JPS62554A - 顔料 - Google Patents
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- JPS62554A JPS62554A JP61127409A JP12740986A JPS62554A JP S62554 A JPS62554 A JP S62554A JP 61127409 A JP61127409 A JP 61127409A JP 12740986 A JP12740986 A JP 12740986A JP S62554 A JPS62554 A JP S62554A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B23/00—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
- C09B23/0066—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain being part of a carbocyclic ring,(e.g. benzene, naphtalene, cyclohexene, cyclobutenene-quadratic acid)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B23/00—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
- C09B23/02—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B69/00—Dyes not provided for by a single group of this subclass
- C09B69/02—Dyestuff salts, e.g. salts of acid dyes with basic dyes
- C09B69/06—Dyestuff salts, e.g. salts of acid dyes with basic dyes of cationic dyes with organic acids or with inorganic complex acids
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規な有機顔料及びその用途に関する。
長波長の可視スペクトルの範囲及び赤外部の近くで吸収
能を有する多くの有機物質が知られている。
能を有する多くの有機物質が知られている。
多くのこれら物質の一連の用途においては、その形態が
要求されるように得られないか又は変性できないと、あ
るいはこの物質が加工の前、途中及び／又は後に、例え
ば結晶化、空気又は熱による退色、滲出等の希望しない
変化を起こすことが欠点である。
要求されるように得られないか又は変性できないと、あ
るいはこの物質が加工の前、途中及び／又は後に、例え
ば結晶化、空気又は熱による退色、滲出等の希望しない
変化を起こすことが欠点である。
本発明の課題は、技術水準の赤外部吸収化合物の欠点を
有しない７００ ｎｍ以上で吸収能を有する新規な顔料
を見出すことであった。
有しない７００ ｎｍ以上で吸収能を有する新規な顔料
を見出すことであった。
本発明はこの課題を解決するもので、一般式（Ｆは吸収
極大が）７００ｎｍでさらにアニオン性基を有しうるカ
チオン染料のカチオン、Ｈｅｔはタングステン及び／又
はモリブデン、バナジウム又はそれと燐、珪素、コバル
ト、アルミニウム、マンガン、クロム及ヒ／又はニッケ
ル又はその混合物との混合物を基礎とするヘテロポリ酸
のアニオン、又はヘキサシアノ鉄酸（ＩＩ）の銅塩（Ｉ
）のアニオン（Ｃｕ、Ｆｅ（ＣＮ）、 ｆ’であり、こ
の顔料はカチオン染料をヘテロポリ酸を用いてレーキ化
することにより得られたものである）で表わされる顔料
である。
極大が）７００ｎｍでさらにアニオン性基を有しうるカ
チオン染料のカチオン、Ｈｅｔはタングステン及び／又
はモリブデン、バナジウム又はそれと燐、珪素、コバル
ト、アルミニウム、マンガン、クロム及ヒ／又はニッケ
ル又はその混合物との混合物を基礎とするヘテロポリ酸
のアニオン、又はヘキサシアノ鉄酸（ＩＩ）の銅塩（Ｉ
）のアニオン（Ｃｕ、Ｆｅ（ＣＮ）、 ｆ’であり、こ
の顔料はカチオン染料をヘテロポリ酸を用いてレーキ化
することにより得られたものである）で表わされる顔料
である。
本発明の顔料は均一な微細粒・子から成り、その粒径は
製造後に約１０〜１０００ ｎｍの範囲にある。
製造後に約１０〜１０００ ｎｍの範囲にある。
可溶性染料の多（の欠点は、本発明の染料レーキにより
回避される。
回避される。
新規顔料（Ｉ）は重合物中に容易に混合加工することが
でき、その場合重合物は溶液又は無溶媒の形で顔料着色
される。そのほか重合物に混合加工するためには、■の
分散液も使用できる。
でき、その場合重合物は溶液又は無溶媒の形で顔料着色
される。そのほか重合物に混合加工するためには、■の
分散液も使用できる。
この場合は顔料を高濃度で均一に分散させることができ
る。表面上にこの染料レーキ（Ｉ）を既知方法により施
すことができるが、既知の印刷技術の手段、例えば凸版
印刷法、凹版印刷法又はオフセット印刷法により加工す
ることもできる。
る。表面上にこの染料レーキ（Ｉ）を既知方法により施
すことができるが、既知の印刷技術の手段、例えば凸版
印刷法、凹版印刷法又はオフセット印刷法により加工す
ることもできる。
例えばＩＲ光源を用いて読みうる線状コード（バーコー
ド）を用いて印刷することができる。
ド）を用いて印刷することができる。
顔料（Ｉ）の分散液は、光学昧電池の吸収層として使用
することもできる。
することもできる。
そのほか本発明の顔料は、合成樹脂中で赤外線を吸収す
るため、あるいは太陽光捕集器中の吸収層として使用す
ることができる。
るため、あるいは太陽光捕集器中の吸収層として使用す
ることができる。
■を含有するフィルムは、長波を放射する光ダイオード
による信号誘導への特定の利用、例えばビデオテープ又
はオーディオテープの末端遮断に用いることもできる。
による信号誘導への特定の利用、例えばビデオテープ又
はオーディオテープの末端遮断に用いることもできる。
顔料（Ｉ）としては、染料カチオンＦが次の一般式
Ｔ
Ｒ’ Ｒ五
又は
に相当するものが特に好ましい。
この式中、Ｒ１及びＲ２は互いに無関係に０１〜Ｃ４−
アルキル基、あるいは水酸基、Ｃ，−０４−アルキル基
、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ基モしくハロゲン原子により
置換されていてもよいフェニル基又はヘテロアリール基
；Ｘは酸素原子又は硫黄原子；Ｚは−（ＣＨＩ−）ｒで
ｒ ＝ ２又は６；Ｔはフェニル基又はハロゲン原子（
例えばＢｒ又はＣ１）、好ましくはフェニル基又は塩素
原子；Ｒ３はＲ４は互いに無関係に、場合により０１〜
Ｃ４−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ２−アルコキシ基、７１０
ケン原子フェニル基； Ｒ５及びＲ６は互いに無関係に水素原子、Ｃ８〜Ｃ６−
アルキル基、０２〜Ｃ６−ヒドロキシアルキル基、０１
〜Ｃ４−アルコキシ−Ｃ２−又は−Ｃ５−アルキル基、
アリル基、２−（Ｃ２〜Ｃ４−アルカノイルオキシ）−
エチル基又は２−シアンエチル基、あるいはＹは水素原
子、水酸基、Ｃ０〜Ｃ４−アルキル基又は０１〜Ｃ４−
アルコキシ基； ｍ、ｎ及びｑはそれぞれ０．１又は２；Ｐｃは金属不含
フタロシアニン又は金属フタロ’／７二／の←ｐ 十ｓ
＋ ｖ ）価の残基、ただしこれは中心金属としてｖ
ＯｌＴｉＱ、 Ｐｂ、 Ｓｎ、 Ｃｕ、Ｎ１又はＭｎを
有し、メチレン基はイミダゾール環のＣ原子に結合して
いる； ｐは１ないし４の数： Ｓは０又は１； ■は０．１．２．６又は４； Ｐｃ’は金属不含フタロシアニン又は金属フタロシアニ
ンのＷ価の残基、ただしこれは中心金属としてのＶＯｌ
Ｔｉｅ、 Ｐｂ％Ｓｎ％Ｃｕ、 Ｎｉ又はＭｎを有する
； ＨａｌはＢｒ、好ましくはＣ１又はＦ：Ｒ７はＣ，−Ｃ
，−アルキル基、０２〜Ｃ４−ヒドロキシアルキル基又
は０２〜Ｃ２−アミノアルキル基；そしてＷは１．２．
３又は４である。
アルキル基、あるいは水酸基、Ｃ，−０４−アルキル基
、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ基モしくハロゲン原子により
置換されていてもよいフェニル基又はヘテロアリール基
；Ｘは酸素原子又は硫黄原子；Ｚは−（ＣＨＩ−）ｒで
ｒ ＝ ２又は６；Ｔはフェニル基又はハロゲン原子（
例えばＢｒ又はＣ１）、好ましくはフェニル基又は塩素
原子；Ｒ３はＲ４は互いに無関係に、場合により０１〜
Ｃ４−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ２−アルコキシ基、７１０
ケン原子フェニル基； Ｒ５及びＲ６は互いに無関係に水素原子、Ｃ８〜Ｃ６−
アルキル基、０２〜Ｃ６−ヒドロキシアルキル基、０１
〜Ｃ４−アルコキシ−Ｃ２−又は−Ｃ５−アルキル基、
アリル基、２−（Ｃ２〜Ｃ４−アルカノイルオキシ）−
エチル基又は２−シアンエチル基、あるいはＹは水素原
子、水酸基、Ｃ０〜Ｃ４−アルキル基又は０１〜Ｃ４−
アルコキシ基； ｍ、ｎ及びｑはそれぞれ０．１又は２；Ｐｃは金属不含
フタロシアニン又は金属フタロ’／７二／の←ｐ 十ｓ
＋ ｖ ）価の残基、ただしこれは中心金属としてｖ
ＯｌＴｉＱ、 Ｐｂ、 Ｓｎ、 Ｃｕ、Ｎ１又はＭｎを
有し、メチレン基はイミダゾール環のＣ原子に結合して
いる； ｐは１ないし４の数： Ｓは０又は１； ■は０．１．２．６又は４； Ｐｃ’は金属不含フタロシアニン又は金属フタロシアニ
ンのＷ価の残基、ただしこれは中心金属としてのＶＯｌ
Ｔｉｅ、 Ｐｂ％Ｓｎ％Ｃｕ、 Ｎｉ又はＭｎを有する
； ＨａｌはＢｒ、好ましくはＣ１又はＦ：Ｒ７はＣ，−Ｃ
，−アルキル基、０２〜Ｃ４−ヒドロキシアルキル基又
は０２〜Ｃ２−アミノアルキル基；そしてＷは１．２．
３又は４である。
個々の例を次に示す。
ハロゲン：Ｆ、Ｂｒ、特にＣ１゜
Ｒ１及びＲ２： Ｃ，〜Ｃ４−アルキル基例えばメチル
基、エチル基、プロピル基及びブチル基：フェニル基、
２−１３−及び４−トリル基、２−１３〜及び４−エチ
ルフェニル基、６−及び４−ｎ−及び１−プロピルフェ
ニル基、６−及び４− ｎ＝、１−及び三級ブチルフェ
ニル基、２−１３−及び４−１０ルフエニル基、３−４
び４−ブロムフェニル基、３−及び４−メトキシフェニ
ル基及び３−及び４−エトキシフェニル基、そのうち４
位で置換されたフェニル基が優れている。
基、エチル基、プロピル基及びブチル基：フェニル基、
２−１３−及び４−トリル基、２−１３〜及び４−エチ
ルフェニル基、６−及び４−ｎ−及び１−プロピルフェ
ニル基、６−及び４− ｎ＝、１−及び三級ブチルフェ
ニル基、２−１３−及び４−１０ルフエニル基、３−４
び４−ブロムフェニル基、３−及び４−メトキシフェニ
ル基及び３−及び４−エトキシフェニル基、そのうち４
位で置換されたフェニル基が優れている。
ヘテロアリール基；２−及び３−チェニル基、５−チア
ゾリル基及び２−及び３−フラニル基。
ゾリル基及び２−及び３−フラニル基。
Ｔ：フェニル基、塩素原子又は臭素原子、好ましく・は
フェニル基及び塩素原子。
フェニル基及び塩素原子。
Ｚ ； −（−ＣＨ，気及び−＋ ＣＨ２−）！。
置換フェニル基としてのＲ３及びＲ４： Ｒ１及びＲ２
Ｒ５及びＲ６：水素原子、Ｃ，−Ｃ６−アルキル基例え
ばメチル基、エチル基、ｎ−及び１−プロピル基、ｎ−
及び１−ブチル基、ペンチル基及びｎ−ヘキシル基；Ｃ
ｔ〜Ｃ４−ヒドロキシアルキル基例えば２−ヒドロキシ
エチル基、２−及び６−ヒドロキシプロピル基ｓ ａｔ
〜Ｃ４−１−アルコキシ−Ｃ２＝又は−Ｃ１−アルキル
基例えば２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基
、２−ｎ−及び１−プロポキシエチル基、２− ｎ−ブ
トキシエチル基、６−ブトキシプロピル基、３−エトキ
シプロピル基、６−ｎ−及び１−プロポキシプロビル基
、３− ｎ−ブトキシプロピル基；アリル基：２（ｃｔ
〜Ｃ４−アルカノイルオキシ）−エチル基例えば２−７
セトキシエチル基、２−プロピオノキシエチル基及び２
−ブチリルオキシエチル基；２−シアノエチル基。
Ｒ５及びＲ６：水素原子、Ｃ，−Ｃ６−アルキル基例え
ばメチル基、エチル基、ｎ−及び１−プロピル基、ｎ−
及び１−ブチル基、ペンチル基及びｎ−ヘキシル基；Ｃ
ｔ〜Ｃ４−ヒドロキシアルキル基例えば２−ヒドロキシ
エチル基、２−及び６−ヒドロキシプロピル基ｓ ａｔ
〜Ｃ４−１−アルコキシ−Ｃ２＝又は−Ｃ１−アルキル
基例えば２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基
、２−ｎ−及び１−プロポキシエチル基、２− ｎ−ブ
トキシエチル基、６−ブトキシプロピル基、３−エトキ
シプロピル基、６−ｎ−及び１−プロポキシプロビル基
、３− ｎ−ブトキシプロピル基；アリル基：２（ｃｔ
〜Ｃ４−アルカノイルオキシ）−エチル基例えば２−７
セトキシエチル基、２−プロピオノキシエチル基及び２
−ブチリルオキシエチル基；２−シアノエチル基。
複素環の残基、例えばピロリジニル基、ピペリジニル基
、モルホリニル基、チオモルホリニル基、ヒペラジニル
基又はＮ’−Ｃ，〜Ｃ４−アルキルピペラジニル基例え
ばＮ′−メチル−１Ｎ′−エチル−及びＮ′−ブチルピ
ペラジニル基が用いられる。
、モルホリニル基、チオモルホリニル基、ヒペラジニル
基又はＮ’−Ｃ，〜Ｃ４−アルキルピペラジニル基例え
ばＮ′−メチル−１Ｎ′−エチル−及びＮ′−ブチルピ
ペラジニル基が用いられる。
Ｙ：水素原子、水酸基、Ｃ，％ Ｃ，−アルキル基例え
ばメチル基、エチル基、ｎ−及びｉ−プロピル基、ｎ−
１ｉ−及び三級ブチル基ｙ ＣＩ〜ｃ４−アルコキシ基
例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−及び１−プロポキ
シ基及びｎ−ブトキシ基。
ばメチル基、エチル基、ｎ−及びｉ−プロピル基、ｎ−
１ｉ−及び三級ブチル基ｙ ＣＩ〜ｃ４−アルコキシ基
例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−及び１−プロポキ
シ基及びｎ−ブトキシ基。
Ｒ’ ： Ｃ，〜Ｃ４−アルキル基例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、ｎ−及び１−ブチル基：Ｃ６〜Ｃ
４−ヒドロキシアルキル基及び０２〜Ｃ３〒アミノアル
キル基例えば２−ヒドロキシエチル基、２−及び３−ヒ
ドロキシプロピル基、 ２−１３−及び４−ヒドロキシ
ブチル基、２−アミノエチル基、２−及び６−アミノプ
ロピル基及び４−アミノプチル基。
チル基、プロピル基、ｎ−及び１−ブチル基：Ｃ６〜Ｃ
４−ヒドロキシアルキル基及び０２〜Ｃ３〒アミノアル
キル基例えば２−ヒドロキシエチル基、２−及び３−ヒ
ドロキシプロピル基、 ２−１３−及び４−ヒドロキシ
ブチル基、２−アミノエチル基、２−及び６−アミノプ
ロピル基及び４−アミノプチル基。
特に好ましい顔料（Ｉ）は、式■、■、■又は■のカチ
オンを含有するもので、その式中、Ｒ１及ヒＲ２はフェ
ニル基、０１〜Ｃ４−アルキルフェニル基％ｃ１〜Ｃ２
−アルコキシフェニル基、４−ヒドロキシフェニル基、
２−チェニル基又はメチル基で、ｍは１又は２、Ｒ３及
びＲ４は はフェニル基であってもよく、Ｒ”は互いに無関係にＣ
８〜Ｃ４−アルキル基特にメチル基又はエチル基で、ｑ
は１又は２であり、 Ｐｃは中心原子としてＶＯ，Ｐｂ、Ｍｎ又はＳｎを有す
る金属フタロシアニンの残基で、ｐは１．２．３又は４
、Ｓは０．Ｈａｌは弗素原子、■は０又は４であり、 Ｐｃ’は中心原子としてＶＯ，Ｐｂ、 Ｍｎ又はｓｎを
有するＷ価の金属フタロシアニンの残基、Ｒ７はＣ３〜
Ｃ４−アルキル基、２−ヒドロキシエチル基又は２−ア
ミノエチル基で、Ｗは４である。
オンを含有するもので、その式中、Ｒ１及ヒＲ２はフェ
ニル基、０１〜Ｃ４−アルキルフェニル基％ｃ１〜Ｃ２
−アルコキシフェニル基、４−ヒドロキシフェニル基、
２−チェニル基又はメチル基で、ｍは１又は２、Ｒ３及
びＲ４は はフェニル基であってもよく、Ｒ”は互いに無関係にＣ
８〜Ｃ４−アルキル基特にメチル基又はエチル基で、ｑ
は１又は２であり、 Ｐｃは中心原子としてＶＯ，Ｐｂ、Ｍｎ又はＳｎを有す
る金属フタロシアニンの残基で、ｐは１．２．３又は４
、Ｓは０．Ｈａｌは弗素原子、■は０又は４であり、 Ｐｃ’は中心原子としてＶＯ，Ｐｂ、 Ｍｎ又はｓｎを
有するＷ価の金属フタロシアニンの残基、Ｒ７はＣ３〜
Ｃ４−アルキル基、２−ヒドロキシエチル基又は２−ア
ミノエチル基で、Ｗは４である。
Ｆが下記のカチオンである顔料（Ｉ）は特に好まＸ、
４ ｔｔ ｔｔ
２Ｘ＋６ ／／
／／ ２ｘ、８〃〃２ Ｘ、９ −ＣＨ，−ＣＨ，Ｉ Ｘ、１０ ｔｔ
ｔｔ ’１カチオン ＲＩＲ２ｍ Ｍ、２ Ｎ ”
２ＸＩ＋４〃〃２ Ｘ［，６／／ 〃２Ｘ、８〃〃２ Ｍ、 ９ ＣＨｓ ＣＨｓ
ＩＸｌ、１０ ” ／
／２カチオ７ Ｒ’＝Ｒ２Ｚ Ｔ刈、３
／／ −（ＣＨ２テ、−０１刈、 ５−Ｃ
Ｈ８−（ｃＨｓ＋２−Ｃ１■、７ ／ｌ
−（ＣＨ２ｈ −ＣＩカチオ７
Ｒ’＝Ｒ” Ｚ Ｔｙｌ
ｉｌ、３ ／／ −（ＣＨ２）ｓ
Ｃ１店、ｓ −ＣＨ，−（ＣＨｔ３−
ｚ −ＣＩＸ［Ｉｌ、７ ＩＩ
−（ＣＨ，ｈ −Ｃ↓カチオ７Ｒ”
Ｒｅ・ ９ｍ、ｉ −
１ｃａａ）＊ −Ｎ（ＣＨｓ）ｔ ＩＸ
Ｎ、２ ／／ −Ｈ１
”Ｎ、５ Ｎ （ＣｚＨｓ）ｔ Ｎ
（ＣｔＨｓ）ｔ ＩＸＩＶ、４
ＩＩ −ＨＩＸＩＶ、 ５ −Ｎ
Ｈ−Ｃ，Ｈ，−ＮＨ−Ｃ，Ｈ，ＩＸＮ、６
ＩＩ −ＨＩＸＩＶ、 ７
−Ｎ （ＣＨ３）２ Ｎ （ＣＨｓ）ｚ
２ＸＩ’／、 ８ Ｎ （ＣｔＨｓ）ｚ
Ｎ （ＣｔＨｓ）ｔ ２ｅ ＸＶ、 Ｉ Ｎ （ＣＨｓ）ｔ
ＨＸＶ、 ２ −Ｎ （Ｃ２Ｈ，）
、 ｔｔＸＶ、 ６ Ｎ
（ＣｔＨｓ）ｔ ０ＨＸＶ、 ７
−Ｎ （ＣＨ，）、 ｔｔカ
チオ７ Ｐｃ ｐ ｓ
Ｈａｌ ｖ）ｆｉ、 Ｉ ＶＯＰｈ
ｔｈ フ ０
０川・２ “ ２ ０
０ＸＶ１．３ ＭｎＰｈｔｈ １
ｇ □店、４ 〃
２ ｏ 。
４ ｔｔ ｔｔ
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／／ ２ｘ、８〃〃２ Ｘ、９ −ＣＨ，−ＣＨ，Ｉ Ｘ、１０ ｔｔ
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２ＸＩ＋４〃〃２ Ｘ［，６／／ 〃２Ｘ、８〃〃２ Ｍ、 ９ ＣＨｓ ＣＨｓ
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／２カチオ７ Ｒ’＝Ｒ２Ｚ Ｔ刈、３
／／ −（ＣＨ２テ、−０１刈、 ５−Ｃ
Ｈ８−（ｃＨｓ＋２−Ｃ１■、７ ／ｌ
−（ＣＨ２ｈ −ＣＩカチオ７
Ｒ’＝Ｒ” Ｚ Ｔｙｌ
ｉｌ、３ ／／ −（ＣＨ２）ｓ
Ｃ１店、ｓ −ＣＨ，−（ＣＨｔ３−
ｚ −ＣＩＸ［Ｉｌ、７ ＩＩ
−（ＣＨ，ｈ −Ｃ↓カチオ７Ｒ”
Ｒｅ・ ９ｍ、ｉ −
１ｃａａ）＊ −Ｎ（ＣＨｓ）ｔ ＩＸ
Ｎ、２ ／／ −Ｈ１
”Ｎ、５ Ｎ （ＣｚＨｓ）ｔ Ｎ
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ＩＩ −ＨＩＸＩＶ、 ５ −Ｎ
Ｈ−Ｃ，Ｈ，−ＮＨ−Ｃ，Ｈ，ＩＸＮ、６
ＩＩ −ＨＩＸＩＶ、 ７
−Ｎ （ＣＨ３）２ Ｎ （ＣＨｓ）ｚ
２ＸＩ’／、 ８ Ｎ （ＣｔＨｓ）ｚ
Ｎ （ＣｔＨｓ）ｔ ２ｅ ＸＶ、 Ｉ Ｎ （ＣＨｓ）ｔ
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０ＸＶ１．３ ＭｎＰｈｔｈ １
ｇ □店、４ 〃
２ ｏ 。
Ｘ％ｆｆ、５ ＰｂＰｈｔｈ ２
０ ０■、６ ＩＩ Ｑ
ＱＸＶｌ、７ ５ｎＰｈｔｈ
１ ０ ０店、８
〃 ２ ｏ 。
０ ０■、６ ＩＩ Ｑ
ＱＸＶｌ、７ ５ｎＰｈｔｈ
１ ０ ０店、８
〃 ２ ｏ 。
ＸＶｌ、９ ＶＯＰｈｔｈ １ ０
Ｆ ４ｙ’ｕｉｎ ／
／ ＯＭ ｍカチオ
ン ｐ Ｃ／ ＲＷＸＷ、 Ｉ
ＶＯＰｈｔｈ−ＣＨ８４調、２ ／／
−ＣｔＨ，４調５ ｔｔ ＣＨ
ｔ ＣＨ２０Ｈ４調、４ ／／ −
ＣＨ，−ＯＨ，−ＮＨ，４Ｆに対応するカチオン染料は
公知であるか、あるいは既知方法により製造できる。
Ｆ ４ｙ’ｕｉｎ ／
／ ＯＭ ｍカチオ
ン ｐ Ｃ／ ＲＷＸＷ、 Ｉ
ＶＯＰｈｔｈ−ＣＨ８４調、２ ／／
−ＣｔＨ，４調５ ｔｔ ＣＨ
ｔ ＣＨ２０Ｈ４調、４ ／／ −
ＣＨ，−ＯＨ，−ＮＨ，４Ｆに対応するカチオン染料は
公知であるか、あるいは既知方法により製造できる。
Ｈｅｔのためには、タングステン、モリブデン、バナジ
ウムあるいはこれと燐、珪素、コノくルト、アルミニウ
ム、マンガン、クロム、ニッケル又はその混合物との混
合物を基礎とするヘテロポリ酸が用いられる。タングス
テン、モリブデン、あるいは燐、珪素及び／又はバナジ
ウムと併用したモリブデン又はタングステンのへテロポ
リ酸が好ましい。同様に銅（Ｉ）−へキサシアノフエラ
ート（ＩＩ）−アニオンも用いられる。
ウムあるいはこれと燐、珪素、コノくルト、アルミニウ
ム、マンガン、クロム、ニッケル又はその混合物との混
合物を基礎とするヘテロポリ酸が用いられる。タングス
テン、モリブデン、あるいは燐、珪素及び／又はバナジ
ウムと併用したモリブデン又はタングステンのへテロポ
リ酸が好ましい。同様に銅（Ｉ）−へキサシアノフエラ
ート（ＩＩ）−アニオンも用いられる。
ヘテロポリ酸又はその塩の製法は既知である。
この酸は、アルカリ塩及び／又はアンモニウム塩の形の
タングステン酸塩、モリブデン酸塩及び／又はバナジン
酸塩の溶液を、燐酸塩及び／又は水溶性珪酸塩の存在下
に酸性化することにより得られる。その際タングステン
酸塩、モリブデン酸塩、バナジン酸塩と燐酸塩及び又は
珪酸又はその塩の割合を変更することにより、種々のへ
テロポリ酸が形成される。ヘテロポリ酸の例は次のとお
りである。
タングステン酸塩、モリブデン酸塩及び／又はバナジン
酸塩の溶液を、燐酸塩及び／又は水溶性珪酸塩の存在下
に酸性化することにより得られる。その際タングステン
酸塩、モリブデン酸塩、バナジン酸塩と燐酸塩及び又は
珪酸又はその塩の割合を変更することにより、種々のへ
テロポリ酸が形成される。ヘテロポリ酸の例は次のとお
りである。
燐モリブデン酸、珪モリブデン酸、燐タングステン酸、
珪タングステン酸、燐ノくナジン酸、珪バナジン酸、燐
−タングステン−モリブデン酸、珪−タングステン−モ
リブデン酸、燐−及び珪−タングステン−バナジン酸な
らびに燐−珪一タングステンーモリブデン酸（場合によ
りさらにバナジンを構成含有する）。燐タングステン酸
、珪タングステン酸、燐−タングステン−モリブデン酸
及び珪−タングステン−モリブデン酸が好ましい。
珪タングステン酸、燐ノくナジン酸、珪バナジン酸、燐
−タングステン−モリブデン酸、珪−タングステン−モ
リブデン酸、燐−及び珪−タングステン−バナジン酸な
らびに燐−珪一タングステンーモリブデン酸（場合によ
りさらにバナジンを構成含有する）。燐タングステン酸
、珪タングステン酸、燐−タングステン−モリブデン酸
及び珪−タングステン−モリブデン酸が好ましい。
顔料（Ｉ）の製造は、既知方法により、カチオンとして
Ｆを含有するカチオン染料をヘテロポリ酸を用いてレー
キ化することによって行われる。
Ｆを含有するカチオン染料をヘテロポリ酸を用いてレー
キ化することによって行われる。
改善された分散性を有する顔料すなわち易分散性の顔料
を得るためには、水性濾過残査を凍結乾燥により乾燥粉
末にすることができる。
を得るためには、水性濾過残査を凍結乾燥により乾燥粉
末にすることができる。
他の手段としては、突設した顔料を水性懸濁液中で、オ
レイン酸エタノールアミド及びＣ１，／Ｃ□Ｃパーフィ
ンの水中乳化液を用いて、あるいは少なくとも１０個の
炭素原子を有する脂肪族アミン、長鎖アルキルアミノア
ルカン酸、酸性もしくは中性の燐酸エステル、硫酸半エ
ステル、長鎖アルカン酸もしくはアルケン酸、アルキル
ペンゾールスルホン酸、アルキルフェノール、長鎖アル
カノールもしくはアルキルアミンへのＥＯ付加物、ポリ
プロピレン／ポリエチレン−ブロック共重合体又はアル
キルフェノールの存在下に、被覆する（西独特許出願公
開６４３５４３３号参照）。
レイン酸エタノールアミド及びＣ１，／Ｃ□Ｃパーフィ
ンの水中乳化液を用いて、あるいは少なくとも１０個の
炭素原子を有する脂肪族アミン、長鎖アルキルアミノア
ルカン酸、酸性もしくは中性の燐酸エステル、硫酸半エ
ステル、長鎖アルカン酸もしくはアルケン酸、アルキル
ペンゾールスルホン酸、アルキルフェノール、長鎖アル
カノールもしくはアルキルアミンへのＥＯ付加物、ポリ
プロピレン／ポリエチレン−ブロック共重合体又はアル
キルフェノールの存在下に、被覆する（西独特許出願公
開６４３５４３３号参照）。
顔料Ｉを加工して、結合剤としてニトロセルロースを含
有する印刷インキにする場合には、安定性を高めるため
に、基−Ｎ （−ＣＨ２ＣＯＯＨ）２を有する化合物、
例えばニトリロトリ酢酸又はジエチレンジアミン−テト
ラ酢酸を添加することができる（西独特許出願公開２７
０７９７２号参照）。
有する印刷インキにする場合には、安定性を高めるため
に、基−Ｎ （−ＣＨ２ＣＯＯＨ）２を有する化合物、
例えばニトリロトリ酢酸又はジエチレンジアミン−テト
ラ酢酸を添加することができる（西独特許出願公開２７
０７９７２号参照）。
本発明の顔料の製造の詳細は実施例に示される。レーキ
化により得られ、そして単離された顔料はそのまま利用
できる。
化により得られ、そして単離された顔料はそのまま利用
できる。
本発明の他の目的は、この顔料を光学的だ記録用媒体に
おいて光吸収層として利用することである。そのために
は簡単に製造できること、長期間安定であること、腐食
されずかつ無毒であることが要求される。そのほかこの
記録用媒体は、レーザー光線例えばＨｅ −Ｎｅ−レー
ザー光線又は好ましくは半導体レーザー光線により記録
されかつ解読されうろことを必要とする。
おいて光吸収層として利用することである。そのために
は簡単に製造できること、長期間安定であること、腐食
されずかつ無毒であることが要求される。そのほかこの
記録用媒体は、レーザー光線例えばＨｅ −Ｎｅ−レー
ザー光線又は好ましくは半導体レーザー光線により記録
されかつ解読されうろことを必要とする。
式■の顔料の少なくとも１種を光吸収層中に含有する光
学的記録用媒体は特に優れていることが見出された。
学的記録用媒体は特に優れていることが見出された。
本発明の顔料は分散液として、公知の手段例えば浸漬、
ナイフ塗布、散布、噴射又は既知の印刷法によって付着
させることができる。
ナイフ塗布、散布、噴射又は既知の印刷法によって付着
させることができる。
顔料（Ｉ）を含有する記録用媒体は、７００ ｎｍ以上
の波長において高い吸収能を有する。この層は、染料を
分子状に分散した（すなわち溶解した）状態で含有する
層と異なり、障害となる変化に対し安定である。本発明
による層は結晶化することなく、光に対し安定であり、
光及び水分のような環境の影響及び高められた温度に対
しても安定である。吸収能が高いことにより、新規な記
録用媒体は、７５０〜９００ ｎｍの放射波長を有する
半導体レーザー光線に対し、きわめて敏感である。
の波長において高い吸収能を有する。この層は、染料を
分子状に分散した（すなわち溶解した）状態で含有する
層と異なり、障害となる変化に対し安定である。本発明
による層は結晶化することなく、光に対し安定であり、
光及び水分のような環境の影響及び高められた温度に対
しても安定である。吸収能が高いことにより、新規な記
録用媒体は、７５０〜９００ ｎｍの放射波長を有する
半導体レーザー光線に対し、きわめて敏感である。
記録用媒体の構成は自体既知で技術水準に属する（例え
ば米国特許４０７９８９５号、４２４２６８９号、４２
４１３５５号、４０２３１８５号及び４３８０７６９号
、西独特許出願公開３００°７２９６号及び３０１４６
７７号、特開昭５８−１１２９７３号、５８−１３２２
３１号、５８−１１２７９０号、５８−１２５２４６号
及び５８−５６８９２号、欧州特許８４７２９号参照）
。
ば米国特許４０７９８９５号、４２４２６８９号、４２
４１３５５号、４０２３１８５号及び４３８０７６９号
、西独特許出願公開３００°７２９６号及び３０１４６
７７号、特開昭５８−１１２９７３号、５８−１３２２
３１号、５８−１１２７９０号、５８−１２５２４６号
及び５８−５６８９２号、欧州特許８４７２９号参照）
。
基体としては、例えば場合により鏡面化されたガラス、
合成樹脂例えばポリメチルメタクリレート、ポリスチロ
ール又はポリカーボネート、又は金属例えばアルミニウ
ムからの円板又は板が用いられる。
合成樹脂例えばポリメチルメタクリレート、ポリスチロ
ール又はポリカーボネート、又は金属例えばアルミニウ
ムからの円板又は板が用いられる。
光吸収層は反射層でもありうるので、照射されて有色層
を進行する光は（それが吸収されない限り）、反射層で
反射されて再度有色層中を進行する。
を進行する光は（それが吸収されない限り）、反射層で
反射されて再度有色層中を進行する。
照射は透明基質を通して行うこともできる。
この場合は、反射体の層順序（基質−吸収層−反射体）
が欠如することもある。
が欠如することもある。
技術水準（Ｊ、ｏｆ Ｑｕａｒｒｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃｓ Ｍｏｌ。
ｏｎｉｃｓ Ｍｏｌ。
ＱＥ−１４（Ｉ９７８）、７，４９０頁； ＲＣＡＲｅ
ｖｉｅｗｓ ４０巻（Ｉ９７９）３４５頁）によれば、
厚さが照射線の波長の１／４に等しいと特に有利である
。なぜならば干渉によって照射光の特に高度の利用（減
衰）が達せられるからである。しかし本発明によれば、
照射光の波長の１／４より明らかに小さい層厚において
も、きわめて敏感な記録用基体が得られることが知られ
た。
ｖｉｅｗｓ ４０巻（Ｉ９７９）３４５頁）によれば、
厚さが照射線の波長の１／４に等しいと特に有利である
。なぜならば干渉によって照射光の特に高度の利用（減
衰）が達せられるからである。しかし本発明によれば、
照射光の波長の１／４より明らかに小さい層厚において
も、きわめて敏感な記録用基体が得られることが知られ
た。
光反射層は、記入及び走査に用いられる光をできるだけ
定量的に反射する状態にあるべきである。適当な光反射
材料の例は、アルミニウム、ロジウム、金、チタン、す
す、鉛、ビスマス、銅及び誘電性の鏡体である。光反射
層の厚さは、これが記入及び走査に用いられる光をでき
るだけ完全に反射するようにする。この目的のため
゛には、熱伝導の小さい反射性材料が優れている。
定量的に反射する状態にあるべきである。適当な光反射
材料の例は、アルミニウム、ロジウム、金、チタン、す
す、鉛、ビスマス、銅及び誘電性の鏡体である。光反射
層の厚さは、これが記入及び走査に用いられる光をでき
るだけ完全に反射するようにする。この目的のため
゛には、熱伝導の小さい反射性材料が優れている。
基体及び光反射層は光学的に均一で平らな表面を有すべ
きで、この表面は吸収層がその上に固着しうる性質を有
する。
きで、この表面は吸収層がその上に固着しうる性質を有
する。
顔料（Ｉ）としては、好ましくは式■、■、■又は■の
ものが用いられる。この顔料は約７００〜８８０ ｎｍ
の範囲で高い吸収能を有する。
ものが用いられる。この顔料は約７００〜８８０ ｎｍ
の範囲で高い吸収能を有する。
顔料（Ｉ）は溶剤（場合により結合剤を含有する）の中
で磨砕され、得られた分散液の形で遠心噴射、ナイフ塗
布又は浸漬により基体上に塗布される。
で磨砕され、得られた分散液の形で遠心噴射、ナイフ塗
布又は浸漬により基体上に塗布される。
場合により必要な反射層は、好ましくは真空蒸着により
付着される。系の構成によって反射層は基体又は吸収層
の上に付着される。場合によっては反射層上のそれを省
略できる。分散液のための溶剤又は有機液体としては、
除去しゃスイモの、例えば塩化メチレン、クロロホルム
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、ド
ルオール、アセトニトリル、酢酸エステル、メタノール
又はその混合物が用いられる。
付着される。系の構成によって反射層は基体又は吸収層
の上に付着される。場合によっては反射層上のそれを省
略できる。分散液のための溶剤又は有機液体としては、
除去しゃスイモの、例えば塩化メチレン、クロロホルム
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、ド
ルオール、アセトニトリル、酢酸エステル、メタノール
又はその混合物が用いられる。
場合により用いられる結合剤としては、例えばポリスチ
ロール、ポリ酢酸ビニル又はポリビニルピロリドンがあ
げられる。
ロール、ポリ酢酸ビニル又はポリビニルピロリドンがあ
げられる。
記入のためには変調レーザー線が用いられる。
照射光線の吸収によって、媒質は当該位置で加熱される
。溶解、溶融及び／又は蒸発によって、この位置でレー
ザー線のための反射性が変化する。
。溶解、溶融及び／又は蒸発によって、この位置でレー
ザー線のための反射性が変化する。
顔料ＣＩ）を基体上に付着させるためには、既知の印刷
法例えば凸版印刷法、凹版印刷法、オフセット印刷法又
はスクリーン印刷法も好適であって、特にオフセット印
刷法及びスクリーン印刷法が優れている。この印刷法に
よれば、消失しない録音基体又は画像基体を製造できる
。そのためには適当な基体例えばアルミニウム板を、少
な（とも１種の顔料（Ｉ）を含有する分散液（インキ）
を用いて、貯蔵された情報を含有する原型により印刷す
る。印刷された情報は公知方法によりレーザー線好まし
くは半導体レーザー線を用〜・て解読でき、その際印刷
された位置でわずかな、そして印刷されない位置では高
度のレーザー線反射が起こる。
法例えば凸版印刷法、凹版印刷法、オフセット印刷法又
はスクリーン印刷法も好適であって、特にオフセット印
刷法及びスクリーン印刷法が優れている。この印刷法に
よれば、消失しない録音基体又は画像基体を製造できる
。そのためには適当な基体例えばアルミニウム板を、少
な（とも１種の顔料（Ｉ）を含有する分散液（インキ）
を用いて、貯蔵された情報を含有する原型により印刷す
る。印刷された情報は公知方法によりレーザー線好まし
くは半導体レーザー線を用〜・て解読でき、その際印刷
された位置でわずかな、そして印刷されない位置では高
度のレーザー線反射が起こる。
この方法は簡単かつ安価にそして精確に再現される。こ
れは高度の安定性及び使用期間を有する記録用材料を提
供し、したがって５に録音基体（レコード）の大量生産
に適する。
れは高度の安定性及び使用期間を有する記録用材料を提
供し、したがって５に録音基体（レコード）の大量生産
に適する。
本発明をさらに説明する下記実施例において、部及び％
は重量に関する。
は重量に関する。
Ａ、顔料
実施例１
沃化物の形の染料ｘｙ、ｉの１０部を９０％酢酸６６０
部に還流温度で溶解し、この溶液を水４００部で希釈す
る。次いで染料を７０℃で、公知方法により酸化モリブ
デン１０．４部及び燐酸二ナトＩＪウム１．０部から製
造された水２１０部中の燐モリブデン酸溶液を添加し、
ｐＨ２，２でレーキ化する。７０℃で０．５時間攪拌し
たのち濾過し、洗浄し、７５℃で乾燥する。
部に還流温度で溶解し、この溶液を水４００部で希釈す
る。次いで染料を７０℃で、公知方法により酸化モリブ
デン１０．４部及び燐酸二ナトＩＪウム１．０部から製
造された水２１０部中の燐モリブデン酸溶液を添加し、
ｐＨ２，２でレーキ化する。７０℃で０．５時間攪拌し
たのち濾過し、洗浄し、７５℃で乾燥する。
実施例２
実施例１と同様に操作し、ただし水２３０部中の酸化モ
リブデン１８．３部及び燐酸二ナトリウム１．７６部か
らのへテロポリ酸を、レーキ化前に亜硫酸二ナトリウム
４．４部を用いて還元し、塩酸でｐＨ価を１．０にする
。
リブデン１８．３部及び燐酸二ナトリウム１．７６部か
らのへテロポリ酸を、レーキ化前に亜硫酸二ナトリウム
４．４部を用いて還元し、塩酸でｐＨ価を１．０にする
。
実施例３
実施例１と同様に操作し、ただし燐モリブデン酸の代わ
りに、公知方法により酸化モリブデン１４．４部及び二
酸化珪素０．６部から製造された水２９０部中のｐＨ１
，０のへテロポリ酸を使用する。
りに、公知方法により酸化モリブデン１４．４部及び二
酸化珪素０．６部から製造された水２９０部中のｐＨ１
，０のへテロポリ酸を使用する。
実施例４
実施例１と同様に操作し、ただし燐モリブデン酸の代わ
りに、公知方法により酸化モリブデン３．２５部、酸化
タングステン５．８部及び燐酸二ナトリウム０．７部か
ら製造された水１４０部中のｐＨ２，２のへテロポリ酸
を使用する。
りに、公知方法により酸化モリブデン３．２５部、酸化
タングステン５．８部及び燐酸二ナトリウム０．７部か
ら製造された水１４０部中のｐＨ２，２のへテロポリ酸
を使用する。
実施例５
実施例１と同様に操作し、ただし燐モリブデン酸の代わ
りに、公知方法により酸化モリブデン７．２５部、酸化
タングステン１１．６部及び酸化珪素０．６３部から製
造された水２６０部中のｐＨ３，０のへテロポリ酸を使
用する。
りに、公知方法により酸化モリブデン７．２５部、酸化
タングステン１１．６部及び酸化珪素０．６３部から製
造された水２６０部中のｐＨ３，０のへテロポリ酸を使
用する。
実施例６
染料用、２の１１．４部を５０％酢酸２００部に７０℃
で溶解し、この温度で公知方法により製造されたヘテロ
ポリ酸（酸化モリブデン５．８部及び燐酸二ナトリウム
０．５６部から水７６部中で製造され、Ｎａ２ＳＯ３１
，４部で還元され、そして塩酸でｐＨ＋、ｏにされたも
の）を用いてレー−”・化する。顔料をｒ別し、洗浄し
、７５℃で乾燥する。
で溶解し、この温度で公知方法により製造されたヘテロ
ポリ酸（酸化モリブデン５．８部及び燐酸二ナトリウム
０．５６部から水７６部中で製造され、Ｎａ２ＳＯ３１
，４部で還元され、そして塩酸でｐＨ＋、ｏにされたも
の）を用いてレー−”・化する。顔料をｒ別し、洗浄し
、７５℃で乾燥する。
実施例７〜３６
実施例１ないし５と同様に操作し、た疋し次表に示す染
料各１０部を使用する。
料各１０部を使用する。
８ Ｘ、１ １９
Ｘ、３ １１０
Ｘ、７ １１２ ＭＡ
３１４ ＸＩ［，１
５ １５Ｘ■、３４ １６Ｘｌ［，９４ １７Ｘｌｌ１．３ ５ １８ ＸＩＶ、１ ３２０
ＸＩＶ、４ １２１
ＸＩＶ、７ ２２２
ＸＩＶ、８ ３２４
ＸＶ、２ ２２５ ＸＶ
、４ ５２６ ＸＶ、６
５２７ ＸＶ、７
４２８ ＸＶ、９
３２９ ＸＶ、１０ ２３
〇 八１１．２ ２３２
ＸＶｌ、１ １５５ ＸＶｌ
、２ １Ｂ、記録用媒体 応用例１ アルミニウムの反射層を５ Ｑ ｎｍの厚さに蒸着した
ガラス板に、下側に付着された反射層の上に分散液を遠
心噴射した。この層をまず空気中で、次いで真空で乾燥
した。
Ｘ、３ １１０
Ｘ、７ １１２ ＭＡ
３１４ ＸＩ［，１
５ １５Ｘ■、３４ １６Ｘｌ［，９４ １７Ｘｌｌ１．３ ５ １８ ＸＩＶ、１ ３２０
ＸＩＶ、４ １２１
ＸＩＶ、７ ２２２
ＸＩＶ、８ ３２４
ＸＶ、２ ２２５ ＸＶ
、４ ５２６ ＸＶ、６
５２７ ＸＶ、７
４２８ ＸＶ、９
３２９ ＸＶ、１０ ２３
〇 八１１．２ ２３２
ＸＶｌ、１ １５５ ＸＶｌ
、２ １Ｂ、記録用媒体 応用例１ アルミニウムの反射層を５ Ｑ ｎｍの厚さに蒸着した
ガラス板に、下側に付着された反射層の上に分散液を遠
心噴射した。この層をまず空気中で、次いで真空で乾燥
した。
分散液は次のようにして製造された。実施例１に従い沃
化物の形の染料ＸＩＶ、１を用いて製造された顔料０．
１９及びポリ酢酸ビニル０．２ｇを、メチルエチルケト
ン１５ｒｎｌ中で磨砕して分散液にする。
化物の形の染料ＸＩＶ、１を用いて製造された顔料０．
１９及びポリ酢酸ビニル０．２ｇを、メチルエチルケト
ン１５ｒｎｌ中で磨砕して分散液にする。
分子状に分散されたカチオン染料（例えばＷ、１、対向
イオン： ＣＩＯ？’、ＢＦｏ又はＣＦ、Ｃｏ、。）を
用いた被覆物と比較して、対応するレーキ化された本発
明の染料は、熱及び特に空気に対する本質的に高い安定
性を有する。同様に後者について、形態の変化例えば結
晶化又は白亜化は観察されなかった。
イオン： ＣＩＯ？’、ＢＦｏ又はＣＦ、Ｃｏ、。）を
用いた被覆物と比較して、対応するレーキ化された本発
明の染料は、熱及び特に空気に対する本質的に高い安定
性を有する。同様に後者について、形態の変化例えば結
晶化又は白亜化は観察されなかった。
得られた記録用基体を、強度６０ ｍＷ及び長さ１００
ｎ秒を有する半導体レーザー（８２０ｎｍ ）の光パル
スを用いて照射（記入）し、その際照射線を染料層の表
面上に１．０μｍの焦点に集光させた。
ｎ秒を有する半導体レーザー（８２０ｎｍ ）の光パル
スを用いて照射（記入）し、その際照射線を染料層の表
面上に１．０μｍの焦点に集光させた。
再生のため、変調されない同様に焦点に集光された半導
体レーザー線（Ｐ器を通して１ｍＷに弱められた）を、
記録用媒体の記入された位置に送り、媒体から反射され
た光線を光検波器により測定した。先に記入した位置で
の反射は、層の変化により、記入されなかった位置での
それ（この位置で光検波器により確認された）と明らか
に相違した。
体レーザー線（Ｐ器を通して１ｍＷに弱められた）を、
記録用媒体の記入された位置に送り、媒体から反射され
た光線を光検波器により測定した。先に記入した位置で
の反射は、層の変化により、記入されなかった位置での
それ（この位置で光検波器により確認された）と明らか
に相違した。
染料Ｗ、１をレーキの形で含有する層は、光及び熱に対
し本質的により高い安定性を有するにもかかわら−ず、
対応する分子状分散染料を含有する層と少なくとも同程
度の高い感度を有する。
し本質的により高い安定性を有するにもかかわら−ず、
対応する分子状分散染料を含有する層と少なくとも同程
度の高い感度を有する。
応用例２
ＰＭＭＡ板上に、真空装置内でアルミニウムから成る反
射層を蒸着した（層厚５０ ｎｍ ）。メチルエチルケ
トン２０ｇ中のポリ酢酸ビニル０゜２ｇの溶液中の、カ
チオンとしてＸ、５を、そして対向イオンとして実施例
乙に記載のものを含有する顔料０．１ｇの懸濁液を、鏡
面化されたガラス基体°の上に噴射し、染料層を空気に
より、続いて真空で室温乾燥した。得られた記録用媒体
は、応用例１のものと同様に半導体レーザー光線（８２
０ｎｍ ）により記録することができた。
射層を蒸着した（層厚５０ ｎｍ ）。メチルエチルケ
トン２０ｇ中のポリ酢酸ビニル０゜２ｇの溶液中の、カ
チオンとしてＸ、５を、そして対向イオンとして実施例
乙に記載のものを含有する顔料０．１ｇの懸濁液を、鏡
面化されたガラス基体°の上に噴射し、染料層を空気に
より、続いて真空で室温乾燥した。得られた記録用媒体
は、応用例１のものと同様に半導体レーザー光線（８２
０ｎｍ ）により記録することができた。
応用例６〜１８
応用例２と同様にして、アルミニウムにより５０ ｎｍ
の層厚に鏡面化されたＰＭＭＡ板の上に、顔料分散液を
噴射した。顔料としては次表に示すものが用いられた。
の層厚に鏡面化されたＰＭＭＡ板の上に、顔料分散液を
噴射した。顔料としては次表に示すものが用いられた。
実施例 顔料（Ｉ１とカチオン 対向イオン（実施例
）３ ＸＶ、１ ４５
ＸＩＶ、７ ２７ Ｘ、
７ １８ Ｘ１１．１
２９ Ｘ、１ ６
１１ＸＩ［，９５ １５Ｘｌ、１ ５ １４ ＸＶ、１ １１５
ＸＶ、６ ２１７
Ｘ■、２４ １８Ｘ■、１５
）３ ＸＶ、１ ４５
ＸＩＶ、７ ２７ Ｘ、
７ １８ Ｘ１１．１
２９ Ｘ、１ ６
１１ＸＩ［，９５ １５Ｘｌ、１ ５ １４ ＸＶ、１ １１５
ＸＶ、６ ２１７
Ｘ■、２４ １８Ｘ■、１５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式 Ｆ・Ｈｅｔ （Ｆは吸収極大が＞７００ｎｍでさらにアニオン性基を
有しうるカチオン染料のカチオン、Ｈｅｔはタングステ
ン、モリブデン、バナジウム又はそれと燐、珪素、コバ
ルト、アルミニウム、インガン、クロム、ニッケル又は
その混合物との混合物を基礎とするヘテロポリ酸のアニ
オン、又はヘキサシアノ鉄酸（II）の銅塩（ I ）のア
ニオン〔Ｃｕ＿３Ｆｅ（ＣＮ）＿６〕＾■であり、この
顔料はカチオン染料をヘテロポリ酸を用いてレーキ化す
ることにより得られたものである）で表わされる顔料。 ２、Ｆが一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ の染料カチオンであって、この式中、 Ｒ＾１及びＲ＾２は互いに無関係にＣ＿１〜Ｃ＿４−ア
ルキル基あるいは水酸基、Ｃ＿１〜Ｃ＿４−アルキル基
、Ｃ＿１〜Ｃ＿４−アルコキシ基もしくはハロゲン原子
により置換されていてもよいフェニル基又はヘテロアリ
ール基、 Ｚは−（ＣＨ＿２−）＿ｒでｒは２又は３を意味し、 Ｔはフェニル基又はハロゲン原子、Ｘは酸素原子又は硫
黄原子であり、 Ｒ＾３及びＲ＾４の一方は▲数式、化学式、表等があり
ます▼で、他方は互いに無関係にＣ＿１〜Ｃ＿４−アル
キル基、Ｃ＿１〜Ｃ＿４−アルコキシ基、ハロゲン原子
もしくは４位で▲数式、化学式、表等があります▼によ
り置換されていてもよいフェニル基であり、 Ｒ＾５及びＲ＾６は互いに無関係に水素原子、Ｃ＿１〜
Ｃ＿６−アルキル基、Ｃ＿１〜Ｃ＿６−ヒドロキシアル
キル基、Ｃ＿１〜Ｃ＿４−アルコキシ−Ｃ＿２−又は−
Ｃ＿３−アルキル基、アリル基、２−（Ｃ＿２〜Ｃ＿４
−アルカノイルオキシ）−エチル基又は２−シアノエチ
ル基、あるいは▲数式、化学式、表等があります▼は飽
和の５員又は６員の複素環の残基であり、 Ｙは水素原子、水酸基、Ｃ＿１〜Ｃ＿４−アルキル基又
はＣ＿１〜Ｃ＿４−アルコキシ基、ｍ、ｎ及びｑはそれ
ぞれ０、１又は２であり、 Ｐｃは金属不含フタロシアニン又は金属フタロシアニン
の（ｐ＋ｓ＋ｖ）価の残基で、これは中心金属としてＶ
Ｏ、ＴｉＯ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｎｉ又はＭｎを含有す
るもので、メチレン基はイミダゾール環のＣ原子に結合
しており、ｐは１ないし４の数、ｓは０又は１、ｖは０
、１、２、３又は４であり、 Ｐｃ′は金属不含フタロシアニン又は金属フタロシアニ
ンのｗ価の残基で、これは中心金属として、ＶＯ、Ｔｉ
Ｏ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｎｉ又はＭｎを含有するもので
、 Ｈａｌは臭素原子、好ましくは塩素原子又は弗素原子、 Ｒ＾７はＣ＿１〜Ｃ＿４−アルキル基、Ｃ＿２〜Ｃ＿４
−ヒドロキシアルキル基、Ｃ＿２〜Ｃ＿４−アミノアル
キル基、そしてｗは１、２、３又は４であることを特徴
とする、特許請求の範囲第１項に記載の顔料。 ３、Ｆが一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ の染料のカチオンであって、この式中 Ｒ＾６は水素原子、Ｃ＿１〜Ｃ＿４−アルキル基又はＣ
＿１〜Ｃ＿４−アルコキシ基、 Ｒ＾９はＣ＿１〜Ｃ＿４−アルキル基、 Ｒ＾１＾１はＣ＿１〜Ｃ＿４−アルキル基、２−ヒドロ
キシエチル基又は２−アミノエチル基、 ＭｅＰｃはｐ価のバナジル−、鉛−、すず−又はマンガ
ンフタロシアニン、 ＭｅＰｃ′はｗ′価のバナジル−、鉛−、すず−又はマ
ンガンフタロシアニンであり、 ｑ′は１又は２、 ｐは１、２、３又は４そしてｗ′は４であることを特徴
とする、特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の顔料
。 ４、カチオンが一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされるカチオン染料を、タングステン、モリブテ
ン、バナジウム又はそれと燐、珪素、コバルト、アルミ
ニウム、マンガン、クロム、ニッケル又はその混合物と
の混合物を基礎とするヘテロポリ酸又はヘキサシアノ鉄
酸（II）の銅塩（ I ）〔Ｃｕ（Ｆｅ（ＣＮ）＿６）＾
■〕 （これらの式中Ｒ＾１及びＲ＾２は互いに無関係にＣ＿
１〜Ｃ＿４−アルキル基あるいは水酸基、Ｃ＿１〜Ｃ＿
４−アルキル基、Ｃ＿１〜Ｃ＿４−アルコキシ基もしく
はハロゲン原子により置換されていてもよいフェニル基
又はヘテロアリール基、 Ｚは−（ＣＨ＿２−）＿ｒでｒは２又は３を意味し、Ｔ
はフェニル基又はハロゲン原子、Ｘは酸素原子又は硫黄
原子であり、 Ｒ＾３及びＲ＾４の一方は▲数式、化学式、表等があり
ます▼で、他方は互いに無関係にＣ＿１〜Ｃ＿４−アル
キル基、Ｃ＿１〜Ｃ＿４−アルコキシ基、ハロゲン原子
もしくは４位で▲数式、化学式、表等があります▼によ
り置換されていてもよいフェニル基であり、 Ｒ＾５及びＲ＾６は互いに無関係に水素原子、Ｃ＿１〜
Ｃ＿６−アルキル基、Ｃ＿２〜Ｃ＿６−ヒドロキシアル
キル基、Ｃ＿１〜Ｃ＿４−アルコキシ−Ｃ＿２−又は−
Ｃ＿３−アルキル基、アリル基、２−（Ｃ＿２〜Ｃ＿４
−アルカノイルオキシ）−エチル基又は２−シアノエチ
ル基、あるいは▲数式、化学式、表等があります▼は飽
和の５員又は６員の複素環の残基であり、 Ｙは水素原子、水酸基、Ｃ＿１〜Ｃ＿４−アルキル基又
はＣ＿１〜Ｃ＿４−アルコキシ基、ｍ、ｎ及びｑはそれ
ぞれ０、１又は２であり、 Ｐｃは金属不含フタロシアニン又は金属フタロシアニン
の（ｐ＋ｓ＋ｖ）価の残基で、これは中心金属としてＶ
Ｏ、ＴｉＯ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｎｉ又はＭｎを含有す
るもので、メチレン基はイミダゾール環のＣ原子に結合
しており、ｐは１ないし４の数、ｓは０又は１、ｖは０
、１、２、３又は４であり、 Ｐｃ′は金属不含フタロシアニン又は金属フタロシアニ
ンのｗ価の残基で、これは中心金属としてＶＯ、ＴｉＯ
、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｎｉ又はＭｎを含有するもので、 Ｈａｌは臭素原子、好ましくは塩素原子又は弗素原子、 Ｒ＾７はＣ＿１〜Ｃ＿４−アルキル基、Ｃ＿２〜Ｃ＿４
−ヒドロキシアルキル基、Ｃ＿２〜Ｃ＿４−アミノアル
キル基、そしてｗは１、２、３又は４である）を用いて
レーキ化することにより得られる顔料。 ５、一般式 Ｆ・Ｈｅｔ （Ｆは吸収極大が＞７００ｎｍでさらにアニオン性基を
有しうるカチオン染料のカチオン、Ｈｅｔはタングステ
ン、モリブデン、バナジウム又はそれと燐、珪素、コバ
ルト、アルミニウム、マンガン、クロム、ニッケル又は
その混合物との混合物を基礎とするヘテロポリ酸のアニ
オン、又はヘキサシアノ鉄酸（II）の銅塩（ I ）のア
ニオン〔Ｃｕ＿３Ｆｅ（ＣＮ）＿６〕＾■であり、この
顔料はカチオン染料をヘテロポリ酸を用いてレーキ化す
ることにより得られたものである）で表わされる顔料を
、凸版印刷、凹版印刷、スクリーン印刷又はオフセット
印刷のための印刷用インキ用の顔料として、合成樹脂の
顔料着色に、太陽光捕集器における吸収層として、ある
いは光学的記録用材料における吸収材料として使用する
方法。
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