JPS6289746A

JPS6289746A - 不要モ−ド抑制材料

Info

Publication number: JPS6289746A
Application number: JP61130913A
Authority: JP
Inventors: Yoshikazu Narumiya; 成宮　義和; Shinji Iwatsuka; 信治岩塚
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1985-06-15
Filing date: 1986-06-05
Publication date: 1987-04-24
Anticipated expiration: 2010-02-22
Also published as: JPH0715024B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景技術分野本発明は、電子機器の特に金属ケース内に発生ずる不要
モードを抑制する材料に関する。

先行技術とその問題点最近、？「子機器、特に通信、放送用の電子機器の高周
波化か進み、その結果ＵＨＦＨＦ上の周波数で使用され
るものが多くなっている。

このため、電子機器の金属ケース内での素子間の放射ノ
イズによる干渉や高調波によるノイズといった問題が大
きくなっている。

このような不要モードを抑制するために、電子機器の金
属ケース内の最も効果的な部分にフェライト粉末を樹脂
またはゴムと複合化した不要モード抑制材料が装着され
ている。　この場合、従来はフェライト粉末としてスピ
ネルフェライトであるＭｎ−ＺｎフェライトやＮｉ−Ｚ
ｎフェライトの粉末が用いられている。

不要モードを抑制するには、材料の磁気損失を利用して
不要な輻射を吸収する方法がとられる。　磁気損失は複
素比透磁率μ、＝μ、′−ｊμ、″のうちμ、″の存在
によって生じ、磁気モーメントの自然共鳴周波数（ｆ、
）付近でμ、″か極大値を持つ。　従って、自然共鳴周
波数付近の周波数か使用周波数範囲であることが望まれ
る。

しかし、スピネルフェライトではｆ、が４ＧＨｚ以下で
あり、不要モート抑制材料としては１０ＧＨｚ以下の周
波数においてしか使用できない。

従って、より高周波において不要な輻射を吸収する不要
モード抑制材料の開発か望まれている。

＋１　　発明の目的本発明の目的は、高周波、特に１０ＧＨｚ以上の不要モ
ードを抑制するのに有効であり、また組成を変えること
により任意の周波数の不要モードを抑制することが可能
となる不要モート抑制材料を提供することにある。

■　発明の開示このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は下記式（Ａ）で示される組成を仔す
るフェライトから選ばれた少なくとも１種を含み、電ｆ
機器のケース内の少なくとも一部に配置されることを特
徴とする不要モード抑；１１１１材料である。

式（Ａ）（Ｂａｄ）ｘ　　（Ｍｅｎ）ｙ　　（Ｆｅ２０３　）ｚ
（上記式（Ａ）において、ｘ＋ｙ＋ｚ＝　１．０．０５
≦ｘ≦０．３．０．１≦ｙ≦０．４．０．５５≦Ｚ≦０
．８であり、Ｍｅは金属原子の１種もしくは２種以上の
組み合わせを表わす。） ■　発明の具体的構成以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の不要モード抑制材料は、下記式（Ａ）で示され
る組成を有するフェライトから選ばれた少なくとも１種
の粉末を含む。

式（Ａ）（Ｂａｄ）、（Ｍｅｎ）、（Ｆｅ２ｏ３）２上記式（Ａ
）において、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０．０５≦ｘ≦０．３．
０．１≦ｙ≦０．４．０．５５≦ｚ≦０．８である。

Ｍｅは金属原子の１種もしくは２種以上の組み合わせを
表わし、より具体的には、ＭｅＯは（Ｃｏｏ）ｗ　　（
Ｍｅ’　ｏ）２−Ｗで表わされるものである。　ただし
、０≦Ｗ≦ｚであり、Ｍｅ’　は２価の金属イオン、Ｆ
ｅ”、Ｍｎ”、Ｎ　ｔ　２＋、Ｍ　ｇ　ｌ＋およびＣｕ
２＋となりうる金属原子のなかから選ばれた１種もしく
は２種以上の組み合わせを表わす。

このような組成範囲とするのは、この範囲外では高周波
数領域において十分な不要モード抑制効果が得られない
からである。

第１図に本発明のフェライトの組成範囲についての３元
図を示す。

なかでも、下記式（Ｉ）〜（Ｖ）で示される組成を有す
るものか好ましい。

式（１）％式％式（ＩＩ）Ｃｏｙ、Ｍｅ’　　ｙ２Ｂａ２Ｆｅ１２０２２式（ｍ）Ｍｅ　′２　Ｂａ２　Ｆｅ１２Ｏ２２式（ＩＶ）Ｃｏｚ、Ｍｅ′　ｚ２Ｂａ３Ｆｅ２４０４゜式（Ｖ）ＣＯ２Ｂａ３　Ｆｅｚ４０４＋上記式　ＣＩ＞において、ＸＩ＋Ｘ２　＝２．０．６≦
×１≦１．７であり、Ｍｅ′は上記と同義である。

これらの態様としてはＣｏｘ、Ｚｎｘ３Ｍｅ”　Ｘ４ＢａＦｅ、６０２゜（こ
こで、ｘ　＋　＋　Ｘ３　＋　Ｘ４　＝　２．０．６≦
×１≦１．７、ｘ３≦１．４、×４≦１．３である。）
；Ｃｏｘ、Ｚｎｘ３ＢａＦｅ＋ｓＯ□ｙ（ここで、Ｘ、＋
ｘ３　　＝２、０．６≦ｘ１　＝１　、７、×３≦１．
４である。）；ＣＯＸＩＭ　ｅ″Ｘ４Ｂ　ａ　Ｆ　ｅ　１６０２７　（
ここで、Ｘ、　　＋ｘ４　　＝２、０．６≦ｘｌ　＝１
　、７、×４≦１．３である。）；が挙げられる。

たたし、Ｍ　ｅ　”は２価の金属イオン、Ｆｅ２＋、ｐ
Ｊ　（１２＋、Ｎｉ　２＋、Ｍｇ　２＋およびＣｕ２＋
となりつる金属原子のなかから選ばれた１種もしくは２
種以上の組み合わせを表す。

上記式（ＩＩ　）において、ｙｌ＋ｙ２＝２、ｙ≦１．
６であり、Ｍｅ”は上記式（Ｉ）におけるものと同義で
ある。

これらの態様としては、Ｃｏｙ、Ｚｎｙ３Ｍｅ”　ｙ４　Ｂ　ａ２　Ｆ　ｅ　、
２０２２（ここで、ｙ１＋ｙ２＋ｙ４＝２、ｙ１≦１．
６、ｙ２≦ｚ、ｙ３く２である。）；Ｃｏｙｌ　Ｚｎｙ
３Ｂａ２　Ｆｅ＋ｚＯ２□（ここで、ｙｌ　＋ｙ３　＝
２、ｙ１≦１．６、ｙ３く２である。）；Ｃｏｙ、Ｍｅ”　ｙ４Ｂ、ａ２Ｆｅ＋２０２ｚ（ここで
、ｙ＋＋ｙ４＝２、ｙ、≦１．６、ｙ４く２である。）
：が挙げられる。

また、Ｍ　ｅ　”は上記と同義である。

上記式（ＩＶ）において、ｚ、＋ｚ２＝２．０．８≦ｚ
１く２であり、Ｍｅ”は上記式（Ｉ）におけるものと同
義である。

これらの態様としては、Ｃｏｚ、Ｚｎｚ３　Ｍｅ”　　Ｚ　４　Ｂ　　ａ　３　
Ｆ　　ｅ　２４０４１（ここで、ｚ、＋ｚ３＋ｚ４＝２
．０・８≦ｚ、≦ｚ、Ｚ３≦１．２、ｚ４≦１．０であ
る。）：　　Ｃｏｚ、Ｚｎｚ３Ｂａ３　Ｆｅ２４０．。

（ここで、ｚ、＋ｚ３　＝２．０．８≦ｚ、＜２、　ｚ
３　≦　１．　２）　　；Ｃｏｚ、Ｍｅ”　ｚ４Ｂａ、、Ｆｅ２４０．、（ここで
、Ｚｎ　＋ｚ４＝２．０．８≦ｚ１〈２、Ｚ４≦１．０
である。）；が辛げられる。

また、Ｍ　ｅ　”は上記と同義である。

以ｔ、式（Ｉ）で示される組成を有するフェライトをＷ
型と呼び、Ｂ　ａ　Ｆ　ｅ　＋ａＯ２？をＷと略す。　
また式（ＩＩ　）および（ＩＩＩ）で示されるものはＹ
型と呼び、Ｂａ２Ｆｅ、２０２２をＹと略す。　そして
式（ＴＶ）および（Ｖ）で示されるものはＺ型と呼び、
Ｂａ：＋Ｆｅ２ａ０４＋をＺと略す。

本発明において好ましいとされるこのような式（Ｉ）〜
（Ｖ）で示されるＷ型、Ｙ型、Ｚ型のフェライトの組成
をｎη述のような範囲とするのは、高周波数領域におい
て、特に、不要モード抑制効果が良好となるからである
。

本発明の好ましい組成範囲では、８ＧＨｚ以上の周波数
において不要モード抑制効果が１０ｄＢ以上となる。

この好ましい組成範囲を、Ｗ型、Ｙ型およびＺ型につい
てそれぞれ第２図、第３図および第４図に００２÷、Ｚ
ｎ２＋、Ｍｅ””に関する三元図として示す。

なお、この場合において、発振器とスペクトラムアナラ
イザを直結した状態をＯｄＢとし、発振器から信号を送
り、スペクトラムアナライザで、発振器とスペクトラム
アナライザとの間に設置した銅製ケースを通過してくる
信号の電圧を読みとることにより測定する。　ケース内
の一部に装着される試料（不要モード抑制材料）は７４
ｘ３１ｘ２ｍｍのものを用いる。

このような組成をもつフェライトのなかでも特に好まし
い例を以−ドに示す。

Ｗ型Ｃ０１５Ｚｎｏ５ＷＹ型Ｃｏｏ、Ｚｎ、、、ＹｏＺｎＹＣｏＩｓ　Ｚｎｏ、、、ＹＣｏｏ５Ｚｎ＋、ｏ　Ｍｇｏ、ｓ　ＹＺ型ｏ２Ｚこのようなフェライト粉末は、六方晶のものである。　
そして、通常、平均粒径１〜５０μｍ程度である。　そ
して、これらの晶粒体ないし破砕片として含有される。

なお、本発明においては、上記のＷ型、Ｙ型、Ｚ型のフ
ェライトのうちの１種以上を用いることか好ましいが、
α−Ｆｅ２０３．ＢａＦｅ＋１２＋１９（と略す）、Ｂ
ａＦｅ２Ｏ，（Ｆと略す）、ＣｏＦｅ２Ｏ４（Ｓと略す
）等が含まれていてもよく、これらのものが含まれるこ
とによって全体として本発明の組成範囲を満足するもの
であってもよい。　α−Ｆｅ２０．、ＢａＦｅ２Ｏ４は
非磁性体であり、またＢａＦｅ＋２０＋９、ＣｏＦｅ２
ｏ４等も特性を劣化させるので、これらの含有量は少な
い方が望ましいが、具体的にはＷ型、Ｙ型、Ｚ型のフェ
ライト１モルあたり０．２モル程度含まれていても、特
性を決定的に悪化させることはない。

また、本発明においてはＭｅとしてＣｏを主体とするこ
とが望ましい。　具体的には式（Ａ）において０．１≦
Ｗ≦ｚ．０、特に０．５≦Ｗ≦１．７の範囲であること
か好ましい。

本発明の不要モード抑制材料は高分子マトリックスを含
むことが好ましい。

高分子マトリックスとしては、ゴムまたは樹脂が用いら
れる。　これらのものとしては、特に制限はなく、エポ
キシ樹脂、シリコン樹脂等の各種樹脂、または各種ゴム
の１種もしくは２種以上を組み合せて用いればよい。

本発明において、フェライト粉末は高分子マトリ□ック
スに対して３０〜７０体積％、好ましくは４０〜６０体
禎％の割合で混合する。

このような割合とするのは、３０体積％未満ては本発明
の実効がなく、７０体積％をこえると成形性、強度など
が低下するからである。

なお、高分子マトリックス中には、さらに別の導電性材
料や磁性材料のパウダー、フレーク、ファイバー等か含
まれていてもよい。

本発明の不要モード抑制材料の製造方法について述べる
。

まず、フェライト粉末は通常、所定の原料を混合し、焼
成し、粉砕して得られる。

この場合の焼成温度としては、１００〜ｂ１４００℃で所定時間保ち、１００〜５００”Ｃ／ｈｒ
の割合で冷却する。　また、焼成雰囲気としては、空気
、窒素などを用いる。

この場合、前述のように、Ｗ型、Ｙ型、Ｚ型のフェライ
トを単相あるいはＷ相、Ｙ相、Ｚ相の２または３種が混
在した組成で生成させることが好ましいが、粒子全体と
して本発明の組成の範囲内にあれば、ａ−Ｆｅ２０３．
ＢａＦｅ２０４．　ＢａＦｅ１２０＋ｑ、ＣｏＦｅＯ４
等の相が若干量、通常、Ｗ相、Ｙ相およびＺ相の総計１
モルに対し０．２モル以下含まれていそもよい。

また、これらのうち、組成の異なる２種以上の粒子を用
いてもよい。　この場合にも、全体として、Ｗ相、Ｙ相
およびＺ相の総計１モルに対し、他の相は０．２モル以
下であることが好ましい。

その後、フェライト粉末を高分子マトリックスに３０〜
７０体積％、好ましくは４０〜６０体禎％の割合で混練
し、成形した後、加工する。

このような本発明の不要モード抑制材料は、各種電子材
器、例えば、衛星放送受信装置のコンバータやチューナ
等のケース内の少なくとも一部に配置される。

すなわち、高分子マトリックスと複合化されてシートと
され、金属等のケース内の所定位置等に配置されてもよ
く、あるいは塗料として、ケース内の所定位置ないし全
域に塗設されてもよい。

さらには、場合によってはケース自体を構成してもよい
。

なお、本発明の不要モード抑制材料の厚さは、通常１〜
５ｍｍ程度とされる。

■　発明の具体的作用効果本発明によれば、前記式（Ａ）で示される組成を有する
フェライトから選ばれた少なくとも１種を含むため、高
周波、特に１０ＧＨｚ以上の不要モードを抑制するのに
有効な不要モード抑制材料が得られる。　また、フェラ
イトの組成を変えることにより任意の周波数における不
要モードを抑制することが可能となる。

■　発明のれ体的実施例以下、本発明の几体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例不要モード抑制材料（試料１〜５および試料ａ　ｙ　ｆ
　）の製造方法について述べる。

（＋３　　スピネルフェライト（Ｎｔ−Ｚｎ＆）を含む
試料（比較）試　料　　　　フェライト組成１　　　（Ｎ　ｊ　０）３１（Ｚ　ｎ　０）２０（Ｆ　
６２０３）４９上記のような組成を有するフェライトと
なるように所定の原料をＪｊ　Ｉ！し、ボールミルで湿
式混合して、乾燥後に焼成した。　焼成温度としては３
００℃／ｈｒの割合で昇温し、１０００℃で２時間保ち
、その後３００℃／ｈｒの割合で冷却した。　焼成雰囲
気は空気中とした。

これをボールミルにて湿式で平均粒径２μＩに粉砕し、
乾燥した。

この粉末をゴムロールで、クロロプレンゴムと混練し、
熱プレスして加硫した後、切断、研磨などして加工した
。　なお、フェライト粉末はゴムに対して５５体積％の
割合で混合した。

（２）Ｗ型フェライト（平均粒径９μｌ）を含む試料（
本発明）■ 試　料　　　　　フェライト組成２　　　　（Ｂ　ａ　０）（Ｃｏ　Ｏ）、５（Ｚ　ｎ　
Ｏ）　ｏ、５（Ｆｅ２０３）ａ（Ｃｏ、、、Ｚｎｏ　５Ｗ）（１）の場合と同様にして作製した。　ただし、焼成の
際、温度を１３５０℃で６時間保った。

（３）Ｙ型フェライト（平均粒径４μＩ）を含む試料（
本発明）　ＩＩ試　料　　　　　゛フェライト組成３　　　　　（Ｂａｄ）、（Ｃｏｏ）。５（ＺｎＯ）＋
、５（Ｆｅ　２０３　）ｃ（ＣＯｏ、ｓ　　Ｚｎｔ、ｓ　　Ｙ）４　　　　　（Ｂａｄ）２（Ｃｏｏ）、ｏ（ｚｎｏＬ　
　。

（Ｆｅ２０３　）６（ＣｏＺｎＹ）（１）の場合と同様にして作製した。　ただし、焼成の
際温度を１２００℃で１２時間保った。

（４）Ｚ型フェライト（平均粒径４μｍ）を含む試料（
本発明）■ 試　料　　　　　フェライト組成５　　　（ＢａＯ）ａ　（Ｃｏｏ）２（Ｆｅｚ　０３）
＋２（Ｃｏ２Ｚ）（３）の場合と同様にして作製した。

（５）　　試料（本発明）■ 試　料　　　　　フェライト組成ａ　　　（ＢａＯ）１４（Ｃｏｎ　）ｔ（ＺｎＯ）ｙ　
（Ｆｅ２０＊）ｔ２ｂ　　　　　　（ＢａＯ）＋５（Ｃ
ＯＯ）ｔ（ＺｎＯ）ｙ　　（Ｆｅｚ０３）ｅｔｃ　　　
（ＢａＯ）＋１（ＣｏＯ）＊、５（ＺｎＯ）ｓ、１（Ｆ
ｅａＯｓ）ａｔｄ　　　　　　　（ＢａＯ）１６（ＣＯ
Ｏ）ａ（ＺｎＯ）ａ　　　（Ｆｅ２ｅ３）ａａ（１）の
場合と同様に作製した。　ただし、焼成の際温度を１２
００℃で１２時間保ち、焼成雰囲気は空気中とした。

これらの試料ａ〜ｄ−は平均粒径５−とした。

これらの試料ａ　ＮｄについてＸ線回折したところ、下
記の結晶相が生じていることがわかった。

試　料　　　　　　結晶相ａ　　　　Ｗ相、Ｙ相、Ｚ相が混在。

ｂ　　　はぼＹ単相（若干Ｍ相が含まれる）。

ｃ　　　　Ｙ相とＷ相とが混在（若干Ｓ相が含まれる）。

ｄ　　　　Ｙ相とＷ相とが混在。

（６）スピネルフェライト（Ｃｏ−Ｚｎ系）を含む試料
（比較）試　料　　　　　フェライト組成ｅ（Ｃｏｄ）ｓｏ　（Ｆｅ２０３）ｒ、。

ｆ　　　　　　　（ｔｌ：ｏＯ）　３０　（ＺｎＯ）　
２０　（ｐｅ２ｏ３）　ｌｉ。

（１）の場合と同様に作製した。　ただし、焼成の際温
度を１２５０℃で２時間保ち、焼成雰囲気は空気中とし
た。　これらの試料ｅ、　ｆは平均粒径５−とした。

以上のように作製した試料１〜５を所定の寸法（７４ｘ
３１Ｘ２ｍｍ）にし、銅製ケース（大きさ７４ｘ７４ｘ
３１ｍｍ）の一部に装着した。

このケースを発振器とスペクトラムアナライザとの間に
設置し、発振器から信号を送り、スペクトラムアナライ
ザで銅製ケースを通過してくる１９号の電圧を８ＧＨｚ
以上の周波数において測定した。

また、銅製ケースに試料を装着しない（無装着の）場合
についても同様に測定した。

なお、上記の場合１発振器とスペクトラムアナライザを
直結した状態の透過レベルをＯｄＢとした。

これらのうち試料１〜５の結果を、第５図、第６図、第
７図および第８図に示す。

また、試料１〜５および試料ａ　ｘ　ｆについて自然共
鳴周波数ｆ、と１２．２５ＧＨｚにおけるμ、″を求め
た。　この結果を表に示す。

試料　　　　　　　　　フェライト　　　　　　　　　
　　　　　ｆ、［Ｇ１１ｚｌ　　　　１２．２５ＧＨｚ
におけるμ、′ ］　　　Ｎｉ−Ｚｒ＋７ｚライト　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　３　　　　　　　　
０．２４２　　　Ｇｏ、　　５Ｚｎ、　　５　Ｗ　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５　　　
　　　　１．１３　　　Ｃｏｏ、ｓＺｎ＋、ｓ　　Ｙ　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　７
　　　　　　　　０．７０４　　ＧｏＺｎＹ　　　　　
　　　　　　　　　　９　　　０．７８５　　Ｇｏ２Ｚ
　　　　　　　　　　　　　　　　５　　　０．６２ａ
　　（ＢａＯ）＋４（Ｃ００）ｙ（ＺｎＯ）７（Ｆｅ２
０３）７２　　　５　　　０．５４ｂ　　（Ｂａｄ）　
＋９（Ｃｏｏ）ｔ（ＺｎＯ）ｙ（Ｆｅ２０＋）ａｔ　　
　　７　　　０．ｔｉ８Ｃ（ＢａＯ）＋４（０００）９
．５（ＺｎＯ）９．５（Ｆｅ２ｏ３）ａ７６　　　０．
６７ｄ　　（口ａＯ）＋ｅ（ＣＯＯ）ａ（ＺｎＯ）ａ（
Ｆｅ２０＋）ｓａ　　　　　　　５　　　　　　　０．
６４ｅ　　（ＣＯＯ）５ｏ（ＦｅｚＯ３）ｇｏ　　　　
　　　　　＞１５　　　０．１０ｆ　　（ＣｏＯ）３ｏ
（ＺｎＯ）２ｏ（Ｆｅ２０３）ｒ、ｏ　　　　　　”ｔ
　　　　Ｏ，３９第２図〜第８図より、本発明の試料は
ｆ、が高く、高周波において不要モードを抑制すること
がわかる。　またフェライトの組成により、不要モード
を抑制する周波数域も変化していることもわかる。

また、表に示したように、本発明の試料２〜５およびａ
〜ｄは、ｆ、か高く、１２．２５ＧＨｚにおけるμ、″
も大きいことから高周波において不要モードを抑制でき
ると考えられる。

それに対し、従来の材料、試料１はｆｒが低いため高周
波における特性が悪化する。

また、本発明の組成の範囲外にある試料ｅ、ｆはｆ、は
高いものの、１２．２５ＧＨｚにおけるμｍ″が低すぎ
るので、高周波において、不要モードを充分に抑制でき
ないと考えられる。

以」−より本発明の効果は明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のフェライトの組成範囲についての３
元図である。第２図、第３図および第４図は、それぞわＣ０ＸＩ　Ｚ
ｎｘ３Ｍｅ”　Ｘ４　Ｗ　（Ｘｌ　＋Ｘ３　＋ｘ４＝２
）、Ｃｏｙ、Ｚｎｙ３Ｍｅ”　ｙ４Ｙ（：／＋　十ｙ３
　＋ｙ４＝２）、およびＣｏｚ。Ｚｎｚ　３　Ｍｅ”　　ｚ　４　Ｚ　　（ｚ、　　＋Ｚ
３　　＋Ｚ　４　＝２）で示される組成のフェライトの
３元図であり、太線で囲まれた部分は８ＧＨｚ以上の周
波数において不要モード抑制効果が１０ｄＢ以上となる
組成範囲を示す。第５図、第６図、第７図および第８図は、そわぞれＣＯ
Ｉ５２　ｎｏ、５　Ｗ％Ｃ００，５Ｚ　ｎ　＋、ａＹ、
ＣｏＺｎＹ、Ｃｏ２Ｚを含む本発明の不要モード抑制材
料の不要モード抑制効果を周波数（ＧＨｚ）に対する透
過レベル（ｄ　Ｂ）の関係として表わしたグラフ（□）
である。　なおいずれの場合も比較のため無装着の場合
（−・−・−）とＮｉ−Ｚｎフェライトを含むものの場
合（−一−−）のグラフも同時に掲載している。出願人　　ティーディーケイ株式会社ＦＩＧ、ＩｅａｒｓＢａ０ＦＩＧ、２Ｃ。Ｍｅ’２＋（×・）ＦＩＧ、３ＦＩＧ、４Ｃ。 ”Ｊ２’（Ｚ４）適過レベル（ｄＢ）送通レヘ　ル（ｄＢ）堤遍レベル（ｄＢ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）下記式（Ａ）で示される組成を有するフェライト
から選ばれた少なくとも１種を含み、電子機器のケース
内の少なくとも一部に配置されることを特徴とする不要
モード抑制材料。式（Ａ）（ＢａＯ）＿ｘ（ＭｅＯ）＿ｙ（Ｆｅ＿２Ｏ＿３）＿ｚ
（上記式（Ａ）において、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０５≦
ｘ≦０．３、０．１≦ｙ≦０．４、０．５５≦ｚ≦０．
８であり、Ｍｅは金属原子の１種もしくは２種以上の組
み合わせを表わす。）
（２）前記フェライトの粉末と高分子マトリックスとを
含み、ケース内の一部に配置される特許請求の範囲第１
項に記載の不要モード抑制材料。
（３）高分子マトリックスがゴムまたは樹脂である特許
請求の範囲第２項に記載の不要モード抑制材料。