JPS6312136A - Ｘ線リトグラフ用マスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔本発明の技術分野〕 本発明は方法及び製造物品に関する。特に本発明はＸ線
リトグラフに用いるのに適したマスクの製造のための新
規な方法に関する。このマスクのＸ線吸収成分は、硼素
をドープしたエピタキシャル珪素障壁層上に直接付着さ
れている０本発明は　　１上記方法から得られた製品に
も関する。

〔従来の技術〕

半導体集積回路の如きマイクロ回路の製造はリトグラフ
像形成法を使用することによって発展してきた。これら
のリトグラフ法は極めて微細な形状及び低欠陥密度をも
つ、集積回路メモリー、集積論理回路及び磁気バブルメ
モリーの如き種々の装置の発展をもたらしてきた。これ
らの装置を効率的に且つコストを低く製造する能力は、
そのような部品の価格を劇的に低下させ、それによって
工業的な製品と同機種々の消費者に大きな用途をもたら
してきた。典型的なリトグラフ法では、模様は「レジス
ト」と−最に呼ばれている照射感応性材料に形成されて
いる。このレジストは先ず半導体ウェハーに結合される
０次にそのレジストをマスクを通して像形成エネルギー
に露出する。マスクはレジストと照射源の間に配置され
ている。

従って、レジストにより輪郭が描かれた模様で最終的に
得られる解像力は、就中、マスクによって限定される。

半導体ウェハーを低いコストで製造するためには、レジ
ストの上にマスク模様を忠実に生じさせる必要がある。

光学的電子ビームによるリトグラフの如き既知り方法は
商業的に用いられてきているが、Ｘ線リトグラフは発展
性のある別の一方法であると考えられている。何故なら
、（ａ）　Ｉｌｌ細な形状（１μより小さい）及び大き
な生産性の両方を得る可能性を与え、そして（ｂ）電子
ビームに基づく像形成法よりも潜在的に安価であるから
である。模様の輪郭が描かれたレジストで得られる解像
力は、勿論、マスク構造の一体性及びマスク形状の許容
誤差によって限定される。従って適当なＸ線マスク構造
体の製造を含めたＸ線リトグラフ法を開発する努力が払
われてきている。典型的なマスク構造体は模様状Ｘ線吸
収材と一緒になったＸ線透過性基材からなる。

特許及び技術的文献は共にこの技術に関する特許及び論
文を豊富にもっている。この技術に関する特許文献の代
表的なものは次の番号の米国特許である。　　４，５２
２，８４２．４，５１３，２０３．４，３９３，１２７
゜４．３８５，４３４；　４，３７８，６２９；　４，
３７０，１９４；　４，３６０，５８６゜４．３４４，
１５３．４．３０１，２３７．４，２９３，６２４．４
，２８７，２３５；４．２６０，６７０．４，２５６，
７８７．４，２２４，６３０．４，１７７．４７６゜４
．０８０，２６７、４，０６１，８２９．４，０３５，
５２２；　４，０１９．ｌ０Ｊ３．９７５，２５２；及
び３，８９２，９７３　（これらは全て全体的に参考の
ためここに入れである）。

技術的文献の最近の要約は、“Ｘ線マスク技術の進歩“
に簡明に記載されている。　シムクナス＜Ｓ　ｈｉｍｋ
ｕｎａｓ＞Ａ　、Ｒ、、”Ｘ線マスク技術の進歩（Ａｄ
ｖａｎｓｅｓ　ｉｎ　Ｘ−Ｒａｙ　Ｍａｓｋ　Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ）、　Ｓ　ＯＬＩ　Ｄ　　５ＴＡＴＥ　　
ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ、９゜＜１９８４）参照。シムク
ナスの論文は、Ｘ線リトグラフ、及びＸ線リトグラフの
ためのＸ線マスクの製造で典型的に用いられるマスク素
材についての簡単な論述を含んでいる。シムクナスによ
れば、Ｘ線マスク素材は典型的には、支持枠、通常環に
よって張力下に保持される薄いフィルム膜構造体からな
る。Ｘ線に透明な膜構造体の部分も張力下に置かれた部
分であり、模様状Ｘ線吸収材を支持する。

その透過性部分は単一層でも多層部材でもよい。

最も一般的な種類の付加的模様形成法では、Ｘ線透過性
膜にメッキ用基材が適用され、その上に垂直な壁をもつ
ステンシルが形成され、電子またはＸ線吸収金属、典型
的には金、がステンシルの開口を通って電気メッキされ
る。

シムクナスによれば、透過性膜は、平らにするのに必要
な張力の程度で切れない充分な強度をもつことが必須で
ある。従って高い抗張力又は降伏強度をもつ膜材料を選
択することが重要である。

膜の張力を、その降伏限界の張力より低い順応する水準
に調節することも同じく重要である。この膜の必要な張
力は次の二つの方法の一つによって得られてもよい：〈
ａ）膜を支持されていない緩い形に成型し素材枠の上に
希望の張力まで機械的に引きのばすか、又は、好ましく
は（ｂ）膜を、一時的基村上に工程因子によって決定さ
れる残留応力の水準まで気相から付着させる。一時的基
材はその後で化学的に食刻して除去し、緊張した膜を残
す。珪素オキシ窒化物の膜は、この後者のやり方で、暖
素をドープしたエピタキシャル珪素で被覆された珪素の
等方性及び異方性食刻の組み合わせにより製造される。

珪素オキシ窒化物を化学的食刻から保護するために、こ
の膜を窒化珪素で被覆することにより、予め処理するこ
とができる。このようにして窒化珪素はオキシ窒化物層
を食刻剤から保護し、硼素をドープした珪素層は現れて
くる膜を食刻工程中破壊されないように保護する。

食刻工程が完了した後、エピタキシャル珪素層を更にフ
ッ化水素酸−硝酸混合物中で食刻することにより除去す
る。

Ｘ線リトグラフの利点はよく知られており、１ミクロン
より小さい形状の模様を形成するために光学的及び電子
ビーム　リトグラフの限界を避ける際に選択される技術
であると考えられてい。るＸ線リトグラフの明確な利点
は、Ｘ線の波長が短いためにその像の解像力が高いこと
にある。更にこの方法は、焦点深さの問題によって影響
を受けることもなく、光学的及び電子ビーム　リトグラ
フ法を典型的に苦しめる反射及び散乱効果によって影響
を受けることもない。Ｘ線リトグラフの広く行なわれて
いる商業的実施を妨げている主な問題の一つは、Ｘ線マ
スクを製造する際の困難である。Ｘ線マスクは変形をも
たず、１ミクロンより小さな大きさに模様付は出来なけ
ればならない。

Ｘ線リトグラフ系のために必要なマスクは、光学的リト
グラフマスク製造からは発展できなかったであろうこと
は認められている。何故ならこれらの方法は極めて異な
った材料及び設計を必要とするからである。例えば、典
型的に紫外線に対し透過性のガラス基材は、１０μｍよ
り大きな厚さでは、Ｘ線、特に軟Ｘ線は比較的透過しに
くい、従ってＸ線リトグラフが組み立てられている技術
的な基礎はこの技術に独特のものである。

今日までなされてきた進歩にも拘わらず、殆んどのウェ
ハー処理専門家は、Ｘ線リトグラフが、広く用いられる
製造方法になるにはまだ依然としてかけ離れていること
を認めている。現在光学的リトグラフに依存している半
導体製造業者は一般にＸ線リトグラフの多くの分野で、
それが商業的に許容できるようになるまで、もっと多く
の発展が必要であることを認めている。例えば、製・遠
用のための一層明るいＸ線源及び製造する価値のあるＸ
線レジストがまず開発されなければならない。

今日入手できるＸ線レジストの主な欠点は、それらのレ
ジストから作られる像の製造品質が比較的悪いことであ
る。これは特にネガレジストに対してそうである。もし
Ｘ線リトグラフを成功させたいならば、Ｘ線マスク素材
（マスク基材）及びマスクそれ自体の製造を含めたマス
ク製造でもっと多くの努力が払われなければならないこ
とは益々認められるようになってきている。Ｘ線リトグ
ラフのこれらの重要な部品が完全になるまで、この技術
は今日の市場に現在の浸透を越えて大きく進歩すること
はないであろう。

Ｘ線マスクの発展の成功に典型的に伴なわれている主な
問題は、大きさ及び熱的安定性を比較的大いており、再
現性に欠け、製造が比較的高価になることである。　こ
れらの問題は方法及び材料の両方に関係している０例え
ばタングステンの化学的蒸着を二酸化珪素ステンシルを
通して試みる場合、タングステン付着物は二酸化珪素保
護領域の下にある程度入り込むであろう。このことはこ
れらの領域での珪素の消費を速くすることを意味する傾
向がある。容易に認められるように、そのような入り込
みは模様の正確さに悪い影響を与えることがある。

タングステンの化学的蒸着で起きる他の問題は、“″ト
ンネル”又は°゛ウオームホール（ｗｏｒｍ　ｈｏｌｅ
）’の形成によって明らかに示されている。ウオームホ
ールは典型的には０．１μ糟より小さく、従ってＸ線リ
トグラフでは許容できる。それらはタングステン化学的
蒸着についての問題を示しているが、それらは、それら
の大きさのために、Ｘ線リトグラフでは重要な問題には
ならない。

Ｘ線リトグラフに用いるのに適したマスクの形状及び熱
的安定性に伴われる問題は、その解決に充てられた非常
に多くの研究及びこの分野で発行された多くの特許をも
たらしている。

例えば米国特許第４，３９３，１２３号は電子ビーム又
はＸ線のマスク或は成型のための構造体を製造すること
に関する。この特許に記載されている発明は、特にマス
クの機械的及び熱的安定性の問題に向けられている。こ
の特許の方法により製造される構造体はマイクロ電子装
置の製造に適しているとの評判を得ている。この問題及
びそれに関３２．　した問題を解決するために、出願人
によって適用されている方法は、微結晶質の珪素層ウェ
ハーからなるマスク素材の最初の形成、そのウェハーの
一つの表面（下側表面〉の上の二酸化珪素被覆及び硼素
をドープすることによる（典型的には１０２°原子／ｃ
１１３より大きい濃度で、１．５〜３μ端の深さまで）
ウェハーの反対側表面（上側表面）の変性を含んでいる
。この素材からマスクを製造する工程順序は、その米国
特許の第５Ａ図〜第５Ｇ図に例示されている。その順序
の最初の工程は、単結晶質珪素ウェハーを露出するよう
にウェハーの下側上の二酸化珪素層を変性することを含
んでいる。これにより、この素材の下側上の二酸化珪素
は食刻マスクとして働く、この食刻マスクを通して露出
されたこのウェハーの領域は、次に化学的に除去するこ
とができる。このウェハーを除去する程度はウェハーの
硼素をドープして変性した表面部分が除去されないよう
に明らかに制御されている（ある記載されていない方法
により）０次に第二の二酸化珪素食刻層が、その素材の
硼素変性表面上に付着される。補強用層も素材の下側に
付加されている。

珪素変性食刻層は像形成エネルギーに露出され、選択的
に除去され、それによって硼素をドープした単結晶珪素
ウェハーの一部を露出する。この特許によれば、この食
刻はＲＩＥ法によって達成されている。露出した硼素ド
ープ単結晶珪素もＲＩＥ法で食刻される。このようにし
て硼素をドープした単結晶珪素の露出した領域はその露
出した領域で全て除去される。続いて　Ｘ線吸収材（例
えばタングステン）が、像をもつ素材の表面上に非選択
的に付着される（例えば米国特許第４，３９３，１２７
号の第５Ｆ図及び第５Ｇ図参照）、焼鈍工程後タングス
テンは硼素をドープした単結晶珪素と化学的に反応し、
珪化タングステンを形成する０次に支持二酸化珪素層上
のタングステン付着物を選択的湿式化学的食刻によって
除去し、第５Ｇ図に示されている構造体をもたらずこと
ができる。

米国特許第４．３９３，１２７号に記載されている方法
は利点及び欠点の両方をもっている。その欠点の一つは
、得られるマスクの製造でＸ線吸収性金属の消費が比較
的大きいことである。更に、単結晶珪素ウェハーへの硼
素のドープは、ウェハー自体の反応性表面と一層内部の
領域との間に明確な転移域がないと言う点で比敦的不均
−である。これは、この方法の再現性に関する問題を生
ずることがある。何故ならウェハーのドープされ勾領域
とドープされない領域との間のそのような明確な転移域
がないことは、その工程の化学的食刻工程に潜在的な不
正確さをもたらすからである。

上で述べたことから明らかなように、Ｘ線リトグラフに
用いるのに適したマスクの製造がこの方法の商業的な可
能性にとって重要である。更に必要な品買をもつそのよ
うなマスクを製造する能力は、機械的、熱的及び化学的
両立性がないために本質的に制約されている。これらの
問題を解決しようとする過去の試みの多くはある程度成
功しているが、再現性、耐久性及びコストに関し多くの
解決されていない問題が依然として残っている。

〔本発明の目的〕

本発明の目的は従来の方法の上述の欠点及びそれに関連
した欠点を除くことである。

特に本発明の主たる目的は、形状が安定なＸ線マスクを
製造する方法を与えることである。

本発明の他の目的は、Ｘ線リトグラフで用いるのに適し
た形状が安定なマスクを与えることである。

更に本発明の他の目的は、直接的で再現性のある方法に
よって作ることができる形状が安定なＸ線マスクを与え
ることである。

本発明の更に他の目的は、Ｘ線吸収剤金属とＸ線透過膜
が互いに化学的に結合されている、形状が安定なＸ線マ
スクを与えることである。

本発明の付加的な目的には、本発明の新規なＸ線マスク
をマイクロ電子回路の製造に用いることが含まれる。

〔本発明の要約〕

上述の目的及び関連した目的は、Ｘ線リトグラフで用い
るのに適した形状が安定なマスクを製造する方法を与え
ることによって達成される。本発明のマスクはタングス
テン吸収材金属と硼素をドープしたエピタキシャル珪素
膜から製造される。

簡単に述べると、この方法は独特のマスク素材を最初に
製造することを基礎にしている。このマスク素材は次の
ようにして製造される。最初に珪素ウェハーを用意する
０次にこのウェハーの一つの表面の上に、硼素をドープ
した珪素被覆をエピタキシャル的に成長させることによ
り、Ｉ′Ｉ壁層を形成する０本明細書中で用いられる用
語「障壁層」とは、その反応性の点で珪素ウェハーとは
化学的に区別される被覆を指すものとして用いられてい
る。

この被覆は厚さが０．３〜約３μＩｎの範囲で変化して
もよい、珊累ドープ量は一般に食刻に対する障壁を与え
るのに充分な量であり、その結果、珪素ウェハーを適当
な化学的食刻剤にさらずと、食刻は硼素をドープした障
壁層に達すると止まり、それによってＸ線透過性膜を生
ずる。

本発明の好ましい具体例によれば、硼素ドープの濃度は
約５　ｘ　１０１９原子／ｃｍ”−約２．５ｘ　１０”
原子／ａｍ’の範囲にある。次に二酸化珪素（ＳｉＯｚ
）フィルムを、硼素分ドープした障壁層の上に付着させ
る。次にレジストをこの二酸化珪素被覆の上に直接積層
し、それによりマスク素材の製造が完了する。

次にマスクの製造方法は、レジスト層を電子ビームによ
る業形成エネルギーに最初に選択的に露出し、従来のや
り方でその像模様を現像し、そして露出しなＳｉＯ□被
覆を食刻してステンシルを形成させることにより進行さ
せる。二酸化珪素の選択的除去は、硼素なドープしたエ
ピタキシャル珪素障壁層を露出するのに充分なものとす
る。一度これが達成されたなら、次にレジストを残りの
二酸化珪素被覆から除去することができる。

次に硼素をドープしたエピタキシャル珪素障壁層の露出
した領域を、従来の低圧化学的蒸着法により反応性タン
グステン蒸気と接触させる。像が形成されたマスク素材
上に形成されたタングステン付着物は、幾何学的に、二
酸化珪素被覆へステンシルでうつされた模様に一致して
いる。タングステン蒸着が完了した時、二酸化珪素被覆
の残りを障壁層から除去することができる。この除去は
典型的にはプラズマ食刻法により達成される。硼素をド
ープした二酸化珪素障壁層と連続し、その障壁層の反対
側表面上の像状模様に一致した珪素ウェハーの領域を、
次にアルカリ（例えば水酸化カリウム）または他の適当
な食刻剤（例えば、エチレンジアミンピロカテコール）
で選択的に化学的食刻することにより除去する。

膜を形成する運択的化学的食刻は、極めて単純化したＸ
ｍマスク製造法の目的から、上述の如く吸収材金属を模
様状につけた後、慣習的に行なわれてきた。しかし、驚
いたことに、膜をまず形成し、次に吸収材金属の模様付
けを行なうのが好ましいことが発見された。この場、硼
素をドープしたエピタキシャル珪素層を成長させ、次に
ウェハーの前後両側上にＳｉＯ２を付着させる。活性頭
載（膜が形成されている所）は、ウェハーのｆ＆側上の
５１０２に開口を、Ｋ　ＯＨまたはエチレンジアミンピ
ロカテコールで食刻してあけることにより定められる。

このようにして一度び膜が定められると、上で述べたよ
うに金属吸収材の模様付けのための工程を進行させる。

膜を最初に形成する利点は、注意散漫な観察者にとって
は容易にはわからない０食刻中、膜が形成される珪素ウ
ェハーの領域を物理的に緩和させる。即ち、エピタキシ
ャル珪素層と珪素ウェハーとの間の応力不整合はそれら
の最小エネルギー状態へ再調節される。支持ウェハーを
食刻することはエピタキシャル珪素層をその下にある珪
素に対して微視的再配列を行なわせることになる。エピ
タキシャル珪素層が緩和すると、それと−緒になった金
属吸収材の幾らかの変形及び動きが起きる。

すると、金属吸収材はそれが最初に付着されていた場所
に対し、無作為的な新しい位置をとるそれにも拘わらず
、それが最初に考えられていた場所かられずか０，１〜
０．２５μｍである。従って最初に膜と形成し、次に金
属の模様付けを行なうことは、模様状金属吸収材のこの
変形を回避することになる。

〔好ましい具体例を含めた本発明についての記述〕

本発明の独特な方法を、Ｘ線リトグラフの付加的な模様
付けに適したｘｗＡマスクの製造に関して以下に例示す
る。このマスクの製造の予備的工程は適当なマスク素材
の構成である。このマスク素材は珪素ウェハーから、こ
のウェハーを順次修正することにより形成される。

第３ａ図〜第３ｄ図にもつと完全に例示されているよう
にウェハー（４）の上側（２）を最初にその上に、硼素
をドープしたエピタキシャル珪素障壁層（６）を成長さ
せることにより修正する。この障壁層は従来の装置及び
方法を用いた標準的な工程条件を用いて形成される０例
えばＵ、Ｓ、パン（Ｂａｎ）。

゛珪素エピタキシにおける化学的反応及び輸送現象の質
量分析研究（Ｍ　ａｓｓ　Ｓ　ｐｅｃｔｒｏＩＩＩｅｔ
ｒｉｃ　Ｓ　ｔｕｄｉｅｓ　ｏｒ　Ｃｈｅ＋５ｉｃａｌ
　Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ　ａｎｄ　　Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ
Ｐｈｅｎｏａ＋ａｎａ　ｉｎ　　５ｉｌｉｃｏｎ　　Ｅ
ｐｉＬａｘｙ）”　Ｐｒｏｃｅｅｃｌｉｎｇｓ　ｏｆ　
ｔｈｅ　５ｉｘｔｈ　　Ｉｎｔ、　Ｃｏｎｆ、　ｏｎ　
　ＣＶＤ１９７フ、　　Ｅ　ｌｅｃＬｒｏｃｈｅｍ、　
　Ｓ　ｏｅ、　　、（１９７７）；　　Ｒ、ライフ（Ｒ
ｅｉｆ）、　Ｔ、Ｉ　、カミンズ（Ｋａｍｉｎｓ）及び
　Ｋ、Ｃ。

サラスワト（Ｓ　ａｒａｓｗａＬ）　、“成長する珪素
エピタキシャルフィルムへのドープ剤配合のためのモデ
ル（Ａ　　Ｍｏｄｅｌ　　ｆｏｒ　　Ｄｏｐａｎｔ　　
ｒ　ｎｃｏｒｐｏｒａＬｉｏｎ　　ｉｎｔｏｌＧｒｏｗ
ｉｎｇ　　５ｉｌｉｃｏｎ　　Ｅｐｉｔａｘｉｅｌ　　
　Ｆｉｌｍｓ）”　　　Ｊ　　、ＥｌｅｃＬｒｏｃｈｅ
ｎ、　Ｓ　ｏｃ、　１２６．（１９７９）；　Ｐ　、Ｈ
、ランガー（Ｌ　ａｎｇｅｒ）及び　Ｊ、１．ゴールド
スタイン（Ｇｏｌｄａｔｅｉｎ）、“シランエピタキシ
中の硼素自動ドーヒ。

ンク＋（Ｂｏｒｏｎ　　Ａｕｔｏｄｏｐｉｎｇ　ｄｕｒ
ｉｎＦＩＳｉｌａｎｅ　Ｅｐｉ　Ｌａｘｙ）”Ｊ　、Ｅ
　Ｉｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、　１２４．５９２　
＜１９７７）、Ｒ，Ｂ、バーリング（Ｈｅｒｒｉｎｇ）
　、“低圧珪素エピタキシにおける進歩（Ａｄｖａｃｅ
ｓ　ｉｎ　Ｒａｄｕｃｅｄ　　Ｐｒｅｓｓｕｒｅ　Ｓ　
１ｌｉｃｏｎ　　Ｅ　ｐｉｔａｘｙ）”　Ｓ　ｏｌｉｄ
　Ｓ　ｔａｔｅＴｅｃｈｎｏｌ、、２２．７５．（１９
７９）及びＵ、Ｓ、パン（Ｂａｎ）及びＥ、Ｐ、ミラー
（Ｍｉｌｌａｒ）、　”珪素エピタキシのための新しい
反応器（Ａ　Ｎｅｗ　　ＲｅａｃＬｏｒ　　ｆｏｒＳｉ
ｌｉｃｏｎ　Ｅｐｉｔａｘｙ）”Ｐ　ｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　７　ｔｈＩｎｋ、　Ｃｏｎｆ、　
ｏｎ　ＣＶＤ　１９７９．　　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｂｅｍ
。

Ｓ　ｏｅ　、　、　（１９７９）　　参照、（これらは
全て全体的に参考のためここに入れである）。

本発明の好ましい具体例として、そのようなエピタキシ
ャル成長が行なわれる反応性雰囲気は、Ｂ　ｚ　Ｈａと
５ｉＣ１＜の、約１：１０重量部の相対的濃度でのガス
状雰囲気からなる。基材温度は障壁層形成中注意深く調
節され、シリコンウェハーへの障壁層の付着速度を決定
する。約９００〜１２５０℃の範囲の基材温度は０．２
〜約１．５μ鎮／分の付着速度をもたらす、この珪素ウ
ェハーへの障壁層の成長は、適当な厚さ、好ましくは約
０．５〜約３μ面の被覆が確実に得られるように注意深
く調節される。最適のＮＪ厚さは予想される模様の大き
さ及びＸ線源の予想されるエネルギー水準（例えば軟Ｘ
線又は硬Ｘ線）に関数的に関連している。従って、この
障壁層の厚さはシリコーン膜とその上に付着されるＸ線
吸収材との間に明確な区別を与えるのに充分な厚さでな
ければならず、形状安定性及び緊張した表面の両方が確
実に得られる適切な機械的強度をもち、像形成エネルギ
ー（Ｘ線）に対し透過性でなければならない）。

一度適当な厚さの障壁層が珪素膜の一つの表面（上側）
に形成されたならば、次に二酸化珪素層（８）をこの障
壁層の上及び珪素ウェハーの下側上に付着させる。この
二酸化珪素層即ちステンシル層は低圧化学的蒸着（ＬＰ
ＧＶＤ）又はプラズマ促進化学的蒸着（ＰＥＣＶＤ）法
によって形成されるのが好ましい０反応器内の雰囲気は
　ＳｉＨ，と０２ガス混合物を含んでいる０反応器内の
これら成分の相対的濃度は、約１　：１．５〜約１　：
２．５の範囲にある。

基材温度即ち障壁層及び（又は）ウェハーの下側の温度
は、約４００〜約６００℃の範囲に維持される。この基
材温度は約８００〜約１００人／分の５ｉＯｚ付着速度
をもたらす、この蒸着法及びそのような蒸着で用いられ
る装置及び技術の詳細は、技術的文献に一層完全に記載
されている０例えばＪ、Ｒ，リゲンザ（Ｌ　ｉｇｅｎｚ
ａ）　、’“マイクロ波によって励起された酸化プラズ
マ中の珪素酸化（Ｓｉｌｉｃｏｎ　０ｘｉｃｌａｔｉｏ
ｎｉｎ　ａｎ　０ｘｉｄａｔｉｏｎ　Ｐ　ｌａｓ＋ａａ
　Ｅｘｃｉｔｄ　ｂｙ　Ｍｉｃｒｏｗａｖｅｓ）Ｊ　、
Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、　３６．２７０３　（１９６５
）：及びＡ、に、レイ（Ｒａｙ）及びＡ、ライスマン（
Ｒｅｉｓｓ請ａｎ）。

“”ＲＦ発生酸素プラズマ中でのＳｉＯ□の形成（Ｔｈ
ｅＦｏｒｍａｔｉｏｎ　ｏｆ　５ｉＯ２ｉｎ　ａｎ　Ｒ
Ｆ　　ＧｅｎｅｒｅｔｅｄＯｘｙｇｅｎ　　Ｐ　　Ｉａ
ｓ請ａ）″　Ｊ　　、Ｅ　　ｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、　
　Ｓｏｃ、　　１２８゜２４６６　（１９８１）、参照
。（これらは全て全体的に参考のためここに入れである
）。

第３図は二つの処理過程を例示している。左に例示した
処理過程では、素材の上側上の二酸化珪素ステンシル層
は　３層レジスト（図示されていない）で覆われている
。そのレジストを電子ビームエネルギーに模様状に露出
する０次にレジストを現像し、露出された領域中のレジ
スト材料を除去し、それによって下の珪素層を露出する
。下の珪素層を反応性イオン食刻法でエピタキシャル珪
素層の水準まで食刻除去する９次にレジストを溶剤剥離
により除去し、得られた構造体の模様状表面をタングス
テンの化学的蒸着にかける。

第３図の右側に例示された処理過程（今後膜処理として
定義する）では、マスク素材の下側上のＳｉＯ□層は、
像形成エネルギーに膜の領域を定めるために意図された
露出程度まで露出されたレジスト（図示されていない）
で覆われている。そのような露出に続き、レジストの露
出された領域を除去し、それによって二酸化珪素被覆を
露出させる。

二酸化珪素被覆の露出した部分を、次に反応性イオン食
刻法で除去することができる。このようにして珪素ウェ
ハーの下側と露出させる０次に珪素ウェハーを適当な化
学的食刻剤で除去する。ウェハーの除去の程度は、硼素
をドープしたエピタキシャル珪素層の下側を露出するの
に充分なものとする。この方法はＳ　ｉ　０２層をＣＨ
Ｆ　３放電プラズマ中で反応性イオン食刻することを含
んでいる。

この食刻法は一般に容器内圧力及びガス流速についての
注意深い制御を必要とする０本発明の好ましい具体例と
して、容器内圧力約１０ミリトールに維持され、ガス流
速（ＣＨＦ５の流速）は１０ｓ１０５ｅ標準ｃＭ３／分
）に維持される。

食刻処理中、６００Ｖの電気的バイアスを５ｉ０２層を
通して維持し、それによって約３００人／分の食刻速度
がもたらされる。この食刻過程のためのマスクとして、
ＡＺ型の一時的（Ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ）レジスト〔
シブレイ社（Ｓ　ｈｉｐｌｅｙ、　Ｉ　ｎｃ、　）から
市販されている〕を用いることができる。一時的レジス
トは５ｉ０２層の適切な模様付けを確実に行なうため、
ＳｉＯ□層よりも食刻剤に対して大きな抵抗をもつよう
に還択される０本発明の好ましい具体例として一時的し
シストは５ｉ０２層の少なくとも５倍のＲＩＥ食刻に対
する抵抗性をもつであろう。

ＳｉＯ２層の食刻は、この層を露出した領域中下の障壁
層の水準まで効果的に除去するのに充分なものとする。

次に３層レジストを、上で定義した膜処理過程の素材の
上側上の二酸化珪素被覆に適用する。レジストを電子ビ
ームにより前述したやり方でエネルギーに模様状に露出
する。レジストを現像し、その非露出部分を次に下の二
酸化珪素被覆から剥がす、　Ｘ線吸収材を付着させる前
に、レジスト横遺体をＳｉＯ２ステンシルから剥離し、
ステンシルの表面を注意深くきれいにする６次に得られ
た構造体を化学的蒸着室内に入れ、前述の如くタングス
テンを付着させる０本発明の好ましい具体例として、Ｘ
線吸収材金属はタングステンで、付着は障壁層の上に低
圧化学的蒸着法で行なわれる。

Ｘ＆！吸収材の付着で用いられる方法は、５ｉ０２層の
付着について上述したのと同様である０次にＸ線吸収材
模様を、タングステンの低圧選択的化学的蒸着によりＳ
ｉＯ２ステンシルを通して定めることができる。従って
この方法は付加的なもので、ＳｉＯ□ステンシルで定め
られた輪郭を正確に満たす、タングステンの付着は極め
て選択的で障壁層が露出された領域でのみ行なわれ、ス
テンシル自体の表面上では起きない、タングステンの付
着に続き、二酸化珪素ステンシルの残りの部分を選択的
イオン食刻によって除去し、第３ｄ図に例示した構造を
生ずる。

付着の程度は、ステンシル内に形成されていた模様の幾
何学的形態に付着物を一致させるのに充分なものとする
。障壁層上のタングステンの付着は二段階の化学的反応
に従う、この反応は次のように例示される。

障壁層上にタングステンを低圧化学的蒸着するのに用い
られる装置及び方法はよく知られており、技術的文献に
記載されている。例えばＭ、Ｌ、グリーン（Ｇｒｅｅｎ
）及びＲ，Ａ、レビイ（Ｌｅｖｙ）、”集積回路用のた
めの金属の化学的蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ
　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　　ｏｆ　　Ｍｅｔａｌｓ　　
ｆｏｒ　　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　　Ｃ１ｒｃｕｉｔ　
　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ）″　Ｊ、ｏｆ　　Ｍｅｔ
ａＩｓ、　　Ｊｕｎｅ　　（１９８５）；　　及びＴ、
モリャ、に、ヤマダ、Ｙ、ツナシマ及びＭ、カシワギ、
゛優れた選択性をもつ非侵食タングステン新ＣＶＤ法（
ＡＮ　ｅｗ　　Ｅ　ｎｃｒｏａｃｈａ＋ｅｎｔ−Ｆ　ｒ
ｅｅ　　Ｔ　ｕＢｓｔｅｎ　　ＣＶ　ＤＰ　ｒｏｃｅｓ
ｓ　ｗｉｔｈ　Ｓ　ｕｐｅｒｉｏｒ　Ｓ　ｅｉｅｅｔｉ
ｖｉｔｙ）”第１５凹円体装置及び材料会議（東京）予
講集（１９８３）第２２５〜２２８頁参照、（これらは
全て全体的に参考のためここに入れである）。

蒸着室内の六フッ化タングステンに対するガス圧力は、
約２．５〜５　ｘ　１０’　ｈ−ルの範囲にあり、Ｈ２
に対しては約０．１５〜約０．３５）−−ルの範囲にあ
る。

蒸着室内の典型的な流速は、六フッ化タングステンに対
しては１０ｃｍコ／分で、水素に対しては約７５ｃｍ／
分である１本発明の好ましい具体例として、基材温度は
、約５０〜約２００人／分の付着速度を得るために、約
３００〜４００℃の範囲に維持される。

ステンシルの輪郭内にタングステンを選択的に化学的蒸
着した後、ステンシルをプラズマ食刻法により除去する
ことができる。プラズマ食刻は反応性イオン食刻（ＲＩ
Ｅ）に幾らか似ているが、操ｉ％及び結果の点でかなり
異なっている０重要な相異点は、プラズマ食刻室内の圧
力がＲＩＥ室内よりもはるかに高いことである。従って
、食刻はＲＩＥの場合よりも異方的であるよりもむしろ
等方的に行なわれる。プラズマ食刻は慣習的に半導体製
造で用いられてきている０例えばＳ、Ｍ、アービング（
Ｉ　ｒｖｉｎｇ）、　Ｋ　、　Ｅ　、レモンズ（Ｌｅｍ
ｏｎｓ）及びＧ、Ｅ、ボボス（Ｂ　ｏｂｏｓ）による米
国特許第３．６１５，９５６号（１９７１）“ガスプラ
ズマ蒸気食刻法”及びＡ、ヤコブ（Ｊ　ａｃｏｂ）によ
る米国特許第３，９５１．８４３号（１９７６）”半導
体デバイスからホトレジスト材料をプラズマ除去するの
に用いるためのフルオロカーボン組成物”参照。

最後に、像状模様と一致した珪素ウェハー部分（下１１
１！Ｉ）を選択的化学的食刻法で除去する。この方法は
、最初に、緩衝フッ化水素酸に露出することにより珪素
に穴をあける。そのような処理に続き、露出した珪素を
適当な化学的食刻剤（例えばピロカテコール、エチレン
ジアミン及び蒸留水の混合物）中に入れることができる
。この溶液を約１１５℃の一定温度に保つ、この温度で
ウェハーの下側の食刻は約６０〜１００μｍ／時の速度
で進行する。この食刻はそれ自体、硼素をドープしたエ
ピタキシャル層がその食刻剤に対し比較的不浸透性であ
る点で限界がある。この同じ食刻法は、５ｉｎ２ステン
シルの残部を除去するのにも用いることができる。

上で特定化した条件で、そのようなステンシルの消費は
、約２００〜５００人／分の速度で進行するであろう、
前述の方法で得られるマスクは第１図及び第２１２１に
例示されている。第１図は本発明の方法により製造でき
るマスクの斜視図である。第２図は第１のマスクの線Ａ
Ａを通る断面図を表す。

この方法により、製造されたマスクは多くの点で独特の
ものである。そのような特異性はタングステンとエピタ
キシャル珪素表面との間の反応の結果である。その結果
はこれら二つの領域の間の界面に珪化タングステンの薄
い（２００人より小さい）薄い層が形成されることであ
る。その結果タングステンは硼素をドープした珪素に化
学的に結合し、優れた接着をなす、減法（Ｓ　ｕｂｔｒ
ａｃＬｉｖｅ）現象タングステン法はこの結果から利点
は得られず、応力を注意深く制御しないと、タングステ
ンは接着が悪い為屡々剥がれ亀裂を生ずるであろう。

本方法の別の利点は、選択的に付着させたフィルムの応
力について予期せざる制御が得られることである。フィ
ルム内の応力は反応器中の温度及び圧力を変えることに
より、蒸着中よい正確度で制御することができる。フィ
ルム内の応力を制御するこの能力は重要である。何故な
らもし金属フィルム中の応力を制御できれば、模様の変
形度を制御することができるからである。さもないと、
全く明らかなように、これらの変形はＸ線マスクに有害
なものである。

本発明の選択的ＣＶＤタングステン法の第三の利点は、
それが乾式法であると考えられていることである。対照
的に、吸収材金属は、液体浴、例えば金の電気メッキ浴
から珪素膜上にありきたりのやり方で付加的に模様状に
つけられる。それら液体は、微小汚染物を除いて超清浄
に保つことを一層困難にするのに対し、気相反応は比較
的簡単に清浄に保てる。

本発明の前記処理工程及び材料は、熱的膨張及び収縮に
よる破壊に極めて抵抗性のある形状が安定したマスクを
もたらす、安定性は一つには、珪素に対して最も近い整
合を与えるタングステンの熱膨張係数による。その結果
熱的な不一致に起因する変形が最小になる。これはマス
クの耐久性にとって非常に重要なことである。Ｘ線に露
出中、かなりのエネルギーがマスクに吸収され、熱を発
生し、それがマスクの熱膨張を起こすであろう。

熱膨張及び熱収縮によって起こされる変形はマスクの破
壊を起こすことがあり、それはコンクリートが長い時間
一定のＤ張及び収縮を受けることにより亀裂を生ずるの
によく似ている。膨張及び収縮を重責的に一緒に受ける
膜及び吸収材を有することは、この効果を最小にするで
あろう。これとは対照的に付加した金による吸収材模様
は珪素に対する熱的な一致が悪く、従って珪素にタング
ステンを付加した場合に匹敵するマスクの寿命は示さな
い。

実施例 次の実施例は、本発明の方法によるＸ線マスクの製造を
例示する。続〈実施例は珪素ウェハー上に膜領域を最初
に定めることにより、Ｘ線マスクを製造する方法を例示
する。従ってこの実施例は第３図の右側に例示した処理
過程に従うものである。

最初に、次の規格をもつ２枚の研摩した珪素ウェハーを
商業的に入手した〔オーレル社（ＡｕｒｅｌＣｏ、　＞
（カリフォルニア州すンタクララ）製〕。

配向：１００ ドープ剤二　Ｎ 固有抵抗：　　２〜２．５ΩｃＩｌ 直径：　２インチ 次にこれらの珪素ウェハーを商業的に処理してその上側
表面に硼素をドープしたエピタキシャル珪素膜を成長さ
せた（　Ｍ　／　Ａ　　Ｃｏｍ　、マサチューセッツ州
バーリントン）。処理の結果、５×１０１ｇ′　〜　ｌ
Ｘｌ０”原子／　ｃ　ｍ　’の硼素ドープ濃度をもつ約
０．５〜３μ彌の厚さをもつ膜が得られた。

次に二酸化珪素被覆を、化学的蒸着によって、膜の表面
とウェハーの下側の両方の上に付着させる。この二酸化
珪素被覆即ちステンシル層の厚さは約３０００人である
。この被覆方法で用いられた装置は市販されており、そ
のような蒸着を行なうための技術は、公開された文献に
記載されている。

〔カリフォルニア州ロスガトスのゼネラルシグナルの一
部門であるテンプレス（ＴｅＩＩｌｐｒｅｓｓ）から入
手できるパイロックス（Ｐｙｒｏｘ）器具）。

ウェハー上の二酸化珪素被覆の前後の両面に回転ホトレ
ジスト被覆法を適用する。ホトレジストはシブレイ　ミ
クロボジト（Ｍ　１ｃｒｏｐｏｓｉｔ）１４５０Ｊ　（
マサチューセッツ州ニュートンのシンプレイ社から入手
できる）を用いて　ウェハーの二酸化珪素表面に適用す
る。装置はウェハーを約３０秒間４０００ｒｐｍで回転
させるように操作する。この適用方法から得られるレジ
ストは厚さが約１．７５μ薗である。レジストは硬化さ
せるため通風炉中で約９０℃で３０分間加熱する。レジ
ストを硬化した後、膜領域を定めるため紫外線に露出す
る。露出は、３６０Ｗのエネルギー源及び膜領域を定め
るために従来の近接マスクを用いて約４５秒間行なわれ
た０次にレジストを従来の現像剤溶液（シブレイ　ミク
ロボジト３５１現像剤濃縮物　１部、Ｈ２Ｃ５部）中で
現像した。現像は約１５秒間必要であり、現像剤は従来
の噴霧法で適用した。

現像に続き、ウェハーの下側上の二酸化珪素被覆の露出
部分を、トリフルオロメタン　ガスを用いた反応性イオ
ン食刻（ＲＩＥ）により除去した。

二酸化珪素被覆の露出部分は、ＲＩＥにより工１素ウェ
ハーの水準まで全部除去されるこの食刻法で用いられた
装置は変換パーキン−エルマー（Ｐａｒｋｉｎ−Ｅ　Ｉ
ｍｅｒ）　　スパッタリング装！（３１４０型）であっ
た。操作条件は次の通りであった。

６００■のバイアス １０１０５ｅの流速 １０ミリトールの圧力 約３０００人分の５ｉ０２食刻速度 このＲＩＥ法に続き、レジストの残りの部分を、この構
造体の上側及び下側の両方からア七トンによるすすぎで
剥離することにより除去した。珪素ウェハーの露出領域
を次にエチレンジアミンピロカテコールと水からなる溶
液で化学的に食刻する。

食刻浴中のこれら成分の相対的濃度は、２５０＋＋＋Ｚ
　：４５ｇ二１２０ｍ１である。この食刻剤は予め混合
された形で市販されている（マサチューセッツ州ローレ
イのトランセン社）０食刻剤は約０．７５μ薗／分の速
度で珪素ウェハーを除去するのに有効である。硼素をド
ープしたエピタキシャル珪素膜はこの膜の腐食に対し有
効な障壁を与える。

膜を定めた後、３層レジストを、エピタキシャル珪素膜
の上側を覆っている無傷の二酸化珪素被覆に適用する。

この３層レジストは二酸化珪素被覆上に三つの別々の層
を順次付着させることにより製造される。第１の層はシ
ブレイ　ミクロボジ）　　１４５０Ｊ　　ホトレジスト
（０，５−１μＩの厚さ）で、そのレジストを従来のや
り方で硬化させた後、次にその上に二酸化珪素被覆をス
パッタリングしり２５０〜５００人の厚さまで）、次に
その８１０２層の上にポリメチルメタクリレート被覆を
同じ回転付着法により適用する。ポリメチルメタクリレ
ート被覆は約１８０　’Ｃに３０分間加熱することによ
り硬化する。この３層レジストを製造した後、模様状電
子ビームエネルギーに露出する。この露出工程で用いら
れた装置は、カリフォルニア州へイウツドのパーキン−
ニルマー社から入手できる。

そのような露出に続き、３層レジストの表面２８０−４
０　Ｋ　Ｔ　Ｉ　　ポリメチルメタクリレート現像剤（
コネチカット州つオーリングフォードの　ＫＴＩケミカ
ルズ社製）で現像した。現像工程は露出時間により、ど
の場合でも３０〜６０秒の範囲にすることができる。

３層レジストの現像に続き露出しなＳ　ｉ　０２層を反
応性イオン食刻法（ＲＩＥ）により除去する。この方法
は、膜を定める際にウェハーの下側から二酸化珪素被覆
を除去するのに用いられた方法と同様である。露出領域
中の二酸１ヒ珪素を、下の硼素をドープしたエピタキシ
ャル珪素膜の水準まで除去しそれによってステンシルを
形成する。この食刻工程が終わった時、３層レジストの
残りをアセトンですすぐことにより除去する。ステンシ
ルの表面及び硼素をドープしたエピタキシャル珪素層の
露出領域を、今度は、トリクロロエチレンで清浄にし、
次にアセトンで、次にメタノールによるすすぎにより清
浄にする。得られた構造体をヘリウム酸素雰囲気中（３
００ミリトール）でプラズマ・アッシュ（ａｓｈ）に、
従来の装置及び方法を用いて露出する（装置はロープア
イランド州プロピデンスのテクニクス社から入手できる
）。

硼素をドープしたエピタキシャル珪素層の露出した領域
及びステンシルの表面を、タングステンの還択的化学的
蒸着の前に、フッ化水素酸に接触させる。この清浄化操
作で用いられる溶液は、市販されている（マサチューセ
ッツ州ローレイのトランセン社製）緩衝フッ化水素酸で
ある。フッ化水素酸との接触時間は１漫漬当たり約１０
〜３０秒である。

この最後の清浄化工程に続き、その構造体を化学的蒸着
室に入れ、タングステンを、硼素をドープしたエピタキ
シャル層上に約０．２５〜０，４μｍの深さまで付着さ
せる。タングステン付着物は二酸化珪素ステンシルの輪
郭に一致する。この方法で用いられる装置は容易に商業
的に入手できる（カリフォルニア州マウンテンビューの
ジーナス社又はカリフォルニア州すナゼイのアニコン社
）。

エピタキシャル珪素層の上にタングステンを付着させた
後、二酸化珪素ステンシルを、得られたｔｉ構造体表面
をＨｍフッ化水素酸中に、二酸化珪素ステンシルの残り
が食刻除去されるまで浸漬することにより除去する。そ
のような浸漬時間は、ＳｉＯ□の厚さに依存し、食刻速
度は約１００人／分でりる。

二酸化珪素ステンシルの除去に続き、マスクを洗浄して
残留酸を除去し、乾燥する。ここでマスクは完成され、
ミクロ電子工業の微細な形状なもつ部品の製造に用いる
ことができる。

今までの記載は、本発明の好ましい具体例の幾つかを例
示するために与えられており、本発明の範囲ご限定する
ものと考えてはならない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法により製造されたＸ線マスクの斜
視図である。 第２図は第１図の構造体の線ＡＡを通る断面図である。 第３ａ図〜第３ｄ図は本発明の方法の種々の段階でのマ
スク素材を通る一連の断面図である。 ４−ウェハー、　　　　６−障壁層、 ８−二酸ｆヒ珪素層。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｘ線リトグラフで用いるのに適した、形状が安定
   なマスクの製造方法において、 ａ）上から下に次の順序で連続的に配列された複数の層
   からなるマスク素材を与え、 ｉ）レジスト層、 ｉｉ）二酸化珪素被覆、 ｉｉｉ）エピタキシャルに成長させた硼素をドープした
   珪素障壁層、及び ｉｖ）単結晶珪素ウェハー； ｂ）前記レジストの表面を像形成エネルギーに選択的に
   露出し、 ｃ）得られたレジストの像状模様を現像し、下の二酸化
   珪素被覆の一部を選択的に露出させ、 ｄ）二酸化珪素被覆の前記露出した部分を除去してステ
   ンシルを形成し、下の硼素をドープしたエピタキシャル
   珪素障壁層を選択的に露出させ、 ｅ）前記マスクの像状表面に、タングステンと、前記硼
   素をドープしたエピタキシャル障壁層の露出した部分と
   の反応生成物を形成させるのに都合のよい条件で、タン
   グステンを選択的に化学的に蒸着させ、それによつて前
   記二酸化珪素ステンシルの三次元的幾何学的形態によっ
   て可能な程度まで障壁層にタングステンを蒸着させ、 ｆ）二酸化珪素ステンシルの残りの部分を除去し、そし
   て ｇ）硼素をドープしたエピタキシャル障壁層の像状部分
   と一致した珪素ウェハー部分を選択的に除去し、それに
   よって模様状Ｘ線吸収材が上に付着した、形状が安定な
   膜を定める、 ことからなるＸ線リトグラフ用マスクの製造方法。
2. （２）障壁層中の硼素の濃度が約５×１０＾１＾９／ｃ
   ｍ＾３から約２×１０＾２＾０／ｃｍ＾３の範囲にある
   前記第１項に記載の方法。
3. （３）Ｘ線透過性支持膜とそれに付随するＸ線吸収材金
   属を有するＸ線リトグラフで用いるのに適したＸ線マス
   クにおいて、形が崩れないＸ線透過性膜がエピタキシャ
   ルに成長させた硼素をドープした珪素層からなり、その
   上に直接付着させたタングステン付着物を有することか
   らなる改良されたマスク。
4. （４）硼素をドープしたエピタキシャル珪素層が約０．
   ５〜約３μｍの範囲の厚さをもち、タングステン付着物
   が約０．３５〜約０．７５μｍの厚さを有する前記第３
   項に記載の改良されたマスク。
5. （５）硼素をドープしたエピタキシャル珪素層が形が崩
   れないものであり、模様状Ｘ線吸収材のための本質的に
   平らな、形が崩れない台を与える前記第３項に記載の改
   良されたマスク。
6. （６）Ｘ線リトグラフで用いるのに適した、形状が安定
   なマスクの製造方法において、 ａ）上から下に次の順序で連続的に配列された複数の層
   からなるマスク素材を与え、 ｉ）二酸化珪素被覆、 ｉｉ）エピタキシャルに成長させた、硼素をドープした
   珪素障壁層、 ｉｉｉ）単結晶珪素ウェハー、 ｉｖ）二酸化珪素被覆、及び ｖ）レジスト層； ｂ）前記レジストの表面を像形成エネルギーに選択的に
   露出し、 ｃ）得られたレジストの像状模様を現像し、下の二酸化
   珪素被覆の一部を選択的に露出させ、 ｄ）二酸化珪素被覆の前記露出した部分を除去し、それ
   によって珪素ウェハーの下側を露出させ、 ｅ）前記ウェハーの下側を、本質的に完全に除去される
   まで食刻剤にかけ、 ｆ）前記障壁層と連続した二酸化珪素被覆内に模様を定
   め、 ｇ）前記二酸化珪素被覆を前記障壁層の水準まで選択的
   に除去し、模様に一致したステンシルを定め、そして ｈ）前記障壁層の露出部分上に、タングステンと前記障
   壁層との反応生成物を形成させるのに都合のよい条件で
   、タングステンを化学的蒸着法で付着させる、 ことからなる、Ｘ線リトグラフ用マスクの製造方法。