JPS62921A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS62921A JPS62921A JP60139640A JP13964085A JPS62921A JP S62921 A JPS62921 A JP S62921A JP 60139640 A JP60139640 A JP 60139640A JP 13964085 A JP13964085 A JP 13964085A JP S62921 A JPS62921 A JP S62921A
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- display device
- crystal display
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）をスイッチ素
子として表示を極アレイを構成したアクティブマトリッ
クス形液晶表示装置において、基板間の間隔制御を行っ
てスペーサによるＴＰＴ断線などの故障をなくし、かつ
表示品質を低下しないようＫしたものである。
子として表示を極アレイを構成したアクティブマトリッ
クス形液晶表示装置において、基板間の間隔制御を行っ
てスペーサによるＴＰＴ断線などの故障をなくし、かつ
表示品質を低下しないようＫしたものである。
従来、液晶表示装置の基板間の間隔制御の方法は基板間
の貼り合わせに用いるシール材中にＡｌｚＯ３粉末やガ
ラスピーズ、ガラスファイバなどの間隔制御材を混入し
たものを用いて間隔を制御するとともに、表示面内にガ
ラスファイバなどの間隔制御材を散布する方法が採られ
ている。
の貼り合わせに用いるシール材中にＡｌｚＯ３粉末やガ
ラスピーズ、ガラスファイバなどの間隔制御材を混入し
たものを用いて間隔を制御するとともに、表示面内にガ
ラスファイバなどの間隔制御材を散布する方法が採られ
ている。
第３図は特開昭５５−５７８２１号公報に示された従来
の液晶表示装置を示す断面図であシ、この第３図におい
て、２１は上基板、２２は上電極１．２３は下基板、２
４は下電極、２５はシール材、２６は偏光板、２７は液
晶、１１は面内スペーサを示す。第４図はＴＦＴアレイ
を有するＴＰＴプレイ基板６と対向電極基板８とからな
るアクティブマトリックス形の液晶表示装置のＴＰＴプ
レイ側基板の平面図、第５図は第４図のＸ−×平面の断
面図であシ、この第４図、第５図の両図において、１は
ｆ −ト電極線、２はソース電極線、３はドレイン電極
、４はＴＰＴ、５は表示電極、６はＴＰＴプレイ基板、
７は対向電極、８は対向電極ｆｔ板、１２はアモルファ
スシリコン（ａ−８ｉ（ロ））、１３はアモルファスシ
リコン（ａ −８ｉ （ｉ） ）、１４はダート絶縁膜
、１５はダート電極である。
の液晶表示装置を示す断面図であシ、この第３図におい
て、２１は上基板、２２は上電極１．２３は下基板、２
４は下電極、２５はシール材、２６は偏光板、２７は液
晶、１１は面内スペーサを示す。第４図はＴＦＴアレイ
を有するＴＰＴプレイ基板６と対向電極基板８とからな
るアクティブマトリックス形の液晶表示装置のＴＰＴプ
レイ側基板の平面図、第５図は第４図のＸ−×平面の断
面図であシ、この第４図、第５図の両図において、１は
ｆ −ト電極線、２はソース電極線、３はドレイン電極
、４はＴＰＴ、５は表示電極、６はＴＰＴプレイ基板、
７は対向電極、８は対向電極ｆｔ板、１２はアモルファ
スシリコン（ａ−８ｉ（ロ））、１３はアモルファスシ
リコン（ａ −８ｉ （ｉ） ）、１４はダート絶縁膜
、１５はダート電極である。
次にスペーサ１１の散布方法について説明する。
たとえば直径１０ ｐｍのガラスファイバを約５０μｍ
の長さに切断し、イソプロピルアルコールや７レオンを
媒体にして混合液を作成する。そして、一方の基板側に
ガラスファイバ混合液ｔ−霧状にスプレ分散し、シール
材２５ｔ−印刷した基板と圧着貼１合わせることによシ
、ガラスファイバの直径ｌＯμｍの面内間隔の制御がで
きる。
の長さに切断し、イソプロピルアルコールや７レオンを
媒体にして混合液を作成する。そして、一方の基板側に
ガラスファイバ混合液ｔ−霧状にスプレ分散し、シール
材２５ｔ−印刷した基板と圧着貼１合わせることによシ
、ガラスファイバの直径ｌＯμｍの面内間隔の制御がで
きる。
一方、第４図および第５図のような構造のＴＦＴアレイ
を有する基板と対向基板を組み合わせたアクティブマト
リックス形の液晶表示装置では、上記のような従来のス
ペーサの散布方法を用いて対向電極基板８またはＴＦＴ
基板６上に全面散布した場合、ＴＦＴ４の部分や多層配
線部（すなわち、アモルファスシリコン１２，１３、ｒ
−）絶縁膜１４、Ｐ−）電極１５の部分による）、表示
電極５の上にスペーサ１１が必然的に存在することにな
る。
を有する基板と対向基板を組み合わせたアクティブマト
リックス形の液晶表示装置では、上記のような従来のス
ペーサの散布方法を用いて対向電極基板８またはＴＦＴ
基板６上に全面散布した場合、ＴＦＴ４の部分や多層配
線部（すなわち、アモルファスシリコン１２，１３、ｒ
−）絶縁膜１４、Ｐ−）電極１５の部分による）、表示
電極５の上にスペーサ１１が必然的に存在することにな
る。
スペーサ１１がＴＦＴ４や多層配線部に存在すると対向
電極基板８との圧着貼夛合せ時に機械的応力を発生させ
、ＴＰＴ ４の破壊、断線などの故障を起しやすく、表
示部の表示電極上に存在するときは、表示を児にくくす
るなどの問題があった。
電極基板８との圧着貼夛合せ時に機械的応力を発生させ
、ＴＰＴ ４の破壊、断線などの故障を起しやすく、表
示部の表示電極上に存在するときは、表示を児にくくす
るなどの問題があった。
この発明は、かかる問題点を解消するためになされたも
ので、ＴＦＴアレイの機械的応力による破壊故障を防止
できるとともに、対向電極基板とＴＦＴアレイ基板間の
間隔を均一にして見やすい表−示を得ることができるア
クティブマトリックス形の液晶表示装置を得ることを目
的とする。
ので、ＴＦＴアレイの機械的応力による破壊故障を防止
できるとともに、対向電極基板とＴＦＴアレイ基板間の
間隔を均一にして見やすい表−示を得ることができるア
クティブマトリックス形の液晶表示装置を得ることを目
的とする。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
この発明に係る液晶表示装置は、対向電極基板またはＴ
ＦＴアレイ基板のいずれかの上に、 ＴＰＴ部分、多層
配線部分、有効表示部分を除く部分に選択的にスペーサ
を形成したものである。
ＦＴアレイ基板のいずれかの上に、 ＴＰＴ部分、多層
配線部分、有効表示部分を除く部分に選択的にスペーサ
を形成したものである。
この発明においては、対向電極基板またはＴＦＴアレイ
基板のいずれかの基板１ｃＴＦＴ部分、多層配線部分、
有効表示部を遮蔽するマスクを作成し、このマスクの上
からスペーサ材を混入した混合液全霧状にスプレするこ
とによシマスフの開口部のみに選択的にスペーサ材が散
布されスペーサを形成し、遮蔽部には散布されないので
、スペーサを形成しない。
基板のいずれかの基板１ｃＴＦＴ部分、多層配線部分、
有効表示部を遮蔽するマスクを作成し、このマスクの上
からスペーサ材を混入した混合液全霧状にスプレするこ
とによシマスフの開口部のみに選択的にスペーサ材が散
布されスペーサを形成し、遮蔽部には散布されないので
、スペーサを形成しない。
以下、この発明の液晶表示装置の実施例を図について説
明する。第１図はその一実施例におけるＴＦＴアレイ基
板の平面図であシ、第２図は第１図の■−…面の断面図
である。
明する。第１図はその一実施例におけるＴＦＴアレイ基
板の平面図であシ、第２図は第１図の■−…面の断面図
である。
第１図および第２図の両図において、第３図ないし第５
図と同一部分には同一符号が付されており、この第１図
および第２図において、ｆ−）電極線１、ソース電極２
、ドレイン電極３、ＴＦＴ４、表示電極５、ＴＦＴアレ
イ基板６、対向電極７、対向電極基板８、アモルファス
シリコン１２（ａ−８ｔ（ＩＩＩ））、アモルファスシ
リコン１３ （ａ−８ｔ（ｆ））、ｒ−）絶ＩＪ＆膜１
４、Ｐ−）電極１５であ）、この発ＢＡにおいては、ス
ペーサ１１の作成手順が異なるものである。すなわち、
ＴＦＴ４および多層配線部、有効表示部（図中の斜線表
示）を遮蔽するメタルマスクを写真製版法によシ作成す
る。
図と同一部分には同一符号が付されており、この第１図
および第２図において、ｆ−）電極線１、ソース電極２
、ドレイン電極３、ＴＦＴ４、表示電極５、ＴＦＴアレ
イ基板６、対向電極７、対向電極基板８、アモルファス
シリコン１２（ａ−８ｔ（ＩＩＩ））、アモルファスシ
リコン１３ （ａ−８ｔ（ｆ））、ｒ−）絶ＩＪ＆膜１
４、Ｐ−）電極１５であ）、この発ＢＡにおいては、ス
ペーサ１１の作成手順が異なるものである。すなわち、
ＴＦＴ４および多層配線部、有効表示部（図中の斜線表
示）を遮蔽するメタルマスクを写真製版法によシ作成す
る。
直径１０μｍ長さ５０μｍの硬質ガラスファイバをイソ
プロピルアルコール１００Ｉｉに対シテ５０ダの割合で
混合したスペーサ混合液を上記メタルマスクを介してＴ
ＦＴアレイ基板６にスプレ散布させる。
プロピルアルコール１００Ｉｉに対シテ５０ダの割合で
混合したスペーサ混合液を上記メタルマスクを介してＴ
ＦＴアレイ基板６にスプレ散布させる。
このＴＦＴアレイ基板６と対向電極基板８をエポキシ樹
脂シール材で圧着貼り合わせした。
脂シール材で圧着貼り合わせした。
この結果、第１図、第２図に示すように１スペーサ１１
はＴＦＴ ４および多層配線部、有効表示部を除いて選
択的に散布固定できる。このときのＴＦＴアレイ基板６
と対向電極基板８とのセル間隔はｌＯμｍ±１．５μｍ
の精度であった。
はＴＦＴ ４および多層配線部、有効表示部を除いて選
択的に散布固定できる。このときのＴＦＴアレイ基板６
と対向電極基板８とのセル間隔はｌＯμｍ±１．５μｍ
の精度であった。
なお、上記実施例において、ガラススペーサの散布をメ
タルマスクを介してＴＦＴアレイ基板６に行なったが、
対向電極基板８側へ散布してもよい。
タルマスクを介してＴＦＴアレイ基板６に行なったが、
対向電極基板８側へ散布してもよい。
また、スペーサ１１はガラスファイバ以外にガラスピー
ズ、アルミナ粒子、有機粒子体などを用いても同様であ
る。
ズ、アルミナ粒子、有機粒子体などを用いても同様であ
る。
この発明は以上説明したとおシ、スペーサをＴＦＴ部、
多層配線部、有効表示部を遮蔽するメタルマスクを介し
て散布して形成するようにしたので、対向電極基板との
圧着組立工程でのＴＦＴ部、多層配線部にスペーサによ
る断線、短絡などの故障をなくすることができる。
多層配線部、有効表示部を遮蔽するメタルマスクを介し
て散布して形成するようにしたので、対向電極基板との
圧着組立工程でのＴＦＴ部、多層配線部にスペーサによ
る断線、短絡などの故障をなくすることができる。
また、有効表示部にもスペーサ材がないため、表示品質
の低下を起こさず均一なセル間ＦｉＩｉを制御すること
ができる効果がある。
の低下を起こさず均一なセル間ＦｉＩｉを制御すること
ができる効果がある。
第１図はこの発明の液晶表示装置の一実施例におけるＴ
ＦＴアレイを有するＴＦＴアレイ基板の平面図、第２図
は第１図の■−■面の断面図、第３図は従来の液晶表示
装置を示す断面図、第４ｒ！Ａ鉱従来の液晶表示装置に
おけるスペーサ散布方法を用いたＴＦＴアレイ基板の平
面図、第５図＃：ｌ：第４図の×−Ｘ面の断面図である
。 １・・・ｒ−）電極線、２・・・ソース電極線、３・・
・ドレイン電極、４・・・ＴＰＴ、５・・・表示電極、
６・・・ＴＦＴアレイ基板、７・・・対向電極、８・−
・対向電極基板、１１・・・スペーサ、１２・・・アモ
ルファスシリコン（ｎ）、１３・・・アモルファスシリ
コン（ｉ）、１４・・・ｆｆ−）絶縁膜、１５・・・ｒ
−）電極。 なお、図中同一符号は同一または和尚部分を示す。
ＦＴアレイを有するＴＦＴアレイ基板の平面図、第２図
は第１図の■−■面の断面図、第３図は従来の液晶表示
装置を示す断面図、第４ｒ！Ａ鉱従来の液晶表示装置に
おけるスペーサ散布方法を用いたＴＦＴアレイ基板の平
面図、第５図＃：ｌ：第４図の×−Ｘ面の断面図である
。 １・・・ｒ−）電極線、２・・・ソース電極線、３・・
・ドレイン電極、４・・・ＴＰＴ、５・・・表示電極、
６・・・ＴＦＴアレイ基板、７・・・対向電極、８・−
・対向電極基板、１１・・・スペーサ、１２・・・アモ
ルファスシリコン（ｎ）、１３・・・アモルファスシリ
コン（ｉ）、１４・・・ｆｆ−）絶縁膜、１５・・・ｒ
−）電極。 なお、図中同一符号は同一または和尚部分を示す。
Claims (1)
- 表面上に薄膜トランジスタアレイを有する薄膜トランジ
スタアレイ基板と対向電極基板と、この薄膜トランジス
タアレイ基板と上記対向電極との間に介在された液晶と
からなる液晶表示装置において、上記対向基板側もしく
は薄膜トランジスタアレイ基板の上にマスクを介して薄
膜トランジスタ部分、多層配線部分、有効表示部を除く
部分に選択的に散布して形成されたスペーサとよりなる
ことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60139640A JPS62921A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60139640A JPS62921A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62921A true JPS62921A (ja) | 1987-01-06 |
Family
ID=15249983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60139640A Pending JPS62921A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62921A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01217421A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Seikosha Co Ltd | 非晶質シリコン薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法 |
| JPH0250129A (ja) * | 1988-05-17 | 1990-02-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルの製造方法 |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP60139640A patent/JPS62921A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01217421A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Seikosha Co Ltd | 非晶質シリコン薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法 |
| JPH0250129A (ja) * | 1988-05-17 | 1990-02-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルの製造方法 |
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