JPS6310356A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プラズマＣＶＤ法による有機重合膜を有する
光磁気記録媒体に関する。

〔発明の背景〕

光磁気記録は、記録密度が高い、非接触で記録・読み出
しが可能、高速ランダムアクセスができる、信号の並列
処理が可能、さらに書換えもできるなどの特徴を有して
いるため、近年、特に注目されている。

光磁気記録媒体の基本的構成は、透明樹脂またはガラス
を基板とし、これに希土類−遷移金属アモルファス合金
、たとえばＧｄＦｅやＧｄＴｄＦｅ等の磁性薄膜を設け
たものである。

周知のように、光磁気記録は記録に際して、熱磁気記録
によって磁性薄膜にレーザー光を照射して反転磁区を形
成するとともに、読み出しに際しては、磁性薄膜にレー
ザーの直線偏光を入射し、記録した磁化状態（大きさ、
方向）に対応して反射光または透過光の偏光面が回転す
る現象を利用するものである。反射光の偏光面が回転す
る現象がカー効果、その回転角がカー回転角と呼ばれて
いる。

このカー効果を利用する読み出しでのＳＮ比は、性能指
数−θＫ　Ｘ　１／Ｔ＜　Ｒ：反射率）に比例し、この
性能指数は光磁気記録媒体の特性に主として依存する。

そこで、従来から、カー回転角θ８を増大し、ＳＮ比を
高めるために、種々の提案がなされてきた。

たとえば特開昭５６−１５６９４３号公報では、磁性薄
膜と透明基板との間に透明誘電体膜を介在させ、見掛は
上のカー回転角の増大を図っている。また、同様の目的
をもって、磁性薄膜上に透明誘電体膜を設けることも行
われている。

さらに、透明誘電体膜は、磁性薄膜として酸化され易い
希土類−遷移金属アモルファス合金を使用する場合にお
ける耐食性の向上のために設けられることもある。

一方、取扱に対する保護を目的として、１〜２０μｍ程
度の保護層を、媒体の最表面に、一般には紫外線硬化樹
脂をスピンコードした後、硬化させることによって形成
することが行われている。

この保護層を、磁性薄膜上の誘電体膜の上に形成する場
合、誘電体膜を形成する材料は＾ＪＮ等の無機物である
のに対して、保護層を形成する材料は、有機物であるた
め、それらの界面での接着性が悪く、製品の取扱に際し
て、剥れてしまうことがあった。

この傾向は、現在コンパクトディスクに使用されている
アクリル系紫外線硬化樹脂を用いたとき顕著にあられれ
る。

そこで、本発明の主たる目的は、誘電体膜に対する有機
保護層の接着性に優れ、取扱に際して膜剥れのない光磁
気記録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、透明基板上に少くとも磁性薄膜および誘電
体膜を形成した光磁気記録媒体において；前記磁性薄膜
上に、誘電体膜、プラズマＣＶＤ法により形成した有機
重合膜、有機保護層を順に設けたことで達成される。

〔発明の具体的構成〕

以下本発明をさらに詳説する。

本発明の光磁気記録媒体の構造は、透明基板上に磁性薄
膜を設けるとともに、その上に誘電体膜、プラズマＣＶ
Ｄ法により形成した有機重合膜、有機保護層を順に設け
たものである。

磁性薄膜上に、透明誘電体膜を設け、見掛は上のカー回
転角を増大し、また製品の取扱時の損傷に対する保護の
ために最上層に有機保護層を設けることが、望まれる。

しかし、有機保護層を誘電体膜上に直接形成する場合、
前者が有機材料、後者が無機材料であるので、両者の接
着性が悪い。

そこで、本発明では、誘電体膜上にプラズマＣＶＤ法に
より有機物の重合膜を形成し、その上に有機保護層を形
成することとした。

誘電体股上に有機物の重合膜をプラズマＣＶＤ法により
形成すると、プラズマＣＶＤ法が一般のＣＶＤ法に比較
して得られる膜は活性であり、その結果良好な密着、接
着性を与えるため、誘電体膜と有機重合膜とが、ならび
に勿論同じ有機材料である有機重合膜と有機保護層とが
それぞれ良好に接着し、膜はがれを防ぐようになる。

誘電体膜に対する有機保護層の接着性改善のために設け
る本発明に係るプラズマＣＶＤ法による有機重合膜とし
ては、たとえば、エチレン、アセチレン、ブタジェン、
スチレンなどの炭化水素系モノマーを用いて、常法に従
って成膜することができる。この有機重合膜の膜厚とし
ては、１００人〜５０００人が好ましい。

本発明において好適に用いることができる透明誘電体と
しては、八ｊ！　Ｎ１５ｉｓＮ４＋八ｊ！　ＳｉＮ等の
窒化物のほか、ＣｅＰ３＋ＭｇＰｚ＋　ＭｇＦｚ＋　Ｌ
ａＦ３．　Ｌａｄ、、　ＮａＦ＋ＺｎＳ、　Ｓｉｎ、　
Ｓｉｎｇ、　ＣｅＦ３．八Ｉ　Ｆ３．　ＴａｚＯｓ＋　
ＣａＰ等を挙げることができる。

誘電体の膜厚としては、２００人〜２０００人が好まし
い。

誘電体膜の形成手段としては、スパッタ法、プラズマＣ
ＶＤ法、真空蒸着法、イオンブレーティング法などを採
用できる。

保護（オーバーコート）層としては、たとえばアクリル
系あるいはエポキシ系の紫外線硬化樹脂を、スピンコー
ド法などによって形成することによって得る。この層厚
は、１〜２０μｍが望ましい。

磁性薄膜の材質としては、希土類−遷移金属、アモルフ
ァス合金が一般には好ましいが、結晶体の形式であって
もよい。これらの例としては、ＧｄＰｅ、　ＴｂＦｅ、
　ＧｄＣｏ、　ＤｙＦｅ、　ＧｄＴｂＦｅ、　ＴｂＤｙ
Ｐｅ。

ＴｂＰｅＣ０，ＧｄＴｂＣｏ、　ＧｄＴｂＦｅＣｏ、　
ＧｄＦｅＢ１．　ＧｄＴｂＦｅＧｅＨあるいはこれらに
Ｂｉ、　Ｓｒ、　Ｇｏ等の添加元素が添加されたもの；
ＭｎＢ１．　ＰｔＣｏ、　ＭｎＣｕＢ１．　ＭｎＡ　Ｒ
Ｇｅ等がある。

磁性薄膜の厚さは２００人〜１５００人が好ましい。

この膜形成手段としては、誘電体膜の場合と同様である
。

本発明において用いることができる透明基板としては、
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネ
ート、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリアミド、エポ
キシ、三酢酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート
等の樹脂基板のほか、ガラスやセラミック等も挙げるこ
とができる。

本発明における光磁気記録媒体としては、見掛は上のカ
ー回転角を増大させ、磁性薄膜の耐食性向上のために、
第１図に示す構造が特に好ましい。すなわち、透明基板
１上に、第１誘電体膜２Ａ、磁性薄膜３、第２誘電体膜
２Ｂ、プラズマＣＶＤによる有機重合膜４、有機保護層
５を順に形成した構造である。

しかし、第１誘電体膜２Ａを省略したり、反射膜を適当
な位置に形成したものなどあってもよい。

反射膜は、Ａｇ、　Ａ　Ｉｔ　、　５ｉＯ１，Ｃｕ、＾
ｒ、銅合金。

Ｆｅ合金、Ｎｉ合金等を用い、誘電体膜の形成法と同じ
方法をもって、望ましくは５００人〜１０００人に成膜
する。

なお、本発明は、上記構造において基板が相互に外側と
なるよう貼り合せたものも含む。

〔実施例〕

次に実施例および比較例を示し、本発明の効果を明らか
にする。

（実施例１） 第２図に示す無電極誘導放電方式のプラズマ重合装置に
より、有機重合膜を誘電体膜と有機保護層との間に介在
させて、光磁気記録媒体を作成した。

同装置は、一方のディスクストッカー１０と、他方のデ
ィスクストッカー１）およびスパッタリング室１２との
間を石英管１３で連通し、ガスを入口１４から出口１５
に向って流すとともに、高周波電源１６に接続された放
電コイル１７を石英管１３に巻き付けたものである。

まず、同装置内において、ポリカーボネート基板上に、
Ａ　Ｉ　Ｎ、　ＧｄＴｂＦｅ、　Ａ　ＩｔＮの順に各１
０００人ずつスパッタリングにより形成し、次いでブタ
ジェンガスを、流量１０ｓｅｃｍ、　２Ｔｏｒｒの圧力
で流し、１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を１００Ｗ印
加した。この中を、３ｍ／ｗｉｎの速度で基板を流した
ところ、２００人の重合膜が得られた。その後、前記装
置から生成品を取り出し、大気中において、アクリル系
紫外線硬化樹脂（大日本インキ工業社製、５Ｄ−７）を
スピンコードにより約５μｍの厚みで塗布し、硬化させ
て、第１図の構造のディスクを得た。

次いで、表面の有機保護をナイフにより１ｍ■角ごとカ
ットしたが、膜剥離を全く生じなかった。

（比較例１） プラズマＣＶＤ法による有機重合膜を形成しない以外は
実施例１と全く同一の方法でディスクを生じたところ、
有機保護膜はｌ　ｗ角のナイフカットにより完全に剥離
してしまった。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば、プラズマＣＶＤ法による
有機重合膜の介在によって、誘電体膜と有機保護層との
接着・密着性を改善できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の構造例の断面図
、第２図は実施例で用いたプラズマＣＶＤ法による重合
装置の概要図である。 １・・・透明基板、２Ａ、２Ｂ・・・誘電体膜、３・・
・磁性薄膜、４・・・プラズマＣＶＤによる有機重合膜
、５・・・有機保護層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明基板上に少くとも磁性薄膜および誘電体膜を
   形成した光磁気記録媒体において； 前記磁性薄膜上に、誘電体膜、プラズマＣＶＤ法により
   形成した有機重合膜、有機保護層を順に設けたことを特
   徴とする光磁気記録媒体。