JPS6275400A - 放射線画像変換パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは放射線に対する感度
の高い放射線画像変換パネルの製造方法に関するもので
ある。

【従来の背景】

Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀１を塗布したフィルムを使用しないで蛍光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。 この方法としては複写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
Ｍ積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ
、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び特開昭５
５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は
赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示され
ている。この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成し
た放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放
射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射
線エネルギーを’？！（’ｌさせて潜像を形成し、しか
る後にこの１１１尽性蛍光体層を輝ｐ４．励起光で走査
することによって各部のＭ積された放射線エネルギーを
放射させてこれを光に変換し、この光の強弱による光信
号により画像を得るものである。この最終的な画像はノ
１−トコビーとしで再生しても良いし、ＣＲＴ上に再生
しても良い。 この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光体層を
有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スクリーン
を用いる放射線写真法の場合と同７　　様に放射線吸収
率および光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」と
いう）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、
しかも高鮮鋭性であることが要求される。 ところが、一般にＸ１ｌｌ尽性蛍光体層を有する放射線
画像変換パネルは粒経１〜３０μｍ程度の粒状の輝尽性
蛍光体と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保
護層上に塗布、乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体
の充Ｊａ密度が低く（充填率５０％）、放射線感度を充
分高くするには輝尽性蛍光体層の層厚を厚くする必要が
あった。 一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の
層ｊ７が薄いほど高い傾向にあり、鮮鋭性の向上のため
には、輝尽蛍光体層の薄層化が必要であった。 また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
、放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるいは
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の枯逍的乱れ（
横道モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体
層の層厚が薄くなると、１１１尽性蛍光体層に吸収され
る放射線量子数が減少しで量子モトルが増加したり、構
造釣札れが顕在化してｖｔ造モモトル増加したりして画
質の低下を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるた
めには輝尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。 即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度および画像の粒状性と、画像の鮮鋭性
とが輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を
示すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する
感度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によって
作Ｉ＆されてきた。 ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーン中の蛍光体の瞬間発行（放射線照射時の発
光）の広がりによって決定されるのは周知の通りである
が、これに対し前述の輝尽性蛍光体を利用した放射線画
像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換パネ
ル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決定さ
れるのではなく、すなわち放射線写真法におけるように
蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではなく、
輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決まる。 なぜならばこの放射線画像変換方法においては、放射線
画像変換パネルにＭ積された放射線画像情報は時系列化
されて取り出されるので、ある時間（ｔｉ）に照射され
た輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全て採光され
その時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル上にあ
る画素（ｘ＋＋ｙｉ）からの出力として記録されるが、
もし輝尽励起光が該パネル内で散乱等により広がり、照
射画素（ｘｉ、ｙｉ）の外側に存在する１１！尽性蛍光
体をも励起してしまうと、上記（ｇｉ、ｙｉ）なる画素
から出力としてその画像よりも広い領域からの出力が記
録されてしまうからである。従って、ある時間（シｉ）
に照射されたｆｌ尽励起光によるＶ＄尽発付が、その時
間（ｔｉ）にＩＸＩＩ尽励起光が真に照射されていた該
パネル上の画素（ｘ＋＋ｙｉ）からの発光のみであれば
、その発光がいかなる広がりを持つものであろうと得ら
れる画像の鮮鋭性には影響がないのである。 このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善する
方法がいくつか考案されて米た。例えば特開昭５５−１
４６４４７号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光
体層中に白色粉体を混入する方法、特開昭５５−１６３
５００号記載の放射線画像変換パネルをＸ１ｌｌ尽性蛍
光体の輝尽励起波長領域における平均反射率が前記輝尽
性蛍光体の師尽発光波艮領域における平均反射率より６
小さくなるように着色する方法等である。しかし、これ
らの方法は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が者しく低
下してしまい、好ましい方法とは言えない。 本出願人は、前述のような欠点及び特性間の相反性に鑑
みて、特願昭５９−１９６３６５号においで輝尽性蛍光
体層に結着剤を含有しない放射線画像変換パネル及びそ
の製造方法を提案している、これによれば、前記放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層が結着剤を含有しない
ので輝尽性蛍光体層の充填率が著しく向上すると共にＩ
ＥｌＩＩ尽性蛍光体性蛍光体層起光及び輝尽発光の指向
性が向上し、放射線画像変換パネルの放射線に対する感
度と画像の粒状性が改善される・と同時に画像の鮮鋭性
も改善される。 さて、前記の結着剤を含有しない放射線画像変換パネル
は、スパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法等種々の気相堆積法
で製造可能であるが、製造コスト等を考慮すると蒸着法
が最も好ましい方法と言える。 ところが、前記蒸着法において一般的に行なわれている
抵抗加熱法で輝尽性蛍光体層を形成した場合、ある坩堝
温度に対する輝尽性蛍光体を構成する複数の物質は蒸気
圧がそれぞれ異なり、蒸気圧の高い物質はど優先的に蒸
発する。このため支持体上に形成された輝尽性蛍光体層
の組成は、坩堝中に仕込んだ輝尽性蛍光体の組成と一致
せず、放射線画像変換パネルの放射線に対する感度が低
下する重大な欠点があることが明らかとなった。 すなわち、輝尽性蛍光体を気相堆＃ｅｔさせる方法は、
前記したように数々の利点をもたらすが、輝尽性蛍光体
の層を形成する場合に該蛍光体の気化条件を蔑ろにする
ことによって大きな陥非に陥る。 例えばＴＱを付活剤とするＲｂＢｒ：ＴＱ輝尽性蛍光体
に関する本発明者らの研究によると、該蛍光体の発光強
度は第６図に示すようにＴＱ含有量が１０−２〜１００
…ｏＱ％の範囲にあっては瞬間発光強度は一定でありＴ
Ｑ含有量が一定幅に収っている限り一般的蛍光体として
その組成比に関し深く注意する必要はけない。 しかし本発明に係る放射線画像変換パネルの死命を制す
る輝尽発光は３Ｘ１０−２＋ａｏＱ％付近にピークを有
しその前後で強度は大きく低下する。 従って蒸着法によって輝尽性蛍光体を気相堆積させる際
に付活剤と輝尽性蛍光体母体の蒸気圧が異なることによ
って、均一に調整した付活輝尽性蛍光体の蒸発源体から
付活剤が蛍光体母体に先行し或は遅滞してパネル支持体
に蒸着され輝尽性蛍光体層中で厚み方向に付活剤濃度が
異り最適濃度から逸脱すれば、付活剤の本来の目的の活
性付与は転じて付活剤による中毒症状を呈するに至る。 因みに旧〕ＢｒＬ７）蒸気圧は７７７℃に於いて１１６
１１　Ｉｔ　ｇを示しＴＱＢｒは５２２℃に於いて１０
ＩＩＩＩＩＩＩＩｇを呈し蒸気圧に大差を有している。 この点に関心を佛った事例はなく、往々にして線棒的に
は最適の付活剤濃度であるにも拘らず性能不良の付活輝
尽性蛍光体層の例を見る。

【発明の目的】

本発明は輝尽性蛍光体を用いた前記提案の放射線画像変
換パネルの製造方法に関連し、これを更に改良するもの
であり、本発明の目的は仕込みの輝尽性蛍光体組成と製
造後の輝尽性蛍光体組成とがほぼ等しく、放射線に対す
る感度の高い放射線画像変換パネルの製造方法を提供す
ることにある。 更に本発明の他の目的は気相堆積法の利点を充分に発揮
させた良好な粒状性と鮮鋭性とを有し且つ放射線に対す
る感度の高い放射線画像変換パネルの製造方法を提供す
ることにある。

【発明の構成】

本発明者らは輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パ
ネルの製造方法について鋭意研究を重ねた結果、輝尽性
蛍光体のように比較的低融点の化合物は、フラッシュ蒸
着法を用いてＸｌ１ｉ尽性蛍光体を瞬間的に加熱し、瞬
間に蒸発させることによって、輝尽性蛍光体の仕込み組
成と蒸着後の組成とを者しく変えることなく輝尽性蛍光
体層を形成することが可能であることを見出した。 すなわち、前記本発明の目的は、支持体上にフラッシュ
蒸着法により少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を形成す
ることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法に
よって達成される。 本発明に於てフラッシュ蒸着法とは、蒸発物質の融点よ
り充分高温に加熱した蒸発皿上に蒸発物質と連続的ある
いは断続的に少量ずつ供給し瞬時に蒸発させる蒸着方法
であり、蒸発皿上に蒸着物質が滞ることのないように蒸
着物質の供給をコントロールするとにより、蒸着物質の
仕込みの組成と蒸着後の組成をほぼ一致させることが可
能である。 以下本発明の詳細な説明する。 第１図は本発明に用いるフラッシュ蒸着装置の１例の断
面概略図である。１はベルツヤ−（真空槽）、４は輝尽
性蛍光体を蒸着すべき支持体、５は蒸発させる輝尽性蛍
光体（蒸発原資）７を入れる貯蔵容器、６はフラッシュ
蒸着を行なうための蒸発皿、８は輝尽性蛍光体（蒸発原
資）７を一定量ずつ蒸発皿６に供給するための供給装置
、９は蒸発皿６を加熱する電力を導入するための電流導
入線、１１はメインバルブ、１０は補助バルブ、１２は
リークバルブであって排気装置（図示せず）と連動して
ペルジャー１内の所定真空度の現出、その保持調整に用
いられる。 本発明に於て前記蒸着装置を用いるに当ってまず蒸発さ
せる輝尽性蛍光体は均一に溶解させるかプレス、ホット
プレスによって７レーク状、ベレット状、柱状等の小塊
に成形することが好ましいが粉体のままであってもよい
。 尚輝尽性蛍光体の成形の際には脱が入処理を併せて争う
ことが好ましい。また、前記蒸発ＦＡ資７ばかならずし
もＱｌ尽性蛍光体である必要はなく、輝尽性蛍光体原料
を混和したものであってもよい。 まず蒸発原資７を貯Ｂ容器５に仕込んだ後、支持体４を
蒸発皿６に対向させて設置する。その間隔は輝尽性蛍光
体の平均飛程に合せて、概ね１０〜４０ｃａ＋にとられ
る。また支持体４は加熱ヒータ３によって５０〜３５０
℃に加熱されてもよい。 尚支持体４の蒸着素地表面は、一連の特願昭５９−２６
６９１３号乃至同５９−２６６９１６号に記載されてい
るように輝尽性蛍光体が微細柱状結晶に成長するように
加工されていてもよい。 次いでメインバルブ１１等を操作してペルジャー１の内
部の気体を排除し１０−４〜１０−’Ｔｏｒｒ程度の真
空度にもたらす６尚この際アルゴン等の不活性がスを混
入してもよい。 次いで蒸発皿６を充分加熱し、貯蔵容器５から供給装ｒ
ａ８によって輝尽性蛍光体７を少量ずつ前記蒸発皿６に
供給して蒸発させ、膜厚モニタ２によって蒸着速度、蒸
着厚みを監視しながら蒸着を進め所定の厚みになったら
蒸着を停止する。尚本発明に於て蒸着速度は輝尽性蛍光
体、目的特性によって異るけれども１０２〜１０’＾／
　＠　ｉ　＋ａであり、より好ましくは１０’−１０’
λ／　＋ａ　ｉ　ｎである。１０′＾／ｗｉｎより遅い
場合は輝尽性蛍光体層の製造に時間がかかりすぎるため
好ましくないし、１０’Ａ／ｗｉｎより速い場合は速度
のコントロールが困難となり好ましくない。 また互に異る蒸発原資７を仕込んだ貯蔵容器を複数個ペ
ルジャー１中に設置し、順次蒸着させ複数種の輝尽性蛍
光体から成る堆積層としてもよい。 第２図には別の蒸着装置を用いる例を示した。 該装置に於ては、複数個の蒸発皿及び貯蔵容器が設けら
れている。このタイプは一般に大型であり、蒸着面積が
大きくとれ、大面積の蒸着に好都合である。 尚第２図に於て第１図と同符号は同義の物件を表す。 本発明に係る放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光
体とは、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射さ
れた後、光的、熱的、機械的、化学的または電気的等の
刺激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギ
ー放射線の照射量に対応した輝尽発光舎示す蛍光体を言
うが、実用的な面から好ましくは５００旧り以上の輝尽
励起光によって輝尽発光を示す蛍光体である。本発明に
係る放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体と
しては、例えば特開昭４８−８０４８７号に記載されて
いるＢａ５Ｏ，：＾Ｘ（但し＾はＤｙ＋Ｔｂ及びＴ＋ｎ
のうち少なくとも１種であり、Ｘは０．００１≦ｘ＜１
モル％である。）で表される蛍光体、特開昭４８−８０
４８８号記載のＭｇ５Ｏ，：＾×（但し＾はＩ（ｏ或い
はＤｙのうちいづれかであり、０．００１≦Ｘ≦１モル
％である）で表される蛍光体、特開昭４８−８０４８９
号に記載されているＳｒＳＯ４”、＾Ｘ（但し＾はＤｙ
１Ｔｂ及びＴ＋のうち少なくとも１種であり、×は０．
００１≦ｘくモル％である。、）で表されている蛍光体
、特開昭５１−２９８８９号に記ａされているＮＱ２Ｓ
Ｏ，。 Ｃａ５Ｏ，及びＢａ５Ｏ１等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂのう
ち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０
４８７号に記載されているＤｅＯ，ＬｉＦ　、Ｍｇ５ｏ
、及びＣａＦ　２等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７
号に記＠されているＬｉｚ［１，０，：Ｃｕ、Ａ８１等
の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されている
Ｌｉ２Ｏ・（Ｂ２０□）ｘ：Ｃｕ（但しＸは２〈×≦３
）、及びＬｉ２Ｏ”　（Ｂ２０２）ｘ：Ｃｕ＋Ａｇ（但
しには２く×≦３）等の蛍光体、米国博許３，８５９，
５２７号に記載されでいるＳｒＳ：Ｃｅ、Ｓｍ、ＳｒＳ
：Ｅｕ、Ｓｍ、　ＬａｚＯｚＳ：Ｅｕ、Ｓｒｎ及び（Ｚ
ｎ、Ｃｄ）Ｓ、Ｍｎ、Ｘ（但しＸはハロゲン）で表され
る蛍光体が挙げられる。また、特開昭５５−１２１４２
号に記載されてしするＺｎＳ：Ｃｕ、Ｐｂ蛍光体、一般
式がＢａＯ・ｘＡＱ２０．＋：Ｅｕ（但し０．８≦に≦
１０）で表されるアルミン酸バリウム蛍光体、及び一般
式がＭＴ、０・ｘＳｉ０２：＾（但しＭＩはＭｇ、Ｃａ
＋Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄ又はＢ８であり＾はＣｅ、Ｔｂ、Ｅ
ｕ、ＴＵａ、Ｐｂ、ＴＱ、Ｂｉ及びＭｎ）うち少なくと
もｌｆｉであり、Ｘは０．５≦ｘ＜２．５である。）で
表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる
。また、一般式が （Ｂａｌ　　ｘ　　ｙＭｇｘｃａｙ）ＦＸ：ｅＥｕ”（
但しＸはＢｒ及びＣｕの中の少なくとも１つであり、に
。 ｙ及びｅはそれぞれＯ＜ｘ＋ｙ≦０．６、ｘｙ≠Ｏ及び
１０−６≦ｅ≦５Ｘ　１０−”なる条件を満たす数であ
る。）で！！されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光
体、特開昭５５−１２１４４号に記載されている一般式
がＬ口ＯＸ：ｘ＾ （但しＬｎはＬａ、Ｙ、Ｃｄ及びＬｕの少なくとも１つ
を、Ｘは唾及び／又はＢｒを、＾はＣｅ及び／又はＴｂ
を、Ｘは０くｘく０．１を満足する数を表す。）で表さ
れる蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載されてい
る一般式が（Ｂａｌ　　ｘ、ＭＩｘ）ＦＸ：ｙ＾ （但しＭｌは、Ｈｇ＋Ｃａ＊５ｒｙＺｎ及びＣｄのうち
少なくとも１つを、ＸはＣＱ、Ｂｒ及びＩのうちの少な
くとも１つを、＾はＥｕ、Ｔｂ＊ＣｅｔＴｍ＋Ｄｙ＋Ｐ
ｒ＋ＨｏｔＮｄ、Ｙｂ及びＥｒのうち少なくとも１つを
、×及びｙは０≦Ｘ≦０．６及び０≦ｙ≦０゜２なる条
件を満たす数を表す。）で表される蛍光体、特開昭５５
−８４３８９号に記載されている一般式がＢａＦＸ：ｘ
Ｃｅ、ｙ＾（但し、ＸはＣＱ、、Ｂｒ及びＩのうち少な
くと６１つ、＾はＩｎ＝ＴＱ、Ｇｄ、ＳＬ１＋及びＺｒ
のうち少なくとも１つであり、Ｘ及びｙはそれぞれＯ＜
ｘ≦２Ｘ　１０−’及びｏ＜ｙ≦５Ｘ　１０−２である
。、）で表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号
に記載されている一般式が ＨｘＦＸ・に＾：ｙＬｎ （但しＭｌはＭＨ，Ｃａ＊Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びｃｄ）
うち少なくと６１種、＾はＢｅＯ，ＭＨＯ，Ｃａ０ｔＳ
ｒＯｙＢａＯ＋Ｚｎ０ｗ＾ｑ２ｏ、、Ｙ２Ｏ５゜Ｌａ２
Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ５，５ｉｎ２．ＴｉＯ２，ＺｒＯ，、Ｇ
ｅ０２ｔｓｎｏｚｖＮｄｚｏｓ　。 Ｔ１１２０５及びＴｈ０２のうちの少なくとも１種、Ｌ
ｎｌｊ：Ｅｕ、Ｔｂ。 Ｃｅ＋Ｔｍ＋ＤｙｙＰｒ＋Ｈｏ＋Ｎｄ＋Ｙｂ＋Ｅｒ＊５
Ｉ１１及びＧｄのうち少なくとも１種であり、ＸはＣＱ
、Ｂｒ及びＩのうち少なくとも１種であり、に及びｙは
それぞれ５Ｘ　１０−’≦Ｘ≦０．５及びｏ＜ｙ≦０．
２なる条件を満たす数である。）で表される希土類元素
付活２価金属フルオロ／％ライド蛍光体、一般式がＺｎ
Ｓ：＾、ＣｄＳ：＾、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：八、ＺｎＳ：
＾。 Ｘ及びＣｄＳ：＾、Ｘ（但し＾はＣｕ、八ｇ、＾Ｕ、又
はＭｎであり、Ｘはハロゲンである。）で表される蛍光
体、特開昭５７−１４８２８５号に記載されている下記
いづれかの一般式ＸＭ３（ＰＯ４）２　・［２：ｙ＾ Ｍ３（ＰＯ４）２・ｙ＾ （式中、阿及び１土それぞれＭｇ＋ＣａｔＳｒ＋Ｂａｗ
Ｚｎ及びＣｄのうち少なくとも１種、ＸはＦ、ＣＱ、［
ｌｒ及び■のうち少なくとも１種、＾はＥｕ、Ｔｂ、Ｃ
ｅ、Ｔｍ＋Ｄｙ＋Ｐｒ＋ｌＩｏ、Ｎｄ、ＹｂｔＥｒ＋Ｓ
ｂ　、　Ｔ　Ｑ　、　Ｍ　＋＋及びＳｎのうち少なくと
も１種を表す。また、に及びｙは０＜ｘ≦６．０＜ｘ≦
１なる条件を満たす数である。）で表される蛍光体、下
記いづれかの一般式％式％： （式中、ＲｅはＬｎ、Ｃｄ、Ｙ、Ｌｕのうち少なくとも
１種、Ａはアルカリ土類金属、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａのうち
少なくとも１種、Ｘ及びＸ′はＦ、ＣＱ、Ｂｒのうち少
なくとも１種を表す、また、Ｘ及びｙは、ＩＸ　１０−
’＜　ｘ＜　３Ｘ　１０−’、ｌＸｌ０−４＜　ｙ＜　
ＩＸ　１０−’なる条件を満たす数であり、１１／ＩＩ
ｌはＬＸ　１０−’　＜　ＩＩ／Ｉ１１＜　７Ｘ　１０
−なる条件を満たす。）で表される蛍光体、および下記
一般式 ８式％： （但し、Ｍｌ：ｌ±Ｌｉ、Ｈａ、に、Ｒｂ、およびＣｓ
から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり　Ｈ
ｚはＢｅ＋Ｍｇｔｃａ＋Ｓｒ、ｌ１ｌｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、
Ｃｕおよび旧から選ばれる少なくと６１！！Ｉｔの二価
金属である。　１４ｍ＋よＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ
、Ｎｄ、Ｐｍ。 Ｓ＋ａｔＥｕ＋Ｇｄ＋ＴｂｙＤｙ＋ＩＩｏ＋Ｅｒ、Ｔｌ
ＩＩ＋Ｙｂ、Ｌｕｖ＾（１，ＧａおよびＩｎから選ばれ
る少なくとも１種の三価金属である。Ｘ。 Ｘ′およびＸ７／はＦ、ＣＱ、［ｌｒおよびｌから選ば
れる少なくとも１種＋７）　７％　Ｃｌｌシンある。へ
１土Ｅｕ、Ｔｂ＋Ｃｅ、Ｔｍ＋Ｄｙ＋Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ
、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｗ、Ｙ、ＴＱ、Ｎａ、八
ｇ、ＣｕおよびＭ、から選ばれる少なくとも１種の金属
である。 またａは、０≦ａ＜０．５の範囲の数値であり、１）は
０≦１〕・ζ０．５の範囲の数値であり、Ｃは０＜ｃ≦
０．２の範囲の数値ある。）で表されるアルカリハライ
ド蛍光体等が挙げられる。 しかし、本発明に係る放射線画像変換パネルに用いられ
る輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではな
く、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合にＶ
＄尽発光を示す蛍光体であれぽいかなる蛍光体であって
もよい。 本発明に係る放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光
体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上のｌ
ｌＩ尽性蛍光体層から成る輝尽蛍光体層群であってもよ
い。また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性
蛍光体は同一であってもよいが異っていてもよい。 本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の
層厚は放射線画像変換パネルの放射線に対する感度、輝
尽性蛍光体の種類等によって異なるが、１０μｍ〜１０
００μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、２０μｍ〜
８００μ鎗の範囲から選ばれるのがより好ましい。 第３図は本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍
光体の層厚および該層厚に対応する１１１／３性蛍光体
の耐着量と放射線感度の関係を表しでいる。本発明に係
る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は従来のパネ
ルの様に結着剤を含んて゛いないので輝尽性蛍光体の耐
着量（充填率）が従来の放射線画像変換パネルの約２倍
あり、輝尽性蛍光体層単位厚さ当りの放射線吸収率が向
上して従来の放射線画像変換パネルより放射線に対して
高感度となるばかりか、画像の粒状性が向上する。 また、本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光
体層は結着剤を含有していないので、指向性に優れてお
り、輝尽励起光及び輝尽発光の透過性が高く、従来の放
射線画像変換パネル上り層厚を厚くすることが可能であ
る。 さらに、本発明に係る放射＃ｉ！画像変換パネルの輝尽
性蛍光体層は前述のように指向性に優れているため、輝
尽励起光の１１１尽性蛍光体層中での数６しが減少し、
画像の鮮鋭性が著しく向上する。 本発明に係る放射線画像変換パネルにおいて用いられる
支持体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用い
られ、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフ
ィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイ
ミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフ
ィルム、ポリカーボネイトフィルム等のプラスチックフ
ィルム、アルミニクム、鉄、銅、クロム等の金属シート
或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ま
しい。 これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍
光体層との接着性を向上させる目的でマット面としても
よいし反射層あるいは吸収層を設けてもよい。また、支
持体の表面は第４図（、）に示すような凹凸面２１とし
てもよいし、（ｂ）に示すように隔絶されたタイル状板
２３を敷きつめた構造でもよい。第４図（ａ）の場合に
は輝尽性蛍光体層が第４図（ｃ）の断面図に示すような
凹凸面２１によって細分化されるので画像の鮮鋭性が一
段と向上する。ｆ５４図（ｂ）の場合には輝尽性蛍光体
層が支持体のタイル状板２３の輪郭を維持しながら堆積
するので、−結果的には輝尽性蛍光体層はｌ’４図（ｄ
）の断面図に示すように亀裂２６によって隔絶された輝
尽性蛍光体の柱状ブロック２５から成るため、画像の鮮
鋭性が一段と向上する。 さらにこれら支持体は、１１１尽性蛍光体層との接着性
を向上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に下
引層を設けてもよい。また、これら支持体の層厚は用い
る支持体の材質等によって異なるが、一般的には８０μ
ｍ〜２０００μｍであり、取扱い上の点からさらに好ま
しくは８０μｔｏ〜１０００μｍである。 本発明に係る放射線画像変換パネルにおいては、一般的
に前記輝尽性蛍光体層が露呈する面に、輝尽性蛍光体層
を物理的にあるいは化学的に保護するための保護層が設
けられてもよい。この保護層は、保護層用塗布液を輝尽
性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あるい
はあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に
接着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース
、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボ
ネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等の通常の保
護層用材料が用いられる。 また、この保護層は蒸着法、スパッタ法により、ＳｉＣ
，ＳｉＯ□、ＳｉＮ、＾Ｑ２０．などの黒磯物質を積層
して形成してもよい。これらの保護層のＮ厚は一般には
０．１μＷ〜１００μｍ程度が好ましい。 本発明）こ係る放射線画像変換パネルは第５図に概略的
に示される放射線画像変換方法に用いられた場合、優れ
た鮮鋭性、粒状性および感度を与える。すなわち、第５
図において、３１は放射線発生装置、３２は被写体、３
３は本発明に係る放射線画像変換パネル、３４は輝尽励
起光源、３５は該放射＃Ｘｉｉ！ｉｉ像変換パネルより
放射された輝尽蛍光を検出する光電変換装置、３６は３
５で検出された信号を画像として再生する装置、３７は
再生された画像を表示する装置、３８は輝尽励起光と輝
尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光のみを透過させるフィルタ
ーである。尚３５以降は３３からの光情報を何らかの形
で画像として再生できるものであればよく、上記に限定
されるものではない。 第５図に示されるように、放射線発生装置３１からの放
射線は被写体３２を通して本発明に係る放射線画像変換
パネル３３に入射する。この入射した放射線は放射線画
像変換パネル３３の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエ
ネルギーがＭ積され、放射線透過像の蓄積像が形成され
る。次にこの蓄積像を輝尽励起光源３４からのＩ？［尽
励光で励起してＸ１１１尽発光として放出せしめる。放
射線画像変換パネル３３は、輝尽性蛍光体層中に結着剤
が含まれておらずｆｉｌｌ尽性蛍光性蛍光体層性が高い
ため上記輝尽励起光による走査の際に、輝尽励起光が輝
尽性蛍光体層中で拡散するのが抑制される。 放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置３５で光電変換し、画像再生装Ｍ３６
によって画像として再生し、画像表示装置３７によって
表示することにより、被写体の放射、ＩＱ透過像を観察
することがでさる。

【実施例］ 次に本発明を実施例により説明する。 実施例１ 支持体として５００μＩｎ厚の化学強化ガラスを第１図
に示した蒸着器中に設置した。 次いで貯蔵容器５に蒸発源前としてアルカリハライド輝
尽性蛍光体（ＩｔｌＪｒ：０，０００６Ｔ立）粉末を入
れ、続いて蒸着器を排気し、５Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒの
真空度とした。 次に支持体を１５０　’Ｃに加熱保持しながら蒸発皿６
に電力を導入して蒸発皿を加熱し、続いて貯蔵容器５か
ら前記アルカリハライド輝尽性蛍光体粉末を少量ずつ蒸
発皿に供給して輝尽性蛍光体の蒸着を行なった。目的と
する輝尽性蛍光体層を得るために膜厚モニタにより蒸着
速度を検出し、蒸着速度力弓０５八／　Ｉａ　ｉ　ｎと
なるようにコントロールした。 輝尽性蛍光体層の層厚が３００μ鎮となったところで蒸
着を終了させ、本発明の製造方法による放射線画像変換
パネルＡを得た。 このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルＡに管電圧８０　Ｋ　Ｖ　ｌ］のｘ＃ｉを１０ｍＲ
照射した後、１ｌｅ−Ｎｅレーザー光（６３３＋＋ｕ＋
）で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発
光を光検出器（光電子倍増管）で充電変換し、このイボ
号を画像再生装置によって画像として再生し、銀塩フィ
ルム上に記録した。信号の大きさより、放射線画像変換
パネルＡのＸ線に対する感度を調べ第１表に示す。 第１表において、Ｘ線に対する感度は本発明による放射
線画像変換パネル八を１００として相対値で示しである
。 実施例２ 実施例１において蒸着装置を第２図に示すタイプに変更
した以外は実施例１と同様にして本発明による放射線画
像変換パネルＢを得た。 このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルＢは実施例１と同様にして評価し、結果をｆ５１表
に併記する。 実施例３ 実施例１において、蒸発源資としてアルカリ／）ライド
輝尽性蛍光体を用いる代わりにアルカリハライド輝尽性
蛍光体原料（ＲｂＢｒ　１モル、ＴＱＢｒｏ、０００６
モルの混合物）を用いた以外は実施例１と同様にして本
発明による放射線画像変換パネルＣを得た。 このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ルネルＣは実施例１と同様にして評価し、結果を第１表
に併記する。 比較例１ 支持体として５００μ輸厚の化学強化がラスを蒸着器中
に設置した。次に抵抗加熱用のモリブテンボート中にア
ルカリハライド輝尽性蛍光体（ＲｂＢｒ：０．０００６
ＴＱ）を入れ、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着
器を排気して５Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒの真空度とした。 　犬に支持体を１５０℃に加熱保持しながらモリブテン
ボードに電流を流し、抵抗加熱法によってアルカリハラ
イドｌｌｌ尽性蛍光体を蒸発させ膜厚モニタにより蒸着
速度を検出し、蒸着速度を１０５＾／ｍｉｎとなるよう
コントロールしながら前記支持体上に層厚が３００μ輸
になるまで堆積させて比較の製造方法にる放射線画像変
換パネルＰを得た。 このようにして得られた比較による放射線画像変換パネ
ルＰは実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。 ＠１表より明らかなように本発明の製造方法による放射
線画像変換パネル＾、Ｂ、Ｃは比較の製造方法による放
射＃Ｉｌｉ！！ｉ像変換パネルＰに比べて粒状性、鮮鋭
性は同等ながらＸ線感度は約３倍高いものとなった。こ
れはｌＩＩ尽性蛍光体層の形成時において付活剤である
ＴＱＢｒの蒸気圧がＲＩ）Ｂ　ｒの蒸気圧と大きく異な
るために、比較例においては形成された輝尽性蛍光体層
に目的とする濃度のＴｉ１ｌがドープされなかったのに
対し、実施例においては蒸着時により、目的とする付活
剤濃度の輝尽性蛍光体層が得られたためである。 実施例４ 実施例・１において輝尽性蛍光体の蒸着速度を３×１０
６八／Ｉａｉｎとなるようにコントロールした以外は実
施例１と同様にして本発明による放射線画像変換パネル
Ｄを得た。 このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルＤは実施例１と同様にして評価し、結果を第２表に
示す。 第２表において、Ｘ＃ｌに対する感度は本発明による放
射線画像変換パネルＡを１００とし相対値で示しである
。 第２表 第２表から明らかなように本発明による放射線画像変換
パネルＤは前記本発明による放射線画像変換パネルＡと
同様高いＸｉ感度を示した。 実施例５ 実施例１において蒸発源資としてＢａＦＢｒ：０．００
２Ｅｕ輝尽性蛍光体を用いた以外は実施例１と同様にし
て本発明による放射線画像変換パネルＥを得た。 このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルＥは実施例１と同様にして評価し、結果を第３表に
示す。 第３表において、Ｘ線に対する感度は本発明による放射
線画像変換パネルＥをｌＯＱとして相対値で示しである
。 比較例２ 比較例１において蒸発源資としてＢａＦＢｒ：０．００
２Ｅｕ輝尽性蛍光体を用いた以外は比較例１と同様にし
て比較による放射線画像変換パネルＱを得た。 このようにして得られた比較による放射線画像変換パネ
ルＱは実施例１と同様にして評価し結果を第３表に併記
する。 第３表 第３表より明らかなように本発明による放射線画像変換
パネルＥは比較によるパネルＱよりＸ線に対する感度が
高く優れていた。 【発明の効果】 設計特性を現出する輝尽性蛍光体に■成を！Ｂ実に写し
とった蒸着堆積層を形成する手段として誼組成の輝尽性
蛍光体を瞬時に加熱蒸発させるフラッシュ蒸着法を採用
し、設計と製品との間の性能偏倚を排除し、品質の保証
性を高めると共に安定した信頼性のある生産工程とする
ことができる。

【図面の簡単な説明】

ｆｉ１１１図及び第２図は本発明に用いるフラッシュ蒸
Ｍ装置例の断面概略図である。 第３図は本発明でえちれる放射線画像変換パネルの感度
特性を示す。 第４図は支持体の蒸着素地表面の形状を例示している。 第５図は放射線画像変換方法を説明する図である。 第６図は輝尽性蛍光体（ＲｂＢｒニア１）における瞬時
発光強度及び輝尽発光強度のＴＱ濃度依存性を示す図で
ある。 １・・・さルノヤー、　　　　　　２・・・膜厚モニタ
３・・・支持体加熱ヒータ、　　　４・・・支持体５．
５′・・・貯′ｉＬ容器　　　　　　６，６′・・・蒸
発皿７．７′・・・蒸発ｒＡ資（輝尽性蛍光体）８・・
・供給ｖｃ置　　　　　　　　９・・・電流導入線１１
・・・メインバルブ 出願人　小西六写真工業株式会社 第１図 第３図 ｏ　　　　　１００　　　２００　　　　’ｅＤ０　　
　４Ｇ）　　　　５右り七閃ｙｌ−ｘ＞ 第４図 （ａ）　　　　　　　（ｂ） 第５図 ５キ 手続補正書 昭和６０年１０月２２日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 支持体上にフラッシュ蒸着法により少くとも一層の輝尽
   性蛍光体層を形成することを特徴とする放射線画像変換
   パネルの製造方法。