JPS6284541A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS6284541A JPS6284541A JP60225334A JP22533485A JPS6284541A JP S6284541 A JPS6284541 A JP S6284541A JP 60225334 A JP60225334 A JP 60225334A JP 22533485 A JP22533485 A JP 22533485A JP S6284541 A JPS6284541 A JP S6284541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- lead
- semiconductor element
- semiconductor device
- tab
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は半導体装置用リードフレーム、特に温度変化
に対応が可能なリードフレームに関するものである。
に対応が可能なリードフレームに関するものである。
（ロ）従来技術
従来、半導体装置においては、第２回に示すようなリー
ドフレームが使用されている。このリードフレームはフ
レーム１の中央部に半導体素子２を貴金属１８を介して
載せるためのタブ３を設け、タブ３に向けて多数のリー
ド４を設けたものであり、リード４先端に設けられた貴
金属層８を介してリード４の先端と半導体素子間にワイ
ヤ５によりボンディングが施され、電気的な接続が行わ
れる。
ドフレームが使用されている。このリードフレームはフ
レーム１の中央部に半導体素子２を貴金属１８を介して
載せるためのタブ３を設け、タブ３に向けて多数のリー
ド４を設けたものであり、リード４先端に設けられた貴
金属層８を介してリード４の先端と半導体素子間にワイ
ヤ５によりボンディングが施され、電気的な接続が行わ
れる。
リード４は半導体素子ともに樹脂モールドされるインナ
ーリード部４ａと、樹脂モールド外において背面側へ屈
曲されプリント基板等に装着されるアウターリード部４
ｂとから成る。
ーリード部４ａと、樹脂モールド外において背面側へ屈
曲されプリント基板等に装着されるアウターリード部４
ｂとから成る。
上記構造のリードフレームは、量産性に優れ、外部との
接続の信軌性が高いことから、近年ますます使用されて
いる。
接続の信軌性が高いことから、近年ますます使用されて
いる。
リードフレーム材質としては、４２合金 （Ｆｅ−４２
χＮｉ）に代表される鉄系材料および銅系材料が用いら
れている。半導体素子が大面積で、動作時の温度上昇に
よりクランク発生の可能性がある場合は、半導体素子と
熱膨張係数の近い鉄系材料が用いられているが、銅系材
料に比べ、熱伝導率が低いことから、パンケージとして
の放熱性に劣り、材料コストも高い。一方、銅系材料は
、低コスト性と良好な熱放散性から最近ますます多用化
されているがＳｉチップの如き半導体素子との熱膨張差
が大きく上記の大型半導体装置には通用されにくいのが
現状である。
χＮｉ）に代表される鉄系材料および銅系材料が用いら
れている。半導体素子が大面積で、動作時の温度上昇に
よりクランク発生の可能性がある場合は、半導体素子と
熱膨張係数の近い鉄系材料が用いられているが、銅系材
料に比べ、熱伝導率が低いことから、パンケージとして
の放熱性に劣り、材料コストも高い。一方、銅系材料は
、低コスト性と良好な熱放散性から最近ますます多用化
されているがＳｉチップの如き半導体素子との熱膨張差
が大きく上記の大型半導体装置には通用されにくいのが
現状である。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
近年の高密度実装化動向の中で、半導体素子のパワー上
昇に対処する為のパンケージの放熱構造が問題となって
いる。気密封止形パッケージでは、放熱フィンや放熱ス
タンドを設けて放熱効果を高める工夫がなされている。
昇に対処する為のパンケージの放熱構造が問題となって
いる。気密封止形パッケージでは、放熱フィンや放熱ス
タンドを設けて放熱効果を高める工夫がなされている。
−力木発明のリードフレームが対象としている樹脂封止
型パッケージでは、従来は銅系材料のリードフレームを
用いて対応している。しかしながら、銅系材料の上に半
導体素子を銀ペースト等で固着した場合、パワー発生時
半導体素子と銅系材料の熱膨張係数の大きな違いにより
、半導体素子に大きなストレスがかかり、クラックが生
じやすくなり、大型半導体装置には適用出来ないのが現
状である。
型パッケージでは、従来は銅系材料のリードフレームを
用いて対応している。しかしながら、銅系材料の上に半
導体素子を銀ペースト等で固着した場合、パワー発生時
半導体素子と銅系材料の熱膨張係数の大きな違いにより
、半導体素子に大きなストレスがかかり、クラックが生
じやすくなり、大型半導体装置には適用出来ないのが現
状である。
これらはいずれもリードフレームを同一材料で作ること
を前提としている。この発明は樹脂封止型パンケージに
用いられるリードフレームの上記欠点に鑑み、前記の前
提条件にとられれず放熱効果があり、しかも半導体素子
との熱ストレスが少ないリードフレームを提供すること
を目的とするものである。
を前提としている。この発明は樹脂封止型パンケージに
用いられるリードフレームの上記欠点に鑑み、前記の前
提条件にとられれず放熱効果があり、しかも半導体素子
との熱ストレスが少ないリードフレームを提供すること
を目的とするものである。
（ニ）問題点を解決する為の手段
上記の目的を達成する為に、この発明はＳｉチップの如
き半導体素子と熱膨張係数が近い材料でタブを形成し、
リード部材は、熱放散性に秀れた材料で形成したリード
フレーム即ち、複数のリード部材とタブからなるリード
フレームにおいて、リード部材は、熱膨張係数の小さい
材料で形成され、タブは熱放散性のよい材料で形成され
ている半導体装置用リードフレームを提供するものであ
る。
き半導体素子と熱膨張係数が近い材料でタブを形成し、
リード部材は、熱放散性に秀れた材料で形成したリード
フレーム即ち、複数のリード部材とタブからなるリード
フレームにおいて、リード部材は、熱膨張係数の小さい
材料で形成され、タブは熱放散性のよい材料で形成され
ている半導体装置用リードフレームを提供するものであ
る。
このリードフレームを用いることにより、従来樹脂封止
型パフケージでは不可能であった大型半導体装置への適
用が可能となる。
型パフケージでは不可能であった大型半導体装置への適
用が可能となる。
（ホ）実施例
第１図は、この発明のリードフレームを使用して製作し
た半導体装置の一例である。４２合金（Ｆｅ−４２χＮ
ｉ ）等の低熱膨張材料で形成されたダブ６上に大型半
導体素子７を貴金属層８を介して固着している。一方、
リード９は熱放散性に秀れた銅系材料で形成しており、
リード９の先端は、貴金属層８を介してワイヤー５によ
りボンディングを施している。このように構成される半
導体装置では動作時発生する熱は、ワイヤー５を介して
熱放散性の秀れたリード部材に伝熱し外部に放出される
。
た半導体装置の一例である。４２合金（Ｆｅ−４２χＮ
ｉ ）等の低熱膨張材料で形成されたダブ６上に大型半
導体素子７を貴金属層８を介して固着している。一方、
リード９は熱放散性に秀れた銅系材料で形成しており、
リード９の先端は、貴金属層８を介してワイヤー５によ
りボンディングを施している。このように構成される半
導体装置では動作時発生する熱は、ワイヤー５を介して
熱放散性の秀れたリード部材に伝熱し外部に放出される
。
また半導体素子７とタブの熱膨張差が少ないことにより
半導体素子のクラック発生も防止される。
半導体素子のクラック発生も防止される。
上記のようなリードフレームは、次のような手順で製作
することが出来る。すなわちタブを除いた形状のリード
フレームをフォトエツチングまたはスタンピングにより
製作し、別途製作したタブをスポット溶接またはハンダ
付により貼合せる。その後、タブ表面およびリード先端
部に貴金属めっきを部分的に施せばよい。
することが出来る。すなわちタブを除いた形状のリード
フレームをフォトエツチングまたはスタンピングにより
製作し、別途製作したタブをスポット溶接またはハンダ
付により貼合せる。その後、タブ表面およびリード先端
部に貴金属めっきを部分的に施せばよい。
４２合金（Ｆｅ−４２χＮｉ ）、コバール（Ｆ ｅ
−２−９χＮ＋−１７ＸＣｏ ）等の鉄系材料を、又、
熱放散性のよい材料としては熱伝導度が０．１ ｇ−ｃ
ａｌ／ａｍ ・ｓｅｅ ・”Ｃ以上の材料、たとえば錫
入り銅合金（Ｃｕ−０，１〜８χＳｎ）、鉄入り鋼合金
（Ｃｌ−０，１〜３χＦｅ ）等の銅系材料を用いるこ
とが好ましい。
−２−９χＮ＋−１７ＸＣｏ ）等の鉄系材料を、又、
熱放散性のよい材料としては熱伝導度が０．１ ｇ−ｃ
ａｌ／ａｍ ・ｓｅｅ ・”Ｃ以上の材料、たとえば錫
入り銅合金（Ｃｕ−０，１〜８χＳｎ）、鉄入り鋼合金
（Ｃｌ−０，１〜３χＦｅ ）等の銅系材料を用いるこ
とが好ましい。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明のリードフレームを用いて製作した
半導体装置の断面図。 第２図は、従来のリードフレームを用いた半導体装置の
断面図。 １・・・リードフレーム ２・・・半導体素子 ３・・・タ ブ ４・・・リード ４ａ・・・インナーリード部 ４ｂ・・・アウターリード部 ５・・・ワイヤ ６・・・タブ（低熱膨張素材） ７・・・大型半導体素子 ８・・・貴金属層 ９・・・リード（高放熱素材） 第１図 、：５ δ
半導体装置の断面図。 第２図は、従来のリードフレームを用いた半導体装置の
断面図。 １・・・リードフレーム ２・・・半導体素子 ３・・・タ ブ ４・・・リード ４ａ・・・インナーリード部 ４ｂ・・・アウターリード部 ５・・・ワイヤ ６・・・タブ（低熱膨張素材） ７・・・大型半導体素子 ８・・・貴金属層 ９・・・リード（高放熱素材） 第１図 、：５ δ
Claims (3)
- （１）複数のリード部材とタブからなるリードフレーム
において、リード部材は熱膨張係数の小さい材料で形成
され、タブは熱放散性のよい材料で形成されていること
を特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - （２）リード部材が銅系材料で形成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置用リー
ドフレーム。 - （３）タブが鉄系材料で形成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載の半導体装置用
リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225334A JPS6284541A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225334A JPS6284541A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284541A true JPS6284541A (ja) | 1987-04-18 |
Family
ID=16827720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225334A Pending JPS6284541A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284541A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6441146U (ja) * | 1987-09-08 | 1989-03-13 |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP60225334A patent/JPS6284541A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6441146U (ja) * | 1987-09-08 | 1989-03-13 |
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