JPS63114151A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS63114151A JPS63114151A JP61258506A JP25850686A JPS63114151A JP S63114151 A JPS63114151 A JP S63114151A JP 61258506 A JP61258506 A JP 61258506A JP 25850686 A JP25850686 A JP 25850686A JP S63114151 A JPS63114151 A JP S63114151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor chip
- sealed
- frame
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は樹脂封止型半導体装置に係り、特に半導体チッ
プと樹脂との接触を防止する封止構造に関する。
プと樹脂との接触を防止する封止構造に関する。
（従来の技術）
従来の樹脂封止型半導体装置は、第２図に示すようにリ
ードフレームのベッド部２１上に接着された半導体チッ
プ２２および電極取り出しワイヤ２３がリードフレーム
のインナーリード部２４と共に樹脂２５により封止され
ている。
ードフレームのベッド部２１上に接着された半導体チッ
プ２２および電極取り出しワイヤ２３がリードフレーム
のインナーリード部２４と共に樹脂２５により封止され
ている。
しかし、上記のような封止構造は、半導体チッブ２２と
樹脂２５とが接触しているので、樹脂応力により半導体
チップ２２の動作不良を発生する。
樹脂２５とが接触しているので、樹脂応力により半導体
チップ２２の動作不良を発生する。
これを避けるため、樹脂２５の応力を低減すると、一般
に樹脂特性上、熱伝導率が減少し、半導体チップ２２の
放熱効果におのずと限度が発生する。
に樹脂特性上、熱伝導率が減少し、半導体チップ２２の
放熱効果におのずと限度が発生する。
一方、チップ表面を電気信号が伝搬する半導体チップ（
マイクロ波チップ等）については、チップ表面と封止材
料とが接触しないように、従来はチップ周囲を中空状態
にすることが可能なセラミックパッケージや金属封止の
パッケージが用いられてきた。しかし、このようなセラ
ミックパッケージや金属封止のパッケージはパッケージ
自体の材料コストが高いので、半導体装置のコストダウ
ンを図る上で大きな障害となっている。
マイクロ波チップ等）については、チップ表面と封止材
料とが接触しないように、従来はチップ周囲を中空状態
にすることが可能なセラミックパッケージや金属封止の
パッケージが用いられてきた。しかし、このようなセラ
ミックパッケージや金属封止のパッケージはパッケージ
自体の材料コストが高いので、半導体装置のコストダウ
ンを図る上で大きな障害となっている。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、上記したように樹脂応力により半導体チップ
の動作不良が発生するという問題点、セラミックパッケ
ージ等はパッケージ材料のコストが高いという問題点を
解決すべくなされたもので、半導体チップの動作の信頼
性が高く、封止材料のコストが安く、低価格化が可能な
樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
の動作不良が発生するという問題点、セラミックパッケ
ージ等はパッケージ材料のコストが高いという問題点を
解決すべくなされたもので、半導体チップの動作の信頼
性が高く、封止材料のコストが安く、低価格化が可能な
樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのベ
ッド部上に設けられた半導体チップの周囲に中空部を残
して半導体チップを囲んで密閉するように電極体および
キャップを設け、半導体チップとインナーリード部とを
上記電極体を介して電極取り出し用ワイヤにより接続し
、リードフレームのアウターリード部を残して他の部分
を樹脂により封止してなることを特徴とする。
ッド部上に設けられた半導体チップの周囲に中空部を残
して半導体チップを囲んで密閉するように電極体および
キャップを設け、半導体チップとインナーリード部とを
上記電極体を介して電極取り出し用ワイヤにより接続し
、リードフレームのアウターリード部を残して他の部分
を樹脂により封止してなることを特徴とする。
（作 用）
半導体装置はキャップにより覆われていて樹脂とは接触
していないので、樹脂応力による動作不良、信頼性低下
をまねくおそれがない。しかも、半導体チップ周辺に中
空部を残して密閉されているので、外部からの水分の侵
入に対するシールド効果が得られる。また、チップ表面
を電気信号が伝搬するような半導体装置であっても、チ
ップ表面は樹脂に接触していないので電気的特性が安定
に得られる。また、樹脂は安価であるので、半導体装置
を安価に実現することが可能になる。
していないので、樹脂応力による動作不良、信頼性低下
をまねくおそれがない。しかも、半導体チップ周辺に中
空部を残して密閉されているので、外部からの水分の侵
入に対するシールド効果が得られる。また、チップ表面
を電気信号が伝搬するような半導体装置であっても、チ
ップ表面は樹脂に接触していないので電気的特性が安定
に得られる。また、樹脂は安価であるので、半導体装置
を安価に実現することが可能になる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図に示す樹脂封止型半導体装置において、１．２．
３はそれぞれリードフレームのアイランド部（ベッド部
）、インナーリード部、アウターリード部である。、上
記ベッド部１上の中央部には接着剤４により半導体チッ
プ５が接着されており、上記ベッド部１上で半導体チッ
プ５の周りを方形に囲むように枠状の電極体６が接着剤
７により接着されている。この電極体６は、絶縁材料か
らなる枠体６１の上面中央部に後述するキャップ８を栽
せるための溝部６２が形成され、上記枠体６１の上面の
溝部６２の両側部分の電極部相互間を電気的に接続する
ように複数の導電体６３が枠体６１内に埋設されている
。溝部６２の内側の電極群と半導体チップ５上の電極群
との間は電極取り出し用ワイヤ９により接続されており
、溝部６、の外側の電極群とインナーリード部２群との
間は電極取り出し用ワイヤ１０により接続されている。
３はそれぞれリードフレームのアイランド部（ベッド部
）、インナーリード部、アウターリード部である。、上
記ベッド部１上の中央部には接着剤４により半導体チッ
プ５が接着されており、上記ベッド部１上で半導体チッ
プ５の周りを方形に囲むように枠状の電極体６が接着剤
７により接着されている。この電極体６は、絶縁材料か
らなる枠体６１の上面中央部に後述するキャップ８を栽
せるための溝部６２が形成され、上記枠体６１の上面の
溝部６２の両側部分の電極部相互間を電気的に接続する
ように複数の導電体６３が枠体６１内に埋設されている
。溝部６２の内側の電極群と半導体チップ５上の電極群
との間は電極取り出し用ワイヤ９により接続されており
、溝部６、の外側の電極群とインナーリード部２群との
間は電極取り出し用ワイヤ１０により接続されている。
さらに、前記枠体６、上に箱状キャップ８の開口端部が
載置されることによって、半導体チップ５および電極取
り出し用ワイヤ９の周囲が中空状になった状態で密閉さ
れており、この中空状態を保ったままアウターリード部
３以外の全てが樹脂１１により封止されている。
載置されることによって、半導体チップ５および電極取
り出し用ワイヤ９の周囲が中空状になった状態で密閉さ
れており、この中空状態を保ったままアウターリード部
３以外の全てが樹脂１１により封止されている。
上記封止構造の半導体装置によれば、半導体チップ５の
電極とインナーリード部２とは電極体６を介して電極取
り出し用ワイヤ９，１ｏにより所要の電気的接続が施さ
れており、半導体チップ５はキャップ８により覆われて
いて樹脂１１とは接触していないので、樹脂１１の応力
により半導体チップ５の動作不良、信頼性低下をまねく
おそれはな、い。したがって、樹脂１１の応力を低減さ
せる必要もなく、樹脂１１の熱伝導率の低下、放熱効果
の低下をまねくおそれもない。しかも、キャップ８およ
び電極体６により半導体チップ５を囲んでいるので、外
部からの水分の侵入に対するシールド効果が得られるよ
うになり、半導体チップ５の信頼性が向上する。また、
チップ表面を電気信号が伝搬するような半導体チップ５
であっても、チップ表面は樹脂１１に接触しないように
保護されているので、半導体チップ５の電気的特性の安
定化の点で有効であり、しかも樹脂１１はセラミックパ
ッケージや金属封止パッケージに比べて安価（１／１０
０〜１／１０００程度）であり、大幅なコストダウンが
可能である。
電極とインナーリード部２とは電極体６を介して電極取
り出し用ワイヤ９，１ｏにより所要の電気的接続が施さ
れており、半導体チップ５はキャップ８により覆われて
いて樹脂１１とは接触していないので、樹脂１１の応力
により半導体チップ５の動作不良、信頼性低下をまねく
おそれはな、い。したがって、樹脂１１の応力を低減さ
せる必要もなく、樹脂１１の熱伝導率の低下、放熱効果
の低下をまねくおそれもない。しかも、キャップ８およ
び電極体６により半導体チップ５を囲んでいるので、外
部からの水分の侵入に対するシールド効果が得られるよ
うになり、半導体チップ５の信頼性が向上する。また、
チップ表面を電気信号が伝搬するような半導体チップ５
であっても、チップ表面は樹脂１１に接触しないように
保護されているので、半導体チップ５の電気的特性の安
定化の点で有効であり、しかも樹脂１１はセラミックパ
ッケージや金属封止パッケージに比べて安価（１／１０
０〜１／１０００程度）であり、大幅なコストダウンが
可能である。
なお、上記実施例の樹脂封止型半導体装置の信頼性につ
いて、熱サイクル数対製熱応力による不良率および加湿
時間対湿気による不良率を実測したところ、従来例の樹
脂封止半導体装置に比べて大幅に改善されていることが
確認された。
いて、熱サイクル数対製熱応力による不良率および加湿
時間対湿気による不良率を実測したところ、従来例の樹
脂封止半導体装置に比べて大幅に改善されていることが
確認された。
なお、上記実施例において、キャップ８を導体により形
成し、電極体６における複数の電極部のうちの１つ、に
導電性接着剤により電気的に接続し、この電極部を電極
取り出しワイヤにより接地用のインナーリード部に接続
するようにすれば、半導体チップ５を外部電界から保護
することができ、信頼性を一層向上させることができる
。
成し、電極体６における複数の電極部のうちの１つ、に
導電性接着剤により電気的に接続し、この電極部を電極
取り出しワイヤにより接地用のインナーリード部に接続
するようにすれば、半導体チップ５を外部電界から保護
することができ、信頼性を一層向上させることができる
。
なお、本発明は上記実施例に限られるものではなく、キ
ャップ８、電極体６の形状を変形してもよく、両者を一
対的に構成してもよい。
ャップ８、電極体６の形状を変形してもよく、両者を一
対的に構成してもよい。
［発明の効果〕
上述したように本発明の樹脂封止型半導体装置によれは
、半導体チップの動作の信頼性が高く、封止材料のコス
トが安く、低価格化が可能になるなどの効果が得られる
。
、半導体チップの動作の信頼性が高く、封止材料のコス
トが安く、低価格化が可能になるなどの効果が得られる
。
第１図は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例を示
す断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す
断面図である。 １・・・リードフレームのベッド部、２・・・リードフ
レームのインナーリード部、３・・・リードフレームの
アウターリード部、５・・・半導体チップ、６・・・電
極体、６□・・・枠体、６２・・・溝部、６３・・・導
電体、８・・・キャップ、９．１０・・・電極取り出し
用ワイヤー、１１・・・樹脂。
す断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す
断面図である。 １・・・リードフレームのベッド部、２・・・リードフ
レームのインナーリード部、３・・・リードフレームの
アウターリード部、５・・・半導体チップ、６・・・電
極体、６□・・・枠体、６２・・・溝部、６３・・・導
電体、８・・・キャップ、９．１０・・・電極取り出し
用ワイヤー、１１・・・樹脂。
Claims (4)
- （１）リードフレームのベッド部上に設けられた半導体
チップの周囲に中空部を残して半導体チップを囲んで密
閉するように電極体およびキャップを設け、半導体チッ
プとリードフレームのインナーリード部とを上記電極体
を介して電極取り出し用ワイヤにより接続し、リードフ
レームのアウターリード部を残して他の部分を樹脂によ
り封止してなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置
。 - （２）前記キャップは導体からなり、接地用インナーリ
ードに接続されることを特徴とする前記特許請求の範囲
第１項記載の樹脂封止型半導体装置。 - （３）前記電極体は、方形状の絶縁性枠体の上面中央部
に溝部が形成され、上記枠体の上面における上記溝部の
両側部分の電極部相互間を電気的に接続するように上記
枠体内に導電体が埋設されてなり、前記リードフレーム
のベッド部上で半導体チップを囲む位置に接着されてい
ることを特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の樹
脂封止型半導体装置。 - （４）前記枠体の上面部の溝部にキャップの開口端部が
載置されていることを特徴とする前記特許請求の範囲第
３項記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61258506A JPS63114151A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61258506A JPS63114151A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63114151A true JPS63114151A (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=17321154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61258506A Pending JPS63114151A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63114151A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0339851U (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-17 | ||
| US5173766A (en) * | 1990-06-25 | 1992-12-22 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device package and method of making such a package |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP61258506A patent/JPS63114151A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0339851U (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-17 | ||
| US5173766A (en) * | 1990-06-25 | 1992-12-22 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device package and method of making such a package |
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