JPS6268236U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6268236U JPS6268236U JP1985158644U JP15864485U JPS6268236U JP S6268236 U JPS6268236 U JP S6268236U JP 1985158644 U JP1985158644 U JP 1985158644U JP 15864485 U JP15864485 U JP 15864485U JP S6268236 U JPS6268236 U JP S6268236U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring layer
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- circuit device
- lower wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図ａ，ｂは本考案の一実施例における識別
を附したボンデイングパツドの平面図及びそのＡ
Ａ線断面図、第２図ａ，ｂは従来構造及び識別を
行わないボンデイングパツドの平面図及びそのＡ
Ａ線断面図である。 １，１１……半導体基板、２，１２……シリコ
ン酸化膜、３，１３……層間絶縁膜としてのシリ
コン酸化膜、４，１４……パツシベーシヨンとし
てのシリコン酸化膜、５，１５……金属配線層、
６，１６……下層配線としての金属配線層、６ａ
……下層パツド、７，１７……スルーホール、７
ａ……識別スルーホール、８，１８……開口。
を附したボンデイングパツドの平面図及びそのＡ
Ａ線断面図、第２図ａ，ｂは従来構造及び識別を
行わないボンデイングパツドの平面図及びそのＡ
Ａ線断面図である。 １，１１……半導体基板、２，１２……シリコ
ン酸化膜、３，１３……層間絶縁膜としてのシリ
コン酸化膜、４，１４……パツシベーシヨンとし
てのシリコン酸化膜、５，１５……金属配線層、
６，１６……下層配線としての金属配線層、６ａ
……下層パツド、７，１７……スルーホール、７
ａ……識別スルーホール、８，１８……開口。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 多数個用意されたボンデイングパツドを構成
する品種に応じて任意に選択して使用するマスタ
ースライス方式の半導体集積回路装置において、
使用又は未使用のいずれかのボンデイングパツド
の金属配線層の下側に下層配線層を形成するとと
もに、この下側配線層との間の層間絶縁膜に特異
なパターン形状の識別スルーホールを形成し、ボ
ンデイングパツドの表面側からこの識別スルーホ
ールの特異パターンを認識できるように構成した
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 ２ 下層配線層は半導体集積回路装置の回路構成
用の金属配線層の一部で構成してなる実用新案登
録請求の範囲第１項記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985158644U JPS6268236U (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985158644U JPS6268236U (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6268236U true JPS6268236U (ja) | 1987-04-28 |
Family
ID=31082328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985158644U Pending JPS6268236U (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6268236U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04144233A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP1985158644U patent/JPS6268236U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04144233A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Nec Corp | 半導体集積回路 |