、溶断が他の部分で起こるようにして
おけばよい。この時の耐圧が入力保護の真の耐圧である
。即ち本実施例によれば、人の部分を太くしたため、抵
抗値が小となって発熱量が少なくなり、また面積が犬と
なって放熱量が大にできるものであ゛る。
値を低くすると（高速化のためには低抵抗であればある
ほど望ましい）人の部分での溶断が発生し、耐圧を下げ
ていた。Ａの部分が溶断しやすいのは、アルミニウム層
２が全面をおおっていないためである。するとＡの部分
の直上のアルミニウム層２は熱が一方にしか逃げてゆか
ず、放熱効率がおちる。またコンタクト孔５でアルミニ
ウム配線３とのコンタクトをとるため、どうしてもアル
ミニウム層２で＆われていない抵抗部分ができてしまう
。この部分の太さを例えば２倍にすると、発熱量は（単
位長さ当！＋ ） １／２となり、単位面積轟りでは１
／４に、まで減少する。従って第１図のように人の部分
を充分太くとって、溶断が他の部分で起こるようにして
おけばよい。この時の耐圧が入力保護の真の耐圧である
。即ち本実施例によれば、人の部分を太くしたため、抵
抗値が小となって発熱量が少なくなり、また面積が犬と
なって放熱量が大にできるものであ゛る。
なお本発明は実施例のみに限られることなく種々の応用
が可能である。例えば何らかの方法で、第３図の人の部
分の抵抗を（太さはそのままで）他の部分にくらべて下
げることが可能ならば（例えばこの部分のみＩリシリコ
ンをポリサイドにする等）、それでも同様の目的を実現
できる。
が可能である。例えば何らかの方法で、第３図の人の部
分の抵抗を（太さはそのままで）他の部分にくらべて下
げることが可能ならば（例えばこの部分のみＩリシリコ
ンをポリサイドにする等）、それでも同様の目的を実現
できる。
以上説明した如く本発明によれば、入力保護抵抗値を高
くすることなしに高耐圧化をはかり、高速化と高耐圧化
をβＪＲＫ満たし得る入力保護回路が提供できるもので
ある。
くすることなしに高耐圧化をはかり、高速化と高耐圧化
をβＪＲＫ満たし得る入力保護回路が提供できるもので
ある。
第１図は本発明の一実施例のパターン平面図、第２図は
入力保護回路図、第３図は従来の入力保護抵抗部分のノ
やターン平面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ線に沿う断面
図である。 ｌ・・・ぎンディングノ臂ツド、２・・・アルミニウム
のカバー、４，５・・・コンタクト孔、Ｒ・・・入力保
護抵抗、Ａ・・・入力保護抵抗の終端部付近。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦ロー図 第２図 第３５１
入力保護回路図、第３図は従来の入力保護抵抗部分のノ
やターン平面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ線に沿う断面
図である。 ｌ・・・ぎンディングノ臂ツド、２・・・アルミニウム
のカバー、４，５・・・コンタクト孔、Ｒ・・・入力保
護抵抗、Ａ・・・入力保護抵抗の終端部付近。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦ロー図 第２図 第３５１
Claims (3)
- （１）入力保護回路においてその入力側から見た入力保
護抵抗の終端部付近の抵抗値を、前記入力保護抵抗の他
の部分にくらべて下げることを特徴とする入力保護回路
。 - （２）前記入力保護抵抗の終端部付近の抵抗の幅を、前
記他の部分にくらべて太くすることによって抵抗値を下
げることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の入
力保護回路。 - （３）前記入力保護抵抗の終端部付近はアルミニウムで
覆われておらず、前記他の部分はアルミニウムで覆われ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項に記載の入力保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60194101A JPS6254458A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 入力保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60194101A JPS6254458A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 入力保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254458A true JPS6254458A (ja) | 1987-03-10 |
Family
ID=16318961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60194101A Pending JPS6254458A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 入力保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6254458A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6251760U (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-31 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5877252A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-10 | Hitachi Ltd | 入力保護回路装置 |
| JPS6015973A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-26 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-09-03 JP JP60194101A patent/JPS6254458A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5877252A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-10 | Hitachi Ltd | 入力保護回路装置 |
| JPS6015973A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-26 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6251760U (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-31 |
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