JPS6312079B2 - - Google Patents
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- JPS6312079B2 JPS6312079B2 JP54119323A JP11932379A JPS6312079B2 JP S6312079 B2 JPS6312079 B2 JP S6312079B2 JP 54119323 A JP54119323 A JP 54119323A JP 11932379 A JP11932379 A JP 11932379A JP S6312079 B2 JPS6312079 B2 JP S6312079B2
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- amino
- hydroxyl
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07H—SUGARS; DERIVATIVES THEREOF; NUCLEOSIDES; NUCLEOTIDES; NUCLEIC ACIDS
- C07H15/00—Compounds containing hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals directly attached to hetero atoms of saccharide radicals
- C07H15/20—Carbocyclic rings
- C07H15/22—Cyclohexane rings, substituted by nitrogen atoms
- C07H15/222—Cyclohexane rings substituted by at least two nitrogen atoms
- C07H15/226—Cyclohexane rings substituted by at least two nitrogen atoms with at least two saccharide radicals directly attached to the cyclohexane rings
- C07H15/234—Cyclohexane rings substituted by at least two nitrogen atoms with at least two saccharide radicals directly attached to the cyclohexane rings attached to non-adjacent ring carbon atoms of the cyclohexane rings, e.g. kanamycins, tobramycin, nebramycin, gentamicin A2
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61P—SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
- A61P31/00—Antiinfectives, i.e. antibiotics, antiseptics, chemotherapeutics
- A61P31/04—Antibacterial agents
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Saccharide Compounds (AREA)
Description
本発明は半合成アミノ配糖体抗生物質として有
用な新規化合物である6″―デオキシジベカシンま
たは4″，6″―ジデオキシジベカシン、またはそれ
らの１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシ
ブチリル）誘導体に関し、またそれらの化合物を
製造する方法に関する。 本発明者らによつて発見したジベカシン（すな
わち3′，4′―ジデオキシカナマイシンＢ：特公昭
50−7595号、特許第794612号、米国特許第
3753973号）は各種の耐性菌に有効な化学療法剤
として、既に細菌感染症の治療に広く用いられて
いる。さらに、本発明者らによつて合成された１
―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリ
ル）―ジベカシン（特公昭52−33629号、米国特
許第4107424号）はジベカシン耐性菌にも有効な
化学療法剤である。最近、本発明者らは、6″―デ
オキシアミカシンおよび4″，6″―ジデオキシアミ
カシンを合成し、いずれも聴器毒性が低く、アミ
カシンすなわち１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―
ヒドロキシブチリル）―カナマイシンＡと同程度
の抗菌作用を示すことを確認した（特願昭54−
54733号）。そこで、さらに本発明者らは、ジベカ
シンまたは１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒド
ロキシブチリル）―ジベカシンの6″―デオキシま
たは―4″，6″―ジデオキシ誘導体を新らたに合成
し、いずれも聴器毒性が低いのみならず、ジベカ
シンまたは１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒド
ロキシブチリル）―ジベカシンと同程度の抗菌作
用を示すことを確認して本発明を完成した。 すなわち、第一の本発明によると、一般式
（） 〔式中、Ｒは水酸基または水素原子を示し、
R1は水素原子または４―アミノ―２―ヒドロキ
シブチリル基を示す〕で表わされるジベカシン誘
導体およびそれらの酸付加塩が提供される。 第一の本発明による一般式（）の化合物は次
の一般式（） 〔式中Ｒは水酸基または水素原子〕で表わされ
る１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブ
チリル）―ジベカシンのデオキシ誘導体、すなわ
ち１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブ
チリル）―6″―デオキシジベカシン〔式中Ｒが水
酸基の場合〕、または１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ
―２―ヒドロキシブチリル）―4″，6″―ジデオキ
シジベカシン〔式中Ｒが水素原子の場合〕および
それらの酸付加塩を包含する。 第一本発明の４種の化合物の理化学的および生
物学的性状は次のとおりである。 (i) 6″―デオキシジベカシンの3/2炭酸塩は白色
粉末で、131℃付近より徐々に分解し、〔α〕26 D
＝＋101゜（c0.44，水）を示す。元素分析値は
C18H37N5O7・3/2H2CO3の理論値（C44.31％，
H7.63％，N13.25％）に合致し、マススペクト
ルでｍ／e435にM+を示した。シリカゲルの薄
層クロマトグラフイーで、ブタノール，エタノ
ール，クロロホルムおよび水（４：５：２：
５）の混液を展開溶媒としてRf0.38に単一スポ
ツト（ニンヒドリン）を示す。 (ii) 4″，6″―ジデオキシジベカシンの3/2炭酸塩
は白色粉末で、129℃付近より徐々に分解し
〔α〕23 D＝＋126゜（c0.5，水）を示す。元素分析値
はC18H37N5O6・3/2H2CO3の理論値（Ｃ：
45.69％，H7.87％，N13.66％）に合致し、マ
ススペクトルでｍ／e420に（Ｍ＋１）+を示し
た。前述のシリカゲルの薄層クロマトグラフイ
ーでRf0.45を示す。 (iii) １―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシ
ブチリル）―6″―デオキシジベカシンの3/2炭
酸塩は白色粉末で、分解点132―139℃で、〔α〕
23 D＝＋73゜（c0.3，水）を示す。元素分析値は
C22H42N6O9・3/2H2CO3の理論値（C44.97％，
H7.23％，N13.39％）に合致した。前述のシリ
カゲルの薄層クロマトグラフイーでRf0.10を示
す。 (iv) １―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシ
ブチリル）―4″，6″―ジデオキシジベカシンの
３／２炭酸塩は白色粉末で、分解点142―147℃で、
〔α〕24 D＝＋84゜（c0.5，水）を示す。元素分析値
はC22H42N6O8・3/2H2CO3の理論値（C46.15
％，H7.42％，N13.74％）に合致した。前述の
シリカゲルの薄層クロマトグラフイーでRf0.21
を示す。 本発明で得られた6″―デオキシジベカシン
（6″―DDKBと略す）、4″，6″―ジデオキシジベカ
シン（4″，6″―DDKB），１―Ｎ―（Ｌ―４―ア
ミノ―２―ヒドロキシブチリル）―6″―デオキシ
ジベカシン（AHB―6″―DDKB）および１―Ｎ
―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリル）
―4″，6″―ジデオキシジベカシン（AHB―4″，
6″―DDKB）の抗菌スペクトルをジベカシン
（DKB）と比較して第１表に示した。
用な新規化合物である6″―デオキシジベカシンま
たは4″，6″―ジデオキシジベカシン、またはそれ
らの１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシ
ブチリル）誘導体に関し、またそれらの化合物を
製造する方法に関する。 本発明者らによつて発見したジベカシン（すな
わち3′，4′―ジデオキシカナマイシンＢ：特公昭
50−7595号、特許第794612号、米国特許第
3753973号）は各種の耐性菌に有効な化学療法剤
として、既に細菌感染症の治療に広く用いられて
いる。さらに、本発明者らによつて合成された１
―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリ
ル）―ジベカシン（特公昭52−33629号、米国特
許第4107424号）はジベカシン耐性菌にも有効な
化学療法剤である。最近、本発明者らは、6″―デ
オキシアミカシンおよび4″，6″―ジデオキシアミ
カシンを合成し、いずれも聴器毒性が低く、アミ
カシンすなわち１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―
ヒドロキシブチリル）―カナマイシンＡと同程度
の抗菌作用を示すことを確認した（特願昭54−
54733号）。そこで、さらに本発明者らは、ジベカ
シンまたは１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒド
ロキシブチリル）―ジベカシンの6″―デオキシま
たは―4″，6″―ジデオキシ誘導体を新らたに合成
し、いずれも聴器毒性が低いのみならず、ジベカ
シンまたは１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒド
ロキシブチリル）―ジベカシンと同程度の抗菌作
用を示すことを確認して本発明を完成した。 すなわち、第一の本発明によると、一般式
（） 〔式中、Ｒは水酸基または水素原子を示し、
R1は水素原子または４―アミノ―２―ヒドロキ
シブチリル基を示す〕で表わされるジベカシン誘
導体およびそれらの酸付加塩が提供される。 第一の本発明による一般式（）の化合物は次
の一般式（） 〔式中Ｒは水酸基または水素原子〕で表わされ
る１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブ
チリル）―ジベカシンのデオキシ誘導体、すなわ
ち１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブ
チリル）―6″―デオキシジベカシン〔式中Ｒが水
酸基の場合〕、または１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ
―２―ヒドロキシブチリル）―4″，6″―ジデオキ
シジベカシン〔式中Ｒが水素原子の場合〕および
それらの酸付加塩を包含する。 第一本発明の４種の化合物の理化学的および生
物学的性状は次のとおりである。 (i) 6″―デオキシジベカシンの3/2炭酸塩は白色
粉末で、131℃付近より徐々に分解し、〔α〕26 D
＝＋101゜（c0.44，水）を示す。元素分析値は
C18H37N5O7・3/2H2CO3の理論値（C44.31％，
H7.63％，N13.25％）に合致し、マススペクト
ルでｍ／e435にM+を示した。シリカゲルの薄
層クロマトグラフイーで、ブタノール，エタノ
ール，クロロホルムおよび水（４：５：２：
５）の混液を展開溶媒としてRf0.38に単一スポ
ツト（ニンヒドリン）を示す。 (ii) 4″，6″―ジデオキシジベカシンの3/2炭酸塩
は白色粉末で、129℃付近より徐々に分解し
〔α〕23 D＝＋126゜（c0.5，水）を示す。元素分析値
はC18H37N5O6・3/2H2CO3の理論値（Ｃ：
45.69％，H7.87％，N13.66％）に合致し、マ
ススペクトルでｍ／e420に（Ｍ＋１）+を示し
た。前述のシリカゲルの薄層クロマトグラフイ
ーでRf0.45を示す。 (iii) １―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシ
ブチリル）―6″―デオキシジベカシンの3/2炭
酸塩は白色粉末で、分解点132―139℃で、〔α〕
23 D＝＋73゜（c0.3，水）を示す。元素分析値は
C22H42N6O9・3/2H2CO3の理論値（C44.97％，
H7.23％，N13.39％）に合致した。前述のシリ
カゲルの薄層クロマトグラフイーでRf0.10を示
す。 (iv) １―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシ
ブチリル）―4″，6″―ジデオキシジベカシンの
３／２炭酸塩は白色粉末で、分解点142―147℃で、
〔α〕24 D＝＋84゜（c0.5，水）を示す。元素分析値
はC22H42N6O8・3/2H2CO3の理論値（C46.15
％，H7.42％，N13.74％）に合致した。前述の
シリカゲルの薄層クロマトグラフイーでRf0.21
を示す。 本発明で得られた6″―デオキシジベカシン
（6″―DDKBと略す）、4″，6″―ジデオキシジベカ
シン（4″，6″―DDKB），１―Ｎ―（Ｌ―４―ア
ミノ―２―ヒドロキシブチリル）―6″―デオキシ
ジベカシン（AHB―6″―DDKB）および１―Ｎ
―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリル）
―4″，6″―ジデオキシジベカシン（AHB―4″，
6″―DDKB）の抗菌スペクトルをジベカシン
（DKB）と比較して第１表に示した。
【表】
【表】
【表】
本発明による6″―デオキシジベカシン，4″，
6″―ジデオキシジベカシ，１―Ｎ―（Ｌ―４―ア
ミノ―２―ヒドロキシブチリル）―6″―デオキシ
ジベカシンおよ１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―
ヒドロキシブチリル）―4″，6″―ジデオキシジベ
カシンは、通常遊離塩基または水和物または炭酸
塩として得られるが、通常の方法により薬学的に
許容できる酸を加えて任意の無毒性の酸付加塩と
することができる。付加すべき酸としては塩酸、
臭化水素酸、硫酸、燐酸、硝酸などの無機酸、酢
酸、リンゴ酸、クエン酸、アスコルビン酸、メタ
ンスルホン酸などの有機酸が用いられる。 本発明による6″―デオキシジベカシンまたは
4″，6″―ジデオキシジベカシンはジベカシンから
出発して、また１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―
ヒドロキシブチリル）―6″―デオキシジベカシン
または１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキ
シブチリル）―4″，6″―ジデオキシジベカシンは
１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチ
リル）―ジベカシンから出発して合成できる。さ
らに１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシ
ブチリル）―6″―デオキシジベカシンおよび１―
Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリ
ル）―4″，6″―ジデオキシジベカシンはそれぞれ
6″―デオキシジベカシンおよび4″，6″―ジデオキ
シジベカシンから出発しても合成できる。 従つて、第二の本発明の要旨とするところは、
次式（） で表わされるジベカシンの五個のアミノ基を公知
のアミノ保護基で保護して次式（′） 〔式中Ａは水素原子で、Ｂは１価のアミノ保護
基であるか、あるいはＡ，Ｂが一緒になつて２価
のアミノ保護基１個を示す〕で表わされるアミノ
保護体を生成し、続いて4″と6″位の二個の水酸基
を同時に、公知の２価の水酸基保護基１個で保護
して次式（″） 〔式中、Ａ，Ｂは前述に同じ、
6″―ジデオキシジベカシ，１―Ｎ―（Ｌ―４―ア
ミノ―２―ヒドロキシブチリル）―6″―デオキシ
ジベカシンおよ１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―
ヒドロキシブチリル）―4″，6″―ジデオキシジベ
カシンは、通常遊離塩基または水和物または炭酸
塩として得られるが、通常の方法により薬学的に
許容できる酸を加えて任意の無毒性の酸付加塩と
することができる。付加すべき酸としては塩酸、
臭化水素酸、硫酸、燐酸、硝酸などの無機酸、酢
酸、リンゴ酸、クエン酸、アスコルビン酸、メタ
ンスルホン酸などの有機酸が用いられる。 本発明による6″―デオキシジベカシンまたは
4″，6″―ジデオキシジベカシンはジベカシンから
出発して、また１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―
ヒドロキシブチリル）―6″―デオキシジベカシン
または１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキ
シブチリル）―4″，6″―ジデオキシジベカシンは
１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチ
リル）―ジベカシンから出発して合成できる。さ
らに１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシ
ブチリル）―6″―デオキシジベカシンおよび１―
Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリ
ル）―4″，6″―ジデオキシジベカシンはそれぞれ
6″―デオキシジベカシンおよび4″，6″―ジデオキ
シジベカシンから出発しても合成できる。 従つて、第二の本発明の要旨とするところは、
次式（） で表わされるジベカシンの五個のアミノ基を公知
のアミノ保護基で保護して次式（′） 〔式中Ａは水素原子で、Ｂは１価のアミノ保護
基であるか、あるいはＡ，Ｂが一緒になつて２価
のアミノ保護基１個を示す〕で表わされるアミノ
保護体を生成し、続いて4″と6″位の二個の水酸基
を同時に、公知の２価の水酸基保護基１個で保護
して次式（″） 〔式中、Ａ，Ｂは前述に同じ、
【式】は２
価の水酸基保護基を表わし、Ｘ，Ｙはそれぞれ水
素原子、アルキル基、アリール基またはＯ―アル
キル基であるか、または
素原子、アルキル基、アリール基またはＯ―アル
キル基であるか、または
【式】でシクロアル
カン基である〕で表わされる保護体を生成し、さ
らに残りの2″位の水酸基または５および2″位の二
個の水酸基を公知の１価の水酸基保護基で保護し
て、次式（） 〔式中、Ａ，Ｂ，Ｘ，Ｙは前述と同じ、Ｄはア
シル基の形の水酸基保護基を示し、Ｅは水素原子
またはアシル基の形の水酸基保護基を示す。〕で
表わされる化合物を生成し、次いで4″，6″位の水
酸基保護基を除去して次式（） 〔式中Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅは前述に同じ〕で表わさ
れる化合物を生成し、次に6″位の水酸基のみ、ま
たは4″と6″位の両水酸基を同時にスルホニル化剤
でスルホン酸エステル化して次式（′） 〔式中Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅは前述に同じ、Ｇは低級
アルキル基、ｐ―メチルフエニル基またはフエニ
ル基の如きアリール基またはベンジル基の如きア
ラルキル基であり、G′は水酸基またはGSO3―基
である〕で表わされるモノまたはジスルホン酸エ
ステル誘導体とし、それぞれのスルホン酸エステ
ル基をアルカリ金属沃化物または臭化物で処理し
てヨードまたはブロム置換し、モノヨードまたは
モノブロム誘導体〔式V′においてGSO3基がヨー
ドまたは、ブロムで、G′が水酸基の場合〕、また
はジヨードまたはジブロム誘導体〔式V′におい
てGSO3基およびG′がともにヨードまたはブロム
である場合〕となし、それぞれを接触還元して脱
ハロゲン化し、モノデオキシ誘導体〔式V′にお
いてGSO3基が水素原子で、G′が水酸基の場合〕、
またはジデオキシ誘導体〔式V′においてGSO3基
およびG′がともに水素原子である場合〕に変換
し、必要により、残存の水酸基保護基、さらにア
ミノ基保護基を脱離することを特徴とする次式
（ａ） 〔式中Ｒは水酸基または水素原子を示す〕で表
わされる6″―デオキシジベカシン〔Ｒが水酸基の
場合〕、または4″，6″―ジデオキシジベカシン
〔Ｒが水素原子の場合〕およびそれらの酸付加塩
の製造法にある。 次に、第二の本発明の方法の実施態様を述べ
る。 ジベカシンのアミノ基を保護する保護基として
は従来ペプチド合成で常用されているアミノ保護
基を使用しうるが、本発明において製造される
6″―デオキシジベカシンまたは4″，6″―ジデオキ
シジベカシンのアミノ保護誘導体から保護基を脱
離させる反応を行なうに当つてグリコシド結合な
どを実質的に破断させない反応条件または操作で
容易に脱離できるものでなければならない。本発
明の方法で使用しうる適当な一価のアミノ保護基
としては、第三ブトキシカルボニル基、第三アミ
ロキシカルボニル基などのアルキルオキシカルボ
ニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基など
のシクロアルキルオキシカルボニル基、ベンジル
オキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキ
シカルボニル基などのアラルキルオキシカルボニ
ル基、トリフロロアセチル基などの低級アルカノ
イル基、オルトニトロフエノキシアセチル基など
のアシル基などがあげられる。また二価のアミノ
保護基としては、サリチリデン基などのシツフ塩
基が好ましい。これらのアミノ保護基を導入する
には、公知の方法、例えば酸ハライド、酸アジ
ド、活性エステルなどによる方法で容易に行なう
ことができる。 4″と6″位の水酸基２個を同時に保護する２価の
水酸基保護基としては、従来糖化学で１，３―グ
リコールの水酸基の閉塞に多用されている保護基
を使用しうるが、本発明の方法において適当な保
護基
らに残りの2″位の水酸基または５および2″位の二
個の水酸基を公知の１価の水酸基保護基で保護し
て、次式（） 〔式中、Ａ，Ｂ，Ｘ，Ｙは前述と同じ、Ｄはア
シル基の形の水酸基保護基を示し、Ｅは水素原子
またはアシル基の形の水酸基保護基を示す。〕で
表わされる化合物を生成し、次いで4″，6″位の水
酸基保護基を除去して次式（） 〔式中Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅは前述に同じ〕で表わさ
れる化合物を生成し、次に6″位の水酸基のみ、ま
たは4″と6″位の両水酸基を同時にスルホニル化剤
でスルホン酸エステル化して次式（′） 〔式中Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅは前述に同じ、Ｇは低級
アルキル基、ｐ―メチルフエニル基またはフエニ
ル基の如きアリール基またはベンジル基の如きア
ラルキル基であり、G′は水酸基またはGSO3―基
である〕で表わされるモノまたはジスルホン酸エ
ステル誘導体とし、それぞれのスルホン酸エステ
ル基をアルカリ金属沃化物または臭化物で処理し
てヨードまたはブロム置換し、モノヨードまたは
モノブロム誘導体〔式V′においてGSO3基がヨー
ドまたは、ブロムで、G′が水酸基の場合〕、また
はジヨードまたはジブロム誘導体〔式V′におい
てGSO3基およびG′がともにヨードまたはブロム
である場合〕となし、それぞれを接触還元して脱
ハロゲン化し、モノデオキシ誘導体〔式V′にお
いてGSO3基が水素原子で、G′が水酸基の場合〕、
またはジデオキシ誘導体〔式V′においてGSO3基
およびG′がともに水素原子である場合〕に変換
し、必要により、残存の水酸基保護基、さらにア
ミノ基保護基を脱離することを特徴とする次式
（ａ） 〔式中Ｒは水酸基または水素原子を示す〕で表
わされる6″―デオキシジベカシン〔Ｒが水酸基の
場合〕、または4″，6″―ジデオキシジベカシン
〔Ｒが水素原子の場合〕およびそれらの酸付加塩
の製造法にある。 次に、第二の本発明の方法の実施態様を述べ
る。 ジベカシンのアミノ基を保護する保護基として
は従来ペプチド合成で常用されているアミノ保護
基を使用しうるが、本発明において製造される
6″―デオキシジベカシンまたは4″，6″―ジデオキ
シジベカシンのアミノ保護誘導体から保護基を脱
離させる反応を行なうに当つてグリコシド結合な
どを実質的に破断させない反応条件または操作で
容易に脱離できるものでなければならない。本発
明の方法で使用しうる適当な一価のアミノ保護基
としては、第三ブトキシカルボニル基、第三アミ
ロキシカルボニル基などのアルキルオキシカルボ
ニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基など
のシクロアルキルオキシカルボニル基、ベンジル
オキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキ
シカルボニル基などのアラルキルオキシカルボニ
ル基、トリフロロアセチル基などの低級アルカノ
イル基、オルトニトロフエノキシアセチル基など
のアシル基などがあげられる。また二価のアミノ
保護基としては、サリチリデン基などのシツフ塩
基が好ましい。これらのアミノ保護基を導入する
には、公知の方法、例えば酸ハライド、酸アジ
ド、活性エステルなどによる方法で容易に行なう
ことができる。 4″と6″位の水酸基２個を同時に保護する２価の
水酸基保護基としては、従来糖化学で１，３―グ
リコールの水酸基の閉塞に多用されている保護基
を使用しうるが、本発明の方法において適当な保
護基
【式】としてはメチレン，エチリデ
ン，イソプロピリデンの如きアルキリデン基又は
ベンジリデンの如きアラルキリデン基など（環状
アセタールの形で保護する）、シクロヘキシリデ
ンなどのシクロアルキリデン基（環状ケタールの
形で保護する）、アルコキシメチレンなどの低級
アルコキシアルキリデン基（環状オルトエステル
の形で保護する）などがあげられる。これらの保
護基を導入するには、公知の方法、例えば、酸触
媒の存在下アルデヒドまたはケトンと反応させる
ことにより、またアセタール，ケタールまたはオ
ルトホーメートとの交換反応により容易に行なう
ことができる。 残りの二個のすべてまたは一部の水酸基を保護
する１価の保護基（Ｄ，Ｅ）としては一般に用い
られる保護基としてアセチル基，ベンゾイル基な
どのアシル基特に低級アルカノイル基又はベンゾ
イル基があげられる。これらの保護基を導入する
には、公知の方法、酸無水物、酸ハライド、活性
エステルなどの方法で容易に導入することができ
るが、ジベカシンの５位の水酸基は一般に反応性
が低いので、2″―モノ―Ｏ―アシル誘導体が得ら
れることが多い。本発明の方法においては、この
モノ―Ｏ―アシル誘導体がジ―Ｏ―アシル誘導体
と同様に使用できる。 かくして得られる式（）の化合物の4″，6″位
の水酸基の保護基
ベンジリデンの如きアラルキリデン基など（環状
アセタールの形で保護する）、シクロヘキシリデ
ンなどのシクロアルキリデン基（環状ケタールの
形で保護する）、アルコキシメチレンなどの低級
アルコキシアルキリデン基（環状オルトエステル
の形で保護する）などがあげられる。これらの保
護基を導入するには、公知の方法、例えば、酸触
媒の存在下アルデヒドまたはケトンと反応させる
ことにより、またアセタール，ケタールまたはオ
ルトホーメートとの交換反応により容易に行なう
ことができる。 残りの二個のすべてまたは一部の水酸基を保護
する１価の保護基（Ｄ，Ｅ）としては一般に用い
られる保護基としてアセチル基，ベンゾイル基な
どのアシル基特に低級アルカノイル基又はベンゾ
イル基があげられる。これらの保護基を導入する
には、公知の方法、酸無水物、酸ハライド、活性
エステルなどの方法で容易に導入することができ
るが、ジベカシンの５位の水酸基は一般に反応性
が低いので、2″―モノ―Ｏ―アシル誘導体が得ら
れることが多い。本発明の方法においては、この
モノ―Ｏ―アシル誘導体がジ―Ｏ―アシル誘導体
と同様に使用できる。 かくして得られる式（）の化合物の4″，6″位
の水酸基の保護基
【式】を選択的に脱離
する方法は、弱酸、例えば酢酸水で処理すること
により容易に進行し、本発明における有用な中間
体である式（）の化合物が得られる。 次いでこの式（）の化合物の6″位の水酸基の
みを除去する（6″―デオキシ化）又は4″位と6″位
の水酸基２個を除去する（4″，6″―ジデオキシ
化）のである。このモノデオキシ化又はジデオキ
シ化のためには、式（）の化合物を無水ピリジ
ンなどの溶媒中で、一般式GSO2―Ｘ（Ｇは前記
の意味をもちＸは塩素又は臭素である）で示され
るスルホニル化剤、特に塩化メタンスルホニルな
どのアルキルスルホニル化剤、塩化パラトルエン
スルホニルなどのアリールスルホニル化剤または
塩化ベンジルスルホニルなどのアラルキルスルホ
ニル化剤で処理すると、6″位の１個または6″及び
4″位の２個の水酸基がスルホン酸エステル化され
た化合物が得られる。特に、塩化パラトルエンス
ルホニルを使用して室温で反応すると6″―モノ―
Ｏ―トシル誘導体（式′においてGSO3―がｐ
―CH3C6H4SO3―基、G′が水酸基の場合）が、
また、塩化メタンスルホニルを使用すると4″，
6″―ジ―Ｏ―メシル誘導体（式″においてGSO3
―及びG′がともにCH3SO3―基の場合）が収率良
く得られ、本発明の方法に有用である。 これらのモノ、またはジスルホン酸エステル誘
導体を、無水ジメチルホルムアミドなどの溶媒中
で沃化アルカリ金属例えば沃化ナトリウム又は臭
化アルカリ金属例えば臭化ナトリウムを作用させ
るとヨード又はブロム化されて、モノヨード又は
モノブロム誘導体またはジヨード又はジブロム誘
導体が得られる。 続いて、ジオキサン、メタノールなどの溶媒中
で、ラネーニツケル、パラジウム、白金などを触
媒として常法で接触還元を行ない、脱ヨード化又
は脱ブロム化することにより、6″―モノデオキシ
体（式′においてGSO3―が水素原子になり
G′が水酸基の場合に相当）、または4″，6″―ジデ
オキシ体（式′においてGSO3―及びG′がとも
に水素原子になつた場合に相当）が得られる。こ
うして、デオキシ化が達成される。 １価の水酸基保護基として使用したアシル基
（Ｄ，Ｅ）はアルカリ性例えば12％アンモニア―
メタノールなどにとかして室温で容易に脱離する
ことができる。また、アミノ保護基がアラルキル
オキシカルボニル基である場合は、上記の接触還
元によつて同時にアミノ保護基が脱離される。ア
ミノ保護基がアラルキルオキシカルボニル基以外
のものであれば、通常の方法、例えば弱酸による
加水分解により容易に保護基をを脱離せしめて、
目的化合物である6″―デオキシジベカシン（式
ａ）においてＲが水酸基の場合）、または4″，
6″―ジデオキシジベカシン（式においてＲが水
素原子の場合）を得ることができる。 6″―デオキシジベカシン、または4″，6″―ジデ
オキシジベカシンの精製は、カルボキシル基を活
性基とする陽イオン交換樹脂によるカラムクロマ
トグラフイーを行なうのが好ましく、例えばアン
バーライトIRC―50またはCG―50（NH4型または
NH4型とＨ型の混合）の塔に吸着せしめ、稀ア
ンモニア水で溶出することが推奨される。 第三の本発明の要旨とするところは、第二の本
発明で得られた一般式（ａ）の6″―デオキシジ
ベカシンまたは4″，6″―ジデオキシジベカシンを
素原料として用い、若しくはそれらの１位のアミ
ノ基以外の四個のアミノ基のすべてまたは一部を
アミノ基保護基で保護した次式（） 〔式中、Ｒは水酸基または水素原子を示し、Ａ
は水素原子で、Ｂは少くとも一個が１価のアミノ
基保護基で残余のＢが水素原子であるか、または
ＡおよびＢの少くとも一対が共同して一個の２価
のアミノ基保護基であり、残余のＡ，Ｂが水素原
子を示す。また、Ａ，Ｂで示した各アミノ基保護
基はそれぞれ異なるアミノ基保護基である場合を
含む〕で表わされる部分保護体を用い、その１位
のアミノ基をＬ―４―アミノ―２―ヒドロキシ酪
酸のアミノ保護体またはこれの反応誘導体と作用
させてアシル化し、上記の部分保護体を用いた時
には、次式（） 〔式中Ｒ，Ａ，Ｂは前記に同じ〕で表わされる
アシル化生成物とし、そのアミノ保護基を脱離す
ることを特徴とする次式（） 〔式中Ｒは水酸基または水素原子を示す〕で表
わされる１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロ
キシブチリル）―6″―デオキシジベカシン〔Ｒが
水酸基の場合〕、または１―Ｎ―（Ｌ―４―アミ
ノ―２―ヒドロキシブチリル）―4″，6″―ジデオ
キシジベカシン〔Ｒが水素原子の場合〕およびそ
れらの酸付加塩の製造法にある。 次に第三の本発明の方法について詳しく述べ
る。一般式（ａ）の化合物の１位のアミノ基以
外の４個のアミノ基のすべてまたは一部を公知の
アミノ基で保護した部分保護体すなわち一般式
（）の保護誘導体は、カナマイシンＢのデオキ
シ誘導体の合成に際して用いられているような
種々の既知の保護方法で一般式（ａ）の化合物
に保護基を導入することにより得ることができ
る。例えば、米国特許第3781268号明細書（1973
年12月25日）又は米国特許第3929762号明細書に
述べられているカナマイシンＢの6′―Ｎ―ベンジ
ルオキシカルボニル体、また英国特許第1426908
号明細書（1973年10月４日）および米国特許第
3939143号明細書（1976年２月17日）に述べられ
ているカナマイシンＢの2′，6′―ジ―Ｎ―第三ブ
トキシカルボニル体、6′―Ｎ―ベンジルオキシカ
ルボニル体のモノまたはジ―Ｎ―第三ブトキシカ
ルボニル体、およびモノ、ジまたはトリ―Ｎ―第
三ブトキシカルボニル体の混合物、およびベルギ
ー特許第817546号明細書（1975年１月13日）に述
べられている2′，３，3″，6′―テトラ―Ｎ―ホル
ミル体の調製に当つて用いられたアミノ保護法を
利用することができる。 一般的には、素原料としての一般式（ａ）の
化合物のアミノ基のうちの一部を保護するアミノ
保護基としては、通常のアミノ保護基が使用され
る。第三ブトキシカルボニル基，第三アミロキシ
カルボニル基などのアルコキシカルボニル基，シ
クロヘキシルオキシカルボニル基などのシクロア
ルキルオキシカルボニル基，ベンジルオキシカル
ボニル基などのアラルキルオキシカルボニル基，
トリフロロアセチル基，ｏ―ニトロフエノキシア
セチル基などのアシル基，ジフエニルホスフイノ
チオイル基，ジメチルホスフイノチオイル基など
のホスフイノチオイル基，ジフエニルホスフイニ
ル基などのホスフイニル基などがあげられ、また
二価のアミノ保護基としてフタロイル基を用いる
ことができ、またシツフ塩基の形にして保護する
こともできる。これらのアミノ保護基の導入はペ
プチド合成等で公知の方法により、例えば酸ハラ
イド、酸アジド、活性エステル、酸無水物などの
形で公知のアミノ保護基導入剤を用いることがで
きる。これらのアミノ保護基導入剤を0.5―６モ
ル当量比の範囲で用いることにより、化合物（
ａ）の各アミノの反応性の差異により種々の部分
アミノ保護誘導体を任意の比率で製造することが
できる。 第三の本発明の方法においては、１位のアミノ
基以外のアミノ基がすべてまたは一部分保護され
たアミノ保護誘導体、例えば３，2′，6′，3″―テ
トラ―Ｎ―保護体、３，2′，6′―および2′，6′，
3″―トリ―Ｎ―保護体、2′，6′―ジ―Ｎ―保護体
および6′―モノ―Ｎ―保護体が使用できる。さら
にこれらの部分アミノ保護体の混合物も精製する
ことなく１位のアミノ基のアシル化のために用い
られる。 第三の本発明の方法において一般式（）の目
的化合物を高い収率で製造するためには一般式
（ａ）の化合物、すなわち6″―デオキシジベカ
シンまたは4″，6″―ジデオキシジベカシンの１位
のアミノ基のみを選択的にＬ―４―アミノ―２―
ヒドロキシ酪酸でアシル化すれば良いのであるか
ら、１位アミノ基以外のすべてのアミノ基が保護
基で閉塞されている化合物（ａ）の保護誘導
体、すなわち３，2′，6′，3″―テトラ―Ｎ―保護
誘導体を本法の出発物質として用いるのが最も好
ましいことは明らかであろう。 一般式（ａ）の化合物の３，2′，6′，3″―テ
トラ―Ｎ―保護誘導体（）を調製するには、例
えば次の方法を利用できる。すなわち、カナマイ
シンＢを二価遷移金属例えば銅（）、ニツケル
（）、コバルト（）等のカチオンと反応させて
金属錯体を形成させ、この錯体にアミノ保護基導
入剤としてのアシル化剤を作用させてカナマイシ
ンＢ金属錯体のカナマイシンＢ部分の１位と3″位
の２個のアミノ基（これらは二価金属イオンと錯
結合して閉塞されている）以外のすべてのアミノ
基を保護基で保護し、その後に二価金属カチオン
を例えば硫化水素処理又はアンモニア水処理で脱
除することによつてカナマイシンＢの３，2′，
6′―トリ―Ｎ―アシル化保護誘導体を作る特開昭
52−153944号の既知方法、若しくは前記の二価遷
移金属カチオンに代えて亜鉛イオンを用い以後は
前記既知方法と同様に処理してカナマイシンＢの
３，2′，6′―トリ―Ｎ―アシル化保護誘導体を作
る本出願人の特願昭53−138402号（特開昭55−
64598号公報参照）の方法を応用することによつ
て、先づ化合物（ａ）の３，2′，6′―トリ―Ｎ
―保護誘導体（）を高収率で生成する。次い
で、本発明者らが最近開発した特願昭54−73064
号（特開昭55−164696号公報参照）による１位以
外のアミノ基が選択的に保護されたアミノグリコ
キシド抗生物質保護誘導体の製造法の応用によつ
て、前記３，2′，6′―トリ―Ｎ―保護誘導体の
3″位のアミノ基を選択的にアシル化して保護する
と、化合物（ａ）の３，2′，6′，3″―テトラ―
Ｎ―保護誘導体を高収率で製造できるのである。
この特願昭54−73064号の方法においては、前記
３，2′，6′―トリ―Ｎ―保護誘導体にギ酸エステ
ル、ジハロゲン化またはトリハロゲン化アルカン
酸エステル、ホルミルイミダゾール、あるいはＮ
―アルカノイルイミダゾールをアシル化剤として
作用せしめることによつて、１位のアミノ基をア
シル化することなく、3″位のアミノ基を選択的に
高収率にアシル化して保護できるのである。これ
らの方法を適用して得られる6″―デオキシジベカ
シンまたは4″，6″―ジデオキシジベカシンの例え
ば３，2′，6′―トリ―Ｎ―ベンジルオキシカルボ
ニル―3″―Ｎ―トリフロロアセチル体は、本法に
おいてＬ―４―アミノ―２―ヒドロキシ酪酸で選
択的に１位アミノ基をアシル化するのに最も好ま
しい材料である。 第三の本発明の方法においては、アミノ基を保
護した又はしてないＬ―４―アミノ―２―ヒドロ
キシ酪酸で、上記の化合物（ａ）又はその部分
アミノ保護誘導体（）のそれぞれ、または混合
物の１位のアミノ基をアシル化するのである。こ
のアシル化反応は、ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド法、混合酸無水物法、アジド法、活性エステ
ル法など、あらゆる既知のペプチド合成法によ
り、Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシ酪酸をこの
まゝ又はこれの反応誘導体（官能的均等物）の形
で作用させて実施できる。Ｌ―４―アミノ―２―
ヒドロキシ酪酸のアミノ基を保護するアミノ保護
基としては、化合物（）のアミノ保護基に用い
られたと同じ又は異なるアミノ保護基が用いられ
る。特に、トリフロロ酢酸、酢酸などの水溶液ま
たは塩酸などの希薄溶液中で処理して容易に脱保
護できる第三ブトキシカルボニル基は、好ましく
用いられる保護基である。また、パラジウム、酸
化白金などを触媒として使用する通常の接触還元
で脱保護できるベンジルオキシカルボニル基も便
利な保護基である。 本法でのアシル化反応は含水溶媒中で活性エス
テル法を用いて行われることが好ましい。例え
ば、通常の方法で得られる活性エステルとしてＬ
―４―ベンジルオキシカルボニルアミノ―２―ヒ
ドロキシ酪酸のＮ―ヒドロキシコハク酸イミドを
0.5―３モル当量、好ましくは１―1.5モル当量の
範囲で使用し、また水と混合しうる溶媒として、
好ましくはジオキサン，ジメトキシエタン，ジメ
チルホルムアミド，テトラヒドロフラン，トリエ
チルアミンなどが使用される。 なお、一般式（）の保護誘導体のうち、6′―
Ｎ―保護体のように１位アミノ基以外のアミノ基
の一部のみが保護された誘導体を本法でアシル化
される出発物質として用いた場合には、１―Ｎ―
（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリル）―
3′，4′―ジデオキシカナマイシンＢの合成（特公
昭52−33629号公報参照）の場合と同様に、アシ
ル化反応生成物を通常用いるシリカゲルなどの塔
クロマトグラフイーによつて精製し、未反応の原
料を除去してアシル化生成物の混合物を得ること
ができる。しかし、一般には、この混成アシル化
生成物は精製することなしに脱保護して後に精製
して目的物を採取することができる。 本法においては、こうして生成されたアシル化
反応生成物に保護基が残存する場合に、これら保
護基を脱離せしめるが、この脱離は常法で行なわ
れる。すなわち、上記のアルキルオキシカルボニ
ル基型のアミノ保護基はトリフロロ酢酸、酢酸な
どの水溶液、または塩酸などの希薄溶液中で加水
分解により処理して脱離される。またベンジルオ
キシカルボニル基などのアラルキルオキシカルボ
ニル基の場合には通常の接触還元（水添分解）に
よつて容易に脱離できる。また保護基にフタロイ
ル基を有する場合は抱水ヒドラジンのアルコール
溶液中で加熱により除去できる。 脱保護をしたアシル化生成物中には、目的とす
る１―Ｎ―アシル化物のほかに数種の異性体の存
在が考えられるが、これらはカルボキシル基を活
性基としたアンバーライトCG50、CM―セフア
テツクスＣ―25（スエーデン国フアルマシア社製）
などの陽イオン交換体を使用して、適当な感受性
菌および耐性菌を試験菌として抗菌力を測定する
ことにより、目的の１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―
２―ヒドロキシブチリル）誘導体（）をクロマ
トグラフイーで分離精製することが可能である。 第四の本発明の要旨とするところは、前出の１
―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリ
ル）―3′，4′―ジデオキシカナマイシンＢすなわ
ち次式（） で表わされる１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒ
ドロキシブチリル）―ジベカシンを素原料として
用い、その５個のアミノ基を公知のアミノ保護基
で保護して次式（′） 〔式中Ａは水素原子で、Ｂは１価のアミノ保護
基であるか、あるいはＡ，Ｂが一緒になつて２価
のアミノ保護基１個を示す〕で表わされるアミノ
保護体を生成し、続いて4″と6″位の二個の水酸基
を同時に、公知の２価の水酸基保護基１個で保護
して次式（″） 〔式中Ａ，Ｂは前述に同じ、
により容易に進行し、本発明における有用な中間
体である式（）の化合物が得られる。 次いでこの式（）の化合物の6″位の水酸基の
みを除去する（6″―デオキシ化）又は4″位と6″位
の水酸基２個を除去する（4″，6″―ジデオキシ
化）のである。このモノデオキシ化又はジデオキ
シ化のためには、式（）の化合物を無水ピリジ
ンなどの溶媒中で、一般式GSO2―Ｘ（Ｇは前記
の意味をもちＸは塩素又は臭素である）で示され
るスルホニル化剤、特に塩化メタンスルホニルな
どのアルキルスルホニル化剤、塩化パラトルエン
スルホニルなどのアリールスルホニル化剤または
塩化ベンジルスルホニルなどのアラルキルスルホ
ニル化剤で処理すると、6″位の１個または6″及び
4″位の２個の水酸基がスルホン酸エステル化され
た化合物が得られる。特に、塩化パラトルエンス
ルホニルを使用して室温で反応すると6″―モノ―
Ｏ―トシル誘導体（式′においてGSO3―がｐ
―CH3C6H4SO3―基、G′が水酸基の場合）が、
また、塩化メタンスルホニルを使用すると4″，
6″―ジ―Ｏ―メシル誘導体（式″においてGSO3
―及びG′がともにCH3SO3―基の場合）が収率良
く得られ、本発明の方法に有用である。 これらのモノ、またはジスルホン酸エステル誘
導体を、無水ジメチルホルムアミドなどの溶媒中
で沃化アルカリ金属例えば沃化ナトリウム又は臭
化アルカリ金属例えば臭化ナトリウムを作用させ
るとヨード又はブロム化されて、モノヨード又は
モノブロム誘導体またはジヨード又はジブロム誘
導体が得られる。 続いて、ジオキサン、メタノールなどの溶媒中
で、ラネーニツケル、パラジウム、白金などを触
媒として常法で接触還元を行ない、脱ヨード化又
は脱ブロム化することにより、6″―モノデオキシ
体（式′においてGSO3―が水素原子になり
G′が水酸基の場合に相当）、または4″，6″―ジデ
オキシ体（式′においてGSO3―及びG′がとも
に水素原子になつた場合に相当）が得られる。こ
うして、デオキシ化が達成される。 １価の水酸基保護基として使用したアシル基
（Ｄ，Ｅ）はアルカリ性例えば12％アンモニア―
メタノールなどにとかして室温で容易に脱離する
ことができる。また、アミノ保護基がアラルキル
オキシカルボニル基である場合は、上記の接触還
元によつて同時にアミノ保護基が脱離される。ア
ミノ保護基がアラルキルオキシカルボニル基以外
のものであれば、通常の方法、例えば弱酸による
加水分解により容易に保護基をを脱離せしめて、
目的化合物である6″―デオキシジベカシン（式
ａ）においてＲが水酸基の場合）、または4″，
6″―ジデオキシジベカシン（式においてＲが水
素原子の場合）を得ることができる。 6″―デオキシジベカシン、または4″，6″―ジデ
オキシジベカシンの精製は、カルボキシル基を活
性基とする陽イオン交換樹脂によるカラムクロマ
トグラフイーを行なうのが好ましく、例えばアン
バーライトIRC―50またはCG―50（NH4型または
NH4型とＨ型の混合）の塔に吸着せしめ、稀ア
ンモニア水で溶出することが推奨される。 第三の本発明の要旨とするところは、第二の本
発明で得られた一般式（ａ）の6″―デオキシジ
ベカシンまたは4″，6″―ジデオキシジベカシンを
素原料として用い、若しくはそれらの１位のアミ
ノ基以外の四個のアミノ基のすべてまたは一部を
アミノ基保護基で保護した次式（） 〔式中、Ｒは水酸基または水素原子を示し、Ａ
は水素原子で、Ｂは少くとも一個が１価のアミノ
基保護基で残余のＢが水素原子であるか、または
ＡおよびＢの少くとも一対が共同して一個の２価
のアミノ基保護基であり、残余のＡ，Ｂが水素原
子を示す。また、Ａ，Ｂで示した各アミノ基保護
基はそれぞれ異なるアミノ基保護基である場合を
含む〕で表わされる部分保護体を用い、その１位
のアミノ基をＬ―４―アミノ―２―ヒドロキシ酪
酸のアミノ保護体またはこれの反応誘導体と作用
させてアシル化し、上記の部分保護体を用いた時
には、次式（） 〔式中Ｒ，Ａ，Ｂは前記に同じ〕で表わされる
アシル化生成物とし、そのアミノ保護基を脱離す
ることを特徴とする次式（） 〔式中Ｒは水酸基または水素原子を示す〕で表
わされる１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロ
キシブチリル）―6″―デオキシジベカシン〔Ｒが
水酸基の場合〕、または１―Ｎ―（Ｌ―４―アミ
ノ―２―ヒドロキシブチリル）―4″，6″―ジデオ
キシジベカシン〔Ｒが水素原子の場合〕およびそ
れらの酸付加塩の製造法にある。 次に第三の本発明の方法について詳しく述べ
る。一般式（ａ）の化合物の１位のアミノ基以
外の４個のアミノ基のすべてまたは一部を公知の
アミノ基で保護した部分保護体すなわち一般式
（）の保護誘導体は、カナマイシンＢのデオキ
シ誘導体の合成に際して用いられているような
種々の既知の保護方法で一般式（ａ）の化合物
に保護基を導入することにより得ることができ
る。例えば、米国特許第3781268号明細書（1973
年12月25日）又は米国特許第3929762号明細書に
述べられているカナマイシンＢの6′―Ｎ―ベンジ
ルオキシカルボニル体、また英国特許第1426908
号明細書（1973年10月４日）および米国特許第
3939143号明細書（1976年２月17日）に述べられ
ているカナマイシンＢの2′，6′―ジ―Ｎ―第三ブ
トキシカルボニル体、6′―Ｎ―ベンジルオキシカ
ルボニル体のモノまたはジ―Ｎ―第三ブトキシカ
ルボニル体、およびモノ、ジまたはトリ―Ｎ―第
三ブトキシカルボニル体の混合物、およびベルギ
ー特許第817546号明細書（1975年１月13日）に述
べられている2′，３，3″，6′―テトラ―Ｎ―ホル
ミル体の調製に当つて用いられたアミノ保護法を
利用することができる。 一般的には、素原料としての一般式（ａ）の
化合物のアミノ基のうちの一部を保護するアミノ
保護基としては、通常のアミノ保護基が使用され
る。第三ブトキシカルボニル基，第三アミロキシ
カルボニル基などのアルコキシカルボニル基，シ
クロヘキシルオキシカルボニル基などのシクロア
ルキルオキシカルボニル基，ベンジルオキシカル
ボニル基などのアラルキルオキシカルボニル基，
トリフロロアセチル基，ｏ―ニトロフエノキシア
セチル基などのアシル基，ジフエニルホスフイノ
チオイル基，ジメチルホスフイノチオイル基など
のホスフイノチオイル基，ジフエニルホスフイニ
ル基などのホスフイニル基などがあげられ、また
二価のアミノ保護基としてフタロイル基を用いる
ことができ、またシツフ塩基の形にして保護する
こともできる。これらのアミノ保護基の導入はペ
プチド合成等で公知の方法により、例えば酸ハラ
イド、酸アジド、活性エステル、酸無水物などの
形で公知のアミノ保護基導入剤を用いることがで
きる。これらのアミノ保護基導入剤を0.5―６モ
ル当量比の範囲で用いることにより、化合物（
ａ）の各アミノの反応性の差異により種々の部分
アミノ保護誘導体を任意の比率で製造することが
できる。 第三の本発明の方法においては、１位のアミノ
基以外のアミノ基がすべてまたは一部分保護され
たアミノ保護誘導体、例えば３，2′，6′，3″―テ
トラ―Ｎ―保護体、３，2′，6′―および2′，6′，
3″―トリ―Ｎ―保護体、2′，6′―ジ―Ｎ―保護体
および6′―モノ―Ｎ―保護体が使用できる。さら
にこれらの部分アミノ保護体の混合物も精製する
ことなく１位のアミノ基のアシル化のために用い
られる。 第三の本発明の方法において一般式（）の目
的化合物を高い収率で製造するためには一般式
（ａ）の化合物、すなわち6″―デオキシジベカ
シンまたは4″，6″―ジデオキシジベカシンの１位
のアミノ基のみを選択的にＬ―４―アミノ―２―
ヒドロキシ酪酸でアシル化すれば良いのであるか
ら、１位アミノ基以外のすべてのアミノ基が保護
基で閉塞されている化合物（ａ）の保護誘導
体、すなわち３，2′，6′，3″―テトラ―Ｎ―保護
誘導体を本法の出発物質として用いるのが最も好
ましいことは明らかであろう。 一般式（ａ）の化合物の３，2′，6′，3″―テ
トラ―Ｎ―保護誘導体（）を調製するには、例
えば次の方法を利用できる。すなわち、カナマイ
シンＢを二価遷移金属例えば銅（）、ニツケル
（）、コバルト（）等のカチオンと反応させて
金属錯体を形成させ、この錯体にアミノ保護基導
入剤としてのアシル化剤を作用させてカナマイシ
ンＢ金属錯体のカナマイシンＢ部分の１位と3″位
の２個のアミノ基（これらは二価金属イオンと錯
結合して閉塞されている）以外のすべてのアミノ
基を保護基で保護し、その後に二価金属カチオン
を例えば硫化水素処理又はアンモニア水処理で脱
除することによつてカナマイシンＢの３，2′，
6′―トリ―Ｎ―アシル化保護誘導体を作る特開昭
52−153944号の既知方法、若しくは前記の二価遷
移金属カチオンに代えて亜鉛イオンを用い以後は
前記既知方法と同様に処理してカナマイシンＢの
３，2′，6′―トリ―Ｎ―アシル化保護誘導体を作
る本出願人の特願昭53−138402号（特開昭55−
64598号公報参照）の方法を応用することによつ
て、先づ化合物（ａ）の３，2′，6′―トリ―Ｎ
―保護誘導体（）を高収率で生成する。次い
で、本発明者らが最近開発した特願昭54−73064
号（特開昭55−164696号公報参照）による１位以
外のアミノ基が選択的に保護されたアミノグリコ
キシド抗生物質保護誘導体の製造法の応用によつ
て、前記３，2′，6′―トリ―Ｎ―保護誘導体の
3″位のアミノ基を選択的にアシル化して保護する
と、化合物（ａ）の３，2′，6′，3″―テトラ―
Ｎ―保護誘導体を高収率で製造できるのである。
この特願昭54−73064号の方法においては、前記
３，2′，6′―トリ―Ｎ―保護誘導体にギ酸エステ
ル、ジハロゲン化またはトリハロゲン化アルカン
酸エステル、ホルミルイミダゾール、あるいはＮ
―アルカノイルイミダゾールをアシル化剤として
作用せしめることによつて、１位のアミノ基をア
シル化することなく、3″位のアミノ基を選択的に
高収率にアシル化して保護できるのである。これ
らの方法を適用して得られる6″―デオキシジベカ
シンまたは4″，6″―ジデオキシジベカシンの例え
ば３，2′，6′―トリ―Ｎ―ベンジルオキシカルボ
ニル―3″―Ｎ―トリフロロアセチル体は、本法に
おいてＬ―４―アミノ―２―ヒドロキシ酪酸で選
択的に１位アミノ基をアシル化するのに最も好ま
しい材料である。 第三の本発明の方法においては、アミノ基を保
護した又はしてないＬ―４―アミノ―２―ヒドロ
キシ酪酸で、上記の化合物（ａ）又はその部分
アミノ保護誘導体（）のそれぞれ、または混合
物の１位のアミノ基をアシル化するのである。こ
のアシル化反応は、ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド法、混合酸無水物法、アジド法、活性エステ
ル法など、あらゆる既知のペプチド合成法によ
り、Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシ酪酸をこの
まゝ又はこれの反応誘導体（官能的均等物）の形
で作用させて実施できる。Ｌ―４―アミノ―２―
ヒドロキシ酪酸のアミノ基を保護するアミノ保護
基としては、化合物（）のアミノ保護基に用い
られたと同じ又は異なるアミノ保護基が用いられ
る。特に、トリフロロ酢酸、酢酸などの水溶液ま
たは塩酸などの希薄溶液中で処理して容易に脱保
護できる第三ブトキシカルボニル基は、好ましく
用いられる保護基である。また、パラジウム、酸
化白金などを触媒として使用する通常の接触還元
で脱保護できるベンジルオキシカルボニル基も便
利な保護基である。 本法でのアシル化反応は含水溶媒中で活性エス
テル法を用いて行われることが好ましい。例え
ば、通常の方法で得られる活性エステルとしてＬ
―４―ベンジルオキシカルボニルアミノ―２―ヒ
ドロキシ酪酸のＮ―ヒドロキシコハク酸イミドを
0.5―３モル当量、好ましくは１―1.5モル当量の
範囲で使用し、また水と混合しうる溶媒として、
好ましくはジオキサン，ジメトキシエタン，ジメ
チルホルムアミド，テトラヒドロフラン，トリエ
チルアミンなどが使用される。 なお、一般式（）の保護誘導体のうち、6′―
Ｎ―保護体のように１位アミノ基以外のアミノ基
の一部のみが保護された誘導体を本法でアシル化
される出発物質として用いた場合には、１―Ｎ―
（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリル）―
3′，4′―ジデオキシカナマイシンＢの合成（特公
昭52−33629号公報参照）の場合と同様に、アシ
ル化反応生成物を通常用いるシリカゲルなどの塔
クロマトグラフイーによつて精製し、未反応の原
料を除去してアシル化生成物の混合物を得ること
ができる。しかし、一般には、この混成アシル化
生成物は精製することなしに脱保護して後に精製
して目的物を採取することができる。 本法においては、こうして生成されたアシル化
反応生成物に保護基が残存する場合に、これら保
護基を脱離せしめるが、この脱離は常法で行なわ
れる。すなわち、上記のアルキルオキシカルボニ
ル基型のアミノ保護基はトリフロロ酢酸、酢酸な
どの水溶液、または塩酸などの希薄溶液中で加水
分解により処理して脱離される。またベンジルオ
キシカルボニル基などのアラルキルオキシカルボ
ニル基の場合には通常の接触還元（水添分解）に
よつて容易に脱離できる。また保護基にフタロイ
ル基を有する場合は抱水ヒドラジンのアルコール
溶液中で加熱により除去できる。 脱保護をしたアシル化生成物中には、目的とす
る１―Ｎ―アシル化物のほかに数種の異性体の存
在が考えられるが、これらはカルボキシル基を活
性基としたアンバーライトCG50、CM―セフア
テツクスＣ―25（スエーデン国フアルマシア社製）
などの陽イオン交換体を使用して、適当な感受性
菌および耐性菌を試験菌として抗菌力を測定する
ことにより、目的の１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―
２―ヒドロキシブチリル）誘導体（）をクロマ
トグラフイーで分離精製することが可能である。 第四の本発明の要旨とするところは、前出の１
―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリ
ル）―3′，4′―ジデオキシカナマイシンＢすなわ
ち次式（） で表わされる１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒ
ドロキシブチリル）―ジベカシンを素原料として
用い、その５個のアミノ基を公知のアミノ保護基
で保護して次式（′） 〔式中Ａは水素原子で、Ｂは１価のアミノ保護
基であるか、あるいはＡ，Ｂが一緒になつて２価
のアミノ保護基１個を示す〕で表わされるアミノ
保護体を生成し、続いて4″と6″位の二個の水酸基
を同時に、公知の２価の水酸基保護基１個で保護
して次式（″） 〔式中Ａ，Ｂは前述に同じ、
【式】は２価
の水酸基保護基を表わし、Ｘ，Ｙはそれぞれ水素
原子、アルキル基、アリール基またはＯ―アルキ
ル基であるか、または
原子、アルキル基、アリール基またはＯ―アルキ
ル基であるか、または
【式】でシクロアルカ
ン基である〕で表わされる保護体を生成し、さら
に残りの2″および２位の二個の水酸基、または
５，2″および２位の三個の水酸基を公知の１価
の水酸基保護基で保護して、次式（） 〔式中、Ａ，Ｂ，Ｘ，Ｙは前述と同じ、Ｄはア
シル基の形の水酸基保護基を示し、Ｅは水素原子
またはアシル基の形の水酸基保護基を示す〕で表
わされる化合物を生成し、次いで4″，6″位の水酸
基保護基を除去して、次式（） 〔式中Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅは前記と同じ〕で表わさ
れる化合物とし、その6″位の水酸基のみ、または
4″と6″位の両水酸基を同時にスルホニル化剤でス
ルホン酸エステル化して次式（′） 〔式中Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅは前述に同じ、Ｇは低級
アルキル基、ｐ―メチルフエニル基またはフエニ
ル基の如きアリール基またはベンジル基の如きア
ラルキル基であり、G′は水酸基またはGSO3―基
である〕で表わされるモノまたはジスルホン酸エ
ステル誘導体とし、それぞれのスルホン酸エステ
ル基をアルカリ金属沃化物または臭化物で処理し
てヨードまたはブロム置換し、モノヨードまたは
モノブロム誘導体〔式′においてGSO3基がヨ
ードまたはブロムで、G′が水酸基の場合〕、また
はジヨードまたはジブロム誘導体〔式′におい
てGSO3基およびG′がともにヨードまたはブロム
である場合〕となし、それぞれを接触還元して脱
ハロゲン化し、モノデオキシ誘導体〔式′にお
いてGSO3基が水素原子で、G′が水酸基の場合〕、
またはジデオキシ誘導体〔式′においてGSO3
基およびG′がともに水素原子である場合〕に変
換し、必要により残存の水酸基保護基、さらにア
ミノ基保護基を脱離することを特徴とする次式
（） 〔式中Ｒは水酸基または水素原子を示す〕で表
わされる１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロ
キシブチリル）―6″―デオキシジベカシン〔式中
Ｒが水酸基の場合〕、または１―Ｎ―（Ｌ―４―
アミノ―２―ヒドロキシブチリル）―4″，6″―ジ
デオキシジベカシン〔式中Ｒが水素原子の場合〕
およびそれらの酸付加塩の製造法にある。 なお、第四の本発明の方法の各工程の実施態様
は、第二の本発明の方法において詳しく述べた各
工程の実施態様と同様である。 次に、実施例を示して本発明を説明する。な
お、実施例１〜２は第一及び第二の本発明を、実
施例４は第三の本発明を、実施例３は第四の本発
明を例示的に説明するものである。 実施例 １ ａ 2″―Ｏ―ベンゾイル―１，３，2′，6′，3″―
ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル―ジベカ
シンの合成： ジベカシン3.0ｇ（6.65ミリモル）を水10mlに
とかし、トリエチルアミン4.63ml（33.25ミリモ
ル）とメタノール30mlを加え、さらに第三ブチル
Ｓ―４，６―ジメチルピリミド―２―イルチオカ
ーボネート11.5ｇ（50ミリモル）をメタノール20
mlにとかした溶液を滴加し、60℃で５時間撹拌反
応する。反応液を約半量まで減圧濃縮したのち、
650mlの水中に注加し、冷蔵室で一夜放置する。
生ずる沈澱を取し、水300mlおよびエーテル150
mlで洗浄して、１，３，2′，6′，3″―ペンタ―Ｎ
―第三ブトキシカルボニル―ジベカシンの微褐色
粉末4.73ｇ（収率75％）を得た。 この粉末1.0ｇ（1.05ミリモル）を無水ジメチ
ルホルムアミド20mlにとかし、ジメトキシシクロ
ヘキサン432mg（３ミリモル）とｐ―トルエンス
ルホン酸42mg（0.24ミリモル）を加え、室温で16
時間反応後、トリエチルアミン0.1mlを加え減圧
濃縮乾固し、残渣をクロロホルム100mlにとかし、
同量の水で洗浄し、無水硫酸ソーダで脱水したの
ち、減圧濃縮乾固して１，３，2′，6′，3″―ペン
タ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル―4″，6″―Ｏ―
シクロヘキシリデン―ジベカシンの淡黄色粉末
1.10ｇ（収率100％）を得た。 この粉末800mg（0.775ミリモル）を無水ピリジ
ン16mlにとかし、塩化ベンゾイル260mg（1.86ミ
リモル）を加え60℃で一夜反応後、メタノール１
mlを加えて過剰の塩化ベンゾイルを分解させ、一
たん減圧濃縮して油状物質を得た。これをクロロ
ホルム50mlにとかし、それぞれ同量の５％硫酸水
素カリウム、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液およ
び水で順次洗浄し、クロロホルム層を無水硫酸ナ
トリウムで脱水し、減圧濃縮し、それぞれ少量の
クロロホルムおよびｎ―ヘキサンで洗浄して2″―
Ｏ―ベンゾイル―１，３，2′，6′，3″―ペンタ―
Ｎ―第三ブトキシカルボニル―4″，6″―Ｏ―シク
ロヘキシリデン―ジベカシン淡黄色粉末826mg
（収率94％）を得た。 この粉末816mg（0.718ミリモル）を酢酸、メタ
ノールおよび水（２：１：１容）の混液20mlにと
かし、50℃で１時間続いて40℃で３時間処理し
た。反応液を減圧濃縮後、残渣をクロロホルム50
mlにとかし、それぞれ同量の飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液および水で洗浄し、クロロホルム層を
無水硫酸ナトリウムで脱水後、減圧濃縮乾燥して
2″―Ｏ―ベンゾイル―１，３，2′，6′，3″―ペン
タ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル―ジベカシンの
淡黄色粉末758mg（収率100％）を得た。 ｂ 4″，6″―ジデオキシジベカシンの合成： 実施例1aで得られた2″―Ｏ―ベンゾイル―１，
３，2′，6′，3″―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカル
ボニルジベカシン850mg（0.805ミリモル）を無水
ピリジン20mlにとかし、塩化メシル483mg（4.24
ミリモル）を加え、40〜50℃で一夜反応後、少量
の水を加えて塩化メシルを分解して減圧濃縮乾固
した。残渣をクロロホルム100mlにとかし、それ
ぞれ同量の５％硫酸水素カリウム、飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液および水で洗浄し、クロロホル
ム層を無水硫酸ナトリウムで脱水し、減圧濃縮乾
燥して2″―Ｏ―ベンゾイル―１，３，2′，6′，
3″―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル―4″，
6″―ジ―Ｏ―メシルジベカシンの淡褐色粉末を得
た。これをクロロホルムおよびエタノール
（100：１容）の混液で展開するシリカゲル（ワコ
ーゲルＣ―100，和光純薬製，100ｇ）のカラムク
ロマトグラフイーで精製して856mgの白色粉末
（収率88％）を得た。 この白色粉末350mg（0.289ミリモル）を無水ジ
メチルホルムアミド７mlにとかし、大過剰の沃化
ナトリウム（3.5ｇ）を加え、アルゴン気流中95
℃で５時間反応させた。反応液に水50mlを加え、
生ずる沈澱を取し、水洗した。沈澱をクロロホ
ルム50mlにとかし、順次同量の20％チオ硫酸ナト
リウム水溶液および水で洗浄し、クロロホルム層
を無水硫酸ナトリウムで脱水して減圧濃縮乾燥し
て白色粉末（359mg）を得た。この粉末をシリカ
ゲルの薄層板（シリカゲルDF500、スイス・カマ
ツグ社製KTプレート）で、クロロホルムとエタ
ノール（20：１容）の混液を展開溶媒として精製
し（Rf0.6付近をかきとる）、2″―Ｏ―ベンゾイル
―１，３，2′，6′，3″―ペンタ―Ｎ―第三ブトキ
シカルボニル―4″，6″―ジヨードジベカシンの白
色粉末210mg（収率57％）を得た。 この白色粉末210mgをジオキサン５mlにとかし、
ラネーニツケル（日興理化製，，Ｒ―200）を触媒
としてパールの装置で、水素圧3.6Kg／cm2で一夜
水素化して脱ヨード化し、反応後触媒を去して
液を減圧濃縮乾固した。残渣を12％アンモニア
―メタノール５mlにとかし、一夜放置して脱ベン
ゾイル化し、反応液を一たん減圧濃縮して得られ
る残渣をクロロホルム20mlにとかし、水洗後、ク
ロロホルム層を無水硫酸ナトリウムで脱水して減
圧濃縮乾燥して白色粉末を得た。この粉末をさら
に90％トリフロロ酢酸２mlにとかし、45分間室温
に放置して第三ブトキシカルボニル基を脱離し、
反応液を一たん減圧濃縮後、残渣をエーテル洗浄
して淡黄色粉末（目的物のトリフロロ酢酸塩）を
得た。この粉末を水にとかし、アンバーライト
CG―50（NH4 +）17mlの塔に吸着せしめ、水洗
後、0.4Mアンモニア水で溶出し、減圧濃縮して
目的とする4″，6″―ジデオキシジベカシン（3/2
炭酸塩）の白色粉末36mg（収率52％）を得た。 実施例 ２ 6″―デオキシジベカシンの合成： 実施例1aで得られた2″―Ｏ―ベンゾイル―１，
３，2′，6′，3″―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカル
ボニルジベカシン500mg（0.473ミリモル）を無水
ピリジン10mlにとかし、塩化メシル130mg（1.14
ミリモル）を加え、30℃で一夜反応後、少量の水
を加えて30分放置して塩化メシルを分解し、反応
液を減圧濃縮乾固した。残渣をクロロホルム50ml
にとかし、それぞれ同量の５％硫酸水素カリウ
ム、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および水で洗
浄し、クロロホルム層を無水硫酸ナトリウムで脱
水し、減圧濃縮乾固して淡褐色粉末を得た。これ
をクロロホルムおよエタノール（50：１容）の混
液で展開するシリカゲル（ワコーゲルＣ―200，
和光純薬製，50ｇ）のカラムクロマトグラフイー
で精製して、2″―Ｏ―ベンゾイル―１，３，2′，
6′，3″―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル
4″，6″―ジ―Ｏ―メシルジベカシンの白色粉末
114mg（収率20％）および2″―Ｏ―ベンゾイル―
１，３，2′，6′，3″―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシ
カルボニル―6″―Ｏ―メシルジベカシンの白色粉
末250mg（収率47％）を得た。 後者の6″―Ｏ―メシル体の白色粉末39mg
（0.0344ミリモル）を無水ジメチルホルムアミド
１mlにとかし、沃化ナトリウム390mg（2.6ミリモ
ル）を加え、90℃で２時間撹拌した。反応液にク
ロロホルム30mlを加え、それぞれ30mlの飽和塩化
ナトリウム水溶液で３回、20％チオ硫酸ナトリウ
ム水溶液および水で洗浄し、クロロホルム層を無
水硫酸ナトリウムで脱水後、減圧濃縮乾燥して、
2″―Ｏ―ベンゾイル―１，３，2′，6′，3″―ペン
タ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル―6″―ヨードジ
ベカシンの白色粉末38mgを得た。 これをジオキサン1.5mlにとかし、ラネーニツ
ケル（日興理化製，Ｒ―200）を触媒としてパー
ルの装置で水素圧3.6Kg／cm2で24時間水素化して
脱ヨード化し、反応後触媒を去して液を減圧
濃縮乾固した。残渣を12％アンモニア―メタノー
ル溶液２mlにとかし、室温に一夜放置して脱ベン
ゾイル化し、反応液を減圧濃縮乾固して白色粉末
を得た。これをさらに90％トリフロロ酢酸１mlに
とかし、45分間室温に放置して第三ブトキシカル
ボニル基を脱離し、反応液を減圧濃縮後、残渣を
エーテル洗浄して淡黄色粉末（トリフロロ酢酸
塩）を得た。この粉末を水にとかし、アンバーラ
イトCG―50（NH4 +）５mlの塔に吸着させ、水洗
後、0.4Mアンモニア水で溶出し、減圧濃縮して
目的とする6″―デオキシジベカシン（3/2炭酸塩）
の白色粉末12mgを得た。6″―Ｏ―メシル体よりの
収率75％。 実施例 ３ ａ 2″，２―ジ―Ｏ―ベンゾイル―３，2′，6′，
3″，４―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカルボニ
ル―１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキ
シブチリル）ジベカシンの合成 １―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブ
チリル）ジベカシン679mg（1.23ミリモル）を50
％ジオキサン水溶液14mlにとかし、トリエチルア
ミン１ml（7.2ミリモル）を加え、さらに第三ブ
チルＳ―４，６―ジメチルピリミド―２―イルチ
オカーボネート2.96ｇ（12.3ミリモル）をジオキ
サン７mlにとかした溶液を滴加し、室温で40時間
撹拌後、減圧濃縮乾固した。残渣をそれぞれ100
mlのｎ―ヘキサンおよび水で洗浄し、３，2′，
6′，3″，４―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカルボ
ニル―１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキ
シブチリル）ジベカシンの淡黄色粉末1.0ｇ（収
率82％）を得た。 この粉末1.0ｇ（1.01ミリモル）を20mlの無水
ジメチルホルムアミドにとかし、ｐ―トルエンス
ルホン酸４mgと２，２―ジメトキシプロパン0.5
ml（4.1ミリモル）を加え、室温で17時間撹拌後、
トリエチルアミン１滴を加えて減圧濃縮乾固し
た。残渣をクロロホルム150mlにとかし、100の飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液で２回および100ml
の飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、クロ
ロホルム層を無水硫酸ナトリウムで脱水したの
ち、濃縮乾固して、３，2′，6′，3″，４―ペン
タ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル―4″，6″―Ｏ―
イソプロピリデン―１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―
２―ヒドロキシブチリル）ジベカシンの淡黄色粗
粉末1.1ｇを得た。これを30mlのクロロホルムに
とかし、シリカゲル（ワコーゲルＣ―200，和光
純薬製，100ｇ）のカラムに吸着させ、クロロホ
ルムおよびエタノール（20：１容）の混液で展開
し、目的物を含有する溶出液を減圧濃縮乾固して
842mgの白色粉末を得た（収率77％）。 この粉末840mg（0.78ミリモル）を無水ピリジ
ン10mlにとかし、塩化ベンゾイル0.4ml（3.4ミリ
モル）を加え、室温で18時間撹拌後、水１滴を加
えて過剰の塩化ベンゾイルを分解し、反応液を減
圧濃縮乾固した。残渣を100mlのクロロホルムに
溶解し、100mlの0.25N塩酸、50mlの飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液で３回および100mlの飽和塩
化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、クロロホルム
層を無水硫酸ナトリウムで脱水後、減圧濃縮乾固
して2″，２―ジ―Ｏ―ベンゾイル―３，2′，6′，
3″，４―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル
―4″，6″―Ｏ―イソプロピリデン―１―Ｎ―（Ｌ
―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリル）ジベカ
シンの淡黄色粉末1.017mg（収率100％）を得た。 この粉末975mg（0.76ミリモル）を酢酸、メタ
ノールおよび水（２：１：１容）の混液20mlにと
かし、室温で15時間撹拌したのち、減圧濃縮乾固
した。残渣を100mlのクロロホルムにとかし、100
mlの飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で２回および
100mlの飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、
クロロホルム層を無水硫酸ナトリウムで脱水後、
減圧濃縮乾固して2′，２―ジ―Ｏ―ベンゾイル
―３，2′，6′，3″，４―ペンタ―Ｎ―第三ブト
キシカルボニル―１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２
―ヒドロキシブチリル）ジベカシンの淡黄色粉末
873mg（収率93％）を得た。 ｂ １―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシ
ブチリル）―4″，6″―ジデオキシジベカシンお
よび１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキ
シブチリル）―6″―デオキシジベカシンの合
成： 実施例3aで得られた2″，２―ジ―Ｏ―ベンゾ
イル―３，2′，6′，3″，４―ペンタ―Ｎ―第三
ブトキシカルボニル―１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ
―２―ヒドロキシブチリル）ジベカシン250mg
（0.2ミリモル）を無水ピリジン５mlにとかし、塩
化メシル0.06ml（1.3ミリモル）を加え室温で16
時間撹拌したのち、反応液に水１滴を加えて過剰
の塩化メシルを分解し、減圧濃縮乾固した。残渣
をクロロホルム25mlにとかし、25mlの0.2N塩酸、
25mlの飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で３回およ
び25mlの飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、ク
ロロホルム層を無水硫酸ナトリウムで脱水後、減
圧濃縮乾固して、2″，２―ジ―Ｏ―ベンゾイル
―３，2′，6′，3″，４―ペンタ―Ｎ―第三ブト
キシカルボニル―4″，6″―ジ―Ｏ―メシル―１―
Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリ
ル）ジベカシン（クロロホルム―メタノール，
30：１で展開するシリカゲルの薄層クロマトグラ
フイーでRf0.25）および少量の2″，２―ジ―Ｏ
―ベンゾイル―３，2′，6′，3″，４―ペンタ―
Ｎ―第三ブトキシカルボニル―6″―Ｏ―メシル―
１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチ
リル）ジベカシン（Rf0.18）を含む淡褐色粉末
271mg（収率96％）を得た。 この粉末220mg（0.155ミリモル）を無水ジメチ
ルホルムアミド4.4mlにとかし、大過剰の沃化ナ
トリウム（2.3mg）を加え、90℃で６時間撹拌し
た。反応液に50mlの水を加え、生ずる沈澱を取
した。沈澱を20mlのクロロホルムにとかし、20ml
の20％チオ硫酸ナトリウム水溶液で２回および20
mlの飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、クロロ
ホルム層を無水硫酸ナトリウムで脱水後、減圧濃
縮乾固し、2″，２―ジ―Ｏ―ベンゾイル―３，
2′，6′，3″，４―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカ
ルボニル―4″，6″―ジ―Ｏ―ヨード―１―Ｎ―
（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリル）ジ
ベカシン（クロロホルム―エタノール，30：１に
よるシリカゲルの薄層クロマトグラフイーで
Rf0.40）を主体としこれに少量の6″―Ｏ―ヨード
体（Rf0.31）を含んだ白色粉末224mg（収率99％）
を得た。 この白色粉末220mg（0.15ミリモル）をジオキ
サン５mlにとかし、ラネーニツケル（日興理化
製，Ｒ―200）を触媒としてパールの装置で水素
圧3.6Kg／cm2で５時間水素して脱ヨード化し、触
媒を去して液を減圧濃縮乾固した（169mg）。
残渣を12％アンモニア―メタノール10mlにとか
し、室温に一夜放置して脱ベンゾイル化し、反応
液を減圧濃縮乾固した（131mg）。残渣をさらに90
％トリフロロ酢酸２mlにとかし、45分間室温に放
置して第三ブトキシカルボニル基を脱離し、反応
液を減圧濃縮後、残渣をエーテル洗浄して淡黄色
粉末（トリフロロ酢酸塩）を得た。この粉末を水
２mlにとかし、1NアンモニアでPH7.8とし、アン
バーライトCG―50（NH4 +）20mlの塔に吸着せし
め、水洗（68ml）続いて0.2Nアンモニア水（70
ml）および0.5Nアンモニア水（88ml）で洗浄し、
0.6Nアンモニア水（80ml）および0.7Nアンモニ
ア水（50ml）で順次溶出した。0.6Nアンモニア
水溶出部を減圧濃縮乾固して、１―Ｎ―（Ｌ―４
―アミノ―２―ヒドロキシブチリル）―6″―デオ
キシジベカシン（3/2炭酸塩）の白色粉末7.2mg
（収率８％）を得た。0.7Nアンモニア水溶出部を
減圧濃縮乾固して１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２
―ヒドロキシブチリル）―4″，6″―ジデオキシジ
ベカシン（3/2炭酸塩）の白色粉末18.8mg（収率
21％）を得た。 実施例 ４ １―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブ
チリル）―6″―デオキシジベカシンの合成： 実施例２で得られた6″―デオキシジベカシン
（3/2炭酸塩）26.4mg（0.05ミリモル）を無水ジメ
チルスルホキシド0.5mlにとかし、酢酸亜鉛（Zn
（CH3CO2）2・2H2O）54.7mg（0.24ミリモル）を
加え、室温で20時間撹拌後、ベンジルオキシカル
ボニル―Ｎ―ヒドロキシコハク酸イミドエステル
41.2mg（0.165ミリモル）を加え、さらに室温で
20時間撹拌した。反応液に水30mlと濃アンモニア
水少量を加えPH11とし、生ずる沈澱を取し乾燥
した（51.3mg）。これを５mlのジメチルスルホキ
シドにとかし、トリフロロ酢酸エチルエステル
0.02ml（0.14ミリモル）をジメチルスルホキシド
１mlにとかした溶液を加え、室温で３時間撹拌し
て、３，2′，6′―トリ―Ｎ―ベンジルオキシカル
ボニル―3″―Ｎ―トリフロロアセチル―6″―デオ
キシジベカシンを含有する反応液を得た。続いて
この反応液にトリエチルアミン0.01ml（0.07ミリ
モル）およびＬ―４―ベンジルオキシカルボニル
アミノ―２―ヒドロキシ酪酸のＮ―ヒドロキシコ
ハク酸イミドエステル26.3mg（0.075ミリモル）
を加え、室温で15時間撹拌後、反応液に飽和塩化
ナトリウム水溶液２mlと酢酸エチル２mlを加えて
生ずる白色沈澱と酢酸エチル層を合して乾固した
（44.2mg）。この粉末にテトラヒドロフランと1N
アンモニア水（１：１）の混液２mlを加え、室温
で20時間撹拌してトリフロロアセチル基を除去し
た。反応液を濃縮後、1Nアンモニア水２mlを加
えて生ずる沈澱を取、水洗した。この沈澱を酢
酸、メタノールおよび水（２：１：１）の混液２
mlにとかし、５％パラジウム―炭素50mgを加え、
室温で水素気流を６時間導入した。触媒を除去
し、濃縮乾固したのち、水0.3mlにとかし、1Nア
ンモニア水でPH7.8に調整し、これをアンバーラ
イトCG―50（NH4型）２mlのカラム吸着させ、
５mlの水および５mlの0.1Nアンモニア水で洗浄
後、５mlの0.5Nアンモニア水および10mlの0.8N
アンモニア水で溶出した。0.8Nアンモニア水溶
出画分を減圧濃縮乾固して、目的とする１―Ｎ―
（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリル）―
6″―デオキシジベカシン（3/2炭酸塩）の白色粉
末10.0mgを得た。収率32％。
に残りの2″および２位の二個の水酸基、または
５，2″および２位の三個の水酸基を公知の１価
の水酸基保護基で保護して、次式（） 〔式中、Ａ，Ｂ，Ｘ，Ｙは前述と同じ、Ｄはア
シル基の形の水酸基保護基を示し、Ｅは水素原子
またはアシル基の形の水酸基保護基を示す〕で表
わされる化合物を生成し、次いで4″，6″位の水酸
基保護基を除去して、次式（） 〔式中Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅは前記と同じ〕で表わさ
れる化合物とし、その6″位の水酸基のみ、または
4″と6″位の両水酸基を同時にスルホニル化剤でス
ルホン酸エステル化して次式（′） 〔式中Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅは前述に同じ、Ｇは低級
アルキル基、ｐ―メチルフエニル基またはフエニ
ル基の如きアリール基またはベンジル基の如きア
ラルキル基であり、G′は水酸基またはGSO3―基
である〕で表わされるモノまたはジスルホン酸エ
ステル誘導体とし、それぞれのスルホン酸エステ
ル基をアルカリ金属沃化物または臭化物で処理し
てヨードまたはブロム置換し、モノヨードまたは
モノブロム誘導体〔式′においてGSO3基がヨ
ードまたはブロムで、G′が水酸基の場合〕、また
はジヨードまたはジブロム誘導体〔式′におい
てGSO3基およびG′がともにヨードまたはブロム
である場合〕となし、それぞれを接触還元して脱
ハロゲン化し、モノデオキシ誘導体〔式′にお
いてGSO3基が水素原子で、G′が水酸基の場合〕、
またはジデオキシ誘導体〔式′においてGSO3
基およびG′がともに水素原子である場合〕に変
換し、必要により残存の水酸基保護基、さらにア
ミノ基保護基を脱離することを特徴とする次式
（） 〔式中Ｒは水酸基または水素原子を示す〕で表
わされる１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロ
キシブチリル）―6″―デオキシジベカシン〔式中
Ｒが水酸基の場合〕、または１―Ｎ―（Ｌ―４―
アミノ―２―ヒドロキシブチリル）―4″，6″―ジ
デオキシジベカシン〔式中Ｒが水素原子の場合〕
およびそれらの酸付加塩の製造法にある。 なお、第四の本発明の方法の各工程の実施態様
は、第二の本発明の方法において詳しく述べた各
工程の実施態様と同様である。 次に、実施例を示して本発明を説明する。な
お、実施例１〜２は第一及び第二の本発明を、実
施例４は第三の本発明を、実施例３は第四の本発
明を例示的に説明するものである。 実施例 １ ａ 2″―Ｏ―ベンゾイル―１，３，2′，6′，3″―
ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル―ジベカ
シンの合成： ジベカシン3.0ｇ（6.65ミリモル）を水10mlに
とかし、トリエチルアミン4.63ml（33.25ミリモ
ル）とメタノール30mlを加え、さらに第三ブチル
Ｓ―４，６―ジメチルピリミド―２―イルチオカ
ーボネート11.5ｇ（50ミリモル）をメタノール20
mlにとかした溶液を滴加し、60℃で５時間撹拌反
応する。反応液を約半量まで減圧濃縮したのち、
650mlの水中に注加し、冷蔵室で一夜放置する。
生ずる沈澱を取し、水300mlおよびエーテル150
mlで洗浄して、１，３，2′，6′，3″―ペンタ―Ｎ
―第三ブトキシカルボニル―ジベカシンの微褐色
粉末4.73ｇ（収率75％）を得た。 この粉末1.0ｇ（1.05ミリモル）を無水ジメチ
ルホルムアミド20mlにとかし、ジメトキシシクロ
ヘキサン432mg（３ミリモル）とｐ―トルエンス
ルホン酸42mg（0.24ミリモル）を加え、室温で16
時間反応後、トリエチルアミン0.1mlを加え減圧
濃縮乾固し、残渣をクロロホルム100mlにとかし、
同量の水で洗浄し、無水硫酸ソーダで脱水したの
ち、減圧濃縮乾固して１，３，2′，6′，3″―ペン
タ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル―4″，6″―Ｏ―
シクロヘキシリデン―ジベカシンの淡黄色粉末
1.10ｇ（収率100％）を得た。 この粉末800mg（0.775ミリモル）を無水ピリジ
ン16mlにとかし、塩化ベンゾイル260mg（1.86ミ
リモル）を加え60℃で一夜反応後、メタノール１
mlを加えて過剰の塩化ベンゾイルを分解させ、一
たん減圧濃縮して油状物質を得た。これをクロロ
ホルム50mlにとかし、それぞれ同量の５％硫酸水
素カリウム、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液およ
び水で順次洗浄し、クロロホルム層を無水硫酸ナ
トリウムで脱水し、減圧濃縮し、それぞれ少量の
クロロホルムおよびｎ―ヘキサンで洗浄して2″―
Ｏ―ベンゾイル―１，３，2′，6′，3″―ペンタ―
Ｎ―第三ブトキシカルボニル―4″，6″―Ｏ―シク
ロヘキシリデン―ジベカシン淡黄色粉末826mg
（収率94％）を得た。 この粉末816mg（0.718ミリモル）を酢酸、メタ
ノールおよび水（２：１：１容）の混液20mlにと
かし、50℃で１時間続いて40℃で３時間処理し
た。反応液を減圧濃縮後、残渣をクロロホルム50
mlにとかし、それぞれ同量の飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液および水で洗浄し、クロロホルム層を
無水硫酸ナトリウムで脱水後、減圧濃縮乾燥して
2″―Ｏ―ベンゾイル―１，３，2′，6′，3″―ペン
タ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル―ジベカシンの
淡黄色粉末758mg（収率100％）を得た。 ｂ 4″，6″―ジデオキシジベカシンの合成： 実施例1aで得られた2″―Ｏ―ベンゾイル―１，
３，2′，6′，3″―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカル
ボニルジベカシン850mg（0.805ミリモル）を無水
ピリジン20mlにとかし、塩化メシル483mg（4.24
ミリモル）を加え、40〜50℃で一夜反応後、少量
の水を加えて塩化メシルを分解して減圧濃縮乾固
した。残渣をクロロホルム100mlにとかし、それ
ぞれ同量の５％硫酸水素カリウム、飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液および水で洗浄し、クロロホル
ム層を無水硫酸ナトリウムで脱水し、減圧濃縮乾
燥して2″―Ｏ―ベンゾイル―１，３，2′，6′，
3″―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル―4″，
6″―ジ―Ｏ―メシルジベカシンの淡褐色粉末を得
た。これをクロロホルムおよびエタノール
（100：１容）の混液で展開するシリカゲル（ワコ
ーゲルＣ―100，和光純薬製，100ｇ）のカラムク
ロマトグラフイーで精製して856mgの白色粉末
（収率88％）を得た。 この白色粉末350mg（0.289ミリモル）を無水ジ
メチルホルムアミド７mlにとかし、大過剰の沃化
ナトリウム（3.5ｇ）を加え、アルゴン気流中95
℃で５時間反応させた。反応液に水50mlを加え、
生ずる沈澱を取し、水洗した。沈澱をクロロホ
ルム50mlにとかし、順次同量の20％チオ硫酸ナト
リウム水溶液および水で洗浄し、クロロホルム層
を無水硫酸ナトリウムで脱水して減圧濃縮乾燥し
て白色粉末（359mg）を得た。この粉末をシリカ
ゲルの薄層板（シリカゲルDF500、スイス・カマ
ツグ社製KTプレート）で、クロロホルムとエタ
ノール（20：１容）の混液を展開溶媒として精製
し（Rf0.6付近をかきとる）、2″―Ｏ―ベンゾイル
―１，３，2′，6′，3″―ペンタ―Ｎ―第三ブトキ
シカルボニル―4″，6″―ジヨードジベカシンの白
色粉末210mg（収率57％）を得た。 この白色粉末210mgをジオキサン５mlにとかし、
ラネーニツケル（日興理化製，，Ｒ―200）を触媒
としてパールの装置で、水素圧3.6Kg／cm2で一夜
水素化して脱ヨード化し、反応後触媒を去して
液を減圧濃縮乾固した。残渣を12％アンモニア
―メタノール５mlにとかし、一夜放置して脱ベン
ゾイル化し、反応液を一たん減圧濃縮して得られ
る残渣をクロロホルム20mlにとかし、水洗後、ク
ロロホルム層を無水硫酸ナトリウムで脱水して減
圧濃縮乾燥して白色粉末を得た。この粉末をさら
に90％トリフロロ酢酸２mlにとかし、45分間室温
に放置して第三ブトキシカルボニル基を脱離し、
反応液を一たん減圧濃縮後、残渣をエーテル洗浄
して淡黄色粉末（目的物のトリフロロ酢酸塩）を
得た。この粉末を水にとかし、アンバーライト
CG―50（NH4 +）17mlの塔に吸着せしめ、水洗
後、0.4Mアンモニア水で溶出し、減圧濃縮して
目的とする4″，6″―ジデオキシジベカシン（3/2
炭酸塩）の白色粉末36mg（収率52％）を得た。 実施例 ２ 6″―デオキシジベカシンの合成： 実施例1aで得られた2″―Ｏ―ベンゾイル―１，
３，2′，6′，3″―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカル
ボニルジベカシン500mg（0.473ミリモル）を無水
ピリジン10mlにとかし、塩化メシル130mg（1.14
ミリモル）を加え、30℃で一夜反応後、少量の水
を加えて30分放置して塩化メシルを分解し、反応
液を減圧濃縮乾固した。残渣をクロロホルム50ml
にとかし、それぞれ同量の５％硫酸水素カリウ
ム、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および水で洗
浄し、クロロホルム層を無水硫酸ナトリウムで脱
水し、減圧濃縮乾固して淡褐色粉末を得た。これ
をクロロホルムおよエタノール（50：１容）の混
液で展開するシリカゲル（ワコーゲルＣ―200，
和光純薬製，50ｇ）のカラムクロマトグラフイー
で精製して、2″―Ｏ―ベンゾイル―１，３，2′，
6′，3″―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル
4″，6″―ジ―Ｏ―メシルジベカシンの白色粉末
114mg（収率20％）および2″―Ｏ―ベンゾイル―
１，３，2′，6′，3″―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシ
カルボニル―6″―Ｏ―メシルジベカシンの白色粉
末250mg（収率47％）を得た。 後者の6″―Ｏ―メシル体の白色粉末39mg
（0.0344ミリモル）を無水ジメチルホルムアミド
１mlにとかし、沃化ナトリウム390mg（2.6ミリモ
ル）を加え、90℃で２時間撹拌した。反応液にク
ロロホルム30mlを加え、それぞれ30mlの飽和塩化
ナトリウム水溶液で３回、20％チオ硫酸ナトリウ
ム水溶液および水で洗浄し、クロロホルム層を無
水硫酸ナトリウムで脱水後、減圧濃縮乾燥して、
2″―Ｏ―ベンゾイル―１，３，2′，6′，3″―ペン
タ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル―6″―ヨードジ
ベカシンの白色粉末38mgを得た。 これをジオキサン1.5mlにとかし、ラネーニツ
ケル（日興理化製，Ｒ―200）を触媒としてパー
ルの装置で水素圧3.6Kg／cm2で24時間水素化して
脱ヨード化し、反応後触媒を去して液を減圧
濃縮乾固した。残渣を12％アンモニア―メタノー
ル溶液２mlにとかし、室温に一夜放置して脱ベン
ゾイル化し、反応液を減圧濃縮乾固して白色粉末
を得た。これをさらに90％トリフロロ酢酸１mlに
とかし、45分間室温に放置して第三ブトキシカル
ボニル基を脱離し、反応液を減圧濃縮後、残渣を
エーテル洗浄して淡黄色粉末（トリフロロ酢酸
塩）を得た。この粉末を水にとかし、アンバーラ
イトCG―50（NH4 +）５mlの塔に吸着させ、水洗
後、0.4Mアンモニア水で溶出し、減圧濃縮して
目的とする6″―デオキシジベカシン（3/2炭酸塩）
の白色粉末12mgを得た。6″―Ｏ―メシル体よりの
収率75％。 実施例 ３ ａ 2″，２―ジ―Ｏ―ベンゾイル―３，2′，6′，
3″，４―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカルボニ
ル―１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキ
シブチリル）ジベカシンの合成 １―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブ
チリル）ジベカシン679mg（1.23ミリモル）を50
％ジオキサン水溶液14mlにとかし、トリエチルア
ミン１ml（7.2ミリモル）を加え、さらに第三ブ
チルＳ―４，６―ジメチルピリミド―２―イルチ
オカーボネート2.96ｇ（12.3ミリモル）をジオキ
サン７mlにとかした溶液を滴加し、室温で40時間
撹拌後、減圧濃縮乾固した。残渣をそれぞれ100
mlのｎ―ヘキサンおよび水で洗浄し、３，2′，
6′，3″，４―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカルボ
ニル―１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキ
シブチリル）ジベカシンの淡黄色粉末1.0ｇ（収
率82％）を得た。 この粉末1.0ｇ（1.01ミリモル）を20mlの無水
ジメチルホルムアミドにとかし、ｐ―トルエンス
ルホン酸４mgと２，２―ジメトキシプロパン0.5
ml（4.1ミリモル）を加え、室温で17時間撹拌後、
トリエチルアミン１滴を加えて減圧濃縮乾固し
た。残渣をクロロホルム150mlにとかし、100の飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液で２回および100ml
の飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、クロ
ロホルム層を無水硫酸ナトリウムで脱水したの
ち、濃縮乾固して、３，2′，6′，3″，４―ペン
タ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル―4″，6″―Ｏ―
イソプロピリデン―１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―
２―ヒドロキシブチリル）ジベカシンの淡黄色粗
粉末1.1ｇを得た。これを30mlのクロロホルムに
とかし、シリカゲル（ワコーゲルＣ―200，和光
純薬製，100ｇ）のカラムに吸着させ、クロロホ
ルムおよびエタノール（20：１容）の混液で展開
し、目的物を含有する溶出液を減圧濃縮乾固して
842mgの白色粉末を得た（収率77％）。 この粉末840mg（0.78ミリモル）を無水ピリジ
ン10mlにとかし、塩化ベンゾイル0.4ml（3.4ミリ
モル）を加え、室温で18時間撹拌後、水１滴を加
えて過剰の塩化ベンゾイルを分解し、反応液を減
圧濃縮乾固した。残渣を100mlのクロロホルムに
溶解し、100mlの0.25N塩酸、50mlの飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液で３回および100mlの飽和塩
化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、クロロホルム
層を無水硫酸ナトリウムで脱水後、減圧濃縮乾固
して2″，２―ジ―Ｏ―ベンゾイル―３，2′，6′，
3″，４―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカルボニル
―4″，6″―Ｏ―イソプロピリデン―１―Ｎ―（Ｌ
―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリル）ジベカ
シンの淡黄色粉末1.017mg（収率100％）を得た。 この粉末975mg（0.76ミリモル）を酢酸、メタ
ノールおよび水（２：１：１容）の混液20mlにと
かし、室温で15時間撹拌したのち、減圧濃縮乾固
した。残渣を100mlのクロロホルムにとかし、100
mlの飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で２回および
100mlの飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、
クロロホルム層を無水硫酸ナトリウムで脱水後、
減圧濃縮乾固して2′，２―ジ―Ｏ―ベンゾイル
―３，2′，6′，3″，４―ペンタ―Ｎ―第三ブト
キシカルボニル―１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２
―ヒドロキシブチリル）ジベカシンの淡黄色粉末
873mg（収率93％）を得た。 ｂ １―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシ
ブチリル）―4″，6″―ジデオキシジベカシンお
よび１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキ
シブチリル）―6″―デオキシジベカシンの合
成： 実施例3aで得られた2″，２―ジ―Ｏ―ベンゾ
イル―３，2′，6′，3″，４―ペンタ―Ｎ―第三
ブトキシカルボニル―１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ
―２―ヒドロキシブチリル）ジベカシン250mg
（0.2ミリモル）を無水ピリジン５mlにとかし、塩
化メシル0.06ml（1.3ミリモル）を加え室温で16
時間撹拌したのち、反応液に水１滴を加えて過剰
の塩化メシルを分解し、減圧濃縮乾固した。残渣
をクロロホルム25mlにとかし、25mlの0.2N塩酸、
25mlの飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で３回およ
び25mlの飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、ク
ロロホルム層を無水硫酸ナトリウムで脱水後、減
圧濃縮乾固して、2″，２―ジ―Ｏ―ベンゾイル
―３，2′，6′，3″，４―ペンタ―Ｎ―第三ブト
キシカルボニル―4″，6″―ジ―Ｏ―メシル―１―
Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリ
ル）ジベカシン（クロロホルム―メタノール，
30：１で展開するシリカゲルの薄層クロマトグラ
フイーでRf0.25）および少量の2″，２―ジ―Ｏ
―ベンゾイル―３，2′，6′，3″，４―ペンタ―
Ｎ―第三ブトキシカルボニル―6″―Ｏ―メシル―
１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチ
リル）ジベカシン（Rf0.18）を含む淡褐色粉末
271mg（収率96％）を得た。 この粉末220mg（0.155ミリモル）を無水ジメチ
ルホルムアミド4.4mlにとかし、大過剰の沃化ナ
トリウム（2.3mg）を加え、90℃で６時間撹拌し
た。反応液に50mlの水を加え、生ずる沈澱を取
した。沈澱を20mlのクロロホルムにとかし、20ml
の20％チオ硫酸ナトリウム水溶液で２回および20
mlの飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、クロロ
ホルム層を無水硫酸ナトリウムで脱水後、減圧濃
縮乾固し、2″，２―ジ―Ｏ―ベンゾイル―３，
2′，6′，3″，４―ペンタ―Ｎ―第三ブトキシカ
ルボニル―4″，6″―ジ―Ｏ―ヨード―１―Ｎ―
（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリル）ジ
ベカシン（クロロホルム―エタノール，30：１に
よるシリカゲルの薄層クロマトグラフイーで
Rf0.40）を主体としこれに少量の6″―Ｏ―ヨード
体（Rf0.31）を含んだ白色粉末224mg（収率99％）
を得た。 この白色粉末220mg（0.15ミリモル）をジオキ
サン５mlにとかし、ラネーニツケル（日興理化
製，Ｒ―200）を触媒としてパールの装置で水素
圧3.6Kg／cm2で５時間水素して脱ヨード化し、触
媒を去して液を減圧濃縮乾固した（169mg）。
残渣を12％アンモニア―メタノール10mlにとか
し、室温に一夜放置して脱ベンゾイル化し、反応
液を減圧濃縮乾固した（131mg）。残渣をさらに90
％トリフロロ酢酸２mlにとかし、45分間室温に放
置して第三ブトキシカルボニル基を脱離し、反応
液を減圧濃縮後、残渣をエーテル洗浄して淡黄色
粉末（トリフロロ酢酸塩）を得た。この粉末を水
２mlにとかし、1NアンモニアでPH7.8とし、アン
バーライトCG―50（NH4 +）20mlの塔に吸着せし
め、水洗（68ml）続いて0.2Nアンモニア水（70
ml）および0.5Nアンモニア水（88ml）で洗浄し、
0.6Nアンモニア水（80ml）および0.7Nアンモニ
ア水（50ml）で順次溶出した。0.6Nアンモニア
水溶出部を減圧濃縮乾固して、１―Ｎ―（Ｌ―４
―アミノ―２―ヒドロキシブチリル）―6″―デオ
キシジベカシン（3/2炭酸塩）の白色粉末7.2mg
（収率８％）を得た。0.7Nアンモニア水溶出部を
減圧濃縮乾固して１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２
―ヒドロキシブチリル）―4″，6″―ジデオキシジ
ベカシン（3/2炭酸塩）の白色粉末18.8mg（収率
21％）を得た。 実施例 ４ １―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブ
チリル）―6″―デオキシジベカシンの合成： 実施例２で得られた6″―デオキシジベカシン
（3/2炭酸塩）26.4mg（0.05ミリモル）を無水ジメ
チルスルホキシド0.5mlにとかし、酢酸亜鉛（Zn
（CH3CO2）2・2H2O）54.7mg（0.24ミリモル）を
加え、室温で20時間撹拌後、ベンジルオキシカル
ボニル―Ｎ―ヒドロキシコハク酸イミドエステル
41.2mg（0.165ミリモル）を加え、さらに室温で
20時間撹拌した。反応液に水30mlと濃アンモニア
水少量を加えPH11とし、生ずる沈澱を取し乾燥
した（51.3mg）。これを５mlのジメチルスルホキ
シドにとかし、トリフロロ酢酸エチルエステル
0.02ml（0.14ミリモル）をジメチルスルホキシド
１mlにとかした溶液を加え、室温で３時間撹拌し
て、３，2′，6′―トリ―Ｎ―ベンジルオキシカル
ボニル―3″―Ｎ―トリフロロアセチル―6″―デオ
キシジベカシンを含有する反応液を得た。続いて
この反応液にトリエチルアミン0.01ml（0.07ミリ
モル）およびＬ―４―ベンジルオキシカルボニル
アミノ―２―ヒドロキシ酪酸のＮ―ヒドロキシコ
ハク酸イミドエステル26.3mg（0.075ミリモル）
を加え、室温で15時間撹拌後、反応液に飽和塩化
ナトリウム水溶液２mlと酢酸エチル２mlを加えて
生ずる白色沈澱と酢酸エチル層を合して乾固した
（44.2mg）。この粉末にテトラヒドロフランと1N
アンモニア水（１：１）の混液２mlを加え、室温
で20時間撹拌してトリフロロアセチル基を除去し
た。反応液を濃縮後、1Nアンモニア水２mlを加
えて生ずる沈澱を取、水洗した。この沈澱を酢
酸、メタノールおよび水（２：１：１）の混液２
mlにとかし、５％パラジウム―炭素50mgを加え、
室温で水素気流を６時間導入した。触媒を除去
し、濃縮乾固したのち、水0.3mlにとかし、1Nア
ンモニア水でPH7.8に調整し、これをアンバーラ
イトCG―50（NH4型）２mlのカラム吸着させ、
５mlの水および５mlの0.1Nアンモニア水で洗浄
後、５mlの0.5Nアンモニア水および10mlの0.8N
アンモニア水で溶出した。0.8Nアンモニア水溶
出画分を減圧濃縮乾固して、目的とする１―Ｎ―
（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシブチリル）―
6″―デオキシジベカシン（3/2炭酸塩）の白色粉
末10.0mgを得た。収率32％。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（） 〔式中、Ｒは水酸基または水素原子を示し、
R1は水素原子または４―アミノ―２―ヒドロキ
シブチリル基を示す〕で表わされるジベカシン誘
導体およびそれらの酸付加塩。 ２ 6″―デオキシジベカシン〔一般式（）でＲ
が水酸基である場合〕である特許請求の範囲第１
項記載の化合物。 ３ 4″，6″―ジデオキシジベカシン〔一般式
（）でＲが水素原子である場合〕である特許請
求の範囲第１項記載の化合物。 ４ 一般式（） 〔式中、Ｒは水酸基または水素原子を示す〕で
表わされる6″―デオキシジベカシンおよび4″，
6″―ジデオキシジベカシンの１―Ｎ―（４―アミ
ノ―２―ヒドロキシブチリル）誘導体又はその酸
付加塩である特許請求の範囲第１項記載の化合
物。 ５ １―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシ
ブチリル）―6″―デオキシジベカシン〔一般式
（）でＲが水酸基である場合〕である特許請求
の範囲第４項記載の化合物。 ６ １―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒドロキシ
ブチリル）―4″，6″―ジデオキシジベカシン〔一
般式（）でＲが水素原子である場合〕である特
許請求の範囲第４項記載の化合物。 ７ 次式（） で表わされるジベカシンの５個のアミノ基をアミ
ノ保護基で保護し、4″位と6″位の２個の水酸基を
同時に２価の水酸基保護基１個で保護し、さらに
残りの2″位の水酸基、または５位および2″位の２
個の水酸基を１価の水酸基保護基で保護して、次
式（） 〔式中、Ａは水素原子で、Ｂは１価のアミノ保
護基であるか、またはＡとＢが一緒になつて１個
の２価のアミノ保護基であり、【式】は２価 の水酸基保護基であり、Ｘ，Ｙはそれぞれ水素原
子，アルキル基，アリール基またはＯ―アルキル
基であるか、または【式】はシクロアルカン 基であり、Ｄはアシル基の形の水酸基保護基であ
り、Ｅは水素原子またはアシル基の形の水酸基保
護基を示す〕で表わされる化合物とし、次いで
4″位と6″位の水酸基保護基を除去して、次式
（） 〔式中、Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅは前記と同じ意味をも
つ〕で表わされる化合物とし、さらにその6″位の
水酸基のみを、または4″位と6″位の両水酸基をと
もにスルホン酸エステル化し、続いてヨード化ま
たはブロム化し、接触還元によつて脱ヨード化ま
たは脱ブロム化し、必要ならば、残存する水酸基
保護基およびアミノ基保護基を脱離することを特
徴とする、一般式（ａ） 〔式中、Ｒは水酸基または水素原子を示す〕で
表わされる6″―デオキシジベカシン〔式中、Ｒが
水酸基の場合〕、または4″，6″―ジデオキシジベ
カシン〔式中、Ｒが水素原子の場合〕の製造法。 ８ 一般式（ａ） 〔式中、Ｒは水酸基または水素原子を示す〕で
表わされる6″―デオキシジベカシン〔式中、Ｒが
水酸基の場合〕、または4″，6″―ジデオキシジベ
カシン〔式中、Ｒが水素原子の場合〕、若しくは
これの１位アミノ基以外のアミノ基の一部又は全
部が保護された保護体を用い、これらの１位のア
ミノ基を（Ｓ）―４―アミノ―２――ヒドロキシ
酪酸又はこれの反応誘導体でアシル化し、必要な
らば常法で脱保護することを特徴とする一般式
（） 〔式中、Ｒは水酸基または水素原子を示す〕で
表わされる１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒド
ロキシブチリル）―6″―デオキシジベカシン〔式
中、Ｒが水酸基の場合〕、または１―Ｎ―（Ｌ―
４―アミノ―２―ヒドロキシブチリル）―4″，
6″―ジデオキシジベカシン〔式中、Ｒが水素原子
の場合〕の製造法。 ９ 次式（） で表わされる１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒ
ドロキシブチリル）―ジベカシンを用い、その５
個のアミノ基をアミノ保護基で保護し、4″位と
6″位の２個の水酸基を同時に２価の水酸基保護基
１個で保護し、さらに残りの2″位および２位の
２個の水酸基、または５位、2″位および２位の
３個の水酸基を１価の水酸基保護基で保護して、
次式（） 〔式中、Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅ，Ｘ，Ｙは前記と同じ
意味をもつ〕で表わされる化合物とし、次いで
4″位と6″位の水酸基保護基を除去して、次式
（） 〔式中、Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅは前記と同じの意味を
もつ〕で表わされる化合物とし、その6″位の水酸
基のみを、または4″位と6″位の両水酸基をともに
スルホン酸エステル化し、続いてヨード化または
ブロム化し、さらに接触還元によつて脱ヨード化
または脱ブロム化し、必要なれば残存する水酸基
保護基およびアミノ基保護基を脱離することを特
徴とする一般式（） 〔式中、Ｒは水酸基または水素原子を示す〕で
表わされる１―Ｎ―（Ｌ―４―アミノ―２―ヒド
ロキシブチリル）―6″―デオキシジベカシン〔式
中、Ｒが水酸基の場合〕、または１―Ｎ―（Ｌ―
４―アミノ―２―ヒドロキシブチリル）―4″，
6″―ジデオキシジベカシン〔式中、Ｒが水素原子
の場合〕の製造法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11932379A JPS5643297A (en) | 1979-09-19 | 1979-09-19 | 6"-deoxydibeckacin or 4",6"-dideoxydibeckacin, their 1-n-acyl derivative, and their preparation |
| US06/174,630 US4332794A (en) | 1979-09-19 | 1980-08-01 | 6"-Deoxydibekacin, 4",6"-dideoxydibekacin and 1-N-aminoacyl derivatives thereof, and the production of these new compounds |
| CA000357816A CA1177828A (en) | 1979-09-19 | 1980-08-07 | 6"-deoxydibekacin, 4",6"-dideoxydibekacin and 1-n-aminoacyl derivatives thereof, and the production of these new compounds |
| DE3035057A DE3035057C2 (de) | 1979-09-19 | 1980-09-17 | 6"-Desoxy- und 4",6"-Didesoxy-dibekacin sowie deren 1-N(L-4-Amino-2-hydroxybutyryl)-Derivate. Verfahren zu Ihrer Herstellung und diese Verbindungen enthaltende Arzneimittel |
| FR8020372A FR2465744A1 (fr) | 1979-09-19 | 1980-09-18 | Nouveaux antibiotiques aminoglycosidiques, leurs procedes de production et compositions antibacteriennes les comportant |
| GB8030307A GB2058774B (en) | 1979-09-19 | 1980-09-19 | 6''-deoxydibekacin-4''6''-dideoxydibe kacin and 1-n-aminoacyl derivatives thereof and their production |
| CA000421888A CA1175819A (en) | 1979-09-19 | 1983-02-17 | 6"-deoxydibekacin, 4",6"-dideoxydibekacin and i-n- aminoacyl derivatives thereof, and the production of these new compounds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11932379A JPS5643297A (en) | 1979-09-19 | 1979-09-19 | 6"-deoxydibeckacin or 4",6"-dideoxydibeckacin, their 1-n-acyl derivative, and their preparation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5643297A JPS5643297A (en) | 1981-04-21 |
| JPS6312079B2 true JPS6312079B2 (ja) | 1988-03-17 |
Family
ID=14758610
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11932379A Granted JPS5643297A (en) | 1979-09-19 | 1979-09-19 | 6"-deoxydibeckacin or 4",6"-dideoxydibeckacin, their 1-n-acyl derivative, and their preparation |
Country Status (6)
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| JP (1) | JPS5643297A (ja) |
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| CH630644A5 (de) * | 1974-04-10 | 1982-06-30 | Takeda Chemical Industries Ltd | Verfahren zur herstellung von desoxyaminoglykosid-antibiotika. |
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| JPS6029720B2 (ja) * | 1975-12-11 | 1985-07-12 | 財団法人微生物化学研究会 | ３′，４′‐ジデオキシカナマイシンｂの新規な製造法 |
-
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-
1980
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- 1980-08-07 CA CA000357816A patent/CA1177828A/en not_active Expired
- 1980-09-17 DE DE3035057A patent/DE3035057C2/de not_active Expired
- 1980-09-18 FR FR8020372A patent/FR2465744A1/fr active Granted
- 1980-09-19 GB GB8030307A patent/GB2058774B/en not_active Expired
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