JPS628511B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS628511B2 JPS628511B2 JP13053278A JP13053278A JPS628511B2 JP S628511 B2 JPS628511 B2 JP S628511B2 JP 13053278 A JP13053278 A JP 13053278A JP 13053278 A JP13053278 A JP 13053278A JP S628511 B2 JPS628511 B2 JP S628511B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etched
- etching
- photoresist film
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はエツチング方法、特に被エツチング
膜を再現性よく、かつ安定にテーパエツチングす
るエツチング方法に関する。
膜を再現性よく、かつ安定にテーパエツチングす
るエツチング方法に関する。
従来、半導体素子あるいは磁気バブル素子の製
造において、蒸着層等を所定のパターンにエツチ
ングする際、パターン化された蒸着層の側面をテ
ーパ状にすることがしばしば行なわれる。
造において、蒸着層等を所定のパターンにエツチ
ングする際、パターン化された蒸着層の側面をテ
ーパ状にすることがしばしば行なわれる。
このようなテーパエツチングとしては、従来、
第１図に示すようにして行なわれている。まず、
第１図ａに示すように、基板１の表面全域に形成
された蒸着層等の被エツチング膜２があり、この
被エツチング膜２の上面にフオトレジストを塗布
し、これをプリベークさせることによつてフオト
レジスト膜３を形成する。そして、前記フオトレ
ジスト膜３を選択露光し、現像、ポストベークを
経ることにより、第２図ｂに示すように、所定の
パターンで残存するフオトレジスト膜３′を得
る。さらに、前記フオトレジスト膜３′をマスク
とし、フオトレジスト膜３′から露光されている
被エツチング膜２を適当な化学エツチング液によ
つてエツチングするが、このとき、特にフオトレ
ジスト膜３′と被エツチング膜２との界面にエツ
チング液が充分に浸透していくようにして、被エ
ツチング膜２を、第１図ｃに示すように、エツチ
ングする。
第１図に示すようにして行なわれている。まず、
第１図ａに示すように、基板１の表面全域に形成
された蒸着層等の被エツチング膜２があり、この
被エツチング膜２の上面にフオトレジストを塗布
し、これをプリベークさせることによつてフオト
レジスト膜３を形成する。そして、前記フオトレ
ジスト膜３を選択露光し、現像、ポストベークを
経ることにより、第２図ｂに示すように、所定の
パターンで残存するフオトレジスト膜３′を得
る。さらに、前記フオトレジスト膜３′をマスク
とし、フオトレジスト膜３′から露光されている
被エツチング膜２を適当な化学エツチング液によ
つてエツチングするが、このとき、特にフオトレ
ジスト膜３′と被エツチング膜２との界面にエツ
チング液が充分に浸透していくようにして、被エ
ツチング膜２を、第１図ｃに示すように、エツチ
ングする。
しかしながら、このような方法は、フオトレジ
スト膜３′と被エツチング膜２との界面にエツチ
ング液を充分に浸透させて、所望形状にテーパエ
ツチングするため、フオトレジスト膜のプリベー
クおよびポストベーク温度、フオトレジスト膜
厚、被加工物膜厚、被加工物表面状態およびエツ
チング液組成等の複雑な条件をコントロールしな
ければならないとともに、被エツチング膜の断面
形状がアンダーカツトにより三角形にならないよ
うにするためには、被エツチング膜のパターン幅
は３μ以上でなければならないという制約があ
る。
スト膜３′と被エツチング膜２との界面にエツチ
ング液を充分に浸透させて、所望形状にテーパエ
ツチングするため、フオトレジスト膜のプリベー
クおよびポストベーク温度、フオトレジスト膜
厚、被加工物膜厚、被加工物表面状態およびエツ
チング液組成等の複雑な条件をコントロールしな
ければならないとともに、被エツチング膜の断面
形状がアンダーカツトにより三角形にならないよ
うにするためには、被エツチング膜のパターン幅
は３μ以上でなければならないという制約があ
る。
この発明の目的は、再現性よく、かつ安定にし
かも簡単にテーパエツチングすることのできるエ
ツチング方法を提供するものである。
かも簡単にテーパエツチングすることのできるエ
ツチング方法を提供するものである。
以下、実施例を用いてこの発明を詳細に説明す
る。
る。
第２図ａないしｄは、この発明に係るエツチン
グ方法の一実施例を示す工程図である。まず、第
２図ａに示すように、基板１１の表面全域に蒸着
方法によりAl−Cuからなる被エツチング膜１２
を厚さ5000Åに形成する。そして、被エツチング
膜１２の上面に、フオトレジスト（たとえば
AZ1350J）をスピンナー塗布し、その厚さ7000Å
にする。その後、前記フオトレジストをプリベー
クし、選択露光、源像を経ることにより、所定の
パターンで残存するフオトレジスト膜１３を得
る。次に、150゜〜200℃のポストベーキングを30
分間行なう。これにより、第２図ｂに示すよう
に、フオトレジスト膜１３はその角部において丸
みが形成される。その後、前記フオトレジスト膜
１３を含んで被エツチング膜１２面に樹脂１４を
スピンナー塗布により、厚さ2000Å程度に形成す
る。この樹脂１４としては種々のものが適用で
き、たとえばフオトレジスト膜（OMR83）等で
あつてもよい。この場合、前記樹脂１４は、その
表面張力により、前記フオトレジスト膜１３の側
面において、這い上がつた状態になり、第２図ｃ
に示すように、フオトレジスト膜１３の側面と、
この側面近傍における被エツチング膜１２の上面
と形成される角部に樹脂１４が充分に充填される
ようになる。この結果、被エツチング膜１２上に
は、平坦な頂部から裾状に広がる断面山形状の樹
脂層が形成されることになる。そして、前記樹脂
１４をプリベークした後、Ar+イオンビーム等に
よるドライエツチングを行なう。このドライエツ
チングは、前記樹脂１４の全部およびフオトレジ
スト膜１３の被着形成領域以外の領域に形成され
ている被エツチング膜１２が全てエツチングさ
れ、第２図ｄに示すように基板１１面が露呈する
まで行なわれる。
グ方法の一実施例を示す工程図である。まず、第
２図ａに示すように、基板１１の表面全域に蒸着
方法によりAl−Cuからなる被エツチング膜１２
を厚さ5000Åに形成する。そして、被エツチング
膜１２の上面に、フオトレジスト（たとえば
AZ1350J）をスピンナー塗布し、その厚さ7000Å
にする。その後、前記フオトレジストをプリベー
クし、選択露光、源像を経ることにより、所定の
パターンで残存するフオトレジスト膜１３を得
る。次に、150゜〜200℃のポストベーキングを30
分間行なう。これにより、第２図ｂに示すよう
に、フオトレジスト膜１３はその角部において丸
みが形成される。その後、前記フオトレジスト膜
１３を含んで被エツチング膜１２面に樹脂１４を
スピンナー塗布により、厚さ2000Å程度に形成す
る。この樹脂１４としては種々のものが適用で
き、たとえばフオトレジスト膜（OMR83）等で
あつてもよい。この場合、前記樹脂１４は、その
表面張力により、前記フオトレジスト膜１３の側
面において、這い上がつた状態になり、第２図ｃ
に示すように、フオトレジスト膜１３の側面と、
この側面近傍における被エツチング膜１２の上面
と形成される角部に樹脂１４が充分に充填される
ようになる。この結果、被エツチング膜１２上に
は、平坦な頂部から裾状に広がる断面山形状の樹
脂層が形成されることになる。そして、前記樹脂
１４をプリベークした後、Ar+イオンビーム等に
よるドライエツチングを行なう。このドライエツ
チングは、前記樹脂１４の全部およびフオトレジ
スト膜１３の被着形成領域以外の領域に形成され
ている被エツチング膜１２が全てエツチングさ
れ、第２図ｄに示すように基板１１面が露呈する
まで行なわれる。
このようにすれば、樹脂１４、フオトレジスト
膜１３および被エツチング膜１２のエツチング
は、ほぼ、前記樹脂１４の表面形状を保つたまま
基板１１側へ進行する（厳密にはイオンエツチン
グに対する各材料のエツチング速度は異なること
から前記表面形状は若干変化する。）。このため、
フオトレジスト膜１３の周辺における被エツチン
グ膜１２は、第２図ｃに示すように、フオトレジ
スト膜１３の側面と、この側面近傍における被エ
ツチング膜１２の上面とで形成される角部に充填
された樹脂１４の表面形状に沿つてエツチングさ
れることになり、第２図ｄに示すように、テーパ
エツチングされることになる。
膜１３および被エツチング膜１２のエツチング
は、ほぼ、前記樹脂１４の表面形状を保つたまま
基板１１側へ進行する（厳密にはイオンエツチン
グに対する各材料のエツチング速度は異なること
から前記表面形状は若干変化する。）。このため、
フオトレジスト膜１３の周辺における被エツチン
グ膜１２は、第２図ｃに示すように、フオトレジ
スト膜１３の側面と、この側面近傍における被エ
ツチング膜１２の上面とで形成される角部に充填
された樹脂１４の表面形状に沿つてエツチングさ
れることになり、第２図ｄに示すように、テーパ
エツチングされることになる。
そして、このような方法は、所定の膜厚で樹脂
１４を塗布すれば、前記樹脂１４は、その表面張
力により、前記フオトレジスト膜１３の側面にお
いて、必ず這い上がつた状態になることから、第
２図ｄに示すようなテーパエツチングは再現性よ
く、かつ安定してなされるようになる。しかも、
このようなテーパエツチングは樹脂１４を塗布す
るだけでよいことから、極めて作業が簡単にな
る。
１４を塗布すれば、前記樹脂１４は、その表面張
力により、前記フオトレジスト膜１３の側面にお
いて、必ず這い上がつた状態になることから、第
２図ｄに示すようなテーパエツチングは再現性よ
く、かつ安定してなされるようになる。しかも、
このようなテーパエツチングは樹脂１４を塗布す
るだけでよいことから、極めて作業が簡単にな
る。
この実施例では被エツチング膜１２としてAl
−Cuを掲げているが、Auであつても同様な効果
を得ることができた。
−Cuを掲げているが、Auであつても同様な効果
を得ることができた。
また、この実施例では、フオトレジスト膜１３
の角部においてポストベーキングにより丸みを形
成したもので、この丸みがあることにより、フオ
トレジスト膜１３の側面に樹脂１４が表面張力に
よつて充分這い上つた状態になり、より再現性の
よいテーパエツチングを達成することができる
が、この丸みは必ずしもなくてもよい。
の角部においてポストベーキングにより丸みを形
成したもので、この丸みがあることにより、フオ
トレジスト膜１３の側面に樹脂１４が表面張力に
よつて充分這い上つた状態になり、より再現性の
よいテーパエツチングを達成することができる
が、この丸みは必ずしもなくてもよい。
以上説明したように、この発明に係るエツチン
グ膜方法によれば、再現性よく、かつ安定にしか
も簡単にテーパエツチングすることができる。
グ膜方法によれば、再現性よく、かつ安定にしか
も簡単にテーパエツチングすることができる。
第１図は従来のエツチング方法の例を示す説明
図、第２図ａないしｄはこの発明に係るエツチン
グ方法の一実施例を示す工程図である。 １１……基板、１２……被エツチング膜、１３
……フオトレジスト膜、１４……樹脂。
図、第２図ａないしｄはこの発明に係るエツチン
グ方法の一実施例を示す工程図である。 １１……基板、１２……被エツチング膜、１３
……フオトレジスト膜、１４……樹脂。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被エツチング膜上にパターン化されたフオト
レジスト膜を形成する工程と、少なくとも前記フ
オトレジスト膜の側面とこの側面の近傍における
被エツチング膜の表面とで形成される角部に裾状
に広がるように樹脂を充填する工程と、ドライエ
ツチングにより前記フオトレジスト膜被着形成領
域外の被エツチング膜をエツチングする工程とを
含むことを特徴とするエツチング方法。 ２ 被エツチング膜上に形成されたフオトレジス
ト膜の角部をポストベーキングにより丸くした特
許請求の範囲第１項記載のエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13053278A JPS5558374A (en) | 1978-10-25 | 1978-10-25 | Etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13053278A JPS5558374A (en) | 1978-10-25 | 1978-10-25 | Etching method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5558374A JPS5558374A (en) | 1980-05-01 |
| JPS628511B2 true JPS628511B2 (ja) | 1987-02-23 |
Family
ID=15036539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13053278A Granted JPS5558374A (en) | 1978-10-25 | 1978-10-25 | Etching method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5558374A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158928A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 絶縁基板上半導体装置の製造方法 |
-
1978
- 1978-10-25 JP JP13053278A patent/JPS5558374A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5558374A (en) | 1980-05-01 |
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