JPS627188A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS627188A JPS627188A JP60147446A JP14744685A JPS627188A JP S627188 A JPS627188 A JP S627188A JP 60147446 A JP60147446 A JP 60147446A JP 14744685 A JP14744685 A JP 14744685A JP S627188 A JPS627188 A JP S627188A
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- semiconductor laser
- laser
- photodiode
- stem
- chip
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
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- H—ELECTRICITY
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
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-
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体レーザ装置に関し、特に半導体レーザ
の光学系゛の改良に関するものである。
の光学系゛の改良に関するものである。
［従来の技斬］−
第２図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図である。
初めにこの装置の構成について説明する。
図において、ステム５の表１ｉｓａ上にブロック８が設
けられており、ブロック８の側面に半導体レーザチップ
１が設けられている。ステム５に電極３が設けられてお
り、電極３はボンディングワイヤ６によって半導体レー
ザチップ１に接続されている。半導体レーザチップ１の
接合（図示せず）はステム５の表面５ａにほぼ垂直にな
っており、半導体レーザチップ１の一方１１１８に無反
射コーティングが、半導体レーザチップ１の他方面１ｂ
に反射コーティングが施されている。半導体レーザチッ
プ１の一方面１ａからレーザ９ａが出射され、半導体レ
ーザチップ１の他方面１ｂからレーザ９ｂが出射される
。半導体レーザチップ１自体のレーザ特性は、無反射コ
ーティングを施したり、変化させることができる。また
、ステム５の表面５ａ上に取付台７が設けられており、
取付台７上にフォトダイオード２０が設けられている。
けられており、ブロック８の側面に半導体レーザチップ
１が設けられている。ステム５に電極３が設けられてお
り、電極３はボンディングワイヤ６によって半導体レー
ザチップ１に接続されている。半導体レーザチップ１の
接合（図示せず）はステム５の表面５ａにほぼ垂直にな
っており、半導体レーザチップ１の一方１１１８に無反
射コーティングが、半導体レーザチップ１の他方面１ｂ
に反射コーティングが施されている。半導体レーザチッ
プ１の一方面１ａからレーザ９ａが出射され、半導体レ
ーザチップ１の他方面１ｂからレーザ９ｂが出射される
。半導体レーザチップ１自体のレーザ特性は、無反射コ
ーティングを施したり、変化させることができる。また
、ステム５の表面５ａ上に取付台７が設けられており、
取付台７上にフォトダイオード２０が設けられている。
また、ステム５に電極４が設けられており、電極４はボ
ンディングワイヤ６によってフォトダイオード２０に接
続されている。フォトダイオード２０は半導体レーザチ
ップ１の一方面１ａからのレーザ９ａの光出力をモニタ
するためのものである。フォトダイオード２０の表面２
０ａはステム５の表面５ａと成る角度をなしており、こ
の表面２０ａに半導体レーザチップ１の他方面１ｂから
のレーザ９ｂが照射される。
ンディングワイヤ６によってフォトダイオード２０に接
続されている。フォトダイオード２０は半導体レーザチ
ップ１の一方面１ａからのレーザ９ａの光出力をモニタ
するためのものである。フォトダイオード２０の表面２
０ａはステム５の表面５ａと成る角度をなしており、こ
の表面２０ａに半導体レーザチップ１の他方面１ｂから
のレーザ９ｂが照射される。
次に、この装置の動作について説明する。半導体レーザ
チップ１の一方面１ａから出射されたレーザ９ａは本来
の用途に寄与され、また半導体レーザチップ１の他方面
１ｂから出射されたレーザ９ｂはフォトダイオード２０
に照射される。レーザ９ｂの光出力はレーザ９ａの光出
力に比例するため、このレーザ９ｂをフォトダイオード
２０でモニタすることによってレーザ９ａの光出力を推
定している。
チップ１の一方面１ａから出射されたレーザ９ａは本来
の用途に寄与され、また半導体レーザチップ１の他方面
１ｂから出射されたレーザ９ｂはフォトダイオード２０
に照射される。レーザ９ｂの光出力はレーザ９ａの光出
力に比例するため、このレーザ９ｂをフォトダイオード
２０でモニタすることによってレーザ９ａの光出力を推
定している。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されている
ので、レーザ特性を変化させるために半導体レーザチッ
プ１の他方面１ｂの反射コーティングの反射率を大きく
すると、フォトダイオード２０に照射されるレーザ９ｂ
の光出力が小さくなり、フォトダイオード２０に十分な
光電変換出力が得られないという問題点があった。また
、半導体レーザチップ１をステム５に対して垂直に取付
けねばならず、その組立も煩雑であるなどの問題点があ
った。
ので、レーザ特性を変化させるために半導体レーザチッ
プ１の他方面１ｂの反射コーティングの反射率を大きく
すると、フォトダイオード２０に照射されるレーザ９ｂ
の光出力が小さくなり、フォトダイオード２０に十分な
光電変換出力が得られないという問題点があった。また
、半導体レーザチップ１をステム５に対して垂直に取付
けねばならず、その組立も煩雑であるなどの問題点があ
った。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体レーザチップの他方面の反射率に影響
されることなくレーザの光出力をモニタすることができ
、かつ組立が簡略化される、半導体レーザ装置を得るこ
とを目的とする。
たもので、半導体レーザチップの他方面の反射率に影響
されることなくレーザの光出力をモニタすることができ
、かつ組立が簡略化される、半導体レーザ装置を得るこ
とを目的とする。
［ｆｉ題点を解決するための手段］
この発明にかかる半導体レーザ装置は、ステム上に半導
体レーザチップを設け、この半導体レーザチップの接合
がステムの表面にほぼ平行になるようにし、ステム上に
光電変換装置を設け、この光電変換装置の反射可能な表
面に半導体レーザチップの一方面からのレーザが照射さ
れるようにし、光電変換装置に照射されたレーザの一部
分が上記表面で反射されて外部に取出され、その残りの
部分がレーザ出力の検出のためにこの光電変換装置に供
されるようにしたものである。
体レーザチップを設け、この半導体レーザチップの接合
がステムの表面にほぼ平行になるようにし、ステム上に
光電変換装置を設け、この光電変換装置の反射可能な表
面に半導体レーザチップの一方面からのレーザが照射さ
れるようにし、光電変換装置に照射されたレーザの一部
分が上記表面で反射されて外部に取出され、その残りの
部分がレーザ出力の検出のためにこの光電変換装置に供
されるようにしたものである。
［作用］
この発明においては、半導体レーザチップの一方面から
出射されたレーザが充電変換装置に照射・ され、この
レーザの一部分が光電変換装置の表面で反射され、その
残りの部分が光電変換装置に供される。
出射されたレーザが充電変換装置に照射・ され、この
レーザの一部分が光電変換装置の表面で反射され、その
残りの部分が光電変換装置に供される。
［発明の実施例］
以下、この発明の実施例を因について説明する。
第１図はこの発明の実施例である半導体レーザ装置を示
す所面図である。初めにこの装置の構成について説明す
る。図において、ステム５の表面５ａ上に半導体レーザ
チップ１が設けられている。
す所面図である。初めにこの装置の構成について説明す
る。図において、ステム５の表面５ａ上に半導体レーザ
チップ１が設けられている。
ステム５に電極３が設けられており、電、極３はボンデ
ィングワイヤ６によって半導体レーザチップ１に接続さ
れている。半導体レーザチップ１の接合（図示せず）は
ステム５の表面５ａにほぼ平行になっており、半導体レ
ーザチップ１の一方面１ａに無反射コーティングが、半
導体レーザチップ１の他方面１ｂに高反射率の反射コー
ティングが施されている。この反射コーティングの材料
としては、たとえばＡｕ、Ａｕ２０ｓ 、８１０□、Ｓ
１□Ｎ４ 、Ａｕなどが用いられる。半導体レーザチッ
プ１の一方面１ａからのみレーザ９が出射される。半導
体レーザチップ１自体のレーザ特性は、無反射コーティ
ングを施したり、反射コーティングの反射率を変えるこ
とによって変化させることができる。また、ステム５の
表面５ａ上に取付台７が設けられて′おり、取付台７上
にフォトダイオード２が設けられている。ステム５に電
極４が設けられており、電極４はボンディングワイヤ６
によってフォトダイオード２に接続されている。フォト
ダイオード２は半導体レーザチップ１の一方面１ａから
のレーザ９の光出力をモニタするためのものである。フ
ォトダイオード２の表面２ａはステム５の表面５ａと成
る角度をなしており、この表面２ａには反射コーティン
グが施されている。
ィングワイヤ６によって半導体レーザチップ１に接続さ
れている。半導体レーザチップ１の接合（図示せず）は
ステム５の表面５ａにほぼ平行になっており、半導体レ
ーザチップ１の一方面１ａに無反射コーティングが、半
導体レーザチップ１の他方面１ｂに高反射率の反射コー
ティングが施されている。この反射コーティングの材料
としては、たとえばＡｕ、Ａｕ２０ｓ 、８１０□、Ｓ
１□Ｎ４ 、Ａｕなどが用いられる。半導体レーザチッ
プ１の一方面１ａからのみレーザ９が出射される。半導
体レーザチップ１自体のレーザ特性は、無反射コーティ
ングを施したり、反射コーティングの反射率を変えるこ
とによって変化させることができる。また、ステム５の
表面５ａ上に取付台７が設けられて′おり、取付台７上
にフォトダイオード２が設けられている。ステム５に電
極４が設けられており、電極４はボンディングワイヤ６
によってフォトダイオード２に接続されている。フォト
ダイオード２は半導体レーザチップ１の一方面１ａから
のレーザ９の光出力をモニタするためのものである。フ
ォトダイオード２の表面２ａはステム５の表面５ａと成
る角度をなしており、この表面２ａには反射コーティン
グが施されている。
フォトダイオード２の反射率は反射コーティングの反射
率を変えることによって変化させることができる。この
反射コーティングの材料としては、たとえばＡｌ、Ａ
ｌｚ Ｏｓ 、ＳＩ Ｏｚ 、８１ ｓ Ｎｇ、Ａｕな
どが用いられる。半導体レーザチップ１の一方面１ａか
らのレーザ９がフォトダイオード２の表面２ａに照射さ
れる。レーザ９の一部分はこの表面２ａで反射され、そ
の残りの部分はフォトダイオード２の内部に取込まれる
。
率を変えることによって変化させることができる。この
反射コーティングの材料としては、たとえばＡｌ、Ａ
ｌｚ Ｏｓ 、ＳＩ Ｏｚ 、８１ ｓ Ｎｇ、Ａｕな
どが用いられる。半導体レーザチップ１の一方面１ａか
らのレーザ９がフォトダイオード２の表面２ａに照射さ
れる。レーザ９の一部分はこの表面２ａで反射され、そ
の残りの部分はフォトダイオード２の内部に取込まれる
。
次に、このＩｉ［の動作について説明する。半導体レー
ザチップ１の一方面１ａからのレーザ９はフォトダイオ
ード２の表面２ａに照射される。このとき、レーザ９の
一部分は表面２ａで反射されてパッケージの外部に取出
され本来の用途に供される。一方、レーザ９の残りの部
分はフォトダイオード２の内部に取込まれ、レーザ９の
光出力がモニタされる。ここで、フォトダイオード２の
表面２ａの反射コーティングの反射率を変化させれば、
それに応じてフォトダイオード２のモニタ電流を変える
ことができる。この実施例では、反射コーティングが施
されていない半導体レーザチップ１の一方面１ａからの
レーザ９がフォトダイオード２に照射されるので、従来
のように半導体レーザチップ１の他方面１ｂに高反射率
の反射コーティングを施すことによってフォトダイオー
ド２０のモニタ電流が不足してレーザの光出力がモニタ
できなくなるという欠点が解消される。また、半導体レ
ーザチップ１のステム５への組立も、半導体レーザチッ
プ１がステム５の表面５ａに組立てられるためその組立
作業が容易となり、また半導体レーザチップ１の接合が
表面５ａにほぼ平行となるように組立てられるので、半
導体レーザチップ１の高さを低く抑えることができパッ
ケージを小形化することができる。
ザチップ１の一方面１ａからのレーザ９はフォトダイオ
ード２の表面２ａに照射される。このとき、レーザ９の
一部分は表面２ａで反射されてパッケージの外部に取出
され本来の用途に供される。一方、レーザ９の残りの部
分はフォトダイオード２の内部に取込まれ、レーザ９の
光出力がモニタされる。ここで、フォトダイオード２の
表面２ａの反射コーティングの反射率を変化させれば、
それに応じてフォトダイオード２のモニタ電流を変える
ことができる。この実施例では、反射コーティングが施
されていない半導体レーザチップ１の一方面１ａからの
レーザ９がフォトダイオード２に照射されるので、従来
のように半導体レーザチップ１の他方面１ｂに高反射率
の反射コーティングを施すことによってフォトダイオー
ド２０のモニタ電流が不足してレーザの光出力がモニタ
できなくなるという欠点が解消される。また、半導体レ
ーザチップ１のステム５への組立も、半導体レーザチッ
プ１がステム５の表面５ａに組立てられるためその組立
作業が容易となり、また半導体レーザチップ１の接合が
表面５ａにほぼ平行となるように組立てられるので、半
導体レーザチップ１の高さを低く抑えることができパッ
ケージを小形化することができる。
なお、上記実施例では、フォトダイオード２に平面のも
のを用いたが、凹面のものを用いてもよく、この場合に
も上記実施例と同様の効果を奏する。
のを用いたが、凹面のものを用いてもよく、この場合に
も上記実施例と同様の効果を奏する。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、ステム上に半導体レー
ザチップを設け、この半導体レーザチップの接合がステ
ムの表面にほぼ平行になるようにし、ステム上に充電変
換装置を設け、この光電変換装置の反射可能な表面に半
導体レーザチップの一方面からのレーザが照射されるよ
うにし、光電変ｍ装置に照射されたレーザの一部分が上
記表面で反射されて外部に取出され、その残りの部分が
レーザ出力の検出のためにこの光電変換！［に供される
ようにしたので、半導体レーザチップの他方面の反射率
に影響されることなくレーザの光出力をモニタすること
ができる。また、半導体レーザチップのステムへの組立
作業が容易になり、さらにパッケージを小形化すること
ができる。
ザチップを設け、この半導体レーザチップの接合がステ
ムの表面にほぼ平行になるようにし、ステム上に充電変
換装置を設け、この光電変換装置の反射可能な表面に半
導体レーザチップの一方面からのレーザが照射されるよ
うにし、光電変ｍ装置に照射されたレーザの一部分が上
記表面で反射されて外部に取出され、その残りの部分が
レーザ出力の検出のためにこの光電変換！［に供される
ようにしたので、半導体レーザチップの他方面の反射率
に影響されることなくレーザの光出力をモニタすること
ができる。また、半導体レーザチップのステムへの組立
作業が容易になり、さらにパッケージを小形化すること
ができる。
第１図はこの発明の実施例である半導体レーザ装置を示
す断面図である。 第２図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図である。 図において、１は半導体レーザチップ、２．２０はフォ
トダイオード、３．４は電極、５はステム、６はボンデ
ィングワイヤ、７は取付台、８はプロツク、９．９ａ
、９ｂはレーザである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１ 図 第２図 ８：プロ・・Ｉフ 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭６０−１４７４４６号２、
発明の名称 半導体レーザ装置 ３、補正をする者 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄、発明の詳細な説明の欄お
よび図面の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり。 （２） 明細書第３頁第３行、第４行ないし第５行、第
１４行、第１８行、明細書第４頁第１行ないし第２行、
第３行、第４行ないし第５行、第５行、第６行、第７行
、第１４行、明細書第５頁第１１行、第１２行、第１８
行、第１９行、明細書第６頁第１８行、明細書第７頁第
８行、第１７行、第１８行、明細書第８頁第２行、第４
行、第６行、第７行、第１３行、明細書第９頁第１６行
および第１７行の「レーザ」を「レーザ光」に訂正する
。 （３） 明細書第１０頁第１３行の「レーザ」を「レー
ザ光」に訂正する。 以上 ２、特許請求の範囲 ステムと、 前記ステム上に設けられる半導体レーザチップとを備え
、 前記半導体レーザチップの接合は、該半導体レーザチッ
プが設けられる前記ステムの表面にほぼ平行であり、 前記半導体レーザチップの表面は前記接合に垂直な相対
する一方面と他方面を有し、 前記半導体レーザチップの前記一方面からレーザ光が出
射され、 前記半導体レーザチップの他方面は高い反射率を有し、
該他方面から洩れるレーザ光は実用に供せず、 前記しｌザ光が照射されるように前記ステム上 −に設
けられ、レーザ出力を検出するための光電変換作用をす
る光電変換装置とを備え、 前記光電変換装置の前記レーザ光が照射される表面は反
射可能であり、 前記光電変換装置に照射された前記レーザ光の一部分が
前記表面で反射されて外部に取出され、その残りの部分
が前記レーザ出力の検出のために前記光電変換装置に供
される、半導体レーザ装置。 第 １ 図 第２図 ８：プロ・・１７
す断面図である。 第２図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図である。 図において、１は半導体レーザチップ、２．２０はフォ
トダイオード、３．４は電極、５はステム、６はボンデ
ィングワイヤ、７は取付台、８はプロツク、９．９ａ
、９ｂはレーザである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１ 図 第２図 ８：プロ・・Ｉフ 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭６０−１４７４４６号２、
発明の名称 半導体レーザ装置 ３、補正をする者 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄、発明の詳細な説明の欄お
よび図面の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり。 （２） 明細書第３頁第３行、第４行ないし第５行、第
１４行、第１８行、明細書第４頁第１行ないし第２行、
第３行、第４行ないし第５行、第５行、第６行、第７行
、第１４行、明細書第５頁第１１行、第１２行、第１８
行、第１９行、明細書第６頁第１８行、明細書第７頁第
８行、第１７行、第１８行、明細書第８頁第２行、第４
行、第６行、第７行、第１３行、明細書第９頁第１６行
および第１７行の「レーザ」を「レーザ光」に訂正する
。 （３） 明細書第１０頁第１３行の「レーザ」を「レー
ザ光」に訂正する。 以上 ２、特許請求の範囲 ステムと、 前記ステム上に設けられる半導体レーザチップとを備え
、 前記半導体レーザチップの接合は、該半導体レーザチッ
プが設けられる前記ステムの表面にほぼ平行であり、 前記半導体レーザチップの表面は前記接合に垂直な相対
する一方面と他方面を有し、 前記半導体レーザチップの前記一方面からレーザ光が出
射され、 前記半導体レーザチップの他方面は高い反射率を有し、
該他方面から洩れるレーザ光は実用に供せず、 前記しｌザ光が照射されるように前記ステム上 −に設
けられ、レーザ出力を検出するための光電変換作用をす
る光電変換装置とを備え、 前記光電変換装置の前記レーザ光が照射される表面は反
射可能であり、 前記光電変換装置に照射された前記レーザ光の一部分が
前記表面で反射されて外部に取出され、その残りの部分
が前記レーザ出力の検出のために前記光電変換装置に供
される、半導体レーザ装置。 第 １ 図 第２図 ８：プロ・・１７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ステムと、 前記ステム上に設けられる半導体レーザチップとを備え
、 前記半導体レーザチップの接合は、該半導体レーザチッ
プが設けられる前記ステムの表面にほぼ平行であり、 前記半導体レーザチップの表面は前記接合に垂直な相対
する一方面と他方面を有し、 前記半導体レーザチップの前記一方面からレーザが出射
され、 前記半導体レーザチップの他方面は高い反射率を有し、 前記レーザが照射されるように前記ステム上に設けられ
、レーザ出力を検出するための光電変換作用をする光電
変換装置とを備え、 前記光電変換装置の前記レーザが照射される表面は反射
可能であり、 前記光電変換装置に照射された前記レーザの一部分が前
記表面で反射されて外部に取出され、その残りの部分が
前記レーザ出力の検出のために前記光電変換装置に供さ
れる、半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147446A JPS627188A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 半導体レ−ザ装置 |
| US06/881,260 US4797895A (en) | 1985-07-02 | 1986-07-02 | Semiconductor laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147446A JPS627188A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS627188A true JPS627188A (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=15430528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60147446A Pending JPS627188A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4797895A (ja) |
| JP (1) | JPS627188A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172767A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
| US4945524A (en) * | 1987-04-15 | 1990-07-31 | Pioneer Electronic Corporation | Compact optical pickup apparatus for optical disk player |
| DE68912512T2 (de) * | 1988-10-28 | 1994-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Halbleiterlaser-Vorrichtung. |
| US4899185A (en) * | 1989-08-24 | 1990-02-06 | Eastman Kodak Company | High density tape-automated bonding (TAB) of electronic components |
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