JPH01149451A - Ｃｍｏｓの入力段ゲートの保護装置 - Google Patents
Ｃｍｏｓの入力段ゲートの保護装置Info
- Publication number
- JPH01149451A JPH01149451A JP62308151A JP30815187A JPH01149451A JP H01149451 A JPH01149451 A JP H01149451A JP 62308151 A JP62308151 A JP 62308151A JP 30815187 A JP30815187 A JP 30815187A JP H01149451 A JPH01149451 A JP H01149451A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- protective resistor
- corner
- parts
- stage gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＣＭＯＳの入力段ゲートを静電破壊から保護
する保護装置に関する。
する保護装置に関する。
（従来の技術）
これまでにも、ＣＭＯＳの入力段ゲートを静電破壊から
保護する保護装置は種々提案されている。
保護する保護装置は種々提案されている。
第２図は人力パッドとＣＭＯＳの入力段ゲートとの間に
設けられた保護装置の一例を示す回路図である。第２図
において、２は入力パッド、４は人力段ゲートである。
設けられた保護装置の一例を示す回路図である。第２図
において、２は入力パッド、４は人力段ゲートである。
６は入力パッド２と入力段ゲート４との間に設けられた
保護装置であり、この保護装置６は入力パッド２と人力
段ゲート４との間に直列に接続された保護抵抗８と、電
源ＶｃＣと接地部との間に互いに直列に接続された保護
ダイオード１０．１２とで構成されている。
保護装置であり、この保護装置６は入力パッド２と人力
段ゲート４との間に直列に接続された保護抵抗８と、電
源ＶｃＣと接地部との間に互いに直列に接続された保護
ダイオード１０．１２とで構成されている。
第３図は第２図の保護装置６における保護抵抗８の従来
構成を示す図である。第３図に示すように保護抵抗８は
絶縁層中にポリシリコン層により蛇行状に形成されてい
る。１４は絶縁層の窓開は部を介しての入力パッド２と
保護抵抗８とのコンタクトである。なお、第３図では保
護ダイオード１０．１２と入力段ゲート４とは図示して
いない。
構成を示す図である。第３図に示すように保護抵抗８は
絶縁層中にポリシリコン層により蛇行状に形成されてい
る。１４は絶縁層の窓開は部を介しての入力パッド２と
保護抵抗８とのコンタクトである。なお、第３図では保
護ダイオード１０．１２と入力段ゲート４とは図示して
いない。
このような構成の保護装置６による保護作用は周知であ
るのでその説明は省略する。
るのでその説明は省略する。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、上記構成の保護装置６にあっては、保護抵抗
８の直列抵抗値を大きくしてその保護作用を高める一方
で、チップ面積の制約から蛇行状に形成されている。そ
のため、保護抵抗８のコーナ部１６・・・での電流密度
が高くなっている。
８の直列抵抗値を大きくしてその保護作用を高める一方
で、チップ面積の制約から蛇行状に形成されている。そ
のため、保護抵抗８のコーナ部１６・・・での電流密度
が高くなっている。
しかしながら、電流密度が高くなると、保護抵抗８に流
れる電流によるそのコーナ部１６でのジュール熱による
発熱量が大きくなって保護抵抗８がそのコーナ部１６で
溶融して破断し易いという構成上の問題がある。
れる電流によるそのコーナ部１６でのジュール熱による
発熱量が大きくなって保護抵抗８がそのコーナ部１６で
溶融して破断し易いという構成上の問題がある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、
保護抵抗のコーナ部での電流密度を低くして保護抵抗が
電流による発熱で容易に溶融破断しないようにすること
を目的としている。
保護抵抗のコーナ部での電流密度を低くして保護抵抗が
電流による発熱で容易に溶融破断しないようにすること
を目的としている。
（問題点を解決するための手段）
本発明は前記目的を達成するために、保護抵抗のコーナ
部の面積が大きく形成され、そのコーナ部上がアルミニ
ウムで覆われるとともに、絶縁層に窓開けがなされ、そ
の窓を介してそのアルミニウムと保護抵抗とが直接にコ
ンタクトされたことを特徴としている。
部の面積が大きく形成され、そのコーナ部上がアルミニ
ウムで覆われるとともに、絶縁層に窓開けがなされ、そ
の窓を介してそのアルミニウムと保護抵抗とが直接にコ
ンタクトされたことを特徴としている。
（作用）
この構成によれば、保護抵抗のコーナ部の面積が大きく
構成されているから、そのコーナ部での電流密度が小さ
くなる。したがって、コーナ部での発熱が抑えられる。
構成されているから、そのコーナ部での電流密度が小さ
くなる。したがって、コーナ部での発熱が抑えられる。
また、そのコーナ部上がアルミニウムで覆われ、しかも
そのアルミニウムと保護抵抗とが直接にコンタクトされ
であるから、その発熱の放熱効率が高まる。
そのアルミニウムと保護抵抗とが直接にコンタクトされ
であるから、その発熱の放熱効率が高まる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。この実施例の保護装置は、第２図に示される入力パッ
ドとＣＭＯＳの入力段ゲートとの間に設けられた保護装
置に適用される。第１図はそのような保護装置における
保護抵抗の構成図である。第１図において、８は保護抵
抗である。この保護抵抗８は各コーナ部１６・・・の面
積を大きく形成されである。そして、各コーナ部１６・
・・上ハ所定の面積に形成されたアルミニウム１８・・
・でそれぞれ覆われている。
。この実施例の保護装置は、第２図に示される入力パッ
ドとＣＭＯＳの入力段ゲートとの間に設けられた保護装
置に適用される。第１図はそのような保護装置における
保護抵抗の構成図である。第１図において、８は保護抵
抗である。この保護抵抗８は各コーナ部１６・・・の面
積を大きく形成されである。そして、各コーナ部１６・
・・上ハ所定の面積に形成されたアルミニウム１８・・
・でそれぞれ覆われている。
また、アルミニウム１８・・・と保護抵抗８の各コーナ
部１６・・・とは絶縁層の窓開は部を介して直接にコン
タクト２０・・・されている。
部１６・・・とは絶縁層の窓開は部を介して直接にコン
タクト２０・・・されている。
したがって、この実施例では、保護抵抗８の各コーナ部
１６・・・の面積が大きく構成されているから、各コー
ナ部１６・・・での電流密度が小さくなって各コーナ部
１６・・・での発熱が抑えられる。
１６・・・の面積が大きく構成されているから、各コー
ナ部１６・・・での電流密度が小さくなって各コーナ部
１６・・・での発熱が抑えられる。
また、そのコーナ部１６・・・上がアルミニウム１８・
・・で覆われており、かつそのアルミニウム１８・・・
と保護抵抗８とが直接にコンタクトされであるから、そ
の発熱の放熱効率が大きく高められる。
・・で覆われており、かつそのアルミニウム１８・・・
と保護抵抗８とが直接にコンタクトされであるから、そ
の発熱の放熱効率が大きく高められる。
（効果）
以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
保護抵抗のコーナ部での電流密度を低くし、かつその電
流による発熱の放熱効率を高（なるように構成されたか
ら、保護抵抗が電流による発熱で容易に溶融破断するよ
うなことがない。
保護抵抗のコーナ部での電流密度を低くし、かつその電
流による発熱の放熱効率を高（なるように構成されたか
ら、保護抵抗が電流による発熱で容易に溶融破断するよ
うなことがない。
第１図は本発明の一実施例に係る保護装置の構成図、第
２図は人力パッドと０ＭＯ８の人力段ゲートとの間の保
護装置の回路図、第３図は従来例の保護装置の構成図で
ある。 ２・・・入力パッド、４・・・人力段ゲート、６・・・
保護装置、８・・・保護抵抗、１６・・・コーナ部、Ｉ
８・・・アルミニウム、２０・・・コンタクト。
２図は人力パッドと０ＭＯ８の人力段ゲートとの間の保
護装置の回路図、第３図は従来例の保護装置の構成図で
ある。 ２・・・入力パッド、４・・・人力段ゲート、６・・・
保護装置、８・・・保護抵抗、１６・・・コーナ部、Ｉ
８・・・アルミニウム、２０・・・コンタクト。
Claims (1)
- （１）入力パッドと入力段ゲートとが、絶縁層中にポリ
シリコン層により形成された蛇行状の保護抵抗で接続さ
れてなるＣＭＯＳの入力段ゲートの保護装置において、 前記保護抵抗のコーナ部の面積が大きく形成され、その
コーナ部上がアルミニウムで覆われるとともに、前記絶
縁層に窓開けがなされ、その窓を介してそのアルミニウ
ムと保護抵抗とが直接にコンタクトされたことを特徴と
するＣＭＯＳの入力段ゲートの保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308151A JPH01149451A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | Ｃｍｏｓの入力段ゲートの保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308151A JPH01149451A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | Ｃｍｏｓの入力段ゲートの保護装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149451A true JPH01149451A (ja) | 1989-06-12 |
Family
ID=17977509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62308151A Pending JPH01149451A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | Ｃｍｏｓの入力段ゲートの保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01149451A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202854A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Fujitsu Ltd | 半導体集積装置 |
| US10134511B2 (en) | 2015-03-26 | 2018-11-20 | Seiko Epson Corporation | Resistance element, electrostatic protection circuit, temperature detection circuit, and electro-optic apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55134976A (en) * | 1979-04-09 | 1980-10-21 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5724563A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-09 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS59124754A (ja) * | 1983-01-04 | 1984-07-18 | Nec Corp | 集積回路装置 |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP62308151A patent/JPH01149451A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55134976A (en) * | 1979-04-09 | 1980-10-21 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5724563A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-09 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS59124754A (ja) * | 1983-01-04 | 1984-07-18 | Nec Corp | 集積回路装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202854A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Fujitsu Ltd | 半導体集積装置 |
| US10134511B2 (en) | 2015-03-26 | 2018-11-20 | Seiko Epson Corporation | Resistance element, electrostatic protection circuit, temperature detection circuit, and electro-optic apparatus |
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