JPS63120427A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63120427A JPS63120427A JP61266935A JP26693586A JPS63120427A JP S63120427 A JPS63120427 A JP S63120427A JP 61266935 A JP61266935 A JP 61266935A JP 26693586 A JP26693586 A JP 26693586A JP S63120427 A JPS63120427 A JP S63120427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- liquid
- cvd method
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、薄膜堆積の工程を含む半導体装置の製造方法
に関する。
に関する。
従来の技術
従来、半導体装置の製造過程における薄膜形成は、形成
薄膜の原子を含む材料ガスをプラズマ放電にて分解させ
て薄膜を形成するプラズマ化学気相堆積（以下、プラズ
マＣＶＤと呼ぶ）法あるい２ ／、−。
薄膜の原子を含む材料ガスをプラズマ放電にて分解させ
て薄膜を形成するプラズマ化学気相堆積（以下、プラズ
マＣＶＤと呼ぶ）法あるい２ ／、−。
は熱反応により原料ガスを分解させて薄膜を形成する化
学気相堆積法によって行なわれた。また、前記材料ガス
に光照射を行ない薄膜を堆積する方法及び前記Ｓｉ化合
物を溶剤に溶かした液体を塗布した後に加熱して薄膜を
形成する方法をそれぞれ単独で用いていた。
学気相堆積法によって行なわれた。また、前記材料ガス
に光照射を行ない薄膜を堆積する方法及び前記Ｓｉ化合
物を溶剤に溶かした液体を塗布した後に加熱して薄膜を
形成する方法をそれぞれ単独で用いていた。
発明が解決しようとする問題点
半導体装置を製造する過程において薄膜を堆積する際、
薄膜堆積以前の形成物にイオンの衝突等による悪影響を
与えず、かつ膜形成後の加工の際に配線の断線、短絡、
特性の不安定性が生じないよう平坦な表面の薄膜形成が
必要である。従来性なわれているプラズマＣＶＤ法では
薄膜形成以前の形成物にイオンによる悪影響を与える。
薄膜堆積以前の形成物にイオンの衝突等による悪影響を
与えず、かつ膜形成後の加工の際に配線の断線、短絡、
特性の不安定性が生じないよう平坦な表面の薄膜形成が
必要である。従来性なわれているプラズマＣＶＤ法では
薄膜形成以前の形成物にイオンによる悪影響を与える。
また、熱反応を用いた化学気相堆積法では、熱による影
響が大きく、融点の低い物質、例えばアルミなどが存在
する下地上に堆積するとアルミが溶けるなどの理由から
、使用できる状態が限られている。
響が大きく、融点の低い物質、例えばアルミなどが存在
する下地上に堆積するとアルミが溶けるなどの理由から
、使用できる状態が限られている。
また形成薄膜の原子を含む材料ガスに光照射して薄膜を
堆積する方法（以後ＣＶＤ法と呼ぶ）単３へ 独で用いた場合には第２図に示すように下地に段差かつ
い−Ｃいるとその段の急峻さが和らげるととｆｔ＜膜形
成が？ｉなわれ、以後の１−程での不良発生の原因とな
る。Ａ−た、パターンが微細（ＦＸなると、四部中央部
に疎な部分が３゛１れ半導体装置の特性に悪影響を−Ｌ
ｊえる。液体塗布を用いた膜形成単独でし１、厚みがあ
る仙以トとなると膜にひびが入るという問題がある。
堆積する方法（以後ＣＶＤ法と呼ぶ）単３へ 独で用いた場合には第２図に示すように下地に段差かつ
い−Ｃいるとその段の急峻さが和らげるととｆｔ＜膜形
成が？ｉなわれ、以後の１−程での不良発生の原因とな
る。Ａ−た、パターンが微細（ＦＸなると、四部中央部
に疎な部分が３゛１れ半導体装置の特性に悪影響を−Ｌ
ｊえる。液体塗布を用いた膜形成単独でし１、厚みがあ
る仙以トとなると膜にひびが入るという問題がある。
本発明し１−［記の問題を解決ｔべく、下地への悪影響
を一！うえるこ、になく、下地に影響をちえにくい低温
で堆積ができ、ひび等の入らない安定でかつ段差か急で
々く後工程に影響のない薄膜形成を行うものである。。
を一！うえるこ、になく、下地に影響をちえにくい低温
で堆積ができ、ひび等の入らない安定でかつ段差か急で
々く後工程に影響のない薄膜形成を行うものである。。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、光ＣＶＤ法による
薄１１ζｊ 、ｉ４１積後ｅζ液体塗布及び加熱による
膜形成を行なう、あるいｉ液体塗布及び加熱による膜形
成後←先光ＣＶＤ法よる薄膜堆積を行なう、あるいは上
記の方法を縁り返して行なう。
薄１１ζｊ 、ｉ４１積後ｅζ液体塗布及び加熱による
膜形成を行なう、あるいｉ液体塗布及び加熱による膜形
成後←先光ＣＶＤ法よる薄膜堆積を行なう、あるいは上
記の方法を縁り返して行なう。
作 用
光ＣＶＤ法はプラズマＣＶＤ法などと化べ、下地に影響
を力えるととなく、かつ段差の被覆性が良いため下地に
幅の狭い凹部が看７Ｅｌ、１も埋め込むととができる。
を力えるととなく、かつ段差の被覆性が良いため下地に
幅の狭い凹部が看７Ｅｌ、１も埋め込むととができる。
しかしながら光ＣＶＤ法のみでＵＪ１第２図のよ、うな
段差部に形成した膜の表面を平坦にすることはできず、
第３図のように隣接する凸部のない場所４では段差は急
である。−ｊ・た、第８図のように、凹部内の中火に疎
な部参８が残る。
段差部に形成した膜の表面を平坦にすることはできず、
第３図のように隣接する凸部のない場所４では段差は急
である。−ｊ・た、第８図のように、凹部内の中火に疎
な部参８が残る。
ぞこ−で同じく下地に影響をちえず、かつ第１図に示す
ように表面が平」月に形成される液体塗布及び加熱によ
る膜６形成と光ＣＶＤ膜２を川みあわぜることに、１：
す、下地への影響もなく平ガ１な表面を持つ膜を形成で
きる。１だ、四部の中央も密である・・ との効果は光ＣＶＤ法と液体塗布及びび加熱による膜形
成方法とを組みあわせた場合にのみ生じる。光ＣＶＤ法
以外の低温膜形成法例えばプラズマＣＶＤ法でｄ１１膜
図に示すように下地１に形成された凹部内３にプラズマ
Ｓ ｚ０２膜６が耳ｆ積する際、凹部内の上部に厚く堆
積する傾向があり、こ５、−−； の内部にＳｊ化合物を溶かした溶剤を流しこみ加熱によ
って膜を・形成した場合に、凹部内部３での膨張が自由
にできないため膜のひびとなってあられれる。また、下
地基板への悪影響もある。
ように表面が平」月に形成される液体塗布及び加熱によ
る膜６形成と光ＣＶＤ膜２を川みあわぜることに、１：
す、下地への影響もなく平ガ１な表面を持つ膜を形成で
きる。１だ、四部の中央も密である・・ との効果は光ＣＶＤ法と液体塗布及びび加熱による膜形
成方法とを組みあわせた場合にのみ生じる。光ＣＶＤ法
以外の低温膜形成法例えばプラズマＣＶＤ法でｄ１１膜
図に示すように下地１に形成された凹部内３にプラズマ
Ｓ ｚ０２膜６が耳ｆ積する際、凹部内の上部に厚く堆
積する傾向があり、こ５、−−； の内部にＳｊ化合物を溶かした溶剤を流しこみ加熱によ
って膜を・形成した場合に、凹部内部３での膨張が自由
にできないため膜のひびとなってあられれる。また、下
地基板への悪影響もある。
実施例
以下に図面を用いて本発明の詳細な説明する。
（実施例１）
第３図にノＹ＜す」：うに凹凸のある基板１上に光ＣＶ
Ｄ法（でよりＳ １０２膜２を形成する。この段階で基
板１土の凹部内３は埋め込１れており、凹凸のこみ入っ
たところでし１表面は平坦になっている。
Ｄ法（でよりＳ １０２膜２を形成する。この段階で基
板１土の凹部内３は埋め込１れており、凹凸のこみ入っ
たところでし１表面は平坦になっている。
／こだし７、＠接゛する凸部のない場所４では８１０２
２表面形状はなたらかでなく急峻な段差が残っている４
゜ 第３図で示した状態のトにＳｉ 化合物を溶剤に溶かし
たものを塗布した後加熱してＳ １０２５を形成した後
の状態を第１図に示す、７溶剤にＳｔ化合物を溶か１〜
で塗布した場合、液体の性質として高さの低い部分及び
四部に厚く形成され、凸部にはほとんど形成され々い。
２表面形状はなたらかでなく急峻な段差が残っている４
゜ 第３図で示した状態のトにＳｉ 化合物を溶剤に溶かし
たものを塗布した後加熱してＳ １０２５を形成した後
の状態を第１図に示す、７溶剤にＳｔ化合物を溶か１〜
で塗布した場合、液体の性質として高さの低い部分及び
四部に厚く形成され、凸部にはほとんど形成され々い。
そのため、凹凸のこみ入 ｌ−７
った部分ではさらに表面はイ坦になっ一τいる。寸／、
７．、隣接する凸部のない場所（段差部）４では、溶材
の粘度等によって、塗布により形成したＳ １０２膜５
はゆるやかな傾斜のある表面状態となり、この８１０２
５上に形成する工程に影響を与えない。
７．、隣接する凸部のない場所（段差部）４では、溶材
の粘度等によって、塗布により形成したＳ １０２膜５
はゆるやかな傾斜のある表面状態となり、この８１０２
５上に形成する工程に影響を与えない。
なお、本実施例で用いた光ＣＶＤ法によるＳ １０２膜
２と溶剤を塗布後加熱して形成したＳ １０２膜５の形
成時には、イオン等の発生がなくかつ、両者とも低温で
の形成のため、下地１・＼の影響が少い膜形成となって
いる。
２と溶剤を塗布後加熱して形成したＳ １０２膜５の形
成時には、イオン等の発生がなくかつ、両者とも低温で
の形成のため、下地１・＼の影響が少い膜形成となって
いる。
（実施例２）
第４図に示すように、実施例１でｄ：塗布及び加熱によ
って形成したＳ １０２膜は四部３−や段差のある部分
４にのみ厚く形成されていたのに対し、塗布及び加熱を
くり返す、あるいは、濃度の高い溶液を使う等によって
厚みをさらに厚く形成する。
って形成したＳ １０２膜は四部３−や段差のある部分
４にのみ厚く形成されていたのに対し、塗布及び加熱を
くり返す、あるいは、濃度の高い溶液を使う等によって
厚みをさらに厚く形成する。
これによって表面の平面度はさらに高くなる。
（実施例３）
第６図に示すように凹凸のある基板１−１−にまずＳｉ
化合物を溶剤に溶かし／ζものを塗布した後加７ べ
−／ 熱してＳ １０２膜５を形成する。この時点で、溶液の
粘度により凹部内及び隣接する凸部のない場所４での表
面の急峻さは緩和されている。さらに光ＣＶＤ法により
Ｓｉ３Ｎ４膜９を形成すると、凹凸が少く、なだらかな
表面形状を得る。
化合物を溶剤に溶かし／ζものを塗布した後加７ べ
−／ 熱してＳ １０２膜５を形成する。この時点で、溶液の
粘度により凹部内及び隣接する凸部のない場所４での表
面の急峻さは緩和されている。さらに光ＣＶＤ法により
Ｓｉ３Ｎ４膜９を形成すると、凹凸が少く、なだらかな
表面形状を得る。
本実施例の」：うに実施例１と異なり、まず塗布及び加
熱によってＳ ｉ Ｏ２膜５を形成することにより、凹
部内３を埋め込むのに必要な光ＣＶＤによるＳｉ３Ｎ４
膜厚をへらすことができる。また、凹−部内の表面の急
峻さが緩和されることにより、光ＣＶＤ法に」：すＳｉ
３Ｎ４膜によって凹部内３を埋め込む際、内部に空洞が
できにくく均一な膜で埋め込みやすくなる。
熱によってＳ ｉ Ｏ２膜５を形成することにより、凹
部内３を埋め込むのに必要な光ＣＶＤによるＳｉ３Ｎ４
膜厚をへらすことができる。また、凹−部内の表面の急
峻さが緩和されることにより、光ＣＶＤ法に」：すＳｉ
３Ｎ４膜によって凹部内３を埋め込む際、内部に空洞が
できにくく均一な膜で埋め込みやすくなる。
（実施例４）
第６図に示すように、光ＣＶＤ法によって形成したＳ
１０２膜２とＳｉ化合物を含む溶材を塗布後加熱するこ
とによって形成したＳｉ○２膜５を多層積み重ねる。こ
のようにすれば、複数の塗布及び加熱によ膜形成したＳ
１０２膜６による急峻度の緩和が得られ、より一層表
面の平面度がます。また、全体の厚みをへらすことなく
各層の厚みをへらすことができるため、全体での膜の絶
縁性等の特性をそこなうことがなく、かつ、各層の形成
時間の短縮及び、厚みが薄いためにひび割れが入りにく
くなる等の膜の安定性を増すことができる。また、光Ｃ
ＶＤにょるＳ １０２膜で凹部を埋め込んでしまうと第
８図のように凹部中央に疎な膜質の部分８が残ってしま
うが、単層膜で埋め込まないため、この現象も防げる。
１０２膜２とＳｉ化合物を含む溶材を塗布後加熱するこ
とによって形成したＳｉ○２膜５を多層積み重ねる。こ
のようにすれば、複数の塗布及び加熱によ膜形成したＳ
１０２膜６による急峻度の緩和が得られ、より一層表
面の平面度がます。また、全体の厚みをへらすことなく
各層の厚みをへらすことができるため、全体での膜の絶
縁性等の特性をそこなうことがなく、かつ、各層の形成
時間の短縮及び、厚みが薄いためにひび割れが入りにく
くなる等の膜の安定性を増すことができる。また、光Ｃ
ＶＤにょるＳ １０２膜で凹部を埋め込んでしまうと第
８図のように凹部中央に疎な膜質の部分８が残ってしま
うが、単層膜で埋め込まないため、この現象も防げる。
発明の効果
本発明は以上述べたように、光ＣＶＤ法による薄膜形成
とＳｉ化合物を溶剤に溶かした液体を塗布した後に加熱
した薄膜形成とを組み合わせることにより、凹凸を有す
る基板」二に平坦で急峻な段差のない表面をもつ膜形成
を、下地に影響を与えることなく行なえる。
とＳｉ化合物を溶剤に溶かした液体を塗布した後に加熱
した薄膜形成とを組み合わせることにより、凹凸を有す
る基板」二に平坦で急峻な段差のない表面をもつ膜形成
を、下地に影響を与えることなく行なえる。
第１図は本発明の第１実施例方法の平坦な表面の薄膜形
成後の状態を示す断面図、第２図は凹凸を有する基板の
断面図、第３図は凹凸のある基板９ｔ・−ノ ートに光ＣＶＤ法による薄膜を形成した後の形状を示す
断面図、第４図は本発明の第２実施例方法の平坦な表面
の薄膜形成後の状態を示す断面図、第５図は本発明の第
３実施例方法の平坦な表面の薄膜形成後の状態を示す断
面図、第６図は本発明の第４実施例方法の平坦な表面の
薄膜形成後の状態を示す断面図、第７図は従来法による
薄膜形成後の状態を示す断面図、第８図は従来法による
薄膜形成後の疎な部分を示す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・光ＣＶＤ法による
ＳｉＯ２膜、３・・・・・・凹部、４・・・・・・隣接
する凸部のない段差部、５・・・・・・Ｓｉ化合物を含
む溶剤を塗布した後に加熱して形成したＳ １０２膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
基 板 ２− 光ＣＶＤ−８：０２膜 ３−凹 仰 ４− 隣接する凸部の譬い段見郊 ５５−１ｆｔｉｕ熟１：Ｊ： ６ＳｉＱ２Ｊｌ第１図 ／ −一一甚 杖 范２図 ２−光ＣＶＤ−５ｉ０２膜 ／−一一基 狐 ２− 尤ＣＶＤ−５ｉＯ２屑 ３−凹 邦 第 ４ 図 ４−隣接する凸部のｔ
い段基部５−塗争及び加熱による５ｊｏ２肩 第 ５ 図７−尤ＣＶＤ−８ｊａＮＪｆ＠７−一−基
坂 ２−九ｃｖＤ−ｓｉｏ２ｍ ３−凹 舒 ４−隣接する凸部の７１段差部 ５−１今及び加熱によるＳｉＯ２膜 第６図 ７−−一基 板 ２−−一兜ＣＶＤ−５ｒＯ２膜 ８−ＩＡす部分 第８図
成後の状態を示す断面図、第２図は凹凸を有する基板の
断面図、第３図は凹凸のある基板９ｔ・−ノ ートに光ＣＶＤ法による薄膜を形成した後の形状を示す
断面図、第４図は本発明の第２実施例方法の平坦な表面
の薄膜形成後の状態を示す断面図、第５図は本発明の第
３実施例方法の平坦な表面の薄膜形成後の状態を示す断
面図、第６図は本発明の第４実施例方法の平坦な表面の
薄膜形成後の状態を示す断面図、第７図は従来法による
薄膜形成後の状態を示す断面図、第８図は従来法による
薄膜形成後の疎な部分を示す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・光ＣＶＤ法による
ＳｉＯ２膜、３・・・・・・凹部、４・・・・・・隣接
する凸部のない段差部、５・・・・・・Ｓｉ化合物を含
む溶剤を塗布した後に加熱して形成したＳ １０２膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
基 板 ２− 光ＣＶＤ−８：０２膜 ３−凹 仰 ４− 隣接する凸部の譬い段見郊 ５５−１ｆｔｉｕ熟１：Ｊ： ６ＳｉＱ２Ｊｌ第１図 ／ −一一甚 杖 范２図 ２−光ＣＶＤ−５ｉ０２膜 ／−一一基 狐 ２− 尤ＣＶＤ−５ｉＯ２屑 ３−凹 邦 第 ４ 図 ４−隣接する凸部のｔ
い段基部５−塗争及び加熱による５ｊｏ２肩 第 ５ 図７−尤ＣＶＤ−８ｊａＮＪｆ＠７−一−基
坂 ２−九ｃｖＤ−ｓｉｏ２ｍ ３−凹 舒 ４−隣接する凸部の７１段差部 ５−１今及び加熱によるＳｉＯ２膜 第６図 ７−−一基 板 ２−−一兜ＣＶＤ−５ｒＯ２膜 ８−ＩＡす部分 第８図
Claims (1)
- 形成薄膜の原子を含む材料ガスに光照射して薄膜を堆積
した後にＳｉ化合物を溶剤に溶かした液体を塗布した後
に加熱して薄膜を形成する工程および前記液体塗布及び
加熱による薄膜形成の後に前記光照射による薄膜堆積を
行なう工程のうち少なくとも一方の工程を含んでなる半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61266935A JPS63120427A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61266935A JPS63120427A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63120427A true JPS63120427A (ja) | 1988-05-24 |
Family
ID=17437728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61266935A Pending JPS63120427A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63120427A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02151032A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-11-10 JP JP61266935A patent/JPS63120427A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02151032A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3262334B2 (ja) | 半導体ウエハーを処理する方法 | |
| US5426076A (en) | Dielectric deposition and cleaning process for improved gap filling and device planarization | |
| US5084130A (en) | Method for depositing material on depressions | |
| JPH08250497A (ja) | 半導体装置の金属配線層の形成方法 | |
| US5176789A (en) | Method for depositing material on depressions | |
| TWI706438B (zh) | 以uv輔助方式將材料注入多孔膜 | |
| JPH04233734A (ja) | 弗素化窒化珪素を付着する方法 | |
| JPH01119049A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5462767A (en) | CVD of conformal coatings over a depression using alkylmetal precursors | |
| TW202016355A (zh) | 基板配置方法 | |
| JPH0691068B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0329298B2 (ja) | ||
| JPH08203891A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6091632A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2954219B2 (ja) | 半導体装置の製造プロセスに適用される改良された選択ｃｖｄ | |
| JPS63123A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JP3002494B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62230026A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPH01204429A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0245929A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN115881510A (zh) | 一种改善金属沉积台阶覆盖的方法和装置 | |
| JPH04115536A (ja) | 平坦化処理法 | |
| JPS59119849A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63190358A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS59186328A (ja) | エツチング方法 |