JPS6266643A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6266643A
JPS6266643A JP60206845A JP20684585A JPS6266643A JP S6266643 A JPS6266643 A JP S6266643A JP 60206845 A JP60206845 A JP 60206845A JP 20684585 A JP20684585 A JP 20684585A JP S6266643 A JPS6266643 A JP S6266643A
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JP
Japan
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wire
resin
semiconductor element
thin
electrode
Prior art date
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JP60206845A
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Hiroaki Fujimoto
博昭 藤本
Kenzo Hatada
畑田　賢造
Nobutoshi Takehashi
信逸 竹橋
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置に関し、特にＩＣ，ＬＳＩ。
ハイブリッドＩＣ等の半導体素子の電極と半導体素子の
電極を外部へ取り出す為の外部電極との電気的接続に用
いるボンディングワイヤーに関するものである。
従来の技術 従来の技術として樹脂封止半導体装置を第４図とともに
説明する。まず、コバール等を用い、プレス加工により
形成されたコムフレーム２１の、半導体素子塔載部２２
にムｇペースト等の樹脂２３を用い、半導体素子２４を
固着する。その後、ムＵ、ム１等の金属細線２５を用い
半導体素子の電極２６と外部電極２９と電気的に一体で
あるコムフレームの内部電極２７を電気的に接続し、半
導体素子を保護する為にエポキシ等の封止樹脂２８を用
い、封止したものである。この時、コムフレームの内部
電極２７の表面には、金属細線の接続性を良好にする為
に、ムＵ、λｇ等のメッキ処理を行う。ここで、金属細
線２５には、一般に径が２０〜１００μ鶏程度のものが
用いられ、その接続方法は熱圧着法、超音波法、超音波
熱圧着法があるが、超音波法は、接続時に方向性がある
ため自動化が困難であり、接続の速度も遅い。したがっ
て、現状では熱圧着法、超音波熱圧着法が主に使用され
ている。この方法の場合、金属細線の先端を球状にする
必要があり、その手段としては金属細線を接続のたびに
、水素トーチ、電気トーチ等により溶かす方法が用いら
れている。しだがってこの方法を用いる場合の金属細線
の材質としては、金属細線の溶融時に酸化膜が形成され
ず、安定した球が形成できるムＵが用いられている。
発明が解決しようとする問題点 このような従来法では、半導体素子の電極と外部電極と
の電気的な接続に金属細線を用いているため、次に示す
様な欠点がある。　　“（１）主に用いられている熱圧
着法、超音波熱圧着法では、Ａｕを用いるため非常にコ
ストの高いものとなる。
（２）　　人Ｕに比ベコストの安いムｌを用いた場合は
、接続方法が、超音波であるため接続の方向性があり、
生産性が悪い。
（３）樹脂封止の半導体装置の場合、金属細線の材質が
人４では、耐食性が悪く信頼性が低い。
（４）　　半導体装置の外部電極と電気的に接続されて
いる、内部電極の表面に、Ａｕ、Ａｇ等のメッキを施す
必要があり、コスト高である。
（５）樹脂封止の半導体装置の場合、封止樹脂と金属細
線の熱膨張係数が異るため熱ストレスにより、金属細線
が断線する場合があり、信頼性が低い。
問題点を解決するだめの手段 本発明は、上記問題点を解決するため、半導体素子の電
極と半導体装置の外部電極との電気的な接続をコストの
安い、導電性を有した樹脂細線により行うものである。
　− 作用 樹脂細線の使用により、低コストで信頼性の高い半導体
装置を得ることが可能となる。
実施例 本発明の一実施例を、第１図〜第３図とともに説明する
。
まず、樹脂封止型半導体装置に適用した場合について第
１図と共に説明する。まず、厚みがｏ、１５〜０．３　
ｍｍ程度のコバール等の金属板を打ち抜いて形成したコ
ムフレーム１の半導体素子塔載部２に、人ｇペースト等
の樹脂３を塗布し、その上に半導体素子４を設置しその
後、樹脂３を加熱硬化させ、半導体素子４を半導体素子
塔載部２に固着する。その後半導体素子の電極６と外部
電極９と電気的に一体であるコムフレームの内部電極７
とを導電性樹脂細線５を用いて電気的に接続する。
次に、半導体素子４を保護する為に、エボキ７等の封止
樹脂８を用い、射出成形等により封止する。ここで導電
性樹脂細線５を得る方法としては、例えば第２図４に示
す様に、アクリルＦＥＰ、ポリエチレン等の熱可塑性樹
脂自体に導電性を有した構成が良いが、他の例として熱
可塑性樹脂１０の中に、Ｎ１等の金属粉末１１を混入さ
せる方法、また第２図すに示す様に、アクリル、ＦＫＰ
、ポリエチレン等の熱可塑性樹脂１２の表面にムｅ。
Ｎｉ等の金属被膜１３を形成する方法かもしくは細線の
表面あるいは中心部が導電性を有する樹脂３０と、その
他の領域が絶縁樹脂３１である２層構造となったものを
用いても良い（第２図Ｃ）。
線径は、５〜１００μｍ程度であり、半導体素子の電極
の寸法、電流容量等から選択する。作製の方法としては
、金属粉末１１を混入する場合は、熱可塑性樹脂１０を
加熱溶融させその中に、金属粉末を混入させ冷却する。
また金属被膜１３を形成する方法としては、無電解メッ
キ等を用いる方法があり、いずれも容易に作製できる。
次に、金属粉末を混入した導電性樹脂細線を用いた場合
の接続方法について第３図と共に説明する。まず、第３
図乙に示す様に導電性樹脂細線５を、従来の熱圧着法や
、超音波熱圧着法の時に用いられる、ポンディ／グキャ
ピラリ−１４の孔に挿入する、その後、第３図すに示す
様に水素トーチ、電気トーチを用い導電性樹脂細線６の
先端を溶かし、球１５を形成する。次に第３図Ｃに示す
様に加熱された半導体素子４の電極６に、球１６）ボン
ディングキャピラリー１４を用いて押しあてる。この時
半導体素子４は加熱されているため球１６は変形し、半
導体素子の電極６に導電性樹脂細線６の樹脂１７によっ
て固着される。そして、球１５の中に含まれている金属
粉末１６が、電極６と接し、導電性樹脂細線６と半導体
素子の電極６とが電気的に接続される。次に、第３図ｄ
に示す様にコムフレームの内部電極７に熱圧着等により
接続１〜たものである。この様に、半導体素子の電極と
外部電極との接続に、従来のように高価な金属細線を用
いず４２電性樹脂細線を用いても、接続の方法は従来の
熱圧着法等を用いることができるだめ、新しい設備の必
要がなく、コストの安いものとなる。
発明の効果 以上のように本発明は、半導体素子の電極と外部電極と
の接続に導電性樹脂細線を用いているため、次に示す効
果がある。
（１）従来の様に、ムＵ等の高価な金属を使用しないた
め、非常に低コストである。
（２）樹脂封止の半導体装置の場合、封止樹脂と導電性
樹脂細線の熱膨張係数がほぼ同等であるため、熱ストレ
スによる断線等がなく信頼性の高いものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の断面図
、第２図ａ、ｂ、ｃは本実施例装置に用いる樹脂細線の
構造を示す図、第３図ａ　−ｄは本実施例装置における
樹脂細線の接続工程図、第４図は従来の半導体装置の断
面図である。 ２・・・・・・コムフレーム、４・・・・・・半導体素
子、５・・・・・・導電性樹脂細線、８・・・・・・封
止樹脂。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体素子の電極と半導体素子の支持体に形成さ
    れた導体とを導電性を有した樹脂細線により電気的に接
    続した半導体装置。
  2. （２）導電性を有した樹脂細線は樹脂中に微小金属を混
    入した細線である特許請求の範囲第１項記載の半導体装
    置。
  3. （３）導電性を有した樹脂細線は、その表面もしくは中
    心部が導電性を有するものである特許請求の範囲第１項
    記載の半導体装置。
  4. （４）樹脂細線は、その全領域において導電性を有する
    ものである特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
JP60206845A 1985-09-19 1985-09-19 半導体装置 Pending JPS6266643A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09321077A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Nec Kyushu Ltd 樹脂封止型半導体装置
CN1108569C (zh) * 1996-10-01 2003-05-14 国际商业机器公司 具有无数据端点机的可伸缩和可扩充系统管理结构

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CN1108569C (zh) * 1996-10-01 2003-05-14 国际商业机器公司 具有无数据端点机的可伸缩和可扩充系统管理结构

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