JPS628534A - 半導体実装構造 - Google Patents
半導体実装構造Info
- Publication number
- JPS628534A JPS628534A JP60147403A JP14740385A JPS628534A JP S628534 A JPS628534 A JP S628534A JP 60147403 A JP60147403 A JP 60147403A JP 14740385 A JP14740385 A JP 14740385A JP S628534 A JPS628534 A JP S628534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- board
- mounting
- die
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/20—Configurations of stacked chips
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/20—Configurations of stacked chips
- H10W90/291—Configurations of stacked chips characterised by containers, encapsulations, or other housings for the stacked chips
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/732—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between stacked chips
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/752—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between stacked chips
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体の実装に関し、電子機器に利用される可
能性が大きい。
能性が大きい。
本発明は半導体装分野において半導体上面に他の半導体
を実装することにより平面スペースの縮少化を図ったも
のである。
を実装することにより平面スペースの縮少化を図ったも
のである。
従来の半導体装は$2図で示すようにボード3の上面に
複数の半導体1.2をダイボンドし半導体間の導通をと
る手段としてボード3上のパターンをかいしてワイヤー
ボンディング法により実。
複数の半導体1.2をダイボンドし半導体間の導通をと
る手段としてボード3上のパターンをかいしてワイヤー
ボンディング法により実。
施しでいた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、前
述の従来技術ではボード上に平面的に半導体をダイボン
ドするため実装面積が広く必要とするとする。そこで本
発明はこのような問題点を解決するもので、その目的と
するところは半導体上に半導体を実装することにより、
実装面積の縮少化を実現する、実装構造を提供するもの
である。
述の従来技術ではボード上に平面的に半導体をダイボン
ドするため実装面積が広く必要とするとする。そこで本
発明はこのような問題点を解決するもので、その目的と
するところは半導体上に半導体を実装することにより、
実装面積の縮少化を実現する、実装構造を提供するもの
である。
本発明の実装構造はボード上にダイボンドした半導体上
に他の半導体をダイボンドをし、両生導体電極をワイヤ
ーボンディング法により接続し導通をえることを特徴と
する。
に他の半導体をダイボンドをし、両生導体電極をワイヤ
ーボンディング法により接続し導通をえることを特徴と
する。
第1図(α)は本発明の実施例における実装断面図であ
って1はボードに実装された半導体である。2は半導体
1の上面に実装された半導体である。5はボード、4は
ボード上面に配線されたノぐターンである。5はワイヤ
ーボンディング後の配線されたワイヤー線である。7は
半導体を保護するための保護材である。第1工程として
ボード3の上面に接着材6を塗布する。第2工程として
半導体1をボード3にダイボンドする。第5工程として
半導体1の上面の半導体2をダイボンドする位置と接着
材6を塗布する。第4工程として半導体1の上面に半導
体2をダイボンドする。接着材6を硬化後、第5工程と
してワイヤーボンディング法により半導体1の電極部と
パターン4をワイヤーls9により導通させる。第6エ
程として第5工程と同様に半導体1の電極部と半導体2
の電極部をワイヤー線5により導通させる。第7エ程と
して保護材7を半導体がみえないように塗布し硬化させ
る。第1図(A)は本発明の実装平面図である。説明に
ついては第1図(α)の平面図と同様であるため説明は
省く。
って1はボードに実装された半導体である。2は半導体
1の上面に実装された半導体である。5はボード、4は
ボード上面に配線されたノぐターンである。5はワイヤ
ーボンディング後の配線されたワイヤー線である。7は
半導体を保護するための保護材である。第1工程として
ボード3の上面に接着材6を塗布する。第2工程として
半導体1をボード3にダイボンドする。第5工程として
半導体1の上面の半導体2をダイボンドする位置と接着
材6を塗布する。第4工程として半導体1の上面に半導
体2をダイボンドする。接着材6を硬化後、第5工程と
してワイヤーボンディング法により半導体1の電極部と
パターン4をワイヤーls9により導通させる。第6エ
程として第5工程と同様に半導体1の電極部と半導体2
の電極部をワイヤー線5により導通させる。第7エ程と
して保護材7を半導体がみえないように塗布し硬化させ
る。第1図(A)は本発明の実装平面図である。説明に
ついては第1図(α)の平面図と同様であるため説明は
省く。
第2図(α)は従来の実装断面図であり、第213U(
b)は実装平面図である。第1工程としてボード3に接
着材6を塗布する、第2工程として半導体1及び半導体
2をダイボンドする、第3工程としてワイヤーボンディ
ング法によりワイヤー線5により半導体1.半導体2と
パターン4を導通させる。第4工程として保護材7を半
導体1.半導体2がみえないように塗布し硬化させる。
b)は実装平面図である。第1工程としてボード3に接
着材6を塗布する、第2工程として半導体1及び半導体
2をダイボンドする、第3工程としてワイヤーボンディ
ング法によりワイヤー線5により半導体1.半導体2と
パターン4を導通させる。第4工程として保護材7を半
導体1.半導体2がみえないように塗布し硬化させる。
以上述べたように発明によれば半導体上面に他の半導体
を実装することにより実装面積を大巾に縮少することが
出来る。
を実装することにより実装面積を大巾に縮少することが
出来る。
第1図(α)は本発明の実装構造を示す断面図である。
第1図Cb)は本発明の平面図である。
第2v!J(α)は従来の実装構造を示す断面図である
。第2図(b)は従来の平面図である。 1・・・・・・半導体 2・・・・・・半導体 3・・・・・・ボード 4・・・・・・パターン 5・・・・・・ワイヤー線 6・・・・・・接着剤 7・・・・・・保護材 以上
。第2図(b)は従来の平面図である。 1・・・・・・半導体 2・・・・・・半導体 3・・・・・・ボード 4・・・・・・パターン 5・・・・・・ワイヤー線 6・・・・・・接着剤 7・・・・・・保護材 以上
Claims (2)
- (1)半導体上面に他の半導体を複数にダイボンドする
ことを特徴とする半導体実装。 - (2)ボード上にダイボンドされた半導体の電極部と半
導体上面にダイボンドされた半導体の電極部をワイヤー
ボンド法によりワイヤー線により導通させることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の半導体実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147403A JPS628534A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 半導体実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147403A JPS628534A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 半導体実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628534A true JPS628534A (ja) | 1987-01-16 |
Family
ID=15429499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60147403A Pending JPS628534A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 半導体実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628534A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5256428A (en) * | 1985-06-17 | 1993-10-26 | Viskase Corporation | Puncture resistant, heat-shrinkable films containing very low density polyethylene |
| US5256351A (en) * | 1985-06-17 | 1993-10-26 | Viskase Corporation | Process for making biaxially stretched, heat shrinkable VLDPE films |
| EP0736903A3 (en) * | 1995-04-07 | 1999-01-27 | Nec Corporation | Three-dimensional multi-chip module having stacked semiconductor chips and process of fabrication thereof |
| US6407456B1 (en) | 1996-02-20 | 2002-06-18 | Micron Technology, Inc. | Multi-chip device utilizing a flip chip and wire bond assembly |
| WO2003017327A3 (en) * | 2001-08-17 | 2003-11-20 | Qualcomm Inc | A method and apparatus for die stacking |
| US6900528B2 (en) | 2001-06-21 | 2005-05-31 | Micron Technology, Inc. | Stacked mass storage flash memory package |
| US7109059B2 (en) | 1996-11-20 | 2006-09-19 | Micron Technology, Inc. | Methods for stacking wire-bonded integrated circuit dice on flip-chip bonded integrated circuit dice |
| US7485490B2 (en) | 2001-03-09 | 2009-02-03 | Amkor Technology, Inc. | Method of forming a stacked semiconductor package |
| US7598747B2 (en) | 2006-01-27 | 2009-10-06 | Ricoh Company, Ltd. | Noise injection apparatus for printed circuit board |
-
1985
- 1985-07-04 JP JP60147403A patent/JPS628534A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5256351A (en) * | 1985-06-17 | 1993-10-26 | Viskase Corporation | Process for making biaxially stretched, heat shrinkable VLDPE films |
| US5439717A (en) * | 1985-06-17 | 1995-08-08 | Viskase Corporation | Shrunken bag made from biaxially stretched, VLDPE film |
| US5256428A (en) * | 1985-06-17 | 1993-10-26 | Viskase Corporation | Puncture resistant, heat-shrinkable films containing very low density polyethylene |
| EP0736903A3 (en) * | 1995-04-07 | 1999-01-27 | Nec Corporation | Three-dimensional multi-chip module having stacked semiconductor chips and process of fabrication thereof |
| US7166495B2 (en) * | 1996-02-20 | 2007-01-23 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating a multi-die semiconductor package assembly |
| US6407456B1 (en) | 1996-02-20 | 2002-06-18 | Micron Technology, Inc. | Multi-chip device utilizing a flip chip and wire bond assembly |
| US7776652B2 (en) | 1996-11-20 | 2010-08-17 | Micron Technology, Inc. | Methods for stacking wire-bonded integrated circuit dice on flip-chip bonded integrated circuit dice |
| US7109059B2 (en) | 1996-11-20 | 2006-09-19 | Micron Technology, Inc. | Methods for stacking wire-bonded integrated circuit dice on flip-chip bonded integrated circuit dice |
| US7282792B2 (en) | 1996-11-20 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Methods for stacking wire-bonded integrated circuit dice on flip-chip bonded integrated circuit dice |
| US7812436B2 (en) | 1996-11-20 | 2010-10-12 | Micron Technology, Inc. | Methods for stacking wire-bonded integrated circuit dice on flip-chip bonded integrated circuit dice |
| US7402902B2 (en) | 1996-11-20 | 2008-07-22 | Micron Technology, Inc. | Methods for stacking wire-bonded integrated circuit dice on flip-chip bonded integrated circuit dice |
| US7411286B2 (en) | 1996-11-20 | 2008-08-12 | Micron Technology, Inc. | Methods for stacking wire-bonded integrated circuit dice on flip-chip bonded integrated circuit dice |
| US7423338B2 (en) | 1996-11-20 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods for stacking wire-bonded integrated circuit dice on flip-chip bonded integrated circuit dice |
| US7423339B2 (en) | 1996-11-20 | 2008-09-09 | Mircon Technology, Inc. | Methods for stacking wire-bonded integrated circuit dice on flip-chip bonded integrated circuit dice |
| US7485490B2 (en) | 2001-03-09 | 2009-02-03 | Amkor Technology, Inc. | Method of forming a stacked semiconductor package |
| US7375419B2 (en) | 2001-06-21 | 2008-05-20 | Micron Technology, Inc. | Stacked mass storage flash memory package |
| US7704794B2 (en) | 2001-06-21 | 2010-04-27 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a semiconductor device |
| US6900528B2 (en) | 2001-06-21 | 2005-05-31 | Micron Technology, Inc. | Stacked mass storage flash memory package |
| US7999378B2 (en) | 2001-06-21 | 2011-08-16 | Round Rock Research, Llc | Semiconductor devices including semiconductor dice in laterally offset stacked arrangement |
| US7998792B2 (en) | 2001-06-21 | 2011-08-16 | Round Rock Research, Llc | Semiconductor device assemblies, electronic devices including the same and assembly methods |
| US8049342B2 (en) | 2001-06-21 | 2011-11-01 | Round Rock Research, Llc | Semiconductor device and method of fabrication thereof |
| WO2003017327A3 (en) * | 2001-08-17 | 2003-11-20 | Qualcomm Inc | A method and apparatus for die stacking |
| US7598747B2 (en) | 2006-01-27 | 2009-10-06 | Ricoh Company, Ltd. | Noise injection apparatus for printed circuit board |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09312375A5 (ja) | ||
| JPS63128736A (ja) | 半導体素子 | |
| US20020109216A1 (en) | Integrated electronic device and integration method | |
| KR880014671A (ko) | 수지로 충진된 반도체 장치 | |
| JPH08288455A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06151641A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02133942A (ja) | セラミックチップキャリア型半導体装置 | |
| JP2810626B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63284831A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPH01257361A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3847432B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 | |
| KR940008060A (ko) | 반도체 집적회로 장치 | |
| KR100507131B1 (ko) | 엠씨엠 볼 그리드 어레이 패키지 형성 방법 | |
| JPH0141265B2 (ja) | ||
| JPH01206660A (ja) | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 | |
| JPS5847709Y2 (ja) | 樹脂封止形半導体素子 | |
| JPH02203555A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0364934A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH05218263A (ja) | リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
| KR100352120B1 (ko) | 리드프레임의 구조 및 이를 이용한 반도체 패키지 | |
| JP2000252406A (ja) | 電子回路装置 | |
| KR200169976Y1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| JPS63248155A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6386461A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JP2755032B2 (ja) | 半導体装置 |