JPS63117320A - 磁気記録媒体の製造方法及びそれに使用する製造装置 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法及びそれに使用する製造装置Info
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- JPS63117320A JPS63117320A JP26228586A JP26228586A JPS63117320A JP S63117320 A JPS63117320 A JP S63117320A JP 26228586 A JP26228586 A JP 26228586A JP 26228586 A JP26228586 A JP 26228586A JP S63117320 A JPS63117320 A JP S63117320A
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ１ 産業上の利用分野
本発明は磁気テープ等の磁気記録媒体の製造方法に関す
る。
る。
（口１ 従来の技術
近年、磁気記録の高密度化の要求が高まるに従い、真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法等
の薄膜形成法τ二より磁気記録媒体を製造している。こ
れらの方法Ｃ二より形成された磁気記録媒体は、６）残
留磁束密度が高い■保磁力が大きい■磁性層を薄くでき
る等の特徴を有し。
蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法等
の薄膜形成法τ二より磁気記録媒体を製造している。こ
れらの方法Ｃ二より形成された磁気記録媒体は、６）残
留磁束密度が高い■保磁力が大きい■磁性層を薄くでき
る等の特徴を有し。
従来の塗布型磁気記録媒体Ｃ比べ、高密度記録が可能で
ある。
ある。
従来、金属薄膜型磁気記録媒体の磁性材料としては、ｌ
Ｊｉをｚｏ〜５ｏａｔ％含んだＣｏ−Ｎｉ合金が主シー
用いられている。しかし乍ら、ｃｏｄ７０チ以上含むた
め高価であり、また、高温高湿下での耐食性も十分では
ない。
Ｊｉをｚｏ〜５ｏａｔ％含んだＣｏ−Ｎｉ合金が主シー
用いられている。しかし乍ら、ｃｏｄ７０チ以上含むた
め高価であり、また、高温高湿下での耐食性も十分では
ない。
上述の欠点を改善するため、特開昭６０−５９５３７号
公報（Ｉ Ｐに Ｇ１１ Ｂ５／８５ ）を二開示され
ているようＣ，磁性材料として窒化鉄（ＦｅＮ系）を用
いたものが提案・されている。
公報（Ｉ Ｐに Ｇ１１ Ｂ５／８５ ）を二開示され
ているようＣ，磁性材料として窒化鉄（ＦｅＮ系）を用
いたものが提案・されている。
これは、第４図Ｃ二示すよう（：真空槽（１）内で固定
された基板（２）に蒸着材料容器（３）内のＦｅ（４）
を電子ビーム蒸着すると同時１；、イオン源（５）から
の窒素イオン（６１を照射することによりＦｅＮ薄膜を
形成していた（ｒ’／Ｄ法、 工ｏｎ ａｎａ ｖａ
ｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）。このＦｅＮ薄膜の保
磁力（Ｈｅ）、角形比１３１はＱｏ−Ｎｉ系の薄膜トホ
トんど同じである。
された基板（２）に蒸着材料容器（３）内のＦｅ（４）
を電子ビーム蒸着すると同時１；、イオン源（５）から
の窒素イオン（６１を照射することによりＦｅＮ薄膜を
形成していた（ｒ’／Ｄ法、 工ｏｎ ａｎａ ｖａ
ｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）。このＦｅＮ薄膜の保
磁力（Ｈｅ）、角形比１３１はＱｏ−Ｎｉ系の薄膜トホ
トんど同じである。
このようＣ１静止している基板上にＦ１５Ｎ薄膜を形成
する際（；は、Ｆｅの堆積速度と基板に到着する窒素イ
オンのイオン電流量を一定に制御すれば、ＦｅＮ薄膜の
組成比は深さ方向Ｃはぼ均一である。第６図はこの方法
で形成されたＦｅＮ膜の深さ方向における濃度分布をＢ
５０Ａ（光電子分光法）で分析した結果を示す図であり
、この図から分かる様に濃度分布は膜表面から基板界面
までほぼ均一である。
する際（；は、Ｆｅの堆積速度と基板に到着する窒素イ
オンのイオン電流量を一定に制御すれば、ＦｅＮ薄膜の
組成比は深さ方向Ｃはぼ均一である。第６図はこの方法
で形成されたＦｅＮ膜の深さ方向における濃度分布をＢ
５０Ａ（光電子分光法）で分析した結果を示す図であり
、この図から分かる様に濃度分布は膜表面から基板界面
までほぼ均一である。
一方、ＩＶＤ法１：より形成されるＦｅＮ膜を蒸着テー
プとして量産する場合には、第５図に示すように高分子
フィルム基板（７）ｔ−巻出しローラ（８）から冷却キ
ャン（９１１：ｌ−Ｇって巻取りローラα（Ｉｃ輸送し
。
プとして量産する場合には、第５図に示すように高分子
フィルム基板（７）ｔ−巻出しローラ（８）から冷却キ
ャン（９１１：ｌ−Ｇって巻取りローラα（Ｉｃ輸送し
。
前記冷却キャン（９）の周面上で前記高分子フィルム基
板（７１ＣＦ ｅ （４）を電子ビーム蒸着すると同時
に窒素イオン（６１１に照射してＦｅＮ薄膜を形成して
いた。
板（７１ＣＦ ｅ （４）を電子ビーム蒸着すると同時
に窒素イオン（６１１に照射してＦｅＮ薄膜を形成して
いた。
その際、Ｆａの斜め入射角及び堆積速度は前記基板（７
１の位置が変わるに伴い刻々と変化する。
１の位置が変わるに伴い刻々と変化する。
即ち、第５図Ｃ；おいて、Ａ、Ｂ、Ｏの各点におけるＦ
・の堆積速度を夫々Ｒ（ｌ囚、 Ｒ４１Ｂｌ、 Ｒ（１
［０１＋！：スルト、その関係１Ｒ（ｌｔＡｌ＞Ｒ１１
ｉＢｌ＞Ｒ（ＬＩＣ＋となる。従って、窒素イオン（６
）のイオン電流密度が斜線領域内で均一であるとすると
、Ａ、Ｂ、０各点Ｃ；おける膜の窒化度Ｙ囚、 ＹＩＢ
Ｉ、 ＹＩＯＩは夫々Ｙ囚＜ Ｙ （Ｒ１（Ｙ （Ｃ１
という関係になり、膜表面に行く程、窒化度が＃、ａ少
する。第７図はこの方法で形成されたＦｅＮ膜の深さ方
向ζ二おける濃度分布をＢ８０Ａで分析した結果を示す
図であり、この図から膜表［ｆＩ＋−行く程窒素チ劇度
が低くなっていることが分かる。
・の堆積速度を夫々Ｒ（ｌ囚、 Ｒ４１Ｂｌ、 Ｒ（１
［０１＋！：スルト、その関係１Ｒ（ｌｔＡｌ＞Ｒ１１
ｉＢｌ＞Ｒ（ＬＩＣ＋となる。従って、窒素イオン（６
）のイオン電流密度が斜線領域内で均一であるとすると
、Ａ、Ｂ、０各点Ｃ；おける膜の窒化度Ｙ囚、 ＹＩＢ
Ｉ、 ＹＩＯＩは夫々Ｙ囚＜ Ｙ （Ｒ１（Ｙ （Ｃ１
という関係になり、膜表面に行く程、窒化度が＃、ａ少
する。第７図はこの方法で形成されたＦｅＮ膜の深さ方
向ζ二おける濃度分布をＢ８０Ａで分析した結果を示す
図であり、この図から膜表［ｆＩ＋−行く程窒素チ劇度
が低くなっていることが分かる。
第４図及び第５図の装置で形成したＦｅＮ膜の磁気特性
は下表のようになる。
は下表のようになる。
上表から分かるように、移動フィルム上Ｃ二停止フィル
ム上と同等の保磁力を有するＦｅＮ膜を形成するためＣ
二は、窒化度を一層高める必要がある。
ム上と同等の保磁力を有するＦｅＮ膜を形成するためＣ
二は、窒化度を一層高める必要がある。
しかし、窒化度を高めると第７図から分かるように、基
板との界面での窒素濃度が著しく増加し。
板との界面での窒素濃度が著しく増加し。
飽和磁化（Ｍ８）が低下してしまうという問題が生じる
。
。
また、上述のようなＦｅＮ膜では、膜表面の窒素濃度が
小さくなり、耐摩耗性、耐食性が劣化していることが分
かった。
小さくなり、耐摩耗性、耐食性が劣化していることが分
かった。
ｌ／、ｌ 発明が解決しようとする問題点本発明は上
記従来例の欠点に鑑みなされたものであり、深さ方向に
おける窒素濃度が均一である窒化膜を移動するフィルム
基板上に形成することを可能１ニジた磁気記録媒体の製
造方法を提供することを目的とするものである。
記従来例の欠点に鑑みなされたものであり、深さ方向に
おける窒素濃度が均一である窒化膜を移動するフィルム
基板上に形成することを可能１ニジた磁気記録媒体の製
造方法を提供することを目的とするものである。
に））問題点を解決するための手段
移動する非磁性基板上に磁性金属を斜方入射すると共に
、前記基板上に窒素イオンを照射することにより前記基
板上（：磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法にお
いて、前記窒素イオンを複数個のイオン源で作成し、該
イオン源からのイオン電流密度を前記磁性層の窒素濃度
が深さ方向に一定：二なるよう【；個々：；調整する。
、前記基板上に窒素イオンを照射することにより前記基
板上（：磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法にお
いて、前記窒素イオンを複数個のイオン源で作成し、該
イオン源からのイオン電流密度を前記磁性層の窒素濃度
が深さ方向に一定：二なるよう【；個々：；調整する。
（ホ））作 用
゛上記方法（：依れば、基板上【：照射されるイオン電
流密度の大きさは、照射部分Ｃ二よって夫々異なり、該
照射部分における磁性金属の堆積速度（：応じて、イオ
ン源からのイオン電流密度を調整することＣ二より、前
記照射部分（：おける窒素濃度が均一【二なり、移動す
る基板上１：形成される磁性層の窒素濃度は深さ方向に
おいて一定となる。
流密度の大きさは、照射部分Ｃ二よって夫々異なり、該
照射部分における磁性金属の堆積速度（：応じて、イオ
ン源からのイオン電流密度を調整することＣ二より、前
記照射部分（：おける窒素濃度が均一【二なり、移動す
る基板上１：形成される磁性層の窒素濃度は深さ方向に
おいて一定となる。
（へ）実施例
以下１図面を参照しつつ本発明の一実施例を詳細に説明
する。
する。
第１図は本実施例の磁気テープの製造装置の断面図であ
る。
る。
真空槽（１１内に巻出しローラ（８）１巻取りローラｆ
ｉｏｌ 。
ｉｏｌ 。
冷却キャン（９）、蒸着材料収納容器（３）、及び第１
゜第２．第３イオン源ａυｆｉ２１（１３が夫々配置さ
れている。
゜第２．第３イオン源ａυｆｉ２１（１３が夫々配置さ
れている。
（７）はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリ
イミド等の高分子フィルム基板で、該フィルム基板（７
）は巻出しローラ（８）から冷却キャン（９）を経て巻
取りローラｆｉｌｅに送られる。
イミド等の高分子フィルム基板で、該フィルム基板（７
）は巻出しローラ（８）から冷却キャン（９）を経て巻
取りローラｆｉｌｅに送られる。
蒸着材料（Ｆｌ（４１は前記蒸着材料収納容器（３）内
（ユ入れられ、前記冷却キャン（９）と対向して配置さ
れ、電子ビーム発生源（図示せず）からの電子ビームに
より加熱される。加熱された蒸着材料（４）は蒸気流Ｉ
とな９．前記冷却キャン（９）上のフィルム基板（７）
Ｃ付着するが、遮へい板０５１によりフィルム基板（７
）上に到達する蒸気流ａ４の入射角（蒸気流α４の向き
とフィルム基板（７）の法線とが為す角度）は最小５５
に規制されている。
（ユ入れられ、前記冷却キャン（９）と対向して配置さ
れ、電子ビーム発生源（図示せず）からの電子ビームに
より加熱される。加熱された蒸着材料（４）は蒸気流Ｉ
とな９．前記冷却キャン（９）上のフィルム基板（７）
Ｃ付着するが、遮へい板０５１によりフィルム基板（７
）上に到達する蒸気流ａ４の入射角（蒸気流α４の向き
とフィルム基板（７）の法線とが為す角度）は最小５５
に規制されている。
前記第１．第２．第６イオン源αＵαハ３は前記フィル
ム基板（７）の進行方向に沿って配列されたカクフマン
型のイオン源で、該イオン源はガス導入管（図示せず）
より導入した窒素ガスを内部でイオン化し、その窒素イ
オンより成るイオン電流（１６１αＤＣ１８）を１Ｑ記
蒸気流（１４）と同時に前記フィルム基板（７）に照射
する。
ム基板（７）の進行方向に沿って配列されたカクフマン
型のイオン源で、該イオン源はガス導入管（図示せず）
より導入した窒素ガスを内部でイオン化し、その窒素イ
オンより成るイオン電流（１６１αＤＣ１８）を１Ｑ記
蒸気流（１４）と同時に前記フィルム基板（７）に照射
する。
前記フィルム基板（７）には、蒸気流ａ４により磁性材
料が堆積すると同時に、第１イオン源α１．第２イオン
源Ｑ３．第６イオン源α３の順でイオン電流σｅ１０ｎ
＋２１． Ｉ １ｏｎ（３）を夫ｔｚ 、 ｒｉｏｎ（
１）（Ｉ ｉ ｏ ｎ（２Ｋ Ｉ １ ｏ ｎ（３Ｊと
すること１：より、第７図１−示したような不均一な組
成分布は改善される。
料が堆積すると同時に、第１イオン源α１．第２イオン
源Ｑ３．第６イオン源α３の順でイオン電流σｅ１０ｎ
＋２１． Ｉ １ｏｎ（３）を夫ｔｚ 、 ｒｉｏｎ（
１）（Ｉ ｉ ｏ ｎ（２Ｋ Ｉ １ ｏ ｎ（３Ｊと
すること１：より、第７図１−示したような不均一な組
成分布は改善される。
尚、前記真空槽（１）内は排気装置 ｔ１９ Ｃより成
膜中の真空度が一定に保持されている。
膜中の真空度が一定に保持されている。
次に、上述の方法で磁気テープを作成した実施例１．２
について説明する。
について説明する。
（実施例１）
下記の条件下でフィルム基板上（−磁性層を作成した。
蒸発材料 Ｆ ｅ （９９，９９％）電子ビ
ーム電力 １０．ＯＫＷ フィルム送り速度 ７８ｍ／ｍｉｎ イオン電流の斜め入射角 第１イオン源（Ｉｌｌ ９０ 〜７０゜第２イオン
源ａ３ ７０〜６０゜ 第６イオン＃ｆｉ３ ６０ 〜５５゜窒素イオン電流
密度 第１イオン源（ｌｕ ２ｍＡ／ａｔ第２イオン諒（
１２１２０ｒｎＡ／ａｉ第６イオン源（１３１００ｍＡ
／− この条件下で膜厚０．２μｍのＦｅＮ膜をフィルム基板
上に形成し、そのＦ ｅ Ｎ １％の深さ方向における
７ｅとＮの濃度分布を第２図に示す。この第２因を見る
とこのＦｅＮ膜の深さ方向における組成分布は第７図１
−示した従来のＦｅＮ膜に比べてはるかに均一であるこ
とが分かる。
ーム電力 １０．ＯＫＷ フィルム送り速度 ７８ｍ／ｍｉｎ イオン電流の斜め入射角 第１イオン源（Ｉｌｌ ９０ 〜７０゜第２イオン
源ａ３ ７０〜６０゜ 第６イオン＃ｆｉ３ ６０ 〜５５゜窒素イオン電流
密度 第１イオン源（ｌｕ ２ｍＡ／ａｔ第２イオン諒（
１２１２０ｒｎＡ／ａｉ第６イオン源（１３１００ｍＡ
／− この条件下で膜厚０．２μｍのＦｅＮ膜をフィルム基板
上に形成し、そのＦ ｅ Ｎ １％の深さ方向における
７ｅとＮの濃度分布を第２図に示す。この第２因を見る
とこのＦｅＮ膜の深さ方向における組成分布は第７図１
−示した従来のＦｅＮ膜に比べてはるかに均一であるこ
とが分かる。
また、このＦ ８ Ｎ １１％の磁気特性は、保磁力（
ＨＯ）雪１０５０（ｏθ）、角形比（８１−０，８０，
飽和磁化（Ｍ ａ ）−２５０”ｕ／ＣＣとなり、停止
フィルム基板上（：形成されたＦｅＮ膜とほぼ同等の結
果が得られた。また、耐摩耗性及び耐食性：二ついても
停止フィルム基板上に形成されたＦｌｉｌＮ膜と比べ遜
色のない結果が得られた。
ＨＯ）雪１０５０（ｏθ）、角形比（８１−０，８０，
飽和磁化（Ｍ ａ ）−２５０”ｕ／ＣＣとなり、停止
フィルム基板上（：形成されたＦｅＮ膜とほぼ同等の結
果が得られた。また、耐摩耗性及び耐食性：二ついても
停止フィルム基板上に形成されたＦｌｉｌＮ膜と比べ遜
色のない結果が得られた。
（実施例２）
実施例１の条件において、窒化度を高めるために第１．
第２．第６イオン源αＬｌα２σ３を下記のとおり変更
してフィルム基板上：；磁性層を作成した。
第２．第６イオン源αＬｌα２σ３を下記のとおり変更
してフィルム基板上：；磁性層を作成した。
イオン電流の斜め入射角
第１イオン源１υ ８０〜６５゜
第２イオン源α２１ ６５〜５８゜
第３イオン諒０３ ５８〜５５゜
窒素イオン電流家糺
第１イオン源ｆｉｌｌ ２ｍＡ／ｊ第２イオｙｆ
ｆｐ、ｒｉ７Ｊ １０ ｍ Ａ／ ｃｄ第５１オ
ン＃１１３ １５０ｍＡ／ｊこの条件下で膜厚０．
２μｍのＦｅＮ膜をフィルム基板上に形成し、そのＦｅ
Ｎ膜の深さ方向ＣユおけるＦｅとＮの濃度分布を第３図
に示す。この第６図を見ると膜表面に行く程、窒化度が
高くなっていることが分かる。
ｆｐ、ｒｉ７Ｊ １０ ｍ Ａ／ ｃｄ第５１オ
ン＃１１３ １５０ｍＡ／ｊこの条件下で膜厚０．
２μｍのＦｅＮ膜をフィルム基板上に形成し、そのＦｅ
Ｎ膜の深さ方向ＣユおけるＦｅとＮの濃度分布を第３図
に示す。この第６図を見ると膜表面に行く程、窒化度が
高くなっていることが分かる。
また、このＦｅＮ膜の磁気特性は保持力（ＨＱ）−９８
０（Ｏｅ）、角形比−０，８３，飽和磁化（Ｍ ｓ ）
−３５０ｅｍｕ／ｃａ となり、高い飽和磁化（Ｍａ
）を有するＦｅＮ膜が得られた。また。
０（Ｏｅ）、角形比−０，８３，飽和磁化（Ｍ ｓ ）
−３５０ｅｍｕ／ｃａ となり、高い飽和磁化（Ｍａ
）を有するＦｅＮ膜が得られた。また。
耐摩耗性、耐食性は共に、停止フィルム基板上に形成さ
れたＦＩＳＮ膜を上回った。
れたＦＩＳＮ膜を上回った。
尚１本実施例では、蒸発材料としてＦｅｔ−用いた場合
についてのみｇ及したが１本発明はこれ（＝限定される
ものではなく、Ｆｅを主成分とした磁性材料、即ちＦａ
−Ｃｏ、Ｆｅ−０ｒ、Ｆｅ−Ｎ１及びそれらの合金を蒸
着材料として用いた場合にも有効である。
についてのみｇ及したが１本発明はこれ（＝限定される
ものではなく、Ｆｅを主成分とした磁性材料、即ちＦａ
−Ｃｏ、Ｆｅ−０ｒ、Ｆｅ−Ｎ１及びそれらの合金を蒸
着材料として用いた場合にも有効である。
（ト１ 発明の効果
本発明二値れば、深さ方向における磁性層の窒素濃度を
ほぼ均一（−することにより移動する非磁性基板上Ｃも
磁気特性、耐食性、及び耐摩耗性の優れた磁性層を形成
することを可能にした磁気記録媒体の製造方法を提供し
得る。
ほぼ均一（−することにより移動する非磁性基板上Ｃも
磁気特性、耐食性、及び耐摩耗性の優れた磁性層を形成
することを可能にした磁気記録媒体の製造方法を提供し
得る。
第１図乃至第６図は本発明に係り、第１図は磁気テープ
の製造装置の断面図、第２図及び第３図は夫々、ＦＩＮ
膜の深さ方向（：おける組成分布を示す因である。第４
図乃至第７図は従来例（−係り第４図及び第５図は夫々
磁気テープの製造装置の断面図、第６図及び第７図は夫
々、ＦＩＮ膜の組成分布を示す図である。 （４）・・・磁性材料（Ｆｅ）（磁性金属） 、 （７
）・・・フィルム基板（非磁性基板）、 ａｕ’ａ（Ｌ
３・・・第１．第２゜第３イオン源、 Ｃ１６１（ｌ加
ａ・・・イオン電流。
の製造装置の断面図、第２図及び第３図は夫々、ＦＩＮ
膜の深さ方向（：おける組成分布を示す因である。第４
図乃至第７図は従来例（−係り第４図及び第５図は夫々
磁気テープの製造装置の断面図、第６図及び第７図は夫
々、ＦＩＮ膜の組成分布を示す図である。 （４）・・・磁性材料（Ｆｅ）（磁性金属） 、 （７
）・・・フィルム基板（非磁性基板）、 ａｕ’ａ（Ｌ
３・・・第１．第２゜第３イオン源、 Ｃ１６１（ｌ加
ａ・・・イオン電流。
Claims (1)
- （１）移動する非磁性基板上に磁性金属を斜方入射する
と共に、前記基板上に窒素イオンを照射することにより
前記基板上に磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法
において、前記非磁性基板の進行方向に沿つて配列され
た複数個のイオン源によつて前記窒素イオンを作成し、
前記イオン源からのイオン電流密度を前記磁性層の窒素
濃度が深さ方向に一定になるように個々に調整したこと
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26228586A JPH0799581B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 磁気記録媒体の製造方法及びそれに使用する製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26228586A JPH0799581B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 磁気記録媒体の製造方法及びそれに使用する製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63117320A true JPS63117320A (ja) | 1988-05-21 |
| JPH0799581B2 JPH0799581B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=17373660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26228586A Expired - Lifetime JPH0799581B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 磁気記録媒体の製造方法及びそれに使用する製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799581B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184926A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜型磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP26228586A patent/JPH0799581B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184926A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜型磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0799581B2 (ja) | 1995-10-25 |
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