JPS6286331A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS6286331A JPS6286331A JP22724485A JP22724485A JPS6286331A JP S6286331 A JPS6286331 A JP S6286331A JP 22724485 A JP22724485 A JP 22724485A JP 22724485 A JP22724485 A JP 22724485A JP S6286331 A JPS6286331 A JP S6286331A
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- JP
- Japan
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- particle size
- fine particles
- liquid crystal
- monomer
- transparent electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13392—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers dispersed on the cell substrate, e.g. spherical particles, microfibres
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は耐液晶性、耐熱性、耐抑圧性にすぐれ、液晶表
示素子における液晶層の厚み？精度よく調整することが
できる変性架橋高分子微粒子からなる有機系スペーサで
透明電極基板間の間隙を規制してなる液晶表示素子に関
する。
示素子における液晶層の厚み？精度よく調整することが
できる変性架橋高分子微粒子からなる有機系スペーサで
透明電極基板間の間隙を規制してなる液晶表示素子に関
する。
従来の技術
液晶表示素子における液晶層の厚み、すなわち透明電極
基板間の間隙は該素子の光学特性に大きな影響を与える
ことから、間隙を精度よく調整する目的でスペーサ全介
在せしめている。その介在方式としては透明電極基板と
に配置する方式、液晶封入のだめのシール材中に添加す
る方式、これら両者を伴用する方式などが主なものであ
る。
基板間の間隙は該素子の光学特性に大きな影響を与える
ことから、間隙を精度よく調整する目的でスペーサ全介
在せしめている。その介在方式としては透明電極基板と
に配置する方式、液晶封入のだめのシール材中に添加す
る方式、これら両者を伴用する方式などが主なものであ
る。
かかるスペーサに要求される性能としては、液晶ないし
シール材で溶解ないし膨潤されない耐溶剤性金有するこ
と、シール材を硬化させる際の加熱処理温度（１００〜
２００℃が一般）に耐えうる耐熱性を有すること、基板
の抑圧処理に耐えうる強度を有することなどがあげられ
る。
シール材で溶解ないし膨潤されない耐溶剤性金有するこ
と、シール材を硬化させる際の加熱処理温度（１００〜
２００℃が一般）に耐えうる耐熱性を有すること、基板
の抑圧処理に耐えうる強度を有することなどがあげられ
る。
従来、有機物からなるスペーサ金片いたものとしては特
開昭５５−３８５６７号公報、同５７−７０５２２号公
報、同５７−８４４３２号公報、同５７−１８９１１７
号公報、同５７−２１０３２３号公報、実開昭５５−１
１６３１８号公報などにおけるものが提案されている。
開昭５５−３８５６７号公報、同５７−７０５２２号公
報、同５７−８４４３２号公報、同５７−１８９１１７
号公報、同５７−２１０３２３号公報、実開昭５５−１
１６３１８号公報などにおけるものが提案されている。
これら有機系スペーサは、それまでのガラスファイバ、
金属酸化物粉末などからなる無機系スペーサが有してい
た硬さ、非球状性等に基づく基板押圧時等における基板
ないしその透明電極の損傷、基板間の間隙を高精度に調
整することの困難性などの問題を克服することを目的と
するものである。
金属酸化物粉末などからなる無機系スペーサが有してい
た硬さ、非球状性等に基づく基板押圧時等における基板
ないしその透明電極の損傷、基板間の間隙を高精度に調
整することの困難性などの問題を克服することを目的と
するものである。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、従来の有機系スペーサにはその製造後に
分級処理して粒径の均一化をはからなければ満足できる
間隙精度を達成できないなどのスペーサを調製するまで
′に少時間、少労力を要するというスペーサ入手との問
題のほかに、耐液晶性ないし耐溶剤性、耐熱性、耐抑圧
性等の強度性の全てを満足しないという重大な問題があ
り、実用との観点よシ満足できるものでなかった。
分級処理して粒径の均一化をはからなければ満足できる
間隙精度を達成できないなどのスペーサを調製するまで
′に少時間、少労力を要するというスペーサ入手との問
題のほかに、耐液晶性ないし耐溶剤性、耐熱性、耐抑圧
性等の強度性の全てを満足しないという重大な問題があ
り、実用との観点よシ満足できるものでなかった。
問題点を解決するための手段
本発明者らは上記の問題を克服し、液晶表示素子におけ
る液晶層の厚みを精度よくかつ任意に調整できて、抑圧
による基板の損傷等の弊害のない、しかも耐液晶性、耐
熱性及び耐抑圧性の全てにすぐれる有機系スペーサを開
発するために鋭意研究を重ねた結果、架橋高分子微粒子
を架橋性及び非架橋性の単量体で変性してなる微粒子に
よりその目的を達成しうろことを見出し、本発明をなす
に至った、 すなわち、本発明は、透明電極及び配向膜を設けた透明
電極基板のあいだに液晶を封入してなシ、かつ、透明電
極基板間の間隙を、架橋高分子微粒子を非架橋性単量体
と架橋性単量体とを用いた重合処理で変性してなる球状
で耐溶剤性の均一粒径微粒子からなる有機系スペーサで
規制してなる液晶表示素子を提供するものである。
る液晶層の厚みを精度よくかつ任意に調整できて、抑圧
による基板の損傷等の弊害のない、しかも耐液晶性、耐
熱性及び耐抑圧性の全てにすぐれる有機系スペーサを開
発するために鋭意研究を重ねた結果、架橋高分子微粒子
を架橋性及び非架橋性の単量体で変性してなる微粒子に
よりその目的を達成しうろことを見出し、本発明をなす
に至った、 すなわち、本発明は、透明電極及び配向膜を設けた透明
電極基板のあいだに液晶を封入してなシ、かつ、透明電
極基板間の間隙を、架橋高分子微粒子を非架橋性単量体
と架橋性単量体とを用いた重合処理で変性してなる球状
で耐溶剤性の均一粒径微粒子からなる有機系スペーサで
規制してなる液晶表示素子を提供するものである。
作 用
と記の均一粒径微粒子からなる有機系スペーサを用いる
ことにより、液晶表示素子における透明電極基板間の間
隙が精度よく調整され、液晶の機能を害する該スペーサ
成分の溶出が長時間あるいは高温下においた場合にも防
止されて液晶の機能が維持される。また、素子作製時に
おける加熱あるいは押圧によって該スペーサが溶融ある
いは破壊されることがなく、該間隙の高精度な調整が達
成される。
ことにより、液晶表示素子における透明電極基板間の間
隙が精度よく調整され、液晶の機能を害する該スペーサ
成分の溶出が長時間あるいは高温下においた場合にも防
止されて液晶の機能が維持される。また、素子作製時に
おける加熱あるいは押圧によって該スペーサが溶融ある
いは破壊されることがなく、該間隙の高精度な調整が達
成される。
発明の構成要素の例示
本発明における有機系スペーサとしては、粒径が１〜１
０μｍで粒径分布の標準偏差が０．３μｍ以下の均一粒
径微粒子が間隙の高精度な調整の点より好ましく用いら
れる。
０μｍで粒径分布の標準偏差が０．３μｍ以下の均一粒
径微粒子が間隙の高精度な調整の点より好ましく用いら
れる。
このような粒径及び粒径分布を有する球状で耐溶剤性の
均一粒径微粒子を分級処理の要なく得る方法としては、
例えば下記の方法があげられる。
均一粒径微粒子を分級処理の要なく得る方法としては、
例えば下記の方法があげられる。
すなわち、架橋性単量体及び非架橋性単量体をこれらの
合計量で１００〜３０００重量部と、単量体で膨潤しえ
て粒径が０４〜５μｍ１粒径分布の標準偏差が０．２μ
ｍ以下の架橋高分子微粒子１００重量部とを分散状態で
含む混合液を調製し、ｍＪ記単景体を架橋高分子微粒子
中に吸収せしめるとともに重合開始剤の共存下に重合さ
せることによシ得ることができる。
合計量で１００〜３０００重量部と、単量体で膨潤しえ
て粒径が０４〜５μｍ１粒径分布の標準偏差が０．２μ
ｍ以下の架橋高分子微粒子１００重量部とを分散状態で
含む混合液を調製し、ｍＪ記単景体を架橋高分子微粒子
中に吸収せしめるとともに重合開始剤の共存下に重合さ
せることによシ得ることができる。
また、ここで用いられる架橋高分子微粒子は、非架橋性
単量体と架橋性単量体を乳化剤を含む分散媒あるいは含
まない分散媒に分散させ、分散媒に可溶性の重合開始剤
の共存下に通常の重合方式を適用して重合させることに
より容易に得ることができる。この場合、乳化剤を用い
ない無乳化重合方式が得られる重合体の粒径がより大き
い点で好ましい。また、通常の乳化重合方式で得たエマ
μジョンにおける重合体をシード粒子とし、これに分散
媒、架橋性単量体、非架橋性単量体、重合反応の安定化
に必要な量の乳化剤（表面張力が５５ ｄｙｎ・／ａｍ
以上となるようにすることが好ましい。）及び重合開始
剤を加えて重合するシード重合を１回又は必要に応じ２
回以上繰返し適用して初期のシード粒子としての重合体
よシ大きい粒子とする方式によっても得ることができる
。この方式で得た粒子は粒径分布がより均一であるので
本発明において好ましく用いうる。なお、その際非架橋
性単量体としてはその重合体のガラス転移点が８０℃以
上のものが、架橋性単量体としてはジビニルベンゼンな
どのエチレン性２ 重結合ｋ ２以上有するものが望ま
しく用いられる。
単量体と架橋性単量体を乳化剤を含む分散媒あるいは含
まない分散媒に分散させ、分散媒に可溶性の重合開始剤
の共存下に通常の重合方式を適用して重合させることに
より容易に得ることができる。この場合、乳化剤を用い
ない無乳化重合方式が得られる重合体の粒径がより大き
い点で好ましい。また、通常の乳化重合方式で得たエマ
μジョンにおける重合体をシード粒子とし、これに分散
媒、架橋性単量体、非架橋性単量体、重合反応の安定化
に必要な量の乳化剤（表面張力が５５ ｄｙｎ・／ａｍ
以上となるようにすることが好ましい。）及び重合開始
剤を加えて重合するシード重合を１回又は必要に応じ２
回以上繰返し適用して初期のシード粒子としての重合体
よシ大きい粒子とする方式によっても得ることができる
。この方式で得た粒子は粒径分布がより均一であるので
本発明において好ましく用いうる。なお、その際非架橋
性単量体としてはその重合体のガラス転移点が８０℃以
上のものが、架橋性単量体としてはジビニルベンゼンな
どのエチレン性２ 重結合ｋ ２以上有するものが望ま
しく用いられる。
使用する単量体で膨潤しうる架橋高分子微粒子は例えば
非架橋性単量゛体が９９〜９９．９５重量％、架橋性単
量体が１〜００５重景チとなるような使用割合で混合し
、乳化重合方式等の上記した方式で共重合させることに
より達成しうる。この使用割合で共重合せしめて得た架
橋高分子微粒子の、膨潤前に対する膨潤後の粒子の容積
化で定義される膨潤度は通常８〜１００であり、この程
度の膨潤度のものが本発明においては好適である。架橋
性単量体の使用割合が少なすぎると膨潤度の過大なもの
が得られることとなり、最終的に得られる均一粒径微粒
子の耐溶剤性が充分でないなど本発明の目的が達成され
にくい３゜一方、架橋性単量体の使用割合が過多である
と膨潤度の過小（架橋密度過多）なものが得られること
となって、その架橋高分子微粒子中に架橋重合体を設け
る際の重合処理において単量体が充分に該微粒子中に拡
散できず、微粒子中での重合が不充分となり、該微粒子
以外に新たな微子が生成することとなって好ましくない
。
非架橋性単量゛体が９９〜９９．９５重量％、架橋性単
量体が１〜００５重景チとなるような使用割合で混合し
、乳化重合方式等の上記した方式で共重合させることに
より達成しうる。この使用割合で共重合せしめて得た架
橋高分子微粒子の、膨潤前に対する膨潤後の粒子の容積
化で定義される膨潤度は通常８〜１００であり、この程
度の膨潤度のものが本発明においては好適である。架橋
性単量体の使用割合が少なすぎると膨潤度の過大なもの
が得られることとなり、最終的に得られる均一粒径微粒
子の耐溶剤性が充分でないなど本発明の目的が達成され
にくい３゜一方、架橋性単量体の使用割合が過多である
と膨潤度の過小（架橋密度過多）なものが得られること
となって、その架橋高分子微粒子中に架橋重合体を設け
る際の重合処理において単量体が充分に該微粒子中に拡
散できず、微粒子中での重合が不充分となり、該微粒子
以外に新たな微子が生成することとなって好ましくない
。
次に、得られた架橋高分子微粒子は、架橋性単量体と非
架橋性単量体とを分散状態で含む混合液の調製に供され
る。この混合液の調製は通常、架橋高分子微粒子の分散
液、殊に乳化重合液としての水分散液に架橋性単量体と
非架橋性単量体との混合物に重合開始剤を添加したもの
を加えることによシ行われる。もちろん、この調製方式
に限定するものでない。混合割合は、架橋高分子微粒子
１００重量部あたシ前記両単量体の合計量で１００〜３
０００重量部が適当である。その両車量体合計量の混合
割合が１００重量部未満であると得られる均一粒径微粒
子の耐溶剤性が不充分となシ、一方３０００重量部を超
えると架橋高分子微粒子中以外での重合が進行しやすく
なって好ましくない。他方、前記両車量体すなわち架橋
性単量体と非架橋性単量体との配合割合は、非架橋性単
量体１モルあたり架橋性単量体０．１〜１モル、好まし
くは０．２〜０．８モルが適当である。その架橋性単量
体の配合割合が０，１モル未満であると形成される架橋
重合体の架橋密度が過少となり、一方１モ／Ｉ／ヲ超え
ると架橋重合体の架橋密度が過多となり好ましくない。
架橋性単量体とを分散状態で含む混合液の調製に供され
る。この混合液の調製は通常、架橋高分子微粒子の分散
液、殊に乳化重合液としての水分散液に架橋性単量体と
非架橋性単量体との混合物に重合開始剤を添加したもの
を加えることによシ行われる。もちろん、この調製方式
に限定するものでない。混合割合は、架橋高分子微粒子
１００重量部あたシ前記両単量体の合計量で１００〜３
０００重量部が適当である。その両車量体合計量の混合
割合が１００重量部未満であると得られる均一粒径微粒
子の耐溶剤性が不充分となシ、一方３０００重量部を超
えると架橋高分子微粒子中以外での重合が進行しやすく
なって好ましくない。他方、前記両車量体すなわち架橋
性単量体と非架橋性単量体との配合割合は、非架橋性単
量体１モルあたり架橋性単量体０．１〜１モル、好まし
くは０．２〜０．８モルが適当である。その架橋性単量
体の配合割合が０，１モル未満であると形成される架橋
重合体の架橋密度が過少となり、一方１モ／Ｉ／ヲ超え
ると架橋重合体の架橋密度が過多となり好ましくない。
用いうる両車量体としては上記した架橋高分子微粒子に
おける単量体と同様のものをあげることができる。その
際、水に溶解しやすい架橋性単量体を用いると架橋高分
子微粒子中に有効にその単量体が浸入せず、該微粒子以
外に新たな粒子が生じる場合が多くなるのでジビニルベ
ンゼンのような水に難溶性のものが水分散系の場合好ま
しく用いうる。また、同じ地山で非架橋性単量体として
は同様の分散系において水に難溶性のものが好ましく用
いうる。したがって、好ましい組合せは、スチレン系単
量体とジビニルベンゼンからなる架橋高分子微粒子と架
橋重合体とで例示できるような水に難溶性のものの組合
せである。
おける単量体と同様のものをあげることができる。その
際、水に溶解しやすい架橋性単量体を用いると架橋高分
子微粒子中に有効にその単量体が浸入せず、該微粒子以
外に新たな粒子が生じる場合が多くなるのでジビニルベ
ンゼンのような水に難溶性のものが水分散系の場合好ま
しく用いうる。また、同じ地山で非架橋性単量体として
は同様の分散系において水に難溶性のものが好ましく用
いうる。したがって、好ましい組合せは、スチレン系単
量体とジビニルベンゼンからなる架橋高分子微粒子と架
橋重合体とで例示できるような水に難溶性のものの組合
せである。
この場合、架橋重合体を形成させる際の配合割合として
はスチレン系単量体５０〜９０重量％、ジビニルベンゼ
ン５０〜ｌＯ重ｉ％が適当である。
はスチレン系単量体５０〜９０重量％、ジビニルベンゼ
ン５０〜ｌＯ重ｉ％が適当である。
重合による変性処理は、架橋高分子微粒子中に自ｉＩ記
単量体を吸収せしめた状態で重合開始剤の共存下に行わ
れる。その吸収は、例えば架橋高分子微粒子の分散液に
前記単量体の混合物を加えて攪拌することにより行わし
めることができる。その際、該単量体の吸収速度を上げ
るために加熱してもよいし、アセトンやエタノールなど
の水溶性溶剤（水分散系の場合）を加えてもよい。また
、単量体をあらかじめ乳化して加える手段などによって
もよい。なお、溶剤を用いる方式においては、その溶剤
を重合開始前に除去しておくことが好ましい。
単量体を吸収せしめた状態で重合開始剤の共存下に行わ
れる。その吸収は、例えば架橋高分子微粒子の分散液に
前記単量体の混合物を加えて攪拌することにより行わし
めることができる。その際、該単量体の吸収速度を上げ
るために加熱してもよいし、アセトンやエタノールなど
の水溶性溶剤（水分散系の場合）を加えてもよい。また
、単量体をあらかじめ乳化して加える手段などによって
もよい。なお、溶剤を用いる方式においては、その溶剤
を重合開始前に除去しておくことが好ましい。
他方、重合開始剤としては水分散系による場合、通常の
油溶性のラジカル系開始剤が好ましく用いられる。水溶
性のものであるとシード粒子以外に新たな粒子が生成す
るときがあって不都合を生じる場合がある。なお、油溶
性の重合開始剤は単量体に０．１−３重量％溶解せしめ
て用いることが架橋高分子微粒子中での重合を円滑に行
わしめるうえで望ましい。
油溶性のラジカル系開始剤が好ましく用いられる。水溶
性のものであるとシード粒子以外に新たな粒子が生成す
るときがあって不都合を生じる場合がある。なお、油溶
性の重合開始剤は単量体に０．１−３重量％溶解せしめ
て用いることが架橋高分子微粒子中での重合を円滑に行
わしめるうえで望ましい。
重合に際しては、乳化剤、重合安定剤を用いて粒子を安
定化せしめることが望ましく、その使用量は架橋高分子
微粒子以外に新たな粒子が生成しないような量とするこ
とが適当である。
定化せしめることが望ましく、その使用量は架橋高分子
微粒子以外に新たな粒子が生成しないような量とするこ
とが適当である。
と記のようにして重合反応を行わしめるととにより、単
量体で架橋高分子微粒子が変性されてなる、架橋高分子
微粒子中により架橋密度の高い架橋重合体金有する構造
の、粒径が１ ＝ Ｉ Ｏｉｌｍ 、粒径分布の標準偏
差が０．３μｍ以下で真球状性にすぐれて耐溶剤性の均
一粒径微粒子が得られる。
量体で架橋高分子微粒子が変性されてなる、架橋高分子
微粒子中により架橋密度の高い架橋重合体金有する構造
の、粒径が１ ＝ Ｉ Ｏｉｌｍ 、粒径分布の標準偏
差が０．３μｍ以下で真球状性にすぐれて耐溶剤性の均
一粒径微粒子が得られる。
このようにして得られた均一粒径微粒子は、粒径の均一
性にすぐれて分級処理する必要がなく、得られた水分散
液のま壕、もしくは他の有機溶剤を用いた分散液として
、又は乾燥粉末物としてそのまま実用途に供することが
できる。
性にすぐれて分級処理する必要がなく、得られた水分散
液のま壕、もしくは他の有機溶剤を用いた分散液として
、又は乾燥粉末物としてそのまま実用途に供することが
できる。
本発明の液晶表示素子は、上記した有様系スペーサで透
明電極基板間の間隙を規制したものである。
明電極基板間の間隙を規制したものである。
液晶表示素子の作製方式としては、例えば第１１２図の
ように有機系スペーサｌの粉末をシール材２中に分散さ
せ、これを透明電極４及び配向膜５全ガラス板、デヲス
チックフィルムないし偏光板などからなる基材６の上に
設けてなる透明電極基板３上にスクリーン印刷方式等に
より付設し、これに他の透明電極基板３を重ね合せて抑
圧（一般には約１ｋｇ／ＣＩ！程度の圧力）し、加熱し
てシール材を硬化させたのち液晶７を注入して作製する
方式、あるいは第３．４図のように有機系スペーサ１の
分散液をスピンコード方式等で塗布したのち分散媒を乾
燥させるか、有機系スペーサｌのエアロゾ／＋７′ｆ：
、用いるかなどして透明電極基板３上のほぼ全体に有機
系スペーサ１を展開させたのち、前記と同様にシール材
２の付設処理、他の基板の重ね合せ・加熱処理、液晶７
の注入処理を施して作製する方式などをあげることがで
きる。後者の基板のほぼ全体に有機系スペーサ？付設す
る方式は、大型のものでも殊にその中央部の間隙精度の
向と？はかることができるので大型パネルなどに有利に
適用できる。
ように有機系スペーサｌの粉末をシール材２中に分散さ
せ、これを透明電極４及び配向膜５全ガラス板、デヲス
チックフィルムないし偏光板などからなる基材６の上に
設けてなる透明電極基板３上にスクリーン印刷方式等に
より付設し、これに他の透明電極基板３を重ね合せて抑
圧（一般には約１ｋｇ／ＣＩ！程度の圧力）し、加熱し
てシール材を硬化させたのち液晶７を注入して作製する
方式、あるいは第３．４図のように有機系スペーサ１の
分散液をスピンコード方式等で塗布したのち分散媒を乾
燥させるか、有機系スペーサｌのエアロゾ／＋７′ｆ：
、用いるかなどして透明電極基板３上のほぼ全体に有機
系スペーサ１を展開させたのち、前記と同様にシール材
２の付設処理、他の基板の重ね合せ・加熱処理、液晶７
の注入処理を施して作製する方式などをあげることがで
きる。後者の基板のほぼ全体に有機系スペーサ？付設す
る方式は、大型のものでも殊にその中央部の間隙精度の
向と？はかることができるので大型パネルなどに有利に
適用できる。
発明の効果
本発明によれば、非架橋性単量体と架橋性単量体とを用
いた重合処理で変性された架橋高分子微粒子の均一粒径
微粒子からなる球状で耐溶剤性の有機系７ベーサを用い
たので、透明電極基板間の間隙精度にすぐれた液晶表示
素子とすることができる。その結果、視角特性、応答特
性等の性能にすぐれた素子とすることができる。
いた重合処理で変性された架橋高分子微粒子の均一粒径
微粒子からなる球状で耐溶剤性の有機系７ベーサを用い
たので、透明電極基板間の間隙精度にすぐれた液晶表示
素子とすることができる。その結果、視角特性、応答特
性等の性能にすぐれた素子とすることができる。
しかも、素子作製時における加熱、抑圧によって該スペ
ーサが溶融、破壊されることが実質的にないので基板間
隙の高精度な調整が容易に達成され、高精度の間隙を有
する液晶表示素子分歩留シよく、かつ、すぐれた信頼性
の下に得ることができる。
ーサが溶融、破壊されることが実質的にないので基板間
隙の高精度な調整が容易に達成され、高精度の間隙を有
する液晶表示素子分歩留シよく、かつ、すぐれた信頼性
の下に得ることができる。
加えて、該スペーサは耐液晶性等にすぐれ素子下での安
定性にすぐれているので、機能の維持性にすぐれる液晶
表示素子とすることができる。
定性にすぐれているので、機能の維持性にすぐれる液晶
表示素子とすることができる。
実施例
参考例１
ラウリル硫酸す） ＩＪウムｏ６部（重量部、以下同様
）を溶解させたイオン交換水７０部にジビニルベンゼン
全０２５チ（重量％、以ｒ同様）溶解させたスチレン３
０部を分散させたのち、これを攪拌しながら窒素気流下
で７０℃に昇温させ、ついで過硫酸カリウム０．０３部
を溶解させたイオン交換水５部を加え、７０℃に８時間
保持して重合体粒子の分散液を得た。この重合体粒子の
粒径は０、０４３μｍ１粒径分布の標準偏差は０．０１
μｍであった。
）を溶解させたイオン交換水７０部にジビニルベンゼン
全０２５チ（重量％、以ｒ同様）溶解させたスチレン３
０部を分散させたのち、これを攪拌しながら窒素気流下
で７０℃に昇温させ、ついで過硫酸カリウム０．０３部
を溶解させたイオン交換水５部を加え、７０℃に８時間
保持して重合体粒子の分散液を得た。この重合体粒子の
粒径は０、０４３μｍ１粒径分布の標準偏差は０．０１
μｍであった。
次に、得られた重合体粒子の分散Ｍ２Ｏ部とイオン交換
水６５部を混合して７０℃にケト濡したのち、ジビニル
ベンゼン’ｔｏ、２５％溶解させたスチレン３０部を加
えて１時間攪拌し、つｂで過硫酸カリウム０，０３部を
溶解させたイオン交換水５部を加えて７０℃に８時間保
持し、粒径がＯ，Ｉ ＋４９μｍ、その粒径分布の標準
偏差が０．０１２７部ｍの重合体粒子の水分散液を得た
。さらに、得られた分散液を用いて表に示Ｌ７た組成で
ンード■合をイテない重合体粒子の水分散液を得た。
水６５部を混合して７０℃にケト濡したのち、ジビニル
ベンゼン’ｔｏ、２５％溶解させたスチレン３０部を加
えて１時間攪拌し、つｂで過硫酸カリウム０，０３部を
溶解させたイオン交換水５部を加えて７０℃に８時間保
持し、粒径がＯ，Ｉ ＋４９μｍ、その粒径分布の標準
偏差が０．０１２７部ｍの重合体粒子の水分散液を得た
。さらに、得られた分散液を用いて表に示Ｌ７た組成で
ンード■合をイテない重合体粒子の水分散液を得た。
このようにして、本発明で用いられる、ゆるく架橋さｉ
ｔた粒径分布が良好なる架橋高分子微粒子の分散液Ｂ、
Ｃ＝ｉ得た。なお、ここで得られた分散液Ｃにおける微
粒子のスチレンモノマーに対スる膨潤度を４（１１定す
ると、１５であった。
ｔた粒径分布が良好なる架橋高分子微粒子の分散液Ｂ、
Ｃ＝ｉ得た。なお、ここで得られた分散液Ｃにおける微
粒子のスチレンモノマーに対スる膨潤度を４（１１定す
ると、１５であった。
次に、表のＣの分散液１ｏ部にイオン交換水１２０部と
ポリビニルアルコール（クラレボバー＃４２０、／７−
ン化度８８％、クラレ社製）１０％水溶液５部を加えて
均一に攪拌した後、スチレン７５チとジビニルベンゼン
２５９＆からなる単量体６０部に過酸化ベンシイ／Ｌ’
０．６部全溶解させたものを加え、攪拌しながら窒素気
流下６０℃で４時間、８０℃で５時間重合させ、均一粒
径微粒子の分散液を得た。
ポリビニルアルコール（クラレボバー＃４２０、／７−
ン化度８８％、クラレ社製）１０％水溶液５部を加えて
均一に攪拌した後、スチレン７５チとジビニルベンゼン
２５９＆からなる単量体６０部に過酸化ベンシイ／Ｌ’
０．６部全溶解させたものを加え、攪拌しながら窒素気
流下６０℃で４時間、８０℃で５時間重合させ、均一粒
径微粒子の分散液を得た。
この微粒子の粒径は４．５０μｍ、粒径分布の標準偏差
は０，１５μｍであった。
は０，１５μｍであった。
参考例２
前記の表のＢの分散液１０部にイオン交換水１２０部と
ポリビニルアルコ−Ａ／（クラレボバー／１／２２４、
ケン化度８８％、クラレ社製）１０チ水溶液５部を加え
て均一に攪拌した後、スチレン７５チとジビニルベンゼ
ン２５チからなる単量体６０部に過酸化ベンシイ／Ｌ１
０．６部全溶解させたものを加え、攪拌しながら窒素気
流下６０℃で４時間、８０℃で５時間重合させ、均一粒
径微粒子の分散液を得た。この微粒子の粒径は１．９２
ｐｍ、粒径分布の標準偏差は０．１２１１ｍであった
。
ポリビニルアルコ−Ａ／（クラレボバー／１／２２４、
ケン化度８８％、クラレ社製）１０チ水溶液５部を加え
て均一に攪拌した後、スチレン７５チとジビニルベンゼ
ン２５チからなる単量体６０部に過酸化ベンシイ／Ｌ１
０．６部全溶解させたものを加え、攪拌しながら窒素気
流下６０℃で４時間、８０℃で５時間重合させ、均一粒
径微粒子の分散液を得た。この微粒子の粒径は１．９２
ｐｍ、粒径分布の標準偏差は０．１２１１ｍであった
。
実施例１
参考例１で得た微粒子をスプレードライ方式で乾燥させ
て粉末とし、これ全エポキシ系接着剤（ＳＥ−４５００
エポキシレジン、吉川化工社製）からなるシール材に０
，１重量φ加えて充分に混合後、透明電極及びｉｍｌ向
膜のラビング処理物を設けた透明電極基板上にスクリー
ン印刷し、これに他の透明電極基板を重ね合せて真空下
にＩｋｑ／ａ＋！の圧力で圧着したのち、１２０℃で１
時間加熱処理してシール材を硬化させ、液晶を注入して
第１．２図の仕様の液晶表示素子金得た。
て粉末とし、これ全エポキシ系接着剤（ＳＥ−４５００
エポキシレジン、吉川化工社製）からなるシール材に０
，１重量φ加えて充分に混合後、透明電極及びｉｍｌ向
膜のラビング処理物を設けた透明電極基板上にスクリー
ン印刷し、これに他の透明電極基板を重ね合せて真空下
にＩｋｑ／ａ＋！の圧力で圧着したのち、１２０℃で１
時間加熱処理してシール材を硬化させ、液晶を注入して
第１．２図の仕様の液晶表示素子金得た。
この素子における透明電極基板間の間隙ないしその精度
は、４５±Ｏ２μｍとすぐれて均一なものであった。
は、４５±Ｏ２μｍとすぐれて均一なものであった。
なお、透明電極基板における基材としては厚さ１００μ
ｍの透明な一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィル
ムを用イタ。
ｍの透明な一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィル
ムを用イタ。
実施例２
参考例２で得た微粒子をスプレードライ方式で乾燥させ
て粉末とし、これをエチルアルコール中に超音波にて分
散させ、得られた分散液をスピンコード方式で実施例１
と同じ透明電極基板との全一 １７一 体に散布したのちエチルアμコーｆｉ／ｆ揮散させた。
て粉末とし、これをエチルアルコール中に超音波にて分
散させ、得られた分散液をスピンコード方式で実施例１
と同じ透明電極基板との全一 １７一 体に散布したのちエチルアμコーｆｉ／ｆ揮散させた。
得られた基板における微粒子数は、ｌｃｄあたりｉｏｏ
ｍ程度であった。次いでさらに、得られた基板とに同じ
粉末を０，１重量％含むシール材（前記と同じ）乞スク
リーン印刷し、これに他の透明電極基板を重ね合せたの
ち実施例１と同様に処理して第３．４図の仕様の液晶表
示素子を得た。
ｍ程度であった。次いでさらに、得られた基板とに同じ
粉末を０，１重量％含むシール材（前記と同じ）乞スク
リーン印刷し、これに他の透明電極基板を重ね合せたの
ち実施例１と同様に処理して第３．４図の仕様の液晶表
示素子を得た。
この素子における透明電極基板間の間隙ないしその精度
は、１．９２±Ｏ」μｍとすぐれて均一なものであった
。
は、１．９２±Ｏ」μｍとすぐれて均一なものであった
。
なお、上記実施例２の基板面五と基板接着部とに該粉末
を用いた素子は、基板面積の大きいものの場合に特に有
効である。
を用いた素子は、基板面積の大きいものの場合に特に有
効である。
第１図は有機系スペーサ含有シール材を付設した透明電
極基板（概略）の斜視図、第２図はその基板を用いた液
晶表示素子の側面断面図、第３図は有機系スペーサを全
面に分散付設した透明電極基板（概略）の斜視図、第４
図はその基板を用いた液晶表示素子の側面断面図である
。 ｌ：有機系スペーサ ２：シール材 ３：透明電極基板 ４：透明電極 ５：配向膜 ６：基材 ７：液晶
極基板（概略）の斜視図、第２図はその基板を用いた液
晶表示素子の側面断面図、第３図は有機系スペーサを全
面に分散付設した透明電極基板（概略）の斜視図、第４
図はその基板を用いた液晶表示素子の側面断面図である
。 ｌ：有機系スペーサ ２：シール材 ３：透明電極基板 ４：透明電極 ５：配向膜 ６：基材 ７：液晶
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明電極及び配向膜を設けた透明電極基板のあいだ
に液晶を封入してなり、かつ、透明電極基板間の間隙を
有機系スペーサで規制してなる液晶表示素子において、 有機系スペーサが架橋高分子微粒子を非架橋性単量体と
架橋性単量体とを用いた重合処理で変性してなる球状で
耐溶融性の均一粒径微粒子からなることを特徴とする液
晶表示素子。 ２、均一粒径微粒子が粒径１〜１０μｍで粒径分布の標
準偏差が０．３μｍ以下のものである特許請求の範囲第
１項記載の素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22724485A JPS6286331A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22724485A JPS6286331A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286331A true JPS6286331A (ja) | 1987-04-20 |
Family
ID=16857775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22724485A Pending JPS6286331A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286331A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6478227A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Ricoh Kk | Liquid crystal display element |
| JPH04313727A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-11-05 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US5379139A (en) * | 1986-08-20 | 1995-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography |
| US5952676A (en) * | 1986-08-20 | 1999-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography |
| US6862057B2 (en) | 2001-02-14 | 2005-03-01 | Nec Corporation | Active-matrix addressed reflective LCD and method of fabricating the same |
| US6984098B2 (en) | 2001-03-28 | 2006-01-10 | Showa Denko K.K. | Stacker for plate members, method for stacking plate members, and stacked plate members |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP22724485A patent/JPS6286331A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5379139A (en) * | 1986-08-20 | 1995-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography |
| US5952676A (en) * | 1986-08-20 | 1999-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography |
| US6493057B1 (en) | 1986-08-20 | 2002-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography |
| US6853431B2 (en) | 1986-08-20 | 2005-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography |
| US5963288A (en) * | 1987-08-20 | 1999-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device having sealant and spacers made from the same material |
| JPS6478227A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Ricoh Kk | Liquid crystal display element |
| JPH04313727A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-11-05 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US6862057B2 (en) | 2001-02-14 | 2005-03-01 | Nec Corporation | Active-matrix addressed reflective LCD and method of fabricating the same |
| US6984098B2 (en) | 2001-03-28 | 2006-01-10 | Showa Denko K.K. | Stacker for plate members, method for stacking plate members, and stacked plate members |
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