JPS6290981A - 赤外線検知素子の製造方法 - Google Patents
赤外線検知素子の製造方法Info
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- JPS6290981A JPS6290981A JP60219339A JP21933985A JPS6290981A JP S6290981 A JPS6290981 A JP S6290981A JP 60219339 A JP60219339 A JP 60219339A JP 21933985 A JP21933985 A JP 21933985A JP S6290981 A JPS6290981 A JP S6290981A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光導１を現象を利用した赤外線検知素子の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
第４図は従来の光導”ｔｔｍの赤外線検知素子の構造を
示す平面図、第５図はその断面図である。
示す平面図、第５図はその断面図である。
これらの図において、１は高抵抗の基板、２は例えばＨ
ｇＣｄＴｅなとの化合物半導体、３は受光面、４は前記
化合物半導体２の陽極酸化膜により形成される受光面３
の第１の保護膜、５は例えばＺｎＳから成る受光面３の
第２の保護膜、６は例えばＩｎから成る電極である。
ｇＣｄＴｅなとの化合物半導体、３は受光面、４は前記
化合物半導体２の陽極酸化膜により形成される受光面３
の第１の保護膜、５は例えばＺｎＳから成る受光面３の
第２の保護膜、６は例えばＩｎから成る電極である。
次に、第６図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）を用いて従来
の光導電型の赤外線検知素子の製造方法について説明す
る。
の光導電型の赤外線検知素子の製造方法について説明す
る。
まず、高抵抗の４檄１上Ｋ Ｈｇ Ｃｄ Ｔｅなどの化
合物半導体２をエピタキシャル成長などの方法により所
定の厚さに形成し、赤外線検知素子ウェハ（以下単にウ
ェハという）７を裏作する。
合物半導体２をエピタキシャル成長などの方法により所
定の厚さに形成し、赤外線検知素子ウェハ（以下単にウ
ェハという）７を裏作する。
次にウェハ７の表面全面に、第１の保護膜４となる陽極
酸化膜８を、例えばプラズマ陽極酸化により形成する。
酸化膜８を、例えばプラズマ陽極酸化により形成する。
プラズマ陽極酸化は、高周波放電によって発生させた酸
素プラズマ中に試料を挿入し、プラズマ内の他の電極に
対し試料に正の電圧を印加して陽極酸化を行う方法であ
る。
素プラズマ中に試料を挿入し、プラズマ内の他の電極に
対し試料に正の電圧を印加して陽極酸化を行う方法であ
る。
次に、第２の保護膜５となるＺｎＳ＠９をスパッタリン
グなどの方法により前記陽極酸化膜８の表面全面に形成
する。
グなどの方法により前記陽極酸化膜８の表面全面に形成
する。
続いて、前記陽極酸化ｍ８およびＺｎＳ膜９の１部を写
真製版法を用いてエツチングし、第６図ｔａｔのような
電極孔１０をあけ、化合吻半導体２を露出させる。
真製版法を用いてエツチングし、第６図ｔａｔのような
電極孔１０をあけ、化合吻半導体２を露出させる。
次に、メタルマスク等を用い、電極となる材料。
例えば、エロｍ１１を、第６図（ｂ）のよ５に受光面３
の形成予定領域を除いた部分に蒸着する。
の形成予定領域を除いた部分に蒸着する。
その後、製造する素子の形状にあわせ、Ｉｎ１１１゜Ｚ
ｎＳ膜９．陽極酸化１１１８．化合物半纏体２０１部を
写真製版法を用いて高抵抗の基衣１に迷するまでエツチ
ングし、第６図（ｃ）のよプな素子の分割線１２を形成
する。
ｎＳ膜９．陽極酸化１１１８．化合物半纏体２０１部を
写真製版法を用いて高抵抗の基衣１に迷するまでエツチ
ングし、第６図（ｃ）のよプな素子の分割線１２を形成
する。
最後罠、ダイシングンーなどを用いて素子の分割＆ｔ１
２に、沿って個々の素子に切断し、第４図のような赤外
線検知素子を製造していた。
２に、沿って個々の素子に切断し、第４図のような赤外
線検知素子を製造していた。
しかし、以上のよ５な従来の方法では、電極孔１０およ
び素子の分割線１２の形成時に、第ｌの保護膜４および
第２の保ｄ膜５罠亀裂が生じ、赤外線検知素子を製造す
ることか困難であるという問題点があった。これはＨｇ
Ｃｄ Ｔｅの陽極酸化膜８が薬品に対し【非常に弱〜
・膜であるため、サイドエツチングが短い範囲で止まら
ず、レジストの下の陽極酸化膜Ｋまでエツチング液がし
み込んでしまうために起った問題点である。
び素子の分割線１２の形成時に、第ｌの保護膜４および
第２の保ｄ膜５罠亀裂が生じ、赤外線検知素子を製造す
ることか困難であるという問題点があった。これはＨｇ
Ｃｄ Ｔｅの陽極酸化膜８が薬品に対し【非常に弱〜
・膜であるため、サイドエツチングが短い範囲で止まら
ず、レジストの下の陽極酸化膜Ｋまでエツチング液がし
み込んでしまうために起った問題点である。
この発明は、上記のような問題点を解消するためなされ
たもので、第１の保護膜である陽極酸化膜を、以後の工
程で、レジスト、エツチング液等の薬品に触れさせるこ
となく、赤外線検知素子を製造する方法を提供すること
を目的とする。
たもので、第１の保護膜である陽極酸化膜を、以後の工
程で、レジスト、エツチング液等の薬品に触れさせるこ
となく、赤外線検知素子を製造する方法を提供すること
を目的とする。
この発明に係る赤外線検知素子の製造方法は、赤外線検
知素子ウエハ上に、受光面と少なくとも一方の電極を囲
み、高抵抗の基板に達するか、それよりも深い深さの溝
を形成するとともに、所定形状の金属蒸着膜を形成し、
その金Ｓ蒸看膜をマスクとして赤外線検知素子ウニ八を
陽極酸化して第１の保護膜を形成し、その後、第１の保
換膜を覆うように第２の保ｍｔｈを形成するものである
。
知素子ウエハ上に、受光面と少なくとも一方の電極を囲
み、高抵抗の基板に達するか、それよりも深い深さの溝
を形成するとともに、所定形状の金属蒸着膜を形成し、
その金Ｓ蒸看膜をマスクとして赤外線検知素子ウニ八を
陽極酸化して第１の保護膜を形成し、その後、第１の保
換膜を覆うように第２の保ｍｔｈを形成するものである
。
この＠明においては、溝と金Ｊｓ蒸層換の作用により、
第１の保護膜である陽極酸化膜が選択的く形成されるの
で、以後の工程で陽極酸化膜をエツチング液等の薬品に
触れさせることなく、電極孔。
第１の保護膜である陽極酸化膜が選択的く形成されるの
で、以後の工程で陽極酸化膜をエツチング液等の薬品に
触れさせることなく、電極孔。
素子の分割線を形成することができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す元４電型の赤外線検
知素子の構造を示す平面図、第２図はその断面図であり
、第３図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）はこの発明による
赤外線検知素子の製造工程を示す図である。
知素子の構造を示す平面図、第２図はその断面図であり
、第３図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）はこの発明による
赤外線検知素子の製造工程を示す図である。
これらの図において、１〜１０．１２は前記第４図〜第
６図に示したものと同じものであり、１３はコの字型の
溝、１４は金属熱−４Ｍである。コの字型の溝１３は受
光面３の形成予定領域と片方の電極６の形成予定領域を
囲むよ５に形成されている。
６図に示したものと同じものであり、１３はコの字型の
溝、１４は金属熱−４Ｍである。コの字型の溝１３は受
光面３の形成予定領域と片方の電極６の形成予定領域を
囲むよ５に形成されている。
以下、第３図を用い【、この発明における赤外線検知素
子の製造方法について説明する。
子の製造方法について説明する。
はじめに、従来例と同様に、高抵抗の基板１上にＨｇ
Ｃｄ Ｔｅなどの化合吻半尋体２をエピタキシャル成長
などの方法により所定の厚さに形成し、ウエハγを製作
する。
Ｃｄ Ｔｅなどの化合吻半尋体２をエピタキシャル成長
などの方法により所定の厚さに形成し、ウエハγを製作
する。
次に、ウニ八７を４４６版法を用いてエツチングし、第
３図（ａ）のようなコの字型の溝１３を形成する・溝１
３は高抵抗の基板１に達するか、それよりも深く掘るも
のとする。
３図（ａ）のようなコの字型の溝１３を形成する・溝１
３は高抵抗の基板１に達するか、それよりも深く掘るも
のとする。
続いて、ウニ八７に１例えはＩｎなどを蒸着し、第３図
（ｂ）のような形状の金属＃層膜１４を形成する０ 次Ｋ、従来例と同様にウニ・・７をプラズマ陽極酸化し
、第１の保諌１１１ｉ１４となる陽極版化膜８を形成す
る。
（ｂ）のような形状の金属＃層膜１４を形成する０ 次Ｋ、従来例と同様にウニ・・７をプラズマ陽極酸化し
、第１の保諌１１１ｉ１４となる陽極版化膜８を形成す
る。
この時、金属蒸着膜１４がマスクとなるので、第３図（
ｂ）で金属蒸着膜１４の外に露出している部分にのみ、
化合物半導体２の陽極酸化ＰＡ８が形成される。
ｂ）で金属蒸着膜１４の外に露出している部分にのみ、
化合物半導体２の陽極酸化ＰＡ８が形成される。
なお、陽極酸化のはじめの段階では、陽極は化電流は主
に抵抗の小さい金属蒸着膜１４を通って流れ、化合物半
導体２はほとんど陽極酸化されない。しかし、この例の
Ｉｎのように酸化され易い金属を用いれば、表面に絶縁
酸化膜ができ陽極酸化直流は化合物半導体２を通って流
れるようくなるので、化合物半導体２の陽極酸化１１ｇ
８を容易に形成できる。
に抵抗の小さい金属蒸着膜１４を通って流れ、化合物半
導体２はほとんど陽極酸化されない。しかし、この例の
Ｉｎのように酸化され易い金属を用いれば、表面に絶縁
酸化膜ができ陽極酸化直流は化合物半導体２を通って流
れるようくなるので、化合物半導体２の陽極酸化１１ｇ
８を容易に形成できる。
また金属蒸着膜１４が丁べて醸化されたとしても、陽極
酸化［流は金属蒸着膜１４の下の化合物半導体２を遡っ
てプラズマ陽極酸化装置の電極に達するので、陽極酸化
膜８の形成に支障はない。
酸化［流は金属蒸着膜１４の下の化合物半導体２を遡っ
てプラズマ陽極酸化装置の電極に達するので、陽極酸化
膜８の形成に支障はない。
以上のようＫ、金属島７ｆ膜１４をマスクとして第１の
保ｉ［！ｉ膜４となる陽極酸化膜８を選択的に形成した
後、第２の保護ｐＡ５となるＺｎＳ膜９をスパッタリン
グによりウェハ７の表面全面に形成する。
保ｉ［！ｉ膜４となる陽極酸化膜８を選択的に形成した
後、第２の保護ｐＡ５となるＺｎＳ膜９をスパッタリン
グによりウェハ７の表面全面に形成する。
次に、写真製版法を用いて第３図＜Ｃ）のように、Ｚｎ
Ｓ膜９とＩｎの金りＩ４＃層膜１４をエツチングし、化
合物半導体２を露出させ、電極孔１０と素子の分割線１
１を形成する。この時、第３図（Ｃ）かられかるよ５に
陽極酸化膜８とエツチング液が接触することなく゛１極
孔１０、素子の分割線１２を形成でざるので、従来列の
ような問題はおこらない。
Ｓ膜９とＩｎの金りＩ４＃層膜１４をエツチングし、化
合物半導体２を露出させ、電極孔１０と素子の分割線１
１を形成する。この時、第３図（Ｃ）かられかるよ５に
陽極酸化膜８とエツチング液が接触することなく゛１極
孔１０、素子の分割線１２を形成でざるので、従来列の
ような問題はおこらない。
続いて、メタルマスクを用いて電極孔１０を覆うように
Ｉｎを蒸着し電極６を形成し、最後に、素子の分割４１
１２に沿ってダイシングンーを用いてウェハ７を切断し
、為１図のような赤外線検知素子を製造する。
Ｉｎを蒸着し電極６を形成し、最後に、素子の分割４１
１２に沿ってダイシングンーを用いてウェハ７を切断し
、為１図のような赤外線検知素子を製造する。
なお、上記実施例では、電極孔１０の形成時にＩｎの金
属、＠＊ｌ１ａ１４もエツチングしたが、ｚｎＳ膜９の
みを選択的にエツチングし、露出した蒸着膜を電極とす
ることもできる。
属、＠＊ｌ１ａ１４もエツチングしたが、ｚｎＳ膜９の
みを選択的にエツチングし、露出した蒸着膜を電極とす
ることもできる。
また上記実施例では最後に各素子に分割し単素子型赤外
線検知素子を作ったが、数個おきに分割すれば７レイ型
業子あるいはマトリックス型素子を作ることもできる。
線検知素子を作ったが、数個おきに分割すれば７レイ型
業子あるいはマトリックス型素子を作ることもできる。
さらに、上記実施例では、コの字型の溝１３を形成し、
単素子型赤外線検知素子を作ったが、例えば、櫛型の溝
を形成し、（２）のすぎ間ひとつをｌ素子とする７レイ
型素子を作ることもできる。
単素子型赤外線検知素子を作ったが、例えば、櫛型の溝
を形成し、（２）のすぎ間ひとつをｌ素子とする７レイ
型素子を作ることもできる。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、赤外線検知素子ウニ・
・上に、受光面と少なくとも一方の電極を囲み、高抵抗
の基板に違するかそれよりも深い深さの溝を形成すると
ともに、所定形状の金属蒸着膜を形成し、その金属蒸、
ｆ膜をマスクとしてウニ・・を陽極酸化して第１の保護
膜を形成し、その後、第１の保護膜を覆うように第２の
保護膜を形成するようにしたので、ｍｌの保護膜である
陽極酸化膜を薬品に接触させることなく素子を製造でき
るため、素子の歩留りが向上するという優れた効果を有
する。
・上に、受光面と少なくとも一方の電極を囲み、高抵抗
の基板に違するかそれよりも深い深さの溝を形成すると
ともに、所定形状の金属蒸着膜を形成し、その金属蒸、
ｆ膜をマスクとしてウニ・・を陽極酸化して第１の保護
膜を形成し、その後、第１の保護膜を覆うように第２の
保護膜を形成するようにしたので、ｍｌの保護膜である
陽極酸化膜を薬品に接触させることなく素子を製造でき
るため、素子の歩留りが向上するという優れた効果を有
する。
第１図はこの発明の一実施例による元２４電型の赤外線
検知素子の構造を示す平面図、第２図は第１図のｎ−ｎ
線による断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明によ
る赤外線検知素子の製造工程を示す図、第４図は従来の
光導電型の赤外線検知素子の構造を示す平面図、第５図
は第４図のｖ−ｖｉによる断面図、第６図（ａ）〜（Ｃ
）は従来の赤外線検知素子の製造工程を示す図である。 図において、１は高抵抗の基板、２は化合物半導体、３
は受光面、４はｍｌの保護膜、５はｍ２の保護膜、６は
′成極、７はウェハ、１２は素子の分割線、１３はフの
字型の溝、１４は金属Ａ７！ｌｆ膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雉 （外２名ン 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 手続補正書（自発） ３．補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三
菱電機株式会社内 ５、ｈＯ正の対家 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面６、補正の内
容 （１）明細８第６頁１３行の１Ｒ１３ｊを、「コの字型
の溝１３」と補正する。 （２） 第３図（Ｃ１を別紙のように補正する。 以 上
検知素子の構造を示す平面図、第２図は第１図のｎ−ｎ
線による断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明によ
る赤外線検知素子の製造工程を示す図、第４図は従来の
光導電型の赤外線検知素子の構造を示す平面図、第５図
は第４図のｖ−ｖｉによる断面図、第６図（ａ）〜（Ｃ
）は従来の赤外線検知素子の製造工程を示す図である。 図において、１は高抵抗の基板、２は化合物半導体、３
は受光面、４はｍｌの保護膜、５はｍ２の保護膜、６は
′成極、７はウェハ、１２は素子の分割線、１３はフの
字型の溝、１４は金属Ａ７！ｌｆ膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雉 （外２名ン 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 手続補正書（自発） ３．補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三
菱電機株式会社内 ５、ｈＯ正の対家 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面６、補正の内
容 （１）明細８第６頁１３行の１Ｒ１３ｊを、「コの字型
の溝１３」と補正する。 （２） 第３図（Ｃ１を別紙のように補正する。 以 上
Claims (1)
- 高抵抗の基板上に赤外線検知素子となる化合物半導体を
形成して製造した赤外線検知素子ウェハ上に、受光面と
少なくとも一方の電極を囲み、高抵抗の基板に達するか
それよりも深い深さの溝を、行列状に形成する工程と、
前記赤外線検知素子ウェハ上に所定形状の酸化可能な金
属蒸着膜を形成する工程と、前記金属蒸着膜をマスクと
して前記赤外線検知素子ウェハを陽極酸化し、受光面の
第１の保護膜を形成する工程と、前記第１の保護膜上に
これを覆うように第２の保護膜を形成する工程と、前記
赤外線検知素子ウエハ上に、第１の保護膜と接触しない
ように電極および素子の分割線を形成する工程とを含む
ことを特徴とする赤外線検知素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219339A JPS6290981A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219339A JPS6290981A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6290981A true JPS6290981A (ja) | 1987-04-25 |
| JPH0449271B2 JPH0449271B2 (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=16733903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219339A Granted JPS6290981A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6290981A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008546177A (ja) * | 2005-05-16 | 2008-12-18 | Ｉｉ−Ｖｉ インコーポレイテッド | 高性能のＣｄｘＺｎ１−ｘＴｅ（０≦ｘ≦１）のＸ線及びγ線の放射線検出器およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219339A patent/JPS6290981A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008546177A (ja) * | 2005-05-16 | 2008-12-18 | Ｉｉ−Ｖｉ インコーポレイテッド | 高性能のＣｄｘＺｎ１−ｘＴｅ（０≦ｘ≦１）のＸ線及びγ線の放射線検出器およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0449271B2 (ja) | 1992-08-11 |
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