JPS6288216A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
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- JPS6288216A JPS6288216A JP60230580A JP23058085A JPS6288216A JP S6288216 A JPS6288216 A JP S6288216A JP 60230580 A JP60230580 A JP 60230580A JP 23058085 A JP23058085 A JP 23058085A JP S6288216 A JPS6288216 A JP S6288216A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 18
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 52
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 14
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 9
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001361 White metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010969 white metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、透明導電膜の製造方法に関する。
さらに詳細には、ガラス、高分子材料等で形成された光
透過性基板上に、透明導電膜を形成する方法に関する。
透過性基板上に、透明導電膜を形成する方法に関する。
〈従来の技術〉
従来、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイ、エレクトロタ１コミツクデイスプレイ等の
表示素子、或いは太陽電池等の光電変換素子の感電極材
料として、透明導電膜が利用されている。
ィスプレイ、エレクトロタ１コミツクデイスプレイ等の
表示素子、或いは太陽電池等の光電変換素子の感電極材
料として、透明導電膜が利用されている。
この透明導電膜としては、光透過性基板上に、金、銀、
白金、パラジウム等の貴金属ＦｆＪ ＩＩＱを形成した
ものと、酸化インジウム、酸化第二スズ、酸化インジウ
ム・スズ（ＩＴＯ）、酸化カドミウム・スズ（ＣＴＯ）
等の酸化物半導体薄膜を形成したものが挙げられる。
白金、パラジウム等の貴金属ＦｆＪ ＩＩＱを形成した
ものと、酸化インジウム、酸化第二スズ、酸化インジウ
ム・スズ（ＩＴＯ）、酸化カドミウム・スズ（ＣＴＯ）
等の酸化物半導体薄膜を形成したものが挙げられる。
このうち、貴金属薄膜による透明導電膜は、光透過性が
やや劣るものの、面抵抗が１０００／口（Ω／口は単位
平方センナメートル当たりの面抵抗を意味する）以下の
ものが容易に得られ、また電磁シールド効果も有する等
の優れた特性を有する。これに対して、酸化物半導体薄
膜にＪ：る透明導電膜は、白金属薄膜より面抵抗は劣る
が〈通常１００Ω／口以上）、光透過性は８５〜９０％
と優れた特性を有する。一般的には、要求特性に応じて
適宜材料が選定されており、現在最ム広く利用されてい
るのは、後者の酸化物半導体薄膜によるものである。
やや劣るものの、面抵抗が１０００／口（Ω／口は単位
平方センナメートル当たりの面抵抗を意味する）以下の
ものが容易に得られ、また電磁シールド効果も有する等
の優れた特性を有する。これに対して、酸化物半導体薄
膜にＪ：る透明導電膜は、白金属薄膜より面抵抗は劣る
が〈通常１００Ω／口以上）、光透過性は８５〜９０％
と優れた特性を有する。一般的には、要求特性に応じて
適宜材料が選定されており、現在最ム広く利用されてい
るのは、後者の酸化物半導体薄膜によるものである。
これらの酸化物半導体薄膜を導電層としたものは、前述
のように面抵抗がやや高いので、面抵抗を下げる目的で
、例えば、酸化インジウムには酸化第二スズを、酸化第
二スズには酸化カドミウムをそれぞれドーピングする方
法が行なわれている。
のように面抵抗がやや高いので、面抵抗を下げる目的で
、例えば、酸化インジウムには酸化第二スズを、酸化第
二スズには酸化カドミウムをそれぞれドーピングする方
法が行なわれている。
また、これら異種酸化物半導体をドーピングする方法以
外に、酸化インジウム、酸化第二スズ等の酸化物半導体
膜中にフッ素をドーピングする方法も行なわれている。
外に、酸化インジウム、酸化第二スズ等の酸化物半導体
膜中にフッ素をドーピングする方法も行なわれている。
このうち、低面抵抗の膜が比較的容易に得られるという
理由から酸化インジウム系の材料が一般的に用いられて
いる。
理由から酸化インジウム系の材料が一般的に用いられて
いる。
上記酸化インジウム等の酸化物半導体膜にフッ素をドー
ピングする方法については、物理気相蒸着法または化学
気相蒸着法が用いられ、例えば、物理気相蒸着法である
イオンブレーティング法で行なう場合、四フッ化炭素〈
ＣＦ４）等の含フツ素系炭化水素ガスを含有する混合ガ
ス雰囲気下にプラズマを発生させて蒸着を行うのが一般
的である。
ピングする方法については、物理気相蒸着法または化学
気相蒸着法が用いられ、例えば、物理気相蒸着法である
イオンブレーティング法で行なう場合、四フッ化炭素〈
ＣＦ４）等の含フツ素系炭化水素ガスを含有する混合ガ
ス雰囲気下にプラズマを発生させて蒸着を行うのが一般
的である。
〈発明が解決しＪ：うとする問題点〉
上記した透明導電膜の製造方法によれば、ドーパントで
あるフッ素の膜内濃度および分布を制御する必要性から
、混合ガス中の含フツ素系炭化水素ガスの混合比および
分圧を逐次制御しながら膜形成を行なう必要があり、工
業的に実施する際の問題点となっている。また、含フツ
素系炭化水素ガスは、コスト的にやや高価である点も問
題とされている。
あるフッ素の膜内濃度および分布を制御する必要性から
、混合ガス中の含フツ素系炭化水素ガスの混合比および
分圧を逐次制御しながら膜形成を行なう必要があり、工
業的に実施する際の問題点となっている。また、含フツ
素系炭化水素ガスは、コスト的にやや高価である点も問
題とされている。
く目的〉
この発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、低
面抵抗の透明導電膜を容易かつロス１〜安価に製造でき
る方法を提供することを目的とする。
面抵抗の透明導電膜を容易かつロス１〜安価に製造でき
る方法を提供することを目的とする。
〈問題点を解決するための手段および作用〉上記目的を
達成するためのこの発明の透明導電膜の製造方法として
は、光透過性基板上に、フッ化アルミニウムがドーピン
グされたインジウムの低級酸化物膜を形成し、この低級
酸化物膜を酸化させて、フッ化アルミニウムがドーピン
グされた酸化インジウム膜を形成することを特徴として
いる。
達成するためのこの発明の透明導電膜の製造方法として
は、光透過性基板上に、フッ化アルミニウムがドーピン
グされたインジウムの低級酸化物膜を形成し、この低級
酸化物膜を酸化させて、フッ化アルミニウムがドーピン
グされた酸化インジウム膜を形成することを特徴として
いる。
即ち、この発明は、フッ化アルミニウムがドーピングさ
れた酸化インジウム膜を形成した場合、酸化インジウム
単独の膜では達成できなかった光透過性と面抵抗の両面
において優れた特性を発揮する透明導電膜を得ることが
できることを見い出し、かかる知見に基いてなされたも
のである。
れた酸化インジウム膜を形成した場合、酸化インジウム
単独の膜では達成できなかった光透過性と面抵抗の両面
において優れた特性を発揮する透明導電膜を得ることが
できることを見い出し、かかる知見に基いてなされたも
のである。
具体的には、ガラスまたはプラスチックフィルム等の高
分子材料による成形体上に、物理気相蒸着法等の［Ｊ形
成法により、フッ化アルミニウムがドーピングされたイ
ンジウムの低級酸化物膜を形成し、この低級酸化物膜を
酸化して、フッ化アルミニウムがドーピングされた酸化
インジウム膜を形成するものである。上記低級酸化物膜
の形成方法としての物理気相蒸着法については、例えば
真空蒸着法を採用することができる。
分子材料による成形体上に、物理気相蒸着法等の［Ｊ形
成法により、フッ化アルミニウムがドーピングされたイ
ンジウムの低級酸化物膜を形成し、この低級酸化物膜を
酸化して、フッ化アルミニウムがドーピングされた酸化
インジウム膜を形成するものである。上記低級酸化物膜
の形成方法としての物理気相蒸着法については、例えば
真空蒸着法を採用することができる。
なお、フッ化アルミニウムのドーピング量としては、特
に限定を要しないが、酸化インジウムに対して１〜２０
．ｌｆｆ１％の範囲が特に望ましい。
に限定を要しないが、酸化インジウムに対して１〜２０
．ｌｆｆ１％の範囲が特に望ましい。
また、フッ化アルミニウムをドーピングしたインジウム
の低級酸化物膜の酸化方法としては、空気中での熱酸化
、酸素プラズマ中での酸化処理、オゾン酸化等を挙げる
ことができる。
の低級酸化物膜の酸化方法としては、空気中での熱酸化
、酸素プラズマ中での酸化処理、オゾン酸化等を挙げる
ことができる。
このように、フッ化アルミニウムをドーピングした酸化
インジウム膜により透明Ｓ電膜を形成する場合には、フ
ッ素源としてコストの高い含フツ素系炭化水素を用いる
必要がないので、コスト的に有利であるとともに、雰囲
気ガスの微妙なコントロールを要することなく容易に透
明ＩＪ導電膜形成することができる。
インジウム膜により透明Ｓ電膜を形成する場合には、フ
ッ素源としてコストの高い含フツ素系炭化水素を用いる
必要がないので、コスト的に有利であるとともに、雰囲
気ガスの微妙なコントロールを要することなく容易に透
明ＩＪ導電膜形成することができる。
〈実施例１〉
真空蒸着法により、室温のガラス基板上に、酸化インジ
ウムとフッ化アルミニウムとの混合物をベレット状に成
形したものを蒸発原料として、厚み６００Ａのフッ化ア
ルミニウムがドーピングされたインジウムの低級酸化物
膜を形成した。ただし、 ■ ガラス基板は、厚み０．５ｍｍ、可視光透過度９２
％ ■ 酸素分圧３ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ （到達真空度
２×１０ ’Ｔｏｒｒ） ■ 酸化インジウム／フッ化アルミニウム＝９０／１０
（重量比） ■ 加熱温度１５００℃ 上記により得られた低級酸化物膜は、面抵抗が２×１０
７０／口、可視光透過度が３３％であった。
ウムとフッ化アルミニウムとの混合物をベレット状に成
形したものを蒸発原料として、厚み６００Ａのフッ化ア
ルミニウムがドーピングされたインジウムの低級酸化物
膜を形成した。ただし、 ■ ガラス基板は、厚み０．５ｍｍ、可視光透過度９２
％ ■ 酸素分圧３ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ （到達真空度
２×１０ ’Ｔｏｒｒ） ■ 酸化インジウム／フッ化アルミニウム＝９０／１０
（重量比） ■ 加熱温度１５００℃ 上記により得られた低級酸化物膜は、面抵抗が２×１０
７０／口、可視光透過度が３３％であった。
次に、上記の低級酸化物膜を空気中２５０℃で６０分間
熱酸化し、フッ化アルミニウムがドーピングされた酸化
インジウム膜を得た。この透明導電膜の面抵抗は、５６
０Ω／口、可視光透過度は、８６％であった。
熱酸化し、フッ化アルミニウムがドーピングされた酸化
インジウム膜を得た。この透明導電膜の面抵抗は、５６
０Ω／口、可視光透過度は、８６％であった。
〈実施例２〉
クラスターイオンビーム蒸着法により、空温のガラス基
板上に、酸化インジウムとフッ化アルミニウムとの混合
物をベレット状に成形したものをルツボ（ノズル数４）
内に供給して、厚み８００Ａのフッ化アルミニウムがド
ーピングされたインジウムの低級酸化物膜を形成した。
板上に、酸化インジウムとフッ化アルミニウムとの混合
物をベレット状に成形したものをルツボ（ノズル数４）
内に供給して、厚み８００Ａのフッ化アルミニウムがド
ーピングされたインジウムの低級酸化物膜を形成した。
ただし、■ ガラス基板は、厚み０．５ｍ＋ｎ、可視光
透過度９２％ ■ 酸素分圧５．Ｘ１０’■ｏｒｒ （到達真空度７×
１０ ’Ｔｏｒｒ） ■ 酸化インジウム／フッ化アルミニウム＝８５／１５
（重量比） ■ 加熱温度１６００℃ ■ イオン化電流ＯｍＡ ■ イオン加速電圧ＯＫＶ 上記により得られた低級酸化物膜は、面抵抗が６×１０
６Ω／口、可視光透過度が２７％であった。
透過度９２％ ■ 酸素分圧５．Ｘ１０’■ｏｒｒ （到達真空度７×
１０ ’Ｔｏｒｒ） ■ 酸化インジウム／フッ化アルミニウム＝８５／１５
（重量比） ■ 加熱温度１６００℃ ■ イオン化電流ＯｍＡ ■ イオン加速電圧ＯＫＶ 上記により得られた低級酸化物膜は、面抵抗が６×１０
６Ω／口、可視光透過度が２７％であった。
次に、上記の低級酸化物膜を空気中３００℃で３０分間
熱酸化し、フッ化アルミニウムがドーピングされた酸化
インジウム膜を得た。この透明導電膜の面抵抗は、３６
０Ω／口、可視光透過度は、８５％であった。
熱酸化し、フッ化アルミニウムがドーピングされた酸化
インジウム膜を得た。この透明導電膜の面抵抗は、３６
０Ω／口、可視光透過度は、８５％であった。
〈実施例３〉
クラスターイオンビーム蒸着法により、空温のポリエス
テルフィルム基板上に、酸化インジウムとフッ化アルミ
ニウムとの混合物をベレット状に成形したものをルツボ
（ノズル数４）内に供給して、厚み４００Ａのフッ化ア
ルミニウムがドーピングされたインジウムの低級酸化物
膜を形成した。
テルフィルム基板上に、酸化インジウムとフッ化アルミ
ニウムとの混合物をベレット状に成形したものをルツボ
（ノズル数４）内に供給して、厚み４００Ａのフッ化ア
ルミニウムがドーピングされたインジウムの低級酸化物
膜を形成した。
ただし、
■ ポリエステルフィルム基板は、厚み１００声、可視
光透過度９０％ ■ 酸素分圧５ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ （到達真空度
６×１０−７Ｔｏｒｒ） ■ 酸化インジウム／フッ化アルミニウム＝９０／１０
＜１１量比） ■ 加熱温度１６００℃ ■ イオン化電流５０ｍＡ ■ イオン加速電圧ＩＫＶ 上記により得られた低級酸化物膜は、面抵抗が８×１０
７Ω／口、可視光透過度が４０％であった。
光透過度９０％ ■ 酸素分圧５ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ （到達真空度
６×１０−７Ｔｏｒｒ） ■ 酸化インジウム／フッ化アルミニウム＝９０／１０
＜１１量比） ■ 加熱温度１６００℃ ■ イオン化電流５０ｍＡ ■ イオン加速電圧ＩＫＶ 上記により得られた低級酸化物膜は、面抵抗が８×１０
７Ω／口、可視光透過度が４０％であった。
次に、上記の低級酸化物膜を空気中２００℃で６０分間
熱酸化し、フッ化アルミニウムがドーピングされた酸化
インジウム膜を得た。この透明導電膜の面抵抗は、７２
０Ω／口、可視光透過度は、８７％であった。
熱酸化し、フッ化アルミニウムがドーピングされた酸化
インジウム膜を得た。この透明導電膜の面抵抗は、７２
０Ω／口、可視光透過度は、８７％であった。
〈比較例〉
実施例１と同一の条件により、フッ化アルミニウムをド
ーピングしないで、インジウム単独の低級酸化物膜を形
成したところ、面抵抗が、７×１０７Ω／口、可視光透
過度が３０％の膜が得られた。
ーピングしないで、インジウム単独の低級酸化物膜を形
成したところ、面抵抗が、７×１０７Ω／口、可視光透
過度が３０％の膜が得られた。
次に、上記の低級酸化物膜を、実施例１と同様、空気中
２５０℃で３０分間、Ｉｌｌ化し、フッ化アルミニウム
がドーピングされた酸化インジウム膜を得た。この透明
導電膜の面抵抗は、５Ｘ１０’Ω／口、可視光透過度は
、８５％であった。
２５０℃で３０分間、Ｉｌｌ化し、フッ化アルミニウム
がドーピングされた酸化インジウム膜を得た。この透明
導電膜の面抵抗は、５Ｘ１０’Ω／口、可視光透過度は
、８５％であった。
以上により、この発明により製造された透明導電膜は、
良好な光透過性を発揮し、しかも低面抵抗を達成し得る
ことが明白である。
良好な光透過性を発揮し、しかも低面抵抗を達成し得る
ことが明白である。
〈発明の効果〉 ゛
以上のように、この発明の透明導電膜の製造方法によれ
ば、フッ素源としてコストの高い含フツ素系炭化水素を
使用することなく低面抵抗の透明導電膜を製造できると
ともに、雰囲気ガスの微妙なコントロールが不要で、製
造の容易化も図れるという特有の効果を秦する。
ば、フッ素源としてコストの高い含フツ素系炭化水素を
使用することなく低面抵抗の透明導電膜を製造できると
ともに、雰囲気ガスの微妙なコントロールが不要で、製
造の容易化も図れるという特有の効果を秦する。
Claims (1)
- １、光透過性基板上に、フッ化アルミニウムがドーピン
グされたインジウムの低級酸化物膜を形成し、この低級
酸化物膜を酸化させて、フッ化アルミニウムがドーピン
グされた酸化インジウム膜を形成することを特徴とする
透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60230580A JPS6288216A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60230580A JPS6288216A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288216A true JPS6288216A (ja) | 1987-04-22 |
Family
ID=16909965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60230580A Pending JPS6288216A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6288216A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010070944A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | 出光興産株式会社 | 酸化インジウム系焼結体及びスパッタリングターゲット |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP60230580A patent/JPS6288216A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010070944A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | 出光興産株式会社 | 酸化インジウム系焼結体及びスパッタリングターゲット |
| US8664136B2 (en) | 2008-12-15 | 2014-03-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Indium oxide sintered compact and sputtering target |
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