JPS626480A - メモリモジユ−ル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は、例えばワードプロセッサに用いられる漢字の
文字パターンを発生させるメモリモジュールに関する。

［発明の技術的背景とその問題点］ 従来からマスクＲＯＭは、たとえばワードプロセッサの
漢字の文字パターンを発生さぼる固定メモリとして多用
されている。

通常、このマスクＲＯＭを実装してメモリモジュールを
構成する場合には、マスクＲＯＭのペアチップをパッケ
ージ内に実装し封止することが行なわれている。

そしてこのような漢字の文字パターンを発生させるメモ
リモジュールは、一般にＪＩＳ第１、第２水準に準じた
漢字の文字パターンが記憶されており、それ以外の文字
いわゆる外字の文字パターンは、別のメモリの記憶させ
る必要がある。

従来からこのような外字の文字パターンは、フロッピー
ディスク等の外部メモリに記憶されていて、外字を必要
とする時に外部メモリからワードプロセッサのＲＡＭに
転送してアクセスすることにより、発生させることが行
なわれていた。

しかしながらこのような方法では、近年開発された携帯
用ワードプロセッサ等の小型軽量化されたタイプにおい
て、フロッピーディスクを装着することは消費電力や型
開の面から不可能である。

したがってこのような携帯用ワードプロセッサ等におい
ては、外字の文字パターンを含んだマスりＲＯＭを要求
に応じて開発してそのマスクＲＯＭをメモリモジュール
に実装することが行なわれていた。

しかしながらこのようなメモリモジュールにおいては、
価格面および製作納期の面で非常に問題があプた。

［発明の目的］ 本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
で、プログラムやデータ等の書込みができ、かつ小型軒
昂化され容易に製作可能なメモリモジュールを提供する
ことを目的としている。

［発明の概要］ すなわち本発明メモリモジュールは、基板上にマスクＲ
ＯＭを内装した第１のパッケージメモリを実装し、前記
第１のパッケージメモリ上に着脱可能に書込み可能なマ
スクＲＯＭを内装した第２のパッケージメモリを実装し
、前記第１のパッケージメモリと前記第２のパッケージ
メモリとを動作切換えの機能を有する端子を除いて導通
させてなることにより、プログラムやデータ等の書込み
を可能とし、かつ小型軒昂化され容易に製作できるよう
にしたものである。

［発明の実施例１ 以下、本発明の実施例の訂細を図面に基づいて説明する
。

第１図は本発明の一実施例を説明するだめの図、第２図
は一実施例の回路構成を示す図、第３図は一実施例のメ
モリモジュールの端子の配列を示ず図である。

この実施例のメモリモジュールは、第１図に示すように
、基板（図示せず）上に記憶容けが１ＭビットでＪＩＳ
第１水準の漢字の文字パターン（以下単にデータとよぶ
）が記憶されたマスクＲＯＭを内装した第１のパッケー
ジメモリ１を実装し、この第１のパッケージメモリ１上
にこの第１のパッケージメモリ１のＩＣソケット２を介
して記憶容最が２５６にビットで外字のデータが記憶さ
れた紫外線消去型のＥＰＲＯＭを内装した第２のパッケ
ージメモリ３を実装し、第１のパッケージメモリ１の外
部入出力端子４．４・・・４と第２のパッケージメモリ
３の外部入出力端子５．５・・・５との動作の切換えの
機能を有する端子を除いてこのＩＣソケット２を介して
同一の機能を有する端子間が導通される。

つまり第２図に示すように、第１および第２のパッケー
ジメモリ１．３において、Ｉｃソケット２を介して、書
込まれたデータを呼び出すための２値化された電気信号
（以下単に信号と呼ぶ）が入力される第１のパッケージ
メモリ１のアドレス入力端子４Ａｏ〜４Ａ１４と第２の
パッケージメモリ３のアドレス入力端子５Ａｏ〜５Ａ１
．とが導通され、書込まれたデータを信号として出力す
る第１のパッケージメモリ１のデータ出力端子４Ｄｏ〜
４Ｄ７と第２のパッケージメモリ３のデータ出力端子５
Ｄｏ〜５Ｄ７とが導通され、電力を供給するための第１
のパッケージメモリ１の供電端子４Ｖｏｏと第２のパッ
ケージメモリ３の供電端子５ＶＰＰとが導通される。

また動作の切換えを行なう信号が入力される第１のパッ
ケージメモリ１のチップイネーブル入出力端子４ＣＥ＋
と第２のパッケージメモリ３のチップイネーブル入出力
端子５σ了］とは導通されず、第２のパッケージメモリ
３のチップイネーブル入出力端子５０Ｅ２は第１のパッ
ケージメモリ１のＩＣソケット２を介して、第１のパッ
ケージメモリ１の独立した外部入出力端子４コーに導通
される。

また第１のパッケージメモリ１の外部入出力端子４．４
・・・４は、第３図に示すように、それぞれ所定の位置
に配列されている。

このように構成された本実施例のメモリモジュールにお
いて、ＪＩＳ第１水準の漢字のデータが読み出される場
合には、第１のパッケージメモリ１のマスクＲＯＭを動
作するようにチップイネーブル入出力端子４の−から信
号が入力され、このマスクＲＯＭが動作し、アドレス入
力端子４ＡＯ〜４Ａ＋ｓからそのデータを呼び出す信号
が入力され、このマスクＲＯＭから読み出されたデータ
の信号がデータ出力端子４Ｄｏ〜４Ｄ７から出力される
。

またＪＩＳ第１水準の漢字以外の外字のデータが読み出
される場合には、第２のパッケージメ［す３の紫外線消
去型のＥＰＲＯＭを動作するように第１のパッケージメ
ｒす１のチップイネーブル入出力端子４の下から信号が
入力され、第１のパッケージメモリ１のＩＣソケット２
を介して第２のパッケージメモリ３のチップイネーブル
入力端子５ＣＥ２に入ツノされ、紫外線消去型のＥＰＲ
ＯＭにこの信号が入力され動作し、第１のパッケージメ
モリ１のアドレス入力端子４Ａｏ〜４Ａ＋４からこのデ
ータを呼び出づ゛信号が入力され、第１のパッケージメ
モリ１のＩＣソケツ１−２を介して第２のパッケージメ
モリ３のアドレス入力端子５Δ０〜５Ａ１４に入力され
、紫外線消去型のＥＦＲＯＭにこの信号が入力される。

そしてこの紫外線消去型のＥＰＲＯＭから読みだされた
データの信号が第２のパッケージメモリ３のデータ出力
端子５Ｄｏ〜５Ｄ７から出力され、第１のパッケ−ジメ
モリ１のＩＣソケット２を介して第１のパッケージメモ
リ１のデータ出力端子４Ｄｏ〜４１）ｌから出力される
。

したがって上）ホしたメモリモジュールによれば、ＪＩ
Ｓ第１水準の漢字のデータ以外の外字のデータも容易に
記憶することができ、小型４１１ｆｆｌで容易に製作で
きる。

なお上述した実施例において、第２のパッケージメモリ
２に紫外線消去型のＥＰＲＯＭが内装されていたが、本
発明はこれに限定されることなく、第２のパッケージメ
モリ２に書込みおよび消去が可能なＲＯＭを内装し、Ｒ
／Ｗ端子を第１のパッケージメモリ１のＩＣソケット２
を介し、第１のパッケージメモリ１の外部入出力端子４
に導通すればデータの書込みが可能となる。

［発明の効梁］ 以上説明したように、本発明のメモリモジュールによれ
ばマスクＲＯＭを内装した第１のパッケージメモリ上に
＠脱可能に書込み可能なＲＯＭを内装した第２のパッケ
ージメモリを実装しているので、プログラムやデータの
書込みができ、かつ小型軽量化され容易に製作できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するための図、第２図
は一実施例の回路構成を示す図、第３図は一実施例のメ
モリモジュールの端子の配列を示す図である。 １・・・・・・・・・第１のパッケージメモリ２・・・
・・・・・・ＩＣソケット ３・・・・・・・・・第２のパッケージメモリ４．４・
・・４． ５．５・・・５・・・・・・外部入出力端子出願人　　
　　　株式会社　東芝 代理人弁理士　　須　山　佐　− 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上にマスクＲＯＭを内装した第１のパッケー
   ジメモリを実装し、前記第１のパッケージメモリ上に着
   脱可能に書込み可能なマスクＲＯＭを内装した第２のパ
   ッケージメモリを実装し、前記第１のパッケージメモリ
   と前記第２のパッケージメモリとの動作切換えの機能を
   有する端子を除いて同一の機能を有する端子を導通させ
   てなることを特徴とするメモリモジュール。