JPS6283723A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS6283723A JPS6283723A JP60224336A JP22433685A JPS6283723A JP S6283723 A JPS6283723 A JP S6283723A JP 60224336 A JP60224336 A JP 60224336A JP 22433685 A JP22433685 A JP 22433685A JP S6283723 A JPS6283723 A JP S6283723A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- display device
- crystal display
- metal
- mim
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は各画素に金属−絶縁体−金属構造を有する非線
形素子（以下、ＭＩＭＲ子と呼ぶ）を組み合せたアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置に関するものである。
形素子（以下、ＭＩＭＲ子と呼ぶ）を組み合せたアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置に関するものである。
〈従来の技術〉
従来のＭＩＭ素子を組み合せたアクティブマトリクス型
の液晶表示装置は、例えば特願昭５９〜２０４８５号公
報に示されている様にＭＩＭ素子の一方の金属を薄くし
て光が透過するよりにし、画素直販と同一形状にして製
造プロセスを短かくしてｌ／ＩＡ友。
の液晶表示装置は、例えば特願昭５９〜２０４８５号公
報に示されている様にＭＩＭ素子の一方の金属を薄くし
て光が透過するよりにし、画素直販と同一形状にして製
造プロセスを短かくしてｌ／ＩＡ友。
〈発明が解決しようとする間租点〉
しかし、従来の方法では薄いとはいえ金属を使用するた
めに画素部分の透過率が低下し、液晶表示装置の外観が
暗くなるという欠点を有していた。
めに画素部分の透過率が低下し、液晶表示装置の外観が
暗くなるという欠点を有していた。
即ち、第６図にＣ７を徐々に厚くしてＶｈ Ｏｆｃ場合
のＣｒ十工ＴＯの透過率の変化を示す、范６図中へはガ
ラス基板自体の透過率特性、Ｂはガラス基板＋工ＴＯ＠
の透過率特注％Ｃ，Ｆ°はＣ７−の膜厚を徐々に増した
場合のガラス基板十〇ｒ十１ＴＯの透過率特性を示す、
Ｃｆ映厚＃′ｉＣ″Ｃ数ｎ ｍ 、 Ｆで約１５ ｎ
ｍと思わにる。
のＣｒ十工ＴＯの透過率の変化を示す、范６図中へはガ
ラス基板自体の透過率特性、Ｂはガラス基板＋工ＴＯ＠
の透過率特注％Ｃ，Ｆ°はＣ７−の膜厚を徐々に増した
場合のガラス基板十〇ｒ十１ＴＯの透過率特性を示す、
Ｃｆ映厚＃′ｉＣ″Ｃ数ｎ ｍ 、 Ｆで約１５ ｎ
ｍと思わにる。
又、醜７図はＭＩＭ素子の一方の金属にＴａ。
絶縁膜にＴａ２０ｓを用い、第６図と同じ′Ｃｒ十工Ｔ
Ｏ膜をＭＩＭの他方の金属電極とした場合の電圧−電流
特性をプール７レンケルプロツトしたモので、破Ｉｉ！
ｉ！はＴｃＬ側に負匝注、ＣＴ／工ＴＯＩＩｌｌＫ正甑
性の電界を印加した時、実線は逆匝性の電界を印加した
時の特性を示す。
Ｏ膜をＭＩＭの他方の金属電極とした場合の電圧−電流
特性をプール７レンケルプロツトしたモので、破Ｉｉ！
ｉ！はＴｃＬ側に負匝注、ＣＴ／工ＴＯＩＩｌｌＫ正甑
性の電界を印加した時、実線は逆匝性の電界を印加した
時の特性を示す。
第６図及び配７図に示した様に透過率を上げるためにＣ
ｒの膜厚を薄くしていくと、透明電画として用いている
工ＴＯを用いたＭＩＭ素子、部ちＴａ−ＴＣＬＩＯｓ−
工Ｔ ｔ＋ ＠ ｉｆｉのＭＩＭ累子の特性に近づき、
素子に印加され乞匝注によって整流性を生ずる様になっ
てくる。この様な素子を組込んだアクティブマトリクス
型の液晶表示装置では直流ル；流が累積されることによ
り、表示Ｉｎあるいは液晶中Ｏ不純物の電気化学反応に
より装置の信頼性に問題が生ずる。
ｒの膜厚を薄くしていくと、透明電画として用いている
工ＴＯを用いたＭＩＭ素子、部ちＴａ−ＴＣＬＩＯｓ−
工Ｔ ｔ＋ ＠ ｉｆｉのＭＩＭ累子の特性に近づき、
素子に印加され乞匝注によって整流性を生ずる様になっ
てくる。この様な素子を組込んだアクティブマトリクス
型の液晶表示装置では直流ル；流が累積されることによ
り、表示Ｉｎあるいは液晶中Ｏ不純物の電気化学反応に
より装置の信頼性に問題が生ずる。
そこで本発明は従来のこのような欠点を解決するために
、Ｃｒｖ）膜ｉ＃をＭＩＭ累子形成部を厚く、画素電極
上を薄くすることにより、透過率が高くＭＩＭ素子り整
流性が少ない液晶表示装置を潜ることを目的とする。
、Ｃｒｖ）膜ｉ＃をＭＩＭ累子形成部を厚く、画素電極
上を薄くすることにより、透過率が高くＭＩＭ素子り整
流性が少ない液晶表示装置を潜ることを目的とする。
く問題点を解決するための手段〉
上記問題点を解決するために、本発明はＭＩＭ素子０２
層目の金＠全形成する方法を斜め蒸着とすることで、Ｍ
ＩＭ素子形成部と画素電極部の金属Ｏ厚みを変化させた
ものである。
層目の金＠全形成する方法を斜め蒸着とすることで、Ｍ
ＩＭ素子形成部と画素電極部の金属Ｏ厚みを変化させた
ものである。
く作用〉
上記のように、ＭＩＭ素子形成部の２層目金桟の膜厚が
厚いため整流性の少ないＭＩＭ素子が得られる。又、画
素部分の金属簿膜■膜厚が薄いため透過率の高い、明る
い外観を持った液晶表示装置が得られる。
厚いため整流性の少ないＭＩＭ素子が得られる。又、画
素部分の金属簿膜■膜厚が薄いため透過率の高い、明る
い外観を持った液晶表示装置が得られる。
〈実施例〉
以下本発明による液晶表示装置のｍ敗及び特数を図面に
従って説明する。
従って説明する。
第１図は、本発明によるＭＩＭ素子の製造プロセスを説
明する図である。
明する図である。
まず、ガラス基板ｌ上にＴａ２をスパッタリングで形成
した後、表面を２００Ｖ程度の電圧で陽極酸化し３００
〜４００ｚｍのＴｌ）ｌｏ３３ ｋ形成する（α）０次
に、ＣＦ４＋Ｏｔ混合ガスでドライエツチングを行なり
ｈＴα２の断面形状が４０〜８０° のテーパー状にな
る様にする（ｂ）、更に、ドライエツチングで露出した
Ｔａ２の側面部をｌ（１〜６０ｖｒｖ電圧で再び陽極酸
化した後、基板法線から４０〜８５°の角度でＣＴＪを
斜め蒸着する（Ｃ）、ここで、斜め蒸着の角度は陽極酸
化されたＴｃＬ２の側面に対しほぼ垂直、あるいは垂直
よりもカラス基板１表面に近づいた（＃、い角度で行な
い、ガラス基板１表面に形成されるＣｒ４の膜厚が前記
陽極酸化されたＴａ２の側面部より薄くなるようにする
１次に、工ＴＯ５をスパッタリングにて形成しく社）９
画素及びＭＩＭ素子が出来るように工’１’ｏ５とＣｒ
４をバターニングする（ｅ）、このようにして完成した
１画素分の画Ｘｌｒ、甑６及びＭＩＭ素子７（斜線部）
の配置は第２図のようになる。又、このＭＩＭ素子を用
いた液晶表示装置の断面は第３図のようになる。即ち、
前記ＭＩＭ素子７及び画素１１を載せたガラス基板ｌと
、前記Ｔα２ｉＣより形成される信号線とマトリクスを
１３成すべく配置された対向透明ｍ１ｉ５’を設けたガ
ラス基板１′とでセルを１１ｙ、Ｌ、その間隙１ｃ液晶
８を充填した後、１組の偏光板９．９１及び反射板ｌＯ
ではさみ込み反射型液晶表示装置となす、ここで、液晶
の種類・配向方向及び偏光板・反射板等の有無あるいは
配置方法で一般的に各種の、例えばＧ−Ｈタイプ、透過
型等０液晶表示装置が帰られることは明らかである。
した後、表面を２００Ｖ程度の電圧で陽極酸化し３００
〜４００ｚｍのＴｌ）ｌｏ３３ ｋ形成する（α）０次
に、ＣＦ４＋Ｏｔ混合ガスでドライエツチングを行なり
ｈＴα２の断面形状が４０〜８０° のテーパー状にな
る様にする（ｂ）、更に、ドライエツチングで露出した
Ｔａ２の側面部をｌ（１〜６０ｖｒｖ電圧で再び陽極酸
化した後、基板法線から４０〜８５°の角度でＣＴＪを
斜め蒸着する（Ｃ）、ここで、斜め蒸着の角度は陽極酸
化されたＴｃＬ２の側面に対しほぼ垂直、あるいは垂直
よりもカラス基板１表面に近づいた（＃、い角度で行な
い、ガラス基板１表面に形成されるＣｒ４の膜厚が前記
陽極酸化されたＴａ２の側面部より薄くなるようにする
１次に、工ＴＯ５をスパッタリングにて形成しく社）９
画素及びＭＩＭ素子が出来るように工’１’ｏ５とＣｒ
４をバターニングする（ｅ）、このようにして完成した
１画素分の画Ｘｌｒ、甑６及びＭＩＭ素子７（斜線部）
の配置は第２図のようになる。又、このＭＩＭ素子を用
いた液晶表示装置の断面は第３図のようになる。即ち、
前記ＭＩＭ素子７及び画素１１を載せたガラス基板ｌと
、前記Ｔα２ｉＣより形成される信号線とマトリクスを
１３成すべく配置された対向透明ｍ１ｉ５’を設けたガ
ラス基板１′とでセルを１１ｙ、Ｌ、その間隙１ｃ液晶
８を充填した後、１組の偏光板９．９１及び反射板ｌＯ
ではさみ込み反射型液晶表示装置となす、ここで、液晶
の種類・配向方向及び偏光板・反射板等の有無あるいは
配置方法で一般的に各種の、例えばＧ−Ｈタイプ、透過
型等０液晶表示装置が帰られることは明らかである。
上記製造プロセスでＴａ２のテーパー角度カ８０°に設
定してテーパーとのＣｒ２が約Ｈ１ｎ ｍ厚になるよう
に作ったＭＩＭ累子Ｖ）電圧−電流特性と画素部分の透
過率特注をそれぞれ第４図および第５図に示す。
定してテーパーとのＣｒ２が約Ｈ１ｎ ｍ厚になるよう
に作ったＭＩＭ累子Ｖ）電圧−電流特性と画素部分の透
過率特注をそれぞれ第４図および第５図に示す。
ｍ４図は従来列のは７図と同様に、破線セＴα２側を負
匝注とした場合、実線は逆甑註の場合０竜圧−電流特性
でＧで示すのが本実ｍ例り結果、Ｂは工Ｔｏのみ（ａｙ
なし）、ＣはＣｆ４膜厚が数ｎ ｍ （５ｎ ｍ Ｉｄ
下）■場合である。又、第５図も従来列Ｖ）禰６図と同
様に八はガラス基板のみの場会の透過率特性であり、Ｂ
ｏＣ，Ｇ１−１：欺４図の同じ記号と対応する。なお、
点線で示す’ｒ、、、側を負匝注とした場合には条件に
よらず（にｒＶ）厚さが変ｆヒしても）Ｉξぼ一定の特
性を示す。
匝注とした場合、実線は逆甑註の場合０竜圧−電流特性
でＧで示すのが本実ｍ例り結果、Ｂは工Ｔｏのみ（ａｙ
なし）、ＣはＣｆ４膜厚が数ｎ ｍ （５ｎ ｍ Ｉｄ
下）■場合である。又、第５図も従来列Ｖ）禰６図と同
様に八はガラス基板のみの場会の透過率特性であり、Ｂ
ｏＣ，Ｇ１−１：欺４図の同じ記号と対応する。なお、
点線で示す’ｒ、、、側を負匝注とした場合には条件に
よらず（にｒＶ）厚さが変ｆヒしても）Ｉξぼ一定の特
性を示す。
〈発明■効果〉
本発明によれば、ＭＩＭ素子の電圧−電流′特性に関与
するＴαテーパ一部ｖ）Ｃｒ嗅膜厚画素部分にくらべて
厚くすることが出来る。従って、液晶表示装置合本の明
るさを決定する画素部分Ｏ透過率が高り、シかも整流性
を持たないＭｒＭ素子を得ることが出来、信頼性が高く
製造コストｏ低いアクティブマトリクス型の液晶表示装
置を得ることが町１］ヒとなる。
するＴαテーパ一部ｖ）Ｃｒ嗅膜厚画素部分にくらべて
厚くすることが出来る。従って、液晶表示装置合本の明
るさを決定する画素部分Ｏ透過率が高り、シかも整流性
を持たないＭｒＭ素子を得ることが出来、信頼性が高く
製造コストｏ低いアクティブマトリクス型の液晶表示装
置を得ることが町１］ヒとなる。
第１図（ａ）〜（８）は本発明におけるＭＩＭ素子の製
造プロセスを説明する図、第２図は本発明における１画
素分Ｖ）モ面図、第３図は本発明による液晶表示装置１
ｔ（Ｖ）断面向、第４図は本発明の実施列によるＭｌｊ
ｉ＆素子の電圧−電流特注？示す因、第５図は同じく本
発明の実施例における画素部分の透過率特性を示す図、
第６図及び第７図は従来列における透過率特性とＭＩＭ
素子の電圧−電？Ｎ、特性を示す図。 Ｉｌｌ・ガラス基板 ２・・Ｔα ３°＠ Ｔ ａｌＱＳ ４ ｅ ＊ Ｃ７−５−
・工ＴＯ５・ｌｌｌ１！ｌｌ素亀匝７侮・ＭＩＭ素子部
８・・液晶 ９・・偏光板 ｌＯ・・反射板 板 上
造プロセスを説明する図、第２図は本発明における１画
素分Ｖ）モ面図、第３図は本発明による液晶表示装置１
ｔ（Ｖ）断面向、第４図は本発明の実施列によるＭｌｊ
ｉ＆素子の電圧−電流特注？示す因、第５図は同じく本
発明の実施例における画素部分の透過率特性を示す図、
第６図及び第７図は従来列における透過率特性とＭＩＭ
素子の電圧−電？Ｎ、特性を示す図。 Ｉｌｌ・ガラス基板 ２・・Ｔα ３°＠ Ｔ ａｌＱＳ ４ ｅ ＊ Ｃ７−５−
・工ＴＯ５・ｌｌｌ１！ｌｌ素亀匝７侮・ＭＩＭ素子部
８・・液晶 ９・・偏光板 ｌＯ・・反射板 板 上
Claims (2)
- （１）複数の走査電極と複数の信号電極の各交点に画素
電極を配置し、前記画素電極の各々に金属−絶縁体−金
属構造を有する非線形素子（以下、ＭＩＭ素子と呼ぶ）
を組み合せたアクティブマトリクス型の液晶表示装置に
おいて、前記ＭＩＭ素子の一方の金属を斜め蒸着法を用
いて形成したことを特徴とする液晶表示装置。 - （２）斜め蒸着法で形成するＭＩＭ素子の一方の金属と
画素電極を形成する材質が同一のパターン形状に形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60224336A JPS6283723A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60224336A JPS6283723A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283723A true JPS6283723A (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=16812157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60224336A Pending JPS6283723A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6283723A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5253092A (en) * | 1991-01-25 | 1993-10-12 | Seiko Epson Corporation | Lateral MIM device and method of production |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP60224336A patent/JPS6283723A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5253092A (en) * | 1991-01-25 | 1993-10-12 | Seiko Epson Corporation | Lateral MIM device and method of production |
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