JPH04174532A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH04174532A JPH04174532A JP30219690A JP30219690A JPH04174532A JP H04174532 A JPH04174532 A JP H04174532A JP 30219690 A JP30219690 A JP 30219690A JP 30219690 A JP30219690 A JP 30219690A JP H04174532 A JPH04174532 A JP H04174532A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- test
- temperature
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に高温状態における
テストを容易にせしめるテスト回路内蔵の半導体集積回
路。
テストを容易にせしめるテスト回路内蔵の半導体集積回
路。
従来より半導体集積回路はその製造工程の中で種々の条
件下でのテストを経てその品質が保証されている。特に
品質基準の厳しい製品においては、通常の温度条件下で
のテストだけでなく、高温条件下でのテストを行うこと
により、より高い品質レベルを保証しているものが多い
。このような高温時のテストは通常テストする半導体集
積回路を高温雰囲気に一定時間さらし、半導体集積回路
が所定の温度になった後、テストを実施する。
件下でのテストを経てその品質が保証されている。特に
品質基準の厳しい製品においては、通常の温度条件下で
のテストだけでなく、高温条件下でのテストを行うこと
により、より高い品質レベルを保証しているものが多い
。このような高温時のテストは通常テストする半導体集
積回路を高温雰囲気に一定時間さらし、半導体集積回路
が所定の温度になった後、テストを実施する。
上述した従来の高温テストは高温雰囲気を作る為に大規
模な装置が必要となり、高温テスト実施上の大きな制約
となっていた。
模な装置が必要となり、高温テスト実施上の大きな制約
となっていた。
本発明のテスト回路内蔵の半導体集積回路は、本来の機
能を実現する為の回路と半導体集積回路の温度を上昇さ
せる為の発熱回路を有している。
能を実現する為の回路と半導体集積回路の温度を上昇さ
せる為の発熱回路を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。
１は半導体集積回路を構成するシリコン基盤であり、２
，３．４は所定の機能を実現する為に設計された回路ブ
ロックである。５はテスト端子であり、６のＧＮＤ端子
との間に電圧を印加する。７は１の基盤上に構成された
ダイオードでありその両電極は５，６の端子に接続され
ている。第１図の構成よりなる半導体集積回路の電気的
特性をテストする際、テスト端子５とＧＮＤ端子６に電
圧を印加する。この時印加電圧に応じてダイオード７に
電流が流れる。この電流によりダイオード７は電圧×電
流の消費電力に比例して発熱する。半導体集積回路の温
度は消費電力（Ｗ）とその半導体集積回路の組立ケース
を含めた熱抵抗（θ）によって定まる。この熱抵抗（θ
）は事前に測定する事ができる。例えば熱抵抗θ＝１０
０℃／Ｗとすると、７のダイオードで０．５Ｗの電力を
消費すると １００℃／Ｗｘｏ、５Ｗ＝５０℃ 半導体集積回路は５０℃温度上昇する。これにより通常
の環境下より５０℃高い温度条件でのテストが可能とな
る。この上昇温度は７のダイオードでの消費電力に比例
する為比較的容易に任意の温度に設定できる。
，３．４は所定の機能を実現する為に設計された回路ブ
ロックである。５はテスト端子であり、６のＧＮＤ端子
との間に電圧を印加する。７は１の基盤上に構成された
ダイオードでありその両電極は５，６の端子に接続され
ている。第１図の構成よりなる半導体集積回路の電気的
特性をテストする際、テスト端子５とＧＮＤ端子６に電
圧を印加する。この時印加電圧に応じてダイオード７に
電流が流れる。この電流によりダイオード７は電圧×電
流の消費電力に比例して発熱する。半導体集積回路の温
度は消費電力（Ｗ）とその半導体集積回路の組立ケース
を含めた熱抵抗（θ）によって定まる。この熱抵抗（θ
）は事前に測定する事ができる。例えば熱抵抗θ＝１０
０℃／Ｗとすると、７のダイオードで０．５Ｗの電力を
消費すると １００℃／Ｗｘｏ、５Ｗ＝５０℃ 半導体集積回路は５０℃温度上昇する。これにより通常
の環境下より５０℃高い温度条件でのテストが可能とな
る。この上昇温度は７のダイオードでの消費電力に比例
する為比較的容易に任意の温度に設定できる。
第２図は本発明の第２の実施例である。
１１は、半導体集積回路基盤、１２，１３．１４は回路
ブロック、１５はテスト端子であり１６のＧＮＤ端子と
の間に電圧を印加する。１７は１１の基盤上に形成され
た抵抗素子であり両電極は１５゜１６０端子に接続され
る。第１図の実施例と同様にテスト端子に電圧を印加す
ると抵抗１７に電流が流れ、この電流に応じた電力消費
により第１図の実施例と同様に半導体集積回路の温度が
上昇する。
ブロック、１５はテスト端子であり１６のＧＮＤ端子と
の間に電圧を印加する。１７は１１の基盤上に形成され
た抵抗素子であり両電極は１５゜１６０端子に接続され
る。第１図の実施例と同様にテスト端子に電圧を印加す
ると抵抗１７に電流が流れ、この電流に応じた電力消費
により第１図の実施例と同様に半導体集積回路の温度が
上昇する。
以上説明したように本発明は、半導体集積回路上に発熱
素子を構成する事により電圧印加のみで特別の装置を用
いる事なく高温条件を設定する事ができるため、容易に
高温テストを実施でき、その品質向上に大きな効果があ
る。
素子を構成する事により電圧印加のみで特別の装置を用
いる事なく高温条件を設定する事ができるため、容易に
高温テストを実施でき、その品質向上に大きな効果があ
る。
第１図は本発明の第１の実施例であり、第２図は本発明
の第２の実施例である。 １．１１・・・・・・半導体集積回路基盤、２，３，４
゜１２．１３．１４・・・・・・回路ブロック、５．１
５・・・・・・テスト端子、６，１６・・・・・・ＧＮ
Ｄ端子、７・・・・・・ダイオードによる発熱素子、１
７・・・・・・抵抗による発熱素子。 代理人 弁理士 内 原 晋
の第２の実施例である。 １．１１・・・・・・半導体集積回路基盤、２，３，４
゜１２．１３．１４・・・・・・回路ブロック、５．１
５・・・・・・テスト端子、６，１６・・・・・・ＧＮ
Ｄ端子、７・・・・・・ダイオードによる発熱素子、１
７・・・・・・抵抗による発熱素子。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 外部から印加された電圧により発熱する発熱素子を含む
テスト回路を内蔵したことを特徴とする半導体集積回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30219690A JPH04174532A (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30219690A JPH04174532A (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04174532A true JPH04174532A (ja) | 1992-06-22 |
Family
ID=17906093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30219690A Pending JPH04174532A (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04174532A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100332133B1 (ko) * | 1995-03-14 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 고온 테스트 방법 |
-
1990
- 1990-11-07 JP JP30219690A patent/JPH04174532A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100332133B1 (ko) * | 1995-03-14 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 고온 테스트 방법 |
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