JPS6310537A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6310537A
JPS6310537A JP61155506A JP15550686A JPS6310537A JP S6310537 A JPS6310537 A JP S6310537A JP 61155506 A JP61155506 A JP 61155506A JP 15550686 A JP15550686 A JP 15550686A JP S6310537 A JPS6310537 A JP S6310537A
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JP
Japan
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heating
semiconductor device
self
circuit
temperature
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Application number
JP61155506A
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English (en)
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Susumu Nakamori
中森　晋
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6310537A publication Critical patent/JPS6310537A/ja
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    • G01—MEASURING; TESTING
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    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
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    • G01R31/2856—Internal circuit aspects, e.g. built-in test features; Test chips; Measuring material aspects, e.g. electro migration [EM]
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特に選別工程において、
温度加速によシ初期特性不良を除去する際に、温度加速
を容易ならしめた半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置は、その機能に応じた回路素子をもち
、回路素子によシ決定する回路電流と動作電圧との積に
よる消費電力に基づく温度上昇がある。選別工程での温
度加速時はこの温度上昇分および環境温度の加熱により
半導体装置の温度加速をおこなっていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体装置は、特に回路機能が簡単な場
合は回路電流が少ないため消費電力が小さく、自己発熱
による基板温度上昇が極端に小さい。このような半導体
装置は、温度加速が極めて小さいため、選別工程での初
期特性不良検出率が低下し、初期特性不良となるべきも
のが選別工程において除去されないという欠点がある。
また、同一の温度加速装置内では環境温度が一定のため
、消費電力の異なる半導体装置を収納すると、温度加速
効果が異ってしまうため、同一の消費電力の半導体装置
しか収納できないため、温度加速装置の効率を低下させ
るという欠点がある。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明による半導体装置は、温度加速試験において、消
費電力を調整できるように、機能上本来的に必要な回路
素子以外に、選別工程での温、変調速用の自己発熱回路
を同一基板上に有している。
この自己発熱回路は、温度、加速のだめの専用として使
用され、半導体装置の試験用の端子に引き出されており
、通常一般には使用されない。また、本発明による半導
体装置は、必要に応じ試験端子を選択することにより消
費電力を数段階に調整が可能である。
〔実施例〕
次に本発明について図面を＄ＩＩ＠して説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面略図である。
第１図において、１は本発明による半導体装置の本来の
機能上必要とされる回路部であり、２が温度加速用自己
発熱回路であって、同じ基板３に形成されている。温度
加速時には、自己発熱回路２の端子２１と端子２２，２
３．２４との間に必要な電圧を加える事により、基板３
上の発熱素子Ｒ，，ｉ（、。
几３に電流が流れ、所望最大の自己発熱が得られる。
この発熱量をぷ１節するには、端子の接続変えによシ発
熱素子を選択することにより調節できる。
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、自己発熱回路を作動する
ことにより、半導体装置の温度上昇を任意に調整するこ
とができ、選別工程での温度加速を容易にし、初期特性
不良を完全に除去することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体装置の平面略図１である。 １・・・・・・機能本来の回路部、２・・・・・・自己
発熱回路部、２１，２２，２３．２４・・・・・・自己
発熱回路の接続端子、１１．、　、Ｒ，、Ｒ，・・・・
・・自己発熱素子、３・・・・・一基板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 本来の動作機能上必要とされる回路素子部と自己発熱に
    よる温度上昇を容易ならしめる発熱回路素子部とを同一
    基板上に含むことを特徴とする半導体装置。
JP61155506A 1986-07-01 1986-07-01 半導体装置 Pending JPS6310537A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0425146A (ja) * 1990-05-21 1992-01-28 Kawasaki Steel Corp 半導体集積回路
JP2007194285A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Tdk Corp ラジアルリードコンデンサ

Citations (2)

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JPS6196479A (ja) * 1984-10-18 1986-05-15 Nec Corp Ｉｃ測定装置
JPS636856A (ja) * 1986-06-26 1988-01-12 Nec Corp 半導体装置の製造方法

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