JPS627417A - 気体の高度乾燥用高分子半透膜とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はシリコンウニ／＼−のような半導体素材製造プ
ロセス用ガス、半導体デノくイス製造用力′ス、及びフ
ァインセラミックス、太陽電池、光ファイバーのような
新素材製造プロセス用ガスの高度乾燥に適した改良され
たフッ素系高分子半透膜に関する。

［従来の技術］ たとえば、現在エレクトロニクス分野のめざましい発展
の先導役をつとめているのがＬＳＩ　、超ＬＳＩと呼ば
れている半導体デバイスであるが、これらの素材の製造
やデバイス製造プロセスにおいては窒素等の汎用ガスに
加えて、アルゴン、ヘリウム等の希ガス、塩化水素、塩
素等の腐食性ガス、さらにはシラン、アルシン、ポラン
ガス等の特殊ガスが使われている。更に現在半導体デバ
イス製造プロセスは高集積化（超微細化）が急激に進ん
でいる。

ＬＳＩの集積度があがり、現状の２５６にビットから１
メガビツト、４メガビツトになるに従い、微小パターン
の線幅がますますせまくなり、従って、いままであまり
問題にならなかった微粒子さえ収率への影響が出てきた
。

そこで上述の半導体製造に関するガスも例えばＬＳＩ　
３板となるシリコンウェハー用やデバイス製造プロセス
におけるエピタキシャル用、ドーピング用、エツチング
用、洗浄用等のガスについても４〜５ナイン以上の純度
が要求され、これに加えて水分含有率１　ｐｐｍ以下の
乾燥度でしかも浮遊塵のないものが要求されるようにな
った。これらのガス中の水分は例えば下記に示すような
様々な障害を起こすため、特に厳しく管理しなければな
らない。

■　半導体製造の配管バルブ流量計のような金属部の腐
食が起こり、微細金属不純物、微粉末の発生が起こる（
例えばＮＣＲガスのような腐食性ガス）。

■　製造炉での水の分解によりＨ２と０２が発生し、特
にこの０２により予期せぬ酸化不純物が発生する。

■　ガスそのものと水との化学反応を起こし、複製不純
物が生じる。

現在たとえば半導体デバイス製造プロセスにおけるガス
の乾燥には−・部モレキュラシーブによる吸着法が使わ
れている。モレキュラシーブは五酸化リンにつぐ吸着能
力をもつ乾燥剤で一般のガスを水分含有率１　ｐｐｍ以
下に乾燥させることは比較的容易である。

又この乾燥剤は崩壊や膨潤等の障害を起こさない物理的
乾燥剤としての利点をもつため広く利用されている。し
かしながら欠点は一般に行なわれる加熱再生に２００〜
４００℃の高温を必要とし、又加熱再生のくりかえし使
用により浮遊塵が発生する。

また塩酸ガス等の酸性ガスにより、モレキュラシーブの
破砕も起こる。

耐酸グレードもあるが浮遊塵の発生も無視することは出
来ず、除塵フィルターの取付けを余儀なくされる。又モ
レキュラシーブの再生も不可能である。

一方気体の乾燥方法として高分子膜を用いる方法が米国
特許３７３５５５８号公報及び特開昭５３−［５Ｂ３号
公報等に記載されている。これら膜透過法はモレキュラ
シーブ等による吸着法と異なり、再生が不要なので、長
時間の連続使用も可能であり優れた方法である。

前者については特にフッ素系スルホン酸基を有する重合
体を用いており腐食性ガスについても使用可能である。

しかしながら両者とも半導体製造のプロセスに用いられ
るような水分含有率１　ｐｐｍ以Ｆの高い乾燥度のもの
は得られていない。

［発明が解決しようとする問題点］ 使い捨て方式のモレギュラシーブ吸着法がランニングコ
ストの高価なこともあってランニングコストが廉価でし
かも浮遊塵がなく水分含有率１　ｐｐｍ以下という高い
乾燥度の気体を容易に得る方法を見出すことは解決され
ねばならぬ重要な課題である。

［問題点を解決するための手段及び作用］本発明はまさ
に上記課題を解決する新規な方法を開発すべく鋭意検討
を重ねた結果、以下に述べる特定のフッ素系共重合体よ
りなる高分子半透膜が上記目的に適合していることを見
出し本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明によれば第１に一般式（式中ｍ＝０ま
たは１；ｎ＝２〜５の整数）で表わされる繰返し単位を
含むフッ素系共重合体よりなり、吸水率Ｗとイオン交換
容ｉＱの関係が次式 ％式％ を有する高分子半透膜が提供される。

また、本発明によれば、第２に 古Ｆ３ （式中ｍ＝０または１；ｎ＝２〜５の整数）で表わされ
る繰返し単位を含むフッ素系共重合体を加熱して、吸水
率Ｗとイオン交換容量Ｑの関係が次式 ％式％ を有する高分子半透膜を得ることを特徴とする高分子半
透膜の製造方法が提供される。

また、本発明によれば、第３に、水分を含有する気体を
一般式 ％式％） （式中ｍ＝ｏまたはｌ；ｎ＝２〜５の整数）で表わされ
る繰返し中位を含むフッ素系共重合体よりなり、吸水率
Ｗとイオン交換容量Ｑの関係が次式 ％式％ を有する高分子半透１模の一方の側に接触させ、他方の
側に乾燥したパージガスを接触させるか又は他方の側を
減圧することにより、上記水分を含有する気体の除湿を
行うことを特徴とする気体の高度乾燥方法が提供される
。

さらに、本発明によれば、第４に一般式％式％） （式中ｍ＝０または１；ｎ＝２〜５の整数）で表わされ
る繰返し単位を含むフッ素系共重合体よりなり、吸水率
Ｗとイオン交換容量Ｑの関係が次式 ％式％ を有する中空糸状の高分子半透膜が多数本ケーシングに
挿入され、両端が樹脂で固定され、中空糸状膜の内側及
び外側を別種の気体が通過可能に形成されたことを特徴
とする気体の乾燥装置が提供される。

Ｌ記フッ素系共重合体としてはテトラフルオロエチレン
、トリフルオロエチレン、パーフルオロビニルエーテル
、ビニリデンフロライド、フッ化ビニル等のフッ素化オ
レフィンと ？Ｆ３ ＣＦ２　＝ＣＦ（ＯＣＦ２０Ｆ）ｍＯ（Ｃ：Ｆ２）ｎｓ
０２Ｆ（ｍ＝０又は１、ｎ＝２〜５の整数） であられされるパーフルオロビニルエーテルモノマーを
共重合して得られるものが好ましい。これらの共重合体
はＵＳＰ　４３２９４３４．　ＵＳＰ　４３２９４３５
゜ＵＳＰ　３９０９３７３に記載しである。

本発明者らは上記一般式で表わされる繰り返し単位を含
むフッ素系重合体の膜のうち特に吸水率とイオン交換容
量の関係が次式 ％式％ である高分子半透膜が気体の高度乾燥は優れていること
を発見した。

上記フッ素系共重合体のスルホン酸基はイオン交換容量
として共重合体中０．５〜２．５ミリ当量／グラムＨ型
乾燥樹脂となる量として導入されているのが好ましい。

フッ素系共重合体のイオン交換容量が０．５〜２．５ミ
リ当量／グラムＨ型乾燥樹脂の範囲内にすることにより
、水蒸気の透過速度は著しく低下したすせず、また、共
重合体の融点が高くなり過ぎず、高分子薄膜の製造が容
易であり、かつ、物理的強度が低下することなく、高分
子薄膜の形状保持も確保される。

特にイオン交換容量が０．８ないし１．８　ミリ当量／
グラムＨ型乾燥樹脂であることが好ましい。

本発明に用いるフッ素系共重合体のスルホン酸基の塩型
としては金属塩、アンモニア塩型を用いることも可能で
あるが、ＳＯ３Ｈ型が最も含水率が高く、水蒸気の透過
速度が大きく、熱安定性も十分あり好ましい。

フッ素系共重合体の形状としては、平膜、チューブ状、
中空糸状膜いずれでもよいが特に単位体積あたりの膜面
積が大きく、処理能力の高い中空糸状膜が好ましい。

特に、高い乾燥度を達成するには装置の気密性も重要で
その点からも中空糸状膜は好ましい。

中空糸の膜厚については薄ければ薄い捏水蒸気の透過性
が大きくなり、性能が向上し好ましいが、成形性、耐圧
性から制限を受ける。中空糸の径にもよるが内径４００
〜５００ｇｍのものについては、膜厚４０〜６０鉢】が
好ましい。

本発明の膜を製造するには上記フッ素系共重合体を薄膜
に成形後アルカリで加水分解し、強酸で処理することに
より末端基５０２ＦをＳ（ｈ　ｌ（に変換した後、該共
重合体を加熱処理することである。

該加熱処理は必要に応じてドライガス、例えば水分含有
率２．５Ｐｌ）ＤＩ以下の窒素ガス等をパージしながら
、あるいは減圧下で実施できる。加熱処理温度は７０〜
２５０℃が適当である。温度が高すぎるとイオン交換基
の脱離が生じ性能が低下する恐れがある。加熱処理温度
は７０〜２００℃が特に好ましい。

−に記共重合体は上記加熱処理により数十、％の収縮を
起こし、又吸水率も低下する。その結果吸水率と交換容
量の関係が １．２０Ｑ　−１，９８４＜　ＲｏｇＷ　＜　１．２０
Ｑ　−１，７４２のものがつくられる。

上記加熱処理膜を用いることにより気体を水分含有率５
　ｐｐｍ以下、常温において水分含有率１　ｐｐｍ以下
という高度な除湿が可能となる。この意味で、上記共重
合体膜は従来の膜の常識では考えられない極限的な値ま
で除湿する性能を有するものであるといえる。

被乾燥ガスは該フッ素系共重合体の薄膜のいずれの側に
供給してもよい。膜をへだてて水分の透過側に水分含有
率の低い乾燥したパージガスを流したり、真空ポンプ等
で減圧することによって膜透過の駆動力である分圧差を
生じさせ、除湿の目的を達成する。

水分含有率の低い乾燥したパージガスとは、被乾燥ガス
に含まれる水分を膜をへだてて除去する為に供給される
ガスで、不活性で温度が上っても、出来るだけ反応し難
いガスが好ましい、減圧とは、供給する原料ガスの圧力
にもよるが大気圧より低い圧力を意味する。

本発明の膜は加熱処理により作られるが、平膜の場合は
加熱処理により作られたか否かは、吸水率を測定すれば
簡単に判定できる。

しかし、膜が細い中空糸状の場合は、吸水率は測定しに
くいので、その判定は以下に説明する熱収縮開始温度を
測定することによって行うことができる。

中空糸膜に、軽いおもり（糸が真直ぐになるに充分だが
、糸が伸びてしまわない程度の重量）をつけて、空気槽
中につるす。その状態で空気槽の温度を徐々に上昇させ
、糸の長さの変化を読取り望遠鏡で測定する。測定結果
の一例を、横軸に温度、縦軸に長さをとりグラフに書く
と第４図のようになる。Ｌ２５は２５℃の長さ、ＬＬは
温度ｔ’０における長さである。第４図において矢印の
温度即ち、昇温により寸法変化のない最高温度を「熱収
縮のない最高温度」と定義する。熱処理温度（１）を変
化させた中空糸を数点用意し、その「熱収縮のない最高
温度（Ｔ）」を測定し、その結果をグラフにブロンドし
たところ第５図のようになった。即ち、 ”１７＝ｔ　　　　・・・・・・（１）となり、中空糸
膜の熱処理温度（１）は熱収縮のない最高温度（Ｔ）を
測定することにより知ることが出来る。

本発明の方法において、乾燥の対象となるガスは、通常
は一般に市場で得られるボンベに充填されたガスであり
、水蒸気濃度はそれ程高くないガスである。ボンベに充
填されているガスについては通常数ｐｐｍ〜数十ｐｐｍ
程度であるが場合により１１００ｐｐ以りのものもある
。対象ガスの濃度に応じて気体の乾燥装置の膜面積を変
えたり多段にしたりしてｒ１的の除湿レベルのものを得
ることができる。

本発明の方法は半導体素材製造プロセス用ガス、半導体
デバイス製造用ガス及び太陽電池、アモルファスシリコ
ン等の新素材製造プロセス用ガスを高度に乾燥するのに
殊に適している。

新素材製造プロセス用ガスとして、半導体プロセスガス
の代表例として、ＡＳＨａ　、　Ｈ２Ｓ、　ＧｅＨ４゜
ＳｅＨ２，５ｂ）Ｉ：＋、　ＡｓＣｌ２．　（Ｃ２Ｈ５
）２７ａ、　（Ｃ：Ｈ＋）２ｃｄ。

（Ｃ２Ｈ５）２ｃｄ、　　ＡｇＦ２．　　ＰＨ３，ＰＣ
，ｈ、　　８２Ｈ５，８Ｆ３．　　ＢＣＩ！３゜（ＣＨ
３）２　Ｔｅ等のドーピングガス；　５ＩＨ４＋　５Ｉ
Ｈ２Ｃ２２。

５ｉＨＣｊｈ、　５ｉＣｊｌ’ｎ、　Ｂ２Ｏ２，ＢＢｒ
３．　ＢＩ３．　Ａ３Ｈ３，ＰＨ３゜ＧｅＨ３，ＴｅＨ
ｚ、　（ＣＨ３）３ＡＳ、　（Ｃ２Ｈｓ）：＋Ａｊ’、
　（Ｃ：Ｈ３）３Ｓｂ。

（Ｃ２Ｈ５）３Ｓｂ、　（ＣＨ３）３Ｇａ、　（Ｃ２Ｈ
５）３Ｇａ、　（ＣＨ３）３ＡＳ。

（Ｃ：２Ｈ５ｈＡｓ、　（ＣＨ３）２Ｈｇ、　（Ｃ２Ｈ
５）ｚＨｇ、　（ＣＨ３ｈＰ。

（Ｃ２）＋５）３Ｐ、　ＳｎＣ：ｊ）４．　ＧｅＣｊ）
４．５ｂＣｊ！５．　ＡｆｆＣ１’ｓ等のエビタギシャ
ルガス；　ＡｓＦ５．　ＰＦ５．　ＰＨ３，Ｂｈ、　Ｂ
Ｃ４３゜ＳｉＦ４．　ＳＦ６等のイオン注入用ガス；　
ＡｓＨ３、ＰＨ３。

ＨＣＲ，ＳｅＨ２，（ＣＯ３）２↑ｅ、　（（：２Ｈ５
）７Ｔｅ等の発光ダイオード用ガス；　Ｃｈ、　Ｈ（１
’、　）ＩＦ、　ＨＢｒ、　ＳＦｂ等ノエッチングガス
；　ＳｉＦ４．　ＣＦａ、　０３Ｆ８．　Ｃ７Ｆ６．　
Ｃ）ＩＦ＋。

ＣＣｌＦ２．０２等のプラズマエツチングガス；Ｃ：３
Ｆ８゜（ＪＦ３　、　ＣＣｌＦ２．　ＣＦａ等のイオン
ビームエツチングガス；Ａｒ、０２の如き反応性スパッ
タリングガス；ＳｉＨ４，５ＩＨ２ＣＲ２，５ｉＣｆｎ
　、　ＮＯ，０２等の化学蒸着用（ＣＶＤ）ガス；　Ｎ
２．　Ａｒ、　Ｈｅ、　Ｎ２．　ＣＯ２，Ｎ７０等のバ
ランスガスが挙げられる。

［実施例１ 以下実験実施例によって本発明を更に詳細に説明するが
、本発明は実施例に限られるものではない。

なお、実施例及び比較例の気体の水分含有率の測定は露
点計又は水分計、ガスによってはカールフィッシャー法
で行なった。

実施例１ テトラフルオロエチレンと ？Ｆ３ ＧＦ２＝ＧＦＯＣＦ２ＣＦ−Ｃ］（ＣＦ２）３〜ＳＯ２
Ｆを共重合してイオン交換容量が０．９４　ミリ当量／
グラムＨ型乾燥樹脂を得た。得られた樹脂を成形温度２
５０℃で５００　ｐ−ｍのフィルムを作成し、このフィ
ルムをアルカリ性アルコール溶液で加水分Ｈした後、塩
酸水溶液でイオン交換を行ない側鎖の末端をスルホン酸
型（Ｈ型）にし風乾した。得られたフィルムを真空で乾
湿処理後２５℃で平衡吸水率を求めた（第１図）。

第１図に示すように乾熱処理温度が約７０℃以上では吸
水率が大幅に低下した。それ以上の温度でも吸水率はほ
ぼ一定であった。

同様にして表−Ａに示すようにモノマ一種を変え、イオ
ン交換容量０．８〜！　、　１ｍｅｑ／ｇのポリマーフ
ィルムを作成し、表−Ａに示す吸水率を示すものをつく
った０表−Ａの結果より本発明の膜のイオン交換容量と
吸水率の関係は第２図の斜線部分となる。

実施例２ テトラフルオロエチレンと Ｆ３ ＣＦ２　＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ−０（ＣＦ２）３−５０２
　Ｆを共重合して、イオン交換容量が０．９　ミリ当量
／グラムＨ型乾燥樹脂を得た。得られた樹脂を中空糸製
造用口金を備えた成形機で紡糸温度２５０℃、紡速８８
ｍｍにて溶融紡糸し、内径５００ＩＬｍ、膜厚６０川ｍ
の中空糸膜を得た。

この中空糸をアルカリ性アルコール溶液で加水分解した
後、塩酸水溶液でイオン交換を行ない側鎖の末端をスル
ホン酸型（Ｈ型）にし風乾した。

得られた糸を長さ４０ｃｍにしたものを４００本束ね、
ＳＵＳ製の分離器に両端エボギシ樹脂で固定し、第３図
のような気体乾燥装置をつくった。該乾燥装置に水分含
有率１ｐｐｍ（８点−７６℃）以下に調整したＮ２ガス
を５　ｋｇ／ａｍ２Ｇに加圧して、０．５７）／ｓｉｎ
の流量（流量は大気圧換算、以下同じ）で中空糸の内側
に流した。

外側には同じく水分含有率１ｐｐｍ（露点−７６℃）以
下に調整したＮ２ガスを０．７５ｊ）／ｗｉｎ流した。

これを７０℃の恒温槽に入れ３時間加熱処理後、該乾燥
装置を室温にもどし、水分含有率３１ｐｐｍ　　（露点
−５２℃）、圧力５　ｋｇ／ｃｍ２Ｇに調整したＮ２ガ
ス（サンプルガス）を０．５４’７ｍ１ｎ中空糸の内側
に流し、中空糸の外側には水分含有率ｉｐｐｍ（露点−
７６℃）以下に調整したＮ２ガスを０．７５１’／ｓｉ
ｎ流した。該乾燥装置サンプルガス出口露点を測定した
ところ水分含有率１ｐｐｍ（露点〜７６℃）以下であっ
た。そのまま連続運転し、２４時間後もサンプルガス出
口水分含有率ｉ　ｐｐ層（露点−７６℃）以下のままで
あった。

一方、中空糸の外側のパージガスについても該乾燥装置
出口露点を２４時間後測定したところ水分含有率４．６
ｐｐｍ　（露点−６６℃）であった。その後同−条件で
約１０００時間連続運転後のサンプルガスの出口水分含
有率１ｐｐｍ（露点−７６℃）以下のままで、しかもサ
ンプリングガスの該乾燥装置で減少した水分量とパージ
ガスの該乾燥装置で増加した水分量の比率は１．２　：
　１でほぼ測定誤差内で一致していた。

なお本発明の他の膜についても、表−Ａに示すように実
施例２と同様の結果が得られた。

比較例１ 実施例２と同様の装置で加熱前処理をせずにサンプルガ
ス、パージガスを同じ〈実施例２と同様の条件でＪｌｌ
ｌ定したところ４４時間後サンプルガスの水分含有率１
０．８ｐｐｍ　　（露点−６０℃）まで到達しなかった
。同様にして表−Ａに示すように本発明以外の膜は比較
例工と同様な結果を示した。

実施例３，４，５．６ 実施例２と同様な乾燥装置を用いてサンプルガスをＨＣ
Ｉ！に変えて（但し圧力は５　ｋｇ／ｃｍ？Ｇのまま）
実施例２と同様にサンプルガスの出口水分含有率を測定
し表−１に示す結果を得た。但しパージ側は水分含有率
１　ｐｐｍ以下のドライＮ２を流すか、又は減圧で行な
った。

［発明の効果］ 本発明に係る気体の高度乾燥用高分子半透膜とその膜を
用いた乾燥方法の効果をまとめると以下の通りである。

■　気体を高度に乾燥することができ、その乾燥性部を
長時間持続することができる。

■　気体乾燥時に浮遊塵が発生しない。

■　塩酸ガス等の酸性ガスが薄膜に接触しても膜を侵す
ことがない。

■　モレキュラーシーブ等による吸着法と異なり再生が
不要であり、長時間の連続使用も可能である。

また、本発明の膜を用いた気体の乾燥装置は、気体の高
度乾燥に優れた性能を有する高分子半透膜を中空糸状に
して多数本ケーシングに挿入したものであるために、単
位鉢植あたりの膜面端が大きく、処理能力が高いコンパ
クトなものとなる。

更に、本発明の膜を製造する方法は特定のフッ素系共重
合体を加熱することにより、上記気体の高度乾燥に優れ
た膜を容易に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１で得られた高分子半透膜の乾熱処理温
度と平衡吸水率との関係を示−すグラフ、第２図は実施
例１で７０℃以上で乾熱処理して作製したイオン交換容
量０．８〜１．１の高分子半透膜のポリマー吸水率（Ｗ
）とイオン交換容量（Ｑ）との関係を示すグラフ、第３
図は本発明に係る気体の乾燥装置を示す概略説明図、第
４図は中空糸状膜の熱収縮のない最高温度を求めるため
のグラフで、横軸は温度、縦軸はｔ℃における中空糸状
膜の長さくＬｔ　）と温度２５℃における長さくＬ２５
）との比である。第５図は中空糸状膜の熱処理度（１）
と熱収縮のない最高温度との関係を示すグラフで、この
グラフにより熱処理温度を求めることができる。 ｌ・・・中空糸膜、 ２・・・サンプルガス入口、 ３・・・サンプルガス出口、 ４・・・パージガス入口、 ５・・・パージガス出口、 ６・・・セル、 ７・・・隔膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ＝０または１；ｎ＝２〜５の整数）で表わされ
   る繰返し単位を含むフッ素系共重合体よりなり、吸水率
   Ｗとイオン交換容量Ｑの関係が次式 １．２０Ｑ−１．９６４＜ｌｏｇＷ＜１．２０Ｑ−１．
   ７４２［Ｗ＝（Ｗ＿２−Ｗ＿１）／Ｗ＿１ Ｗ＿１は乾燥重量；Ｗ＿２は２５℃での純水浸漬平衡重
   量；Ｑ：ｍｅｑ／ｇ　Ｈ型乾燥樹脂］ を有する高分子半透膜。 （２）ｍ＝１、ｎ＝３である特許請求の範囲第１項記載
   の高分子半透膜。 （３）高分子半透膜が中空糸である特許請求の範囲第１
   項記載の高分子半透膜。 （４）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ＝０または１；ｎ＝２〜５の整数）で表わされ
   る繰返し単位を含むフッ素系共重合体を加熱して吸水率
   Ｗとイオン交換容量Ｑの関係が次式 １．２０Ｑ−１．９６４＜ｌｏｇＷ＜１．２０Ｑ−１．
   ７４２［Ｗ＝（Ｗ＿２−Ｗ＿１）／Ｗ＿１ Ｗ＿１は乾燥重量；Ｗ＿２は２５℃での純水浸漬平衡重
   量；Ｑ：ｍｅｑ／ｇ　Ｈ型乾燥樹脂］ を有する高分子半透膜を得ることを特徴とする高分子半
   透膜の製造方法。 （５）加熱が７０〜２００℃の温度で行なわれる特許請
   求の範囲第４項記載の高分子半透膜の製造方法。 （６）水分を含有する気体を一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ＝０または１；ｎ＝２〜５の整数）で表わされ
   る繰返し単位を含むフッ素系共重合体よりなり、吸水率
   Ｗとイオン交換容量Ｑの関係が次式 １．２０Ｑ−１．９６４＜ｌｏｇＷ＜１．２０Ｑ−１．
   ７４２［Ｗ＝（Ｗ＿２−Ｗ＿１）／Ｗ＿１ Ｗ＿１は乾燥重量；Ｗ＿２は２５℃での純水浸漬平衡重
   量；Ｑ：ｍｅｑ／ｇ　Ｈ型乾燥樹脂］ を有する高分子半透膜の一方の側に接触させ、他方の側
   に乾燥したパージガスを接触させるか又は他方の側を減
   圧することにより、上記水分を含有する気体の除湿を行
   うことを特徴とする気体の高度乾燥方法。 （７）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ＝０または１；ｎ＝２〜５の整数）で表わされ
   る繰返し単位を含むフッ素系共重合体よりなり、吸水率
   Ｗとイオン交換容量Ｑの関係が次式 １．２０Ｑ−１．９６４＜ｌｏｇＷ＜１．２０Ｑ−１．
   ７４２［Ｗ＝（Ｗ＿２−Ｗ＿１）／Ｗ＿１ Ｗ＿１は乾燥重量；Ｗ＿２は２５℃での純水浸漬平衡重
   量；Ｑ：ｍｅｑ／ｇ　Ｈ型乾燥樹脂］ を有する中空糸状の高分子半透膜が多数本ケーシングに
   挿入され、両端が樹脂で固定され、中空糸状膜の内側及
   び外側を別種の気体が通過可能に形成されたことを特徴
   とする気体の乾燥装置。