JPH023044A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPH023044A JPH023044A JP63150554A JP15055488A JPH023044A JP H023044 A JPH023044 A JP H023044A JP 63150554 A JP63150554 A JP 63150554A JP 15055488 A JP15055488 A JP 15055488A JP H023044 A JPH023044 A JP H023044A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- substrate
- possessing
- height
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本発明は半導体装首製造の際のホ） ＩＪソゲラフイエ
程における露光方法に関する。
程における露光方法に関する。
（ロ）従来の技術
この種の露光方ｉにおいて、従来よりコンタクト方式が
知られているＣ例えば、株式会社工業調査会発行「最新
Ｉ、ｅエプロセス技術ＪＰ２６１．１９８４）。
知られているＣ例えば、株式会社工業調査会発行「最新
Ｉ、ｅエプロセス技術ＪＰ２６１．１９８４）。
コンタクト方式は、ウェー１％。全面に一度にパターン
露光を行うものであるからスループットの高い利点を持
つが、被露光面に段差がある場合、ホトｗスクと被露光
面との密着が得られないため高い露光解像度を実現でき
ない。
露光を行うものであるからスループットの高い利点を持
つが、被露光面に段差がある場合、ホトｗスクと被露光
面との密着が得られないため高い露光解像度を実現でき
ない。
ｉ／ウ 発明が解決しようとする課題本発明は、段差
を有する半導体基板にも、コンタクト方式で精度良く露
光を行い得る方法を提供しようとするものである。
を有する半導体基板にも、コンタクト方式で精度良く露
光を行い得る方法を提供しようとするものである。
に）課題を解決するための手段
本発明の露光方法は、段差を有する半導体基板にホトリ
ソグラフィ工程の露光を実施する際に、上記段差とほゞ
同じ高さの段差を有するホトマスクを用いることを特徴
とする。
ソグラフィ工程の露光を実施する際に、上記段差とほゞ
同じ高さの段差を有するホトマスクを用いることを特徴
とする。
（ホ）作用
本発明によれば、被露光面の段差とホトマスクの段差と
が互いにかみ合い、ホトマスクが被露光面とほゞ密着す
る。
が互いにかみ合い、ホトマスクが被露光面とほゞ密着す
る。
（へ）実施例
本発明実施例の露光方８７に説明するに、この場片、第
３図に示す如く、低位面１１１と、メサ部α２の作る高
位面αＪとを備える半導体基ｔｆｚ ！ＩＧに対し、そ
の低位、高位各面１１１０３１１ｃ夫々Ｖ字ｐＩ（＋４
１（至）を同時形成するに当って、本発明露光方法を適
用するものである。
３図に示す如く、低位面１１１と、メサ部α２の作る高
位面αＪとを備える半導体基ｔｆｚ ！ＩＧに対し、そ
の低位、高位各面１１１０３１１ｃ夫々Ｖ字ｐＩ（＋４
１（至）を同時形成するに当って、本発明露光方法を適
用するものである。
この様な、Ｖ字溝は、２種類の半導体レーザダイオード
を同−基ｆｆ１Ｉｌαに同時形収するために利用される
。即ち、第６図に示す基板１１０１表面に、第１クラッ
ド層、活性層、第２クラッド層等、周知のレーデ構改層
を順次液相エピタキシャル改良させること忙より、活性
層の厚みは、高位［１０ａＪ上おいて小さく、低位面（
！ｌ）上において大きくなる。前者の活性層は高出力レ
ーザ発ｉ１に、又後者のそれは低雑音レーザ発振を犬々
可能ならしめる。
を同−基ｆｆ１Ｉｌαに同時形収するために利用される
。即ち、第６図に示す基板１１０１表面に、第１クラッ
ド層、活性層、第２クラッド層等、周知のレーデ構改層
を順次液相エピタキシャル改良させること忙より、活性
層の厚みは、高位［１０ａＪ上おいて小さく、低位面（
！ｌ）上において大きくなる。前者の活性層は高出力レ
ーザ発ｉ１に、又後者のそれは低雑音レーザ発振を犬々
可能ならしめる。
第１図に示す工程では、メサ部［１２＋を有するＧａＡ
３基ｔｆｉｔｌαが準備され、その基板表面にホトレジ
スト膜０υが被着さｎる。メサ部の作る高位面ｒＪ３１
の高さｈｌは、基板の低位面（１１）に対し２μｍであ
り、又メサ部の幅Ｗｔは６０μｍである。
３基ｔｆｉｔｌαが準備され、その基板表面にホトレジ
スト膜０υが被着さｎる。メサ部の作る高位面ｒＪ３１
の高さｈｌは、基板の低位面（１１）に対し２μｍであ
り、又メサ部の幅Ｗｔは６０μｍである。
第１図に示す工程では、更に、ホトマスク翰が準備され
る。このマスクは、下向きメサ部圓ヲ有するガラス製マ
スク基板固を含む。メサ部＠珀の作る低位下面（至）の
高さｈｌは、前記基板１１α側のメサ部α２の高さＫは
ｙ等しく設定され、今の場合、マスク基板□□□の高位
下面（２４１に対し２μｍである。ホトマスク（イ）は
、更にｃｒからなるマスクメタル（至）翰を含み、それ
らメタルは、基ｆｆｚ ＋ｌαの低位面＋１１１及び高
位面ａ３に対応して、夫々ホトマスク翰の低位下面−及
び高位下面嶽に被着されている。マスクメタル（２Ｉ５
）翰の幅Ｗ１は２μｍ程度を適当とする。
る。このマスクは、下向きメサ部圓ヲ有するガラス製マ
スク基板固を含む。メサ部＠珀の作る低位下面（至）の
高さｈｌは、前記基板１１α側のメサ部α２の高さＫは
ｙ等しく設定され、今の場合、マスク基板□□□の高位
下面（２４１に対し２μｍである。ホトマスク（イ）は
、更にｃｒからなるマスクメタル（至）翰を含み、それ
らメタルは、基ｆｆｚ ＋ｌαの低位面＋１１１及び高
位面ａ３に対応して、夫々ホトマスク翰の低位下面−及
び高位下面嶽に被着されている。マスクメタル（２Ｉ５
）翰の幅Ｗ１は２μｍ程度を適当とする。
第２１ａＫ示す工程では、第１図における基板１１０１
の表面にホトマスク−の下面を接触させて露光が行なわ
れ、次いでホトレジスト膜αυの現像処理により未露光
部分のみが除去され窓鰭（ハ）が投けられの る。本工程における基板とホ）ｗスフと接触は、八 基板側にメサ部Ｏ２による段差があるにもか＼わらず、
ホトマスク側にも、同等高さの下向きメサ部防）による
段差がある念め、良好にｆ！Ｍ着的である。
の表面にホトマスク−の下面を接触させて露光が行なわ
れ、次いでホトレジスト膜αυの現像処理により未露光
部分のみが除去され窓鰭（ハ）が投けられの る。本工程における基板とホ）ｗスフと接触は、八 基板側にメサ部Ｏ２による段差があるにもか＼わらず、
ホトマスク側にも、同等高さの下向きメサ部防）による
段差がある念め、良好にｆ！Ｍ着的である。
尚、ホトレジスト膜０６１に形収された窓ガ瞥の幅は１
．２μｍ程度である。
．２μｍ程度である。
第６図に示す工程では、前記ホトレジスト膜α−の窓（
２７ＩＱ８１１に：通じてエツチングが行われ、この結
果、低位、高位各面ｆｌｌｌｆ１３に夫々７字溝（１４
１ＣＬｆ９が同時形成される。エッチャントにはリン酸
系のものが用いられ、得られる各Ｖ字溝の開口幅及び深
さは、夫々２２μ販び１．５μｍ程度である。
２７ＩＱ８１１に：通じてエツチングが行われ、この結
果、低位、高位各面ｆｌｌｌｆ１３に夫々７字溝（１４
１ＣＬｆ９が同時形成される。エッチャントにはリン酸
系のものが用いられ、得られる各Ｖ字溝の開口幅及び深
さは、夫々２２μ販び１．５μｍ程度である。
以上の実ｔｌａ例で仁、ＧａＡ４板が使用された力（池
の材料からなる基板にも、本発明は適用され得にも、コ
ンタクト方式で精度良く露光を行うことができる。
の材料からなる基板にも、本発明は適用され得にも、コ
ンタクト方式で精度良く露光を行うことができる。
第１図乃至第６図は本発明の実施例方法を示す工程別断
面図である。 １１α−半導体基板、α２−メサ部、−一ホトレジスト
膜、−一ホトマスク、？Ｂ−下向きメサ部、（ハ）（イ
）−リスクメタル。
面図である。 １１α−半導体基板、α２−メサ部、−一ホトレジスト
膜、−一ホトマスク、？Ｂ−下向きメサ部、（ハ）（イ
）−リスクメタル。
Claims (1)
- （１）段差を有する半導体基板にホトリソグラフイ工程
の露光を実施する際に、上記段差とほゞ同じ高さの段差
を有するホトマスクを用いることを特徴とする露光方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63150554A JPH023044A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63150554A JPH023044A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023044A true JPH023044A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15499417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63150554A Pending JPH023044A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH023044A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04278951A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造用マスク及び半導体装置の製造方法 |
| US5205569A (en) * | 1986-11-10 | 1993-04-27 | Ishikawa Gasket Co., Ltd. | Metal laminate gasket with graphite sheet |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP63150554A patent/JPH023044A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5205569A (en) * | 1986-11-10 | 1993-04-27 | Ishikawa Gasket Co., Ltd. | Metal laminate gasket with graphite sheet |
| JPH04278951A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造用マスク及び半導体装置の製造方法 |
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