JPS6258660A - 半導体素子分断法 - Google Patents

半導体素子分断法

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Publication number
JPS6258660A
JPS6258660A JP60199045A JP19904585A JPS6258660A JP S6258660 A JPS6258660 A JP S6258660A JP 60199045 A JP60199045 A JP 60199045A JP 19904585 A JP19904585 A JP 19904585A JP S6258660 A JPS6258660 A JP S6258660A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal substrate
etching
product
laminated
substrate material
Prior art date
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Pending
Application number
JP60199045A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasunobu Tagusa
康伸 田草
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 この発明は半導体素子分断法に関し、特に連続した金属
基板上に形成された多数の半導体素子の分断法に関する
(ロ)従来の技術 連続した金属基板上に形成された多数の半導体素子の代
表例として、ステンレス鋼Hg板上に形成されたアモル
ファスシリコン太陽電池が挙げられるが、その分断法と
しては、金型による打抜き法が一般に採用されている。
(ハ)発明が解決しようとする問題点 しかし上記の打扱き法による分断には次のような問題点
がある。
(a)  打抜きしるが大きいために収率が低い。
(b+  打抜き分断時に製品表面を押さえる必要があ
るので、金型内に貢物が混入すると製品に傷ができる。
ICJ  金型が高価であるため(複雑な打抜き形状の
場合は一層高価である)、機種切替え費用が大きい。
(d+  打抜時にパリ、カエリが発生し商品価値を低
下させる。
等である。
この発明は上記の問題点を解消するのを目的としてなさ
れたものである。
(ニ)問題点を解決するための手段と作用この弁明は、
シート状の金属基板の一つの面上に半導体層と所定パタ
ーンの表面電極とさらに保護層が順次積層されてなる積
層部を有する金属基板材料を、その裏面に所定のエツチ
ングパターンを印刷し、金属基板材料全体をエツチング
槽に浸漬して金属基板部分のみを分断し、次いで8+1
層部をそれ自体公知の方法で所定パターンに分断して、
連続的に半導体素子を得ることを特徴とする半導体索子
分断方法を提供するものであり、従来半導体素子の金属
板をエツチング法で分断する方法は知られていない。
この発明において金属基板部分のみを分断した後(この
とき積層部はまだ連続しているのでロール状に巻取り可
能であるが)Vi層部はスリッター、シャー、カッター
、熱線などの簡便な分断方法で分断され個々の製品が作
製される。
(ホ)実施例 この弁明を図面によって説明するがこの発明を限定する
ものではない。
第1図は、連続したステンレスtJ4製基板上に形成さ
れたアモルフフ7スシリコン太陽電池の製造工程を説明
するフローチャートである。
■程工においてステンレス基板(1)上にアモルファス
シリコン(2及びITO(酸化インジウム透明電極)(
3)が順に積層される。次に工程■においてアモルファ
スシリコン(′2Jやr T O+31を保護するため
のオーバーコート樹脂(4)が積層される。次いで工程
■においてエツチングによってステンレス基板のみが分
断される。最終工程IVにおいて前記[2] (31及
び(4)の積層部がスリッター、シャー、カッター、熱
線などによって分断され最終製品が(qられる。
次に第2図に前記工程■(エツチングによる金属基板の
分断)のフローチャートを示す。
第2図においてa○)は、前記工程■と■によって作製
された、ステンレス基板(1)にアモルファスシリコン
[2)、ITO(3)及びオーバーコート樹脂(4)を
順に積層された太陽電池半製品(1t)をロール巻きし
た巻出機である。この半製品(lυはエツチングパター
ン印刷機のに連続的に巻出され、ステンレス基板(1)
の裏面(5)に所定のエツチングパターンが印ta11
され次いで乾燥機a3)に送られ乾燥される。次に半製
品(11)全体が連続的にエツチング槽(14)に浸漬
されステンレス基板(1)のみが分断され続いて洗浄槽
05)に送られて洗浄され、さらに乾燥機銘)にて乾燥
され巻取機切に巻取られる。
上記のようにして巻取られた、ステンレス基板の分断さ
れた半製品は次に工程1vにて前記(2+ f3+及び
(4)の積層部が上記のような方法で分断されて最終製
品が作製される。
上記の実施例の方法には次のような利点がある。
〈お 金型打抜き式に比べて取りしるが小さくてよく収
率が向上する(従来の打抜き式の取りしろは約2n++
n以下であるのに対し上記方法では約0.5mm以下で
ある)。
(b)  打抜き式の場合は製品を押さえる必要がある
が、上記実施例の方法では押さえる必要がなく製品の(
口付きが殆んどない。
(C)  打抜き式の場合には著しく高価な金型が必要
であるので機種切替え費用が高くなるが、上記実施例の
エツチング法ではパターン印刷の原板は上記金型と比べ
て著しく安価であり、エツチング工程を要するとはいえ
、機種切替え費用は安価である。
りd+  製品にパリやカエリが発生しない。
tel  複雑な形状(曲線形状など)の製品が容易に
製造できる。
(r+  金属基板を分断後そのままロール巻きできる
ので整列した状態のまま後の工程処理(例えば検査工程
)ができる利点がある。
くへ)発明の効果 この発明によれば従来の金型打抜き式に比べて次の効果
がある。
(ω 取りしるが小さく収率が向上する。
山) 分断時に押さえる必要がないので製品の傷付きが
殆んどない。
(C)  製品の種類による機種切替え費用が安価であ
る。
+d+  製品にパリやカエリが発生しない。
(e)  複雑な形状の製品が容易に製造できる。
(「)  金属基板を分断後そのままロール巻きできる
ので整列した状態のまま後の工程処理(例えば検査工程
)ができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図と第2図はこの発明の分断法の一実施例を示すフ
ローチャートである。 (1)・・・・・・ステンレス基板、 (2)・・・・・・アモルファスシリコン、(3)・・
・・・・I To。 (4)・・・・・・コート樹脂、(5)・・・・・・ス
テンレス基板裏面、(10)・・・・・・半製品巻出機
、01)・・・・・・太陽電池半製品、面・・・・・・
エツチングパターン印刷機、03) (161・・・・
・・乾燥機、 (II8+・・・・・・エツチング槽、
05)・・・・・・洗浄機、  07)・・・・・・巻
取り機。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、シート状の金属基板の一つの面上に半導体層と所定
    パターンの表面電極とさらに保護層が順次積層されてな
    る積層部を有する金属基板材料を、その裏面に所定のエ
    ッチングパターンを印刷し、金属基板材料全体をエッチ
    ング槽に浸漬して金属基板部分のみを分断し、次いで積
    層部をそれ自体公知の方法で所定パターンに分断して、
    連続的に半導体素子を得ることを特徴とする半導体素子
    分断法。
JP60199045A 1985-09-09 1985-09-09 半導体素子分断法 Pending JPS6258660A (ja)

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JP60199045A JPS6258660A (ja) 1985-09-09 1985-09-09 半導体素子分断法

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JP60199045A JPS6258660A (ja) 1985-09-09 1985-09-09 半導体素子分断法

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JPS6258660A true JPS6258660A (ja) 1987-03-14

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ID=16401195

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JP60199045A Pending JPS6258660A (ja) 1985-09-09 1985-09-09 半導体素子分断法

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JP (1) JPS6258660A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5275958A (en) * 1992-01-23 1994-01-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for producing semiconductor chips

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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