JPH0260232U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0260232U JPH0260232U JP13970588U JP13970588U JPH0260232U JP H0260232 U JPH0260232 U JP H0260232U JP 13970588 U JP13970588 U JP 13970588U JP 13970588 U JP13970588 U JP 13970588U JP H0260232 U JPH0260232 U JP H0260232U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- dry etching
- reaction chamber
- adsorbing
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示す構成図、第２
図は第１図のカソードを示す平面図、第３図は第
２図の縦断面図、第４図は従来のドライエツチン
グ装置を示す構成図である。 １……ウエハー、２……反応室、３……カソー
ド、４……アノード、５……冷却水供給装置、６
……インピーダンス整合器、７……高周波電源、
８……ガス供給装置、９……圧力ゲージ、１０…
…真空ポンプ、１１……高真空ポンプ、１２……
バルブ、１３……バルブ、１４……不活性ガス源
、１５……Ｏリング、１６……真空孔、１７……
真空ゲージ。
図は第１図のカソードを示す平面図、第３図は第
２図の縦断面図、第４図は従来のドライエツチン
グ装置を示す構成図である。 １……ウエハー、２……反応室、３……カソー
ド、４……アノード、５……冷却水供給装置、６
……インピーダンス整合器、７……高周波電源、
８……ガス供給装置、９……圧力ゲージ、１０…
…真空ポンプ、１１……高真空ポンプ、１２……
バルブ、１３……バルブ、１４……不活性ガス源
、１５……Ｏリング、１６……真空孔、１７……
真空ゲージ。
Claims (1)
- プラズマガスを用いて半導体ウエハーの表面に
成膜された薄膜をドライエツチングする装置にお
いて、ウエハーを載置する電極に、反応室雰囲気
圧力より低い圧力でウエハーを裏面より吸着する
機構を有することを特徴とするドライエツチング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13970588U JPH0260232U (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13970588U JPH0260232U (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0260232U true JPH0260232U (ja) | 1990-05-02 |
Family
ID=31403213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13970588U Pending JPH0260232U (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0260232U (ja) |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP13970588U patent/JPH0260232U/ja active Pending
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