JPS6298751A - 樹脂封止用半導体外囲器 - Google Patents

樹脂封止用半導体外囲器

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JPS6298751A
JPS6298751A JP60237513A JP23751385A JPS6298751A JP S6298751 A JPS6298751 A JP S6298751A JP 60237513 A JP60237513 A JP 60237513A JP 23751385 A JP23751385 A JP 23751385A JP S6298751 A JPS6298751 A JP S6298751A
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JP
Japan
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lead frame
resin
semiconductor element
sealing resin
sealing
Prior art date
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Application number
JP60237513A
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English (en)
Inventor
Kunio Aoki
邦男 青木
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体素子特に集積回路素子に好適する樹脂製
外囲器の改良に関する。
〔発明の技術的背景〕
従来の半導体素子用の外囲器としては封止用樹脂として
エポキシ樹脂もしくはシリコン樹脂等の熱硬化性樹脂を
使用してトランスファモールド法によって成形するのが
普通であるが、これを第２〜第３図により詳しく説明す
る。
第２図には従来から多用されているＤＩＰ型樹脂外囲器
の断面図を示し、半導体素子（２０）がリードフレーム
（２１）のベッド部にダイボンディングされ、この半導
体素子の電極とリードフレーム（２１）間に差し渡した
金属細線（２２）を熱圧着法によって固定してから熱硬
化性樹脂によって封止樹脂層（２３）を全体に被覆する
。従って、この封止樹脂層（２３）は半導体素子（２０
）及び金属細線（２２）と直接接触しているために、５
〜１６時間にわたって２次キュア処理を施して封止樹脂
中の極性基を完全に架橋して、半導体素子の稼動による
昇温時での安定性を維持している。
第３図にはこのトランスファモールド法における金型断
面図を示した。上型（２４）と下型（２５）の間に、半
導体素子をマウントしたリードフレームを挟み型締めし
てから予熱した封止用樹脂（２３）をポット（２６）に
装入し１次いで上型（２４）と下型（２５）により加熱
した封止用樹脂（２３）をプランジャ（２７）で押圧し
て溶融した樹脂（２３）をランナ（２８）とゲート（２
９）を通過させてキャビティ（３０）内に流入する。
一定の硬化時間（約２〜３分）経過後、金型をはずして
キャビティ（３０）の形状に沿って形成品を取出す。
また、あらかじめ熱可塑性樹脂を用いた成型品を超音波
溶接法でインサート微小部品と溶融接合するキャビティ
パッケージを形成する方法も試みられたが超音波による
振動によりインサート部の破断を起し、更に構造上耐湿
保護に難点を生じる。
〔背景技術の問題点〕
従来のトランスファモールド法による樹脂封止工程によ
る半導体装置では樹脂の熱的変形による応力によりペレ
ットクラック、特性変動、熱圧着法によって固定した金
属細線への悪影響を与え易い。
しかし、この悪影響の軽減化や半導体装置の電気的＋、
ｌｆ性から使用する成形樹脂の種類が規制される。この
ため外囲器の持つ重要な機能である耐湿性だけからみれ
ば必ずしも満足できない場合が多いし、又熱可塑性樹脂
の使用は耐湿性が不充分となる。
〔発明の目的〕
本発明は上記難点を除去した新規な樹脂封止用半導体外
囲器を提供するもので、セラミックならびに金属封止並
みの高信頼性を得るものである。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために本発明に係る外囲器ではリー
ドフレームにマウントする半導体素子ならびにこれとリ
ードフレーム間を接続する金属細線付近に空所を設けて
封止樹脂との密着による難点を除去する手法を採用して
信頼性を向上する。
〔発明の実施例〕
第１図（ａ）〜（ｄ）により本発明を詳述する。
本発明に係る外囲器■の最終構造は第１図（ｃ）ならび
に（ｄ）の断面図に示したが、この製造はトランスファ
モールド法を利用するので第２図及び第３図を利用して
説明する。リードフレームとしてはＤＩＰ型を示した。
第３図にはトランスファモールド工程に利用する金型構
造が示されているが、この上型（２４）と下型（２５）
の間にＤＩＰ型のリードフレームを挟み、型締めを行っ
てから予熱した封止用熱硬化性樹脂（２３）をポット（
２６）に装入し、次いで上型（２４）と下型（２５）に
より加熱された封止用樹脂（２３）をプランジャ（２７
）で押圧して、溶融した樹脂（２３）をランナ（２８）
とゲート（２９）を通過させてキャビティ（３０）内に
流入する。
このキャビティ（３０）には特殊な冶具を設置して第１
図（、）に示す断面形状の樹脂成形品を得る。
この場合熱硬化性樹脂を利用するので、２〜３分程度の
硬化時間経過後、金型をはずしてキャビティ（３０）の
形状に合った成形品を得る。この結果リードフレームよ
り下方全面にわたって封止樹脂（２３）があり、それに
対向する封止樹脂（２３）は、その中央部分に空間があ
る環状樹脂（υが形成され、この空間部分■にリードフ
レーム（２１）のベット部■が露出する。次にこのベッ
ト部■に第２図に示すように半導体素子（２０）をマウ
ント固定後金属細線（２２）によって半導体素子に形成
した電極とリードフレーム間を熱圧着法によって接続す
る。次に環状樹脂間にセラミックス、ガラスもしくは樹
脂よりなる蓋体（イ）によって封止する。
一方、金属細線（２２）のループ高さを一定に維持する
ために、前述のトランスフモールド法程におけるキャビ
ティ内に設置する治具形状を変えて突起物■を設置して
も良い。
このように本発明に係る外囲器は金属細線及び半導体素
子は封止樹脂と密着せずに構成する。
〔発明の効果〕 本発明に係る外囲器は半導体素子を設置する以前に予め
前述のように空間を設けた構造に樹脂形成しているので
金属細線に直接密着しておらず、その熱的変形に伴う応
力による悪影響を皆無にするばかりでなく、外囲器の成
形時には耐湿性を考慮して適用樹脂の選択自由度を増す
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例の工程順を示す
断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装置断面図、
第３図はそのトランスファモールド金型の断面図である
。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームに固着する半導体素子の電極とこのリー
    ドフレームのリード間を金属細線で接続したマウント構
    体を樹脂でトランスファモールドし、このリードを封止
    樹脂外に導出する外囲器において、リードフレームを境
    に積層する封止樹脂層にこの半導体素子近傍に空間部を
    設けて得られる環状封止樹脂層に差し渡す絶縁物層を封
    止することを特徴とする樹脂封止用半導体外囲器。
JP60237513A 1985-10-25 1985-10-25 樹脂封止用半導体外囲器 Pending JPS6298751A (ja)

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JP60237513A JPS6298751A (ja) 1985-10-25 1985-10-25 樹脂封止用半導体外囲器

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JPS6298751A true JPS6298751A (ja) 1987-05-08

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ID=17016434

Family Applications (1)

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JP60237513A Pending JPS6298751A (ja) 1985-10-25 1985-10-25 樹脂封止用半導体外囲器

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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